吳正信
Wu, Jenq-Shinn・電機學院・電子研究所
碩士平均畢業時長
2.10 年
中位數 2.10 年・2 人
博士平均畢業時長
7.08 年
中位數 7.08 年・1 人
收錄論文
4 篇
106–112 學年度
全校中位數（供對照）
碩士 2.10・博士 6.11 年
畢業時長趨勢
每學年度畢業人數
只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。
研究關鍵字
分子束磊晶鋁薄膜Molecular Beam Epitaxy變質緩衝層銻化物碲化鎵摻雜Metamorphic Buffer LayerAntimonidesAluminum Thin FilmGaTe Doping閘極調變效應氮化鈦薄膜gate modulationaluminum filmstitanium nitride films鋁奈米線超導臨界溫度電晶體aluminum nanowiressuperconductorcritical temperaturefield-effect transistors鋁奈米薄膜分子數磊晶Aluminum Nanofilm
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指導論文
| 學年度 | 論文 | 學制 | 入學 | 提交日期 | 畢業時長 |
|---|---|---|---|---|---|
| 112 | Growth of Antimonide on GaAs Substrate Using Ultrathin Metamorphic Buffer Layers 電子研究所・共同指導：林聖迪 分子束磊晶、變質緩衝層、銻化物、鋁薄膜、碲化鎵摻雜、Molecular Beam Epitaxy、Metamorphic Buffer Layer、Antimonides、Aluminum Thin Film、GaTe Doping | 博士 | 105 | 2023-09-01 | 7.08 年 |
| 111 | Gate modulation effect in nano-scale aluminum and titanium nitride thin films 電子研究所・共同指導：林聖迪 分子束磊晶、閘極調變效應、鋁薄膜、氮化鈦薄膜、molecular beam epitaxy、gate modulation、aluminum films、titanium nitride films | 碩士 | 109 | 2022-09-22 | 2.14 年 |
| 108 | Superconducting characteristics and electrical device measurements of aluminum-channel nanowires 電子研究所・共同指導：林聖迪 鋁奈米線、超導、臨界溫度、電晶體、aluminum nanowires、superconductor、critical temperature、field-effect transistors | 碩士 | 106 | — | 無法計算 |
| 106 | Epitaxial Growth and Characteristics Analysis of Aluminum Nanofilms 電子研究所・共同指導：林聖迪 鋁奈米薄膜、分子數磊晶、Aluminum Nanofilm | 碩士 | 104 | 2017-08-22 | 2.06 年 |