孟慶宗

Meng, Chin-Chun・電機學院・電信工程研究所

碩士平均畢業時長

2.42 年

中位數 2.50 年・24 人

收錄論文

54 篇

100–114 學年度

全校中位數（供對照）

碩士 2.10 年

畢業時長趨勢

每學年度畢業人數

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研究關鍵字

低雜訊放大器功率放大器power amplifier誤差向量幅度Low Noise AmplifierSiGe HBTEVM三絞線變壓器蕭特基二極體LNATrifilarDoherty power amplifiererror vector magnitude寬頻低雜訊放大器寬頻功率放大器對數功率檢測器鎮流電阻ballasting resistorSchottky diode毫米波BroadbandpHEMTBroadband Power Amplifier功率結合放大器Logarithmic power detectorPAPGS穩壓器Regulator寬頻帶雙頻帶負壓產生器單刀雙擲開關多爾第功率放大器Class F功率放大器Class F Power Amplifier多爾蒂功率放大器OFDMHBT元件特性耦合器coupler環形濾波器共同設計Ring filterCo-designLow-noise amplifiermillimeter wave功率結合變壓器Power combining transformer氮化鎵功率放大器

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指導論文

學年度	論文	學制	入學	提交日期	畢業時長
114	具負電壓產生器之Ka頻段GaAs與GaN HEMT開關及 2.4 GHz電流模式功率結合SiGe HBT功率放大器 Design and Implementation of a Ka-Band GaAs and GaN HEMT Switch with an Integrated Negative Voltage Generator and a 2.4-GHz Current-Mode Power-Combining SiGe HBT Power Amplifier 電信工程研究所負壓產生器、電荷幫浦、單刀雙擲開關、pHEMT、GaN、SiGe HBT、多爾第功率放大器、電流模式功率結合放大器、negative-voltage generator、charge pump、single-pole double-throw (SPDT) switch、Doherty power amplifier、current-mode power-combining amplifier	碩士	112	2026-03-23	2.64 年
114	2.4-GHz SiGe HBT 電壓結合多爾第功率放大器和Ka頻段GaAs pHEMT電流結合多爾第功率放大器 Design and Implementation of a 2.4-GHz SiGe HBT Voltage-Combining Doherty Power Amplifier and a Ka-Band GaAs pHEMT Current-Combining Doherty Power Amplifier 電信工程研究所多爾第功率放大器、輸出功率回退、誤差向量幅度、寬頻放大器、Doherty power amplifier、Back-off Efficiency Enhancement、error vector magnitude、Broadband Amplifier	碩士	112	2026-03-19	2.63 年
113	3-6 GHz CMOS低雜訊放大器和2.4 GHz Class F及 Class B SiGe HBT寬頻功率放大器 3-6 GHz CMOS LNA and Implementation of 2.4 GHz Class F and Class B SiGe HBT Broadband Power Amplifiers 電信工程研究所寬頻低雜訊放大器、寬頻功率放大器、Class F功率放大器、諧波阻抗、誤差向量幅度、Broadband Low-Noise Amplifier、Broadband Power Amplifier、Class F Power Amplifier、Harmonic Impedance、Error Vector Magnitude	碩士	111	2025-03-20	2.63 年
113	2.4-GHz電壓結合類多爾蒂 SiGe HBT功率放大器與具整合對數功率檢測之 28-GHz pHEMT功率放大器 2.4-GHz Voltage-Combined Doherty-Like SiGe HBT Power Amplifiers and 28-GHz pHEMT Power Amplifier with an Integrated Logarithmic Power Detector 電信工程研究所寬頻功率放大器、Class F功率放大器、誤差向量幅度、正交產生變壓器、功率結合放大器、多爾蒂放大器、對數功率檢測器、Broadband power amplifier、Class F power amplifier、Error Vector Magnitude(EVM)、Quadrature-generating transformer、Power-combining amplifier、Doherty amplifier、Logarithmic power detector	碩士	111	2025-03-20	2.63 年
113	2.5-GHz Class F SiGe HBT寬頻功率放大器與具整合低壓差穩壓之28-GHz pHEMT低雜訊放大器 2.5-GHz Class F SiGe HBT Wideband Power Amplifier and 28-GHz pHEMT Low Noise Amplifier with an Integrated Low Dropout Regulator 電信工程研究所寬頻功率放大器、Class F、誤差向量幅度、低壓差穩壓器、自偏壓、低雜訊放大器、Broadband Power Amplifier、Error Vector Magnitude、Low Dropout Voltage Regulator、Self-bias、Low Noise Amplifier	碩士	111	2025-03-20	2.63 年
113	實現電流結合之2.4-GHz與28-GHz多爾蒂功率放大器用基於變壓器的SiGe HBT及pHEMT技術 Implementation of 2.4-GHz and 28-GHz Current-Combined Doherty Amplifiers Using Transformer-Based SiGe HBT and pHEMT Technologies 電信工程研究所多爾蒂功率放大器、四分之一波長轉換器、誤差向量幅度、SiGe HBT、pHEMT、Doherty power amplifier、quarter-wavelength transformer、error vector magnitude	碩士	111	—	無法計算
112	具波形整形之2.4 GHz SiGe HBT功率放大器和使用DC Mextram 504 BJT模型研究其OFDM調變之ACPR 2.4-GHz SiGe HBT Power Amplifiers with Waveform Shaping and Its OFDM Modulation ACPR Study Using DC Mextram 504 BJT Model 電信工程研究所 onstate breakdown、OFDM、Mextram 504 BJT model、SiGe HBT、power amplifier、class-F、noise cancelling、Mextram 504 BJT模型、功率放大器、雜訊消除	碩士	110	2024-01-31	2.50 年
112	5-GHz寬頻、2.4-GHz三絞線功率結合SiGe HBT放大器與具積體化負壓產生器之28-GHz低雜訊放大器 5-GHz Broadband、2.4-GHz Trifilar Power Combining SiGe HBT Power Amplifiers and 28-GHz pHEMT Low Noise Amplifier with an Integrated Negative Voltage Generator 電信工程研究所負壓產生器、單頻低雜訊放大器、寬頻功率放大器、誤差向量幅度、三絞線變壓器、功率結合放大器、蕭特基二極體、HBT元件特性、NVG、Single-band LNA、PA、EVM、Trifilar、Power Combining Amplifier、SBD、HBT Device Characteristics	碩士	110	2024-01-30	2.50 年
112	使用SiGe HBT技術實現高整合度5-GHz多爾蒂功率放大器與2.4-GHz串聯-並聯型功率結合放大器 Fully Integrated 5-GHz Doherty Power Amplifier and 2.4-GHz Parallel-Series Power Combining Power Amplifier Using SiGe HBT Technology 電信工程研究所多爾蒂功率放大器、鎮流電阻、三絞線變壓器、串聯並聯功率結合變壓器、誤差向量幅度、Doherty power amplifier、ballasting resistor、trifilar transformer、parallel series power combining transformer、EVM、SiGe HBT	碩士	110	2024-01-30	2.50 年
111	用Ebers-Moll BJT電晶體模型研究具OFDM調變之微波功率放大器的線性度及Ka-Band pHEMT對數功率檢測器 Study of Microwave Power Amplifier Linearity with OFDM Modulation Using Ebers-Moll BJT Model and Ka-Band pHEMT Logarithmic Power Detector 電信工程研究所正交多頻分工、向量誤差幅度、調製編碼策略、峰值均值功率比、對數功率檢測器、圖形接地屏蔽、OFDM、EVM、MCS、PAPR、logarithmic detector、PGS	碩士	109	2023-03-22	2.64 年
111	SiGe HBT高線性度功率放大器之穩壓電路及偏壓電路研究與GaInP/GaAs HBT熱電性能分析 Study of Regulators and Bias Circuits for High Linearity SiGe HBT Power Amplifiers and Analysis of GaInP/GaAs HBT Electro-Thermal Characteristics 電信工程研究所穩壓器、功率放大器、記憶效應、誤差向量幅度、電熱特性、Regulator、power amplifier、Memory-Effect、EVM、electro-thermal	碩士	109	2023-02-05	2.51 年
111	整合參考電壓穩壓電路的28 GHz pHEMT低雜訊放大器及用WLAN 802.11n/ac/ax規格模擬SiGe功率元件 28 GHz LNA Integrated with a Voltage Reference Regulator in pHEMT Technology and SiGe Power Device Simulations Using WLAN 802.11n/ac/ax Specifications 電信工程研究所低雜訊放大器、砷化鎵、穩壓器、三絞線變壓器、誤差向量幅度負載拉移、蕭特基二極體、low noise amplifier、gallium arsenide GaAs、regulator、trifilar、EVM loadpull、Schottky diode	碩士	109	2023-02-03	2.51 年
111	結合圖形式接地屏蔽電感之90 nm MOS寬頻低雜訊放大器和SiGe BiCMOS低雜訊與功率放大器共同設計 90 nm MOS Broadband LNAs with Patterned Ground Shield Inductors and SiGe BiCMOS LNA/PA Co-Design 電信工程研究所圖形式接地屏蔽電感、Sub-7 GHz、寬頻低雜訊放大器、射頻前端電路共同設計、功率放大器、Patterned Ground Shield Inductor、Broadband Low-Noise Amplifier (LNA)、RF Front-End Circuit Co-Design、Power Amplifier	碩士	109	2023-02-03	2.51 年
111	具射極鎮流電阻之並聯及並串聯型變壓器 SiGe HBT功率結合放大器 SiGe HBT Parallel and Parallel-Series Power Combining Amplifiers with Emitter Ballasting Resistors 電信工程研究所功率放大器、鎮流電阻、功率結合器放大器、三絞線變壓器、誤差向量幅度、power amplifier、ballasting resistor、power combiner amplifier、trifilar、EVM	碩士	109	2023-02-03	2.51 年
111	具對數功率檢測之2.4 GHz SiGe HBT功率放大器及SiGe HBT熱電特性 2.4 GHz SiGe HBT Power Amplifier Integrated with Logarithmic Power Detector and SiGe HBT Electro-Thermal Characterization 電信工程研究所功率放大器、SiGe HBT、對數功率檢測器、耦合器、負載不匹配、鎮流電阻、BVCER、power amplifier、logarithmic power detector、coupler、load mismatch、ballasting resistors	碩士	109	2023-02-02	2.51 年
110	具安定電阻之SiGe HBT直流/射頻熱電效應特性量測分析及高壓操作2.4 GHz SiGe HBT功率放大器 DC/RF Thermal-Electrical Characterization of SiGe HBTs with Ballasting Resistors and High Voltage Operation of 2.4 GHz SiGe HBT Power Amplifiers 電信工程研究所毫米波、低雜訊放大器、功率放大器、環形濾波器、共同設計、安定電阻、SiGe HBT熱電特性、mmWave、LNA、PA、Ring filter、Co-design、Ballasting resistor、SiGe HBT thermal-electrical characteristic	碩士	108	2022-01-26	2.49 年
110	整合具高頻寬穩壓器之偏壓電路於2.4 GHz SiGe-BiCMOS功率放大器與pHEMT參考電壓源 2.4 GHz SiGe-BiCMOS Power Amplifiers Integrated with High Bandwidth Regulator Bias Circuits and Voltage Reference Circuits in pHEMT Technology 電信工程研究所功率放大器、溫度變異、鎮流電阻、穩壓器、誤差向量幅度、PA、Temperature variation、Ballasting resistor、Regulator、EVM	碩士	108	2022-01-26	2.49 年
110	使用CMOS和SiGe HBT設計寬頻低雜訊放大器及功率結合放大器與GaAs pHEMT二級運算放大器 Broadband LNAs and Power Combined Amplifiers using CMOS and SiGe HBT Technologies and GaAs pHEMT Two Stage Operational Amplifiers 電信工程研究所寬頻低雜訊放大器、功率結合放大器、三絞線變壓器、運算放大器、靴帶式架構、broadband low noise amplifier、power combined amplifier、trifilar、operational amplifier、bootstrapped	碩士	108	2022-01-26	2.49 年
110	圖形式接地屏蔽電感之寬頻低雜訊放大器及三絞線變壓器SiGe高線性度功率放大器與GaInP/GaAs HBT熱電特性 Using Patterned Ground Shield Inductor and Trifilar Transformer for Broadband LNAs and SiGe HBT High Linearity Power Amplifiers and Thermal-Electrical Characterization of GaInP/GaAs HBT 電信工程研究所寬頻低雜訊放大器、圖形化接地屏蔽、射頻開關電路、HBT元件特性、熱電特性、功率放大器、三絞線變壓器、誤差向量幅度、broadband LNA、PGS、RF switch、HBT、thermal-electrical、power amplifier、trifilar、EVM	碩士	108	2021-12-03	2.34 年
109	用圖形接地屏蔽電感之矽製程寬頻低雜訊放大器及用SiGe BiCMOS與pHEMT製程共同設計之微波/毫米波前端電路 Broadband LNAs Using Pattern-Ground-Shield Inductors on Standard Silicon Technologies and Microwave/Millimeter-wave Co-Designed Front-End Circuits Using SiGe BiCMOS and pHEMT Technologies 電信工程研究所寬頻帶、低雜訊放大器、圖形接地屏蔽電感、SiGe BiCMOS、功率放大器、射頻前端電路設計、毫米波、環形濾波器與LNA共同設計、Broadband、Low-noise amplifier、pattern ground shield inductor、Power amplifier、RF front-end circuit、millimeter wave、LNA co-designed with a ring filter	碩士	107	—	無法計算
109	用三絞線變壓器之2.4-GHz SiGe HBT功率結合放大器及採用選擇性集極植入技術之SiGe HBT元件的直流/射頻/熱特性 2.4-GHz SiGe HBT Power-Combining Amplifiers Using Trifilar Transformers and DC/RF/Thermal Characteristics of Selectively-Implanted-Collector SiGe HBT Devices 電信工程研究所功率放大器、雙極性電晶體、power amplifier、SiGe HBT	碩士	107	—	無法計算
109	38-GHz pHEMT低雜訊放大器與環形濾波器共同設計 38-GHz pHEMT LNAs Co-Design with Ring Filter 電信工程研究所 pHEMT製程、低雜訊放大器、環形濾波器、共同設計、毫米波、pHEMT、LNA、Ring Filter、Co-Design、Millimeter wave	碩士	107	—	無法計算
109	使用多種功率結合技術之2.4-GHz SiGe HBT功率放大器及高電壓SiGe HBT元件之直流與射頻特性 2.4-GHz SiGe HBT Power Amplifiers Using Various Power Combining Techniques and DC/RF Characteristics of High-Voltage SiGe HBT Device 電信工程研究所功率放大器、元件直流與射頻特性、功率結合技術、Power Amplifier、SiGe HBT Device、DC/RF Characteristic、Power Combining Technique	碩士	107	—	無法計算
108	使用圖型式接地屏蔽之超寬頻低雜訊放大器及使用GIPD並聯變壓器之覆晶堆疊SiGe HBT功率放大器 Ultra-Wide Band LNA with Patterned Ground Shield and Flip-Chip SiGe stacked HBT Power Amplifier using a GIPD Parallel-Combining Transformer 電信工程研究所超寬頻低雜訊放大器、圖型式接地屏蔽、堆疊功率放大器、UWB LNA、PGS、Stacked PA	碩士	106	—	無法計算
108	使用最佳化接地、多晶片覆晶、及橫向變壓器製作2.4GHz功率結合矽鍺HBT功率放大器 Optimized Grounding, Multi-chip Flip-chip Approach and Lateral Transformer for 2.4 GHz Power Combined SiGe HBT Power Amplifiers 電信工程研究所功率結合變壓器、阻抗轉換比、最佳化接地、覆晶、橫向變壓器、電感電容共振電路、Power combining transformer、Impedance transforming ratio、Optimized grounding、Flip-chip、Lateral transformer、LC resonant circuit	碩士	106	—	無法計算
107	用SiGe BiCMOS製程的深溝槽隔離實現低損耗高隔離度 Sub-6 GHz MOS開關電路及微波矽基板氮化鎵開關電路 Low-Loss High-Isolation Sub-6 GHz MOS Switches with Deep Trench Isolation Using SiGe BiCMOS Process and Microwave GaN/Si Switches 電信工程研究所開關電路、矽基板氮化鎵製程、深溝槽隔離、矽化鍺雙極互補式金氧半電晶體製程、Switch、GaN on Si Process、Deep Trench Isolation、SiGe BiCMOS Process	碩士	106	2019-08-06	2.01 年
107	用高阻值矽基板實現2.4 GHz氮化鎵功率放大器及2.4/5 GHz GIPD分工器和3~10 GHz標準MOS製程低雜訊放大器 2.4 GHz GaN/Si PAs and a 2.4/5 GHz GIPD Diplexer Using High Resistivity Si Substrate and a 3-10 GHz LNA Using Standard MOS Process 電信工程研究所射頻積體電路、氮化鎵功率放大器、分工器、低雜訊放大器、RFIC、GaN power amplifier、Diplexer、Low noise amplifier	碩士	106	2019-08-06	2.01 年
107	38 GHz pHEMT低雜訊放大器及用射極退化型電感和二極體線性化器實現2.4/5 GHz SiGe HBT高線性度功率放大器 38 GHz pHEMT LNA & 2.4/5 GHz High linearity SiGe HBT power amplifiers using emitter degeneration inductor and diode linearizer 電信工程研究所雜訊轉換矩陣理論、傳輸線、射極退化型電感、LC共振腔、二極體線性器、Volterra series、transmission line、LC resonators、diode linearizer、IM3	碩士	105	2018-08-21	2.05 年
107	用解析方式最佳化具損耗的MOS低雜訊放大器與具折疊式混合被動元件的200-GHz混頻器 Analytical Noise Optimization of Single-/Dual-band MOS LNAs with Loss Effect and a Folded-Hybrid 200-GHz Mixer 電信工程研究所電感損耗、低雜訊放大器、單頻帶、共存式雙頻帶、整合式被動元件、180度混合被動電路、功率分波器、馬爾尚巴倫、蕭特基二極體、次諧波混頻器、毫米波、pn二極體效應、截止頻率、射頻直流轉換器電路、0.18 um MOS、loss effect、low noise amplifier、single-band、concurrent dual-band、integrated passive device、180o hybrid、power divider、Marchand balun、Schottky barrier diode、0.18 um SiGe BiCMOS、subharmonic mixer、millimeter-wave、pn junction、cutoff frequency、RF-to-DC converter	博士	100	—	無法計算
107	2.4/5 GHz 矽鍺HBT具功率結合之高線性度功率放大器與用印刷電路板實現其模組 2.4/5 GHz High Linearity SiGe HBT Power-Combining Power Amplifier and Module Realization on Printed Circuit Board 電信工程研究所功率放大器、功率結合變壓器、高功率、高線性度、印刷電路板、消除交互調變訊號、PCB版設計、Power Amplifier、Power Combining Transformer、High Power、High Linearity、Printed Circuit Board、Intermodulation Distortion Elimination、PCB design	碩士	104	—	無法計算
107	用負載遷移設計矽基板氮化鎵功率放大器及用GIPD並串聯變壓器之覆晶 SiGe HBT功率放大器 GaN Power Amplifiers on Si-Substrate Using Load-Pull Design and Flip-Chip SiGe HBT Power Amplifiers Using the GIPD Parallel-Series-Combining Transformer 電信工程研究所 GIPD變壓器、氮化鎵功率放大器、GIPD Transformer、GaN PA	碩士	105	—	無法計算
107	具類比增益補償預失真器之2.4 GHz SiGe HBT高線性度功率放大器及二級增益補償並並回授寬頻FET低雜訊放大器 2.4 GHz SiGe HBT High Linearity Power Amplifiers with an Analog Gain Compensation Predistorter and Two-Stage Gain Compensation Shunt-Shunt Feedback FET LNAs 電信工程研究所低雜訊放大器、功率放大器、Low noise Amplifier、Power Amplifier	碩士	105	—	無法計算
106	效率改進之2.4 GHz SiGe HBT 功率放大器 Efficiency Improvement of 2.4 GHz SiGe HBT Power Amplifier 電信工程研究所功率回退、效率改進、功率級面積減少、四分之一波長、交互調變失真、疊接功率放大器、崩潰電壓、矽鍺HBT、Power Back-off、Efficiency Improvement、Physical-size Reduction、Quarter-wave Length、Intermodulation Distortion、Stacked Power Amplifier、Breakdown Voltage、SiGe HBT	碩士	104	—	無法計算
106	使用非線性分析實做2.4/5GHz SiGe 異質接面雙載子電晶體功率放大器 Implentation of 2.4/5GHz SiGe HBT Power Amplifier Using Nonlinear Analysis 電信工程研究所功率放大器、線性化、非線性分析、Power Amplifier、linearization、nonlinear analysis	碩士	104	—	無法計算
105	實作並並回授與GIPD雙頻/寬頻FET低雜訊放大器 Realization of Shunt-Shunt Feedback and GIPD Dual-/Broad- Band FET LNAs 電信工程研究所低雜訊放大器、並並回授、雙頻、寬頻、積體被動元件、LNA、low-noise amplifier、GIPD、dualband、broadband	碩士	104	—	無法計算
105	使用0.18 μm SiGe BiCMOS 製程實現具雙對數放大器及小面積耦合器做功率偵測之 5-GHz 雙模態功率放大器 5-GHz Dual-Mode Power Amplifiers with Dual Logarithmic Amplifiers and a Small Coupler for Power Detection Using 0.18 μm SiGe BiCMOS Process 電信工程研究所功率放大器、對數放大器、耦合器、Power Amplifier、Logarithmic Amplifier、Coupler	碩士	103	—	無法計算
105	損耗電感對LC梯次FET低雜訊放大器之影響與單頻傳輸線FET低雜訊放大器之雜訊分析 LC-Ladder FET LNAs with Lossy Inductor Effect and Noise Analysis of Transmission-Line Single-Band FET LNA 電信工程研究所損耗電感、低雜訊放大器之雜訊分析、損耗電感對LC梯次FET低雜訊放大器之影響、低雜訊放大器、傳輸線低雜訊放大器、低雜訊放大器雜訊分析、Lossy Inductor Effect、LC-Ladder FET LNAs、Noise Analysis of Single-Band LNA、Noise Analysis of LNA、Transmission-Line Single-Band LNA、LNA	碩士	104	—	無法計算
104	損耗電感對於單頻帶/雙頻帶/寬頻帶SiGe HBT低雜訊放大器之效應 Single-/Dual-/Broad-Band SiGe HBT LNAs with the Effect of Lossy Inductors 電信工程研究所損耗電感、低雜訊放大器、Lossy Inductors、Low Noise Amplifiers、SiGe HBT	碩士	100	—	無法計算
104	用負載拉移觀察SiGe HBT增益壓縮機制與低損耗閘極電感雙頻低雜訊放大器 SiGe HBT Gain Compression Mechanisms Observed by Load Pull Measurement and Dual-Band Low Noise Amplifier with Low-Loss Gate Inductor 電信工程研究所負載拉移、功率放大器、低雜訊放大器、低損耗電感、Load Pull、Power Amplifier、Low Noise Amplifier、Low-Loss Inductor	碩士	103	—	無法計算
104	雙頻帶和寬頻源級退化電感低雜訊放大器雜訊的最佳化設計 Noise Optimization of Dual-Band and Broadband Inductively Source Degenerated Low Noise Amplifier 電機學院電信學程雙頻帶、寬頻、源級退化電感、低雜訊放大器、Dual-Band、Broadband、Source Degenerated Inductor、Low Noise Amplifier	碩士在職專班	100	—	無法計算
104	使用並聯、串聯、並串聯變壓器之矽製程功率放大器與5GHz GaN低雜訊放大器 Si-Based Power Amplifiers Using Parallel-Combining, Series-Combining, Parallel-Series-Combining Transformers and 5-GHz GaN Low Noise Amplifier 電信工程研究所並聯變壓器、串聯變壓器、並串聯變壓器、功率放大器、低雜訊放大器、Parallel-Combining Transformer、Series-Combining Transformer、Parallel-Series-Combining Transformer、Power Amplifier、Low Noise Amplifier	碩士	103	—	無法計算
104	用積體被動製程技術的CMOS低雜訊放大器與CMOS單刀雙擲開關設計 CMOS LNAs Using Integrated Passive Device Technology and Design of SPDT CMOS Switch Circuit 電信工程研究所低雜訊放大器、單刀雙擲開關、積體被動製程、高品質因素電感、單頻帶、雙頻帶、寬頻帶、功率處理能力、LNA、SPDT、GIPD、High Q inductor、Body Floating、single-band、dual-band、wide-band、power-handling、CMOS	碩士	103	—	無法計算
104	寬頻pHEMT低雜訊放大器之最佳化設計與 2.4GHz雙模態功率放大器 Design Optimization of Wide-Band pHEMT Low Noise Amplifier and 2.4GHz Dual-Mode Power Amplifier 電信工程研究所雜訊矩陣、低雜訊放大器、雙模態功率放大器、noise matrix、low noise amplifier、power amplifier	碩士	103	—	無法計算
104	FET低雜訊放大器設計最佳化與5/60-GHz 0.18-um CMOS雙模態雙轉換接收機 Design Optimization of Single-/Dual-/Broad-Band FET Low-Noise Amplifiers and 5/60-GHz 0.18-um CMOS Dual-Mode Dual-Conversion Receiver 電信工程研究所雙頻帶、寬頻帶、低雜訊放大器、雜訊轉換矩陣、蕭特基二極體、0.18 um CMOS、dual band、broadband、low-noise ampliifer、noise transformation matrix、Schottky diode	博士	98	—	無法計算
104	使用標準矽製程之5GHz功率放大器與CMOS對數功率檢測器 5GHz Power Amplifier Using Silicon Technology and CMOS Logarithmic Power Detector 電信工程研究所功率放大器、對數功率檢測器、power amplifier、logarithmic power detector	碩士	102	—	無法計算
103	矽製程蕭特基二極體尺寸最佳化以及應用60GHz蕭特基二極體次諧波混頻器之SiGe BiCMOS 5/60GHz接收機 Size Optimization of Silicon Schottky Diode and SiGe BiCMOS 5/60GHz Receiver Using 60GHz Schottky Diode Sub-Harmonic Mixer 電信工程研究所蕭特基二極體、通道選擇濾波器、5/60GHz接收機、Schottky diode、channel-select filter、5/60GHz Receiver	碩士	101	—	無法計算
103	MOSFET雜訊分析及其低雜訊電路的應用 MOSFET Device Noise analysis and Its Application for Low Noise Circuit 電信工程研究所 PCSNIM低雜訊放大器、元件雜訊參數、低雜訊降頻器、PCSNIM LNA、Device Noise Parameters、LNB	碩士	101	—	無法計算
103	最佳化設計低雜訊放大器與具傳輸零點濾波器之微波/毫米波雙模態接收機 Optimal Design Low Noise Amplifier and Microwave/Millimeter-Wave Dual-Mode Receiver with Transmission Zeros Filter 電信工程研究所低雜訊放大器、主動濾波器、low noise amplifier、active filter	碩士	101	—	無法計算
102	具源極退化電感之CMOS共源極低雜訊放大器的設計及其分析 Design and analysis of Inductively Degenerated CMOS Common-Source Low-Noise Amplifier 電信工程研究所低雜訊放大器、雜訊分析、互補式金氧半導體、低功耗設計、Low Noise Amplifier、Noise Analysis、CMOS、Low Power Design	碩士	98	—	無法計算
102	具主動射頻通道選擇濾波器之5/60 GHz雙模態接收機 5/60 GHz Dual-Mode Receiver with Active RF Channel-Select Filter 電信工程研究所雙模態接收機、具傳輸零點濾波器、dual-mode receiver、filter with transmission zeros	碩士	100	—	無法計算
102	用主動帶通濾波器做頻道選擇的直接降頻接收機和射頻元件的特性分析 Direct Conversion Receiver Using Active Bandpass Filter for Channel Select and Characterization of RF Device. 電信工程研究所傳輸零點、主動濾波器、通道選擇、蕭特基二極體、CMOS垂直寄生雙極性電晶體、矽鍺異質接面雙極性電晶體、transmission zero、active filter、channel select、schottky diode、CMOS deep-n-well Vertical-npn BJT、SiGe HBT	碩士	99	—	無法計算
101	使用耦合共面波導正交分合波器的正交射頻單正交降頻器 Quadrature Hybrid with Coupled CPW and Its Application in Quadrature-RF Single Quadrature Downconverter 電信工程研究所雙馬爾尚巴倫器、耦合共面波導、耦合共面波導方向耦合器、正交混頻器、dual Marchand balun、coupled coplanar waveguide、coupled CPW、coupled coplanar waveguide directional coupler、quadurature mixer	碩士	99	2012-09-07	2.10 年
101	主動帶通濾波器及其應用於2.4/60 GHz雙模態雙降頻接收機 Active Bandpass Filter and Its Application to 2.4/60 GHz Dual-Mode Dual-Conversion Receiver 電信工程研究所帶通濾波器、雙模態、雙降頻、接收機、Bandpass Filter、Dual-Mode、Dual-Conversion、Receiver	碩士	99	2012-09-06	2.10 年
100	運用0.18 um CMOS 製程研製2.4 GHz可調式雙模態主動濾波器及全積體化頻率合成器 2.4 GHz Tunable Dual-Mode Active Filter and Fully Integrated Synthesizer Using 0.18 um CMOS Process 電信工程研究所濾波器、主動電感、低雜訊放大器、鎖相迴路、多模數除頻器、filter、active inductor、LNA、PLL、multi-modulus divider	碩士	99	2012-08-21	2.06 年