張瀚丞
Chang, Han-Chen・光電學院・影像與生醫光電研究所
碩士平均畢業時長
4.09 年
中位數 4.09 年・1 人
收錄論文
1 篇
111–111 學年度
全校中位數（供對照）
碩士 2.10 年
畢業時長趨勢
每學年度畢業人數
只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。
研究關鍵字
矽基太陽能電池穿隧氧化層鈍化接觸太陽能電池雙面鈍化接觸太陽能電池鈍化接觸層物理氣相沉積太陽電池分析silicon-based solar celltunnel oxide passivated contact (TOPCon) solar cellbifacial passivated contact (biPC) solar cellpassivation layerphysical vapor depositionsolar cell analysis
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指導論文
| 學年度 | 論文 | 學制 | 入學 | 提交日期 | 畢業時長 |
|---|---|---|---|---|---|
| 111 | Optimization of Front Side Poly Silicon by Oxidation Process on Bifacial Passivated Contact Solar Cell. 影像與生醫光電研究所・共同指導：崔容滿 矽基太陽能電池、穿隧氧化層鈍化接觸太陽能電池、雙面鈍化接觸太陽能電池、鈍化接觸層、物理氣相沉積、太陽電池分析、silicon-based solar cell、tunnel oxide passivated contact (TOPCon) solar cell、bifacial passivated contact (biPC) solar cell、passivation layer、physical vapor deposition、solar cell analysis | 碩士 | 108 | 2023-09-02 | 4.09 年 |