李威儀

Lee Wei-I・理學院・電子物理系所

碩士平均畢業時長

2.68 年

中位數 2.27 年・12 人

博士平均畢業時長

5.10 年

中位數 5.37 年・5 人

收錄論文

17 篇

100–106 學年度

全校中位數（供對照）

碩士 2.10・博士 6.11 年

畢業時長趨勢

每學年度畢業人數

只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。

研究關鍵字

氮化鎵GaNHVPE發光二極體氮化鎵基板GaN substrateLED氫氣蝕刻hydrogen etch氮極性面N-face磊晶epitaxy氫化物氣相磊晶砷化鎵複合高介電係數介電層金氧半可靠度依時性介電崩潰缺陷GaAsStacking High K DielectricsMOSMISReliabilityTDDBTrap金屬-半導體-金屬光偵測器MSMphoto detector厚膜氮化鋁氫化物氣相磊晶法AlNPVD基板紫外光同質磊晶獨立式氮化鎵基板SubstratesUVLEDhomoepitaxtialfree-standing GaN substrate銅銦硒異質磊晶CuInSe2heteroepitaxy非極性氮化鎵化學機械研磨

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指導論文

學年度	論文	學制	入學	提交日期	畢業時長
106	複合高介電係數閘極介電層在三五族半導體中之缺陷特性及其可靠度研究 A Study of Trap Characteristics and Reliability in Ⅲ-V Compound Semiconductor with Stacking High-k Gate Dielectrics 電子物理系所氮化鎵、砷化鎵、複合高介電係數介電層、金氧半、可靠度、依時性介電崩潰、缺陷、GaN、GaAs、Stacking High K Dielectrics、MOS、MIS、Reliability、TDDB、Trap	博士	100	2017-09-01	6.09 年
104	利用侷域表面電漿共振提升氮化鎵MSM光偵測器效能 Using localized surface plasmon resonance to enhance the efficiency of a GaN MSM photodetector 電子物理系所氮化鎵、金屬-半導體-金屬、光偵測器、GaN、MSM、photo detector	碩士	102	2015-08-18	2.05 年
104	利用氫化物氣相磊晶法在物理氣相沉積氮化鋁的緩衝層上成長氮化鎵厚膜之研究 The Study of GaN Thick Film Grown on Sapphire Substrate with PVD AlN Buffer Layer by HVPE 電子物理系所氮化鎵、厚膜、氮化鋁、氫化物氣相磊晶法、GaN、HVPE、AlN、PVD	碩士	102	2015-08-18	2.05 年
103	使用次世代基板製作高效率LED之研究 The Highly Efficient InGaN-Based Light Emitting Devices Grown On Next Generation Substrates 電子物理系所氮化鎵、基板、發光二極體、紫外光、同質磊晶、獨立式氮化鎵基板、GaN、Substrates、LED、UVLED、homoepitaxtial、free-standing GaN substrate	博士	101	2015-08-15	3.04 年
103	利用分子束磊晶法在氮極性面與鎵極性面之氮化鎵上成長異質結構CuInSe2之特性研究 Study of Heteroepitaxially Grown CuInSe2 on N-face & Ga-face GaN by Molecular Beam Epitaxy (MBE) 電子物理系所銅銦硒、氮化鎵、氮化鎵基板、異質磊晶、CuInSe2、GaN、GaN substrate、heteroepitaxy	碩士	99	2015-06-07	4.85 年
103	獨立式氮化鎵厚膜化學機械研磨與同質磊晶之研究 Study of Chemical Mechanical Polishing and Homoepitaxial Growth on Free-standing GaN 電子物理系所氮化鎵、發光二極體、非極性氮化鎵、化學機械研磨、Gallium nitride、Light-emitting diode、Non-polar gallium nitride、Chemical mechanical polishing	博士	97	2015-06-05	6.84 年
103	氮極性獨立式氮化鎵基板磷酸蝕刻機制與形貌探討 The study of morphology and etching mechanism on N-face Phosphoric acid treatment free-standing GaN 電子物理系所氮化鎵、極化、濕式處理、濕式蝕刻、GaN、polarization、wet treatment、wet etch	碩士	100	2014-10-08	3.19 年
103	氨氣熱退火處理氮極性面氮化鎵基板之研究 Treatment of N-face GaN Substrate by Ammonia Thermal Anneal 電子物理系所氮化鎵、氨氣、熱退火、壓力、GaN、ammonia、anneal、pressure	碩士	101	2014-10-07	2.18 年
103	氮極性及非極性氮化鎵氫氣蝕刻之研究 Study of hydrogen etch on non-polor and N-face GaN 電子物理系所氮化鎵、氫氣蝕刻、GaN、hydrogen etch	碩士	101	2014-10-07	2.18 年
103	獨立式氮化鎵氮極性面蕭特基二極體表面處理後之特性探討 Study of Surface Treatments on N-face Freestanding GaN Schottky Diode 電子物理系所氮極性面、氮化鎵、蕭特基二極體、表面處理、氮氣退火、氧化鎳、N-face、GaN、Schottky diode、Surface treatment、N2 annealing、NiO	碩士	101	2014-10-06	2.18 年
102	利用氫化物氣相磊晶法直接在藍寶石基板上成長非極性氮化鎵之研究 The Study of Non-Polar GaN Directly Grown on Sapphire Substrate by HVPE 電子物理系所氮化鎵、GaN	碩士	100	2014-06-24	2.90 年
102	以氫化物氣相磊晶法在獨立式氮化鎵基板氮極性面再成長之研究 N-face Regrowth on Free-standing GaN Substrate by HVPE 電子物理系所氮化鎵、氮極性面、磊晶、GaN、N-face、epitaxy	碩士	99	2014-06-03	3.84 年
102	氮極性面氮化鎵基板之磷酸蝕刻活化能與表面形貌特性研究 Activation Energy and Surface Morphology Characterization of the N-face GaN Substrate by Phosphoric Acid Etch 電子物理系所氮化鎵、磷酸、GaN、Phosphoric Acid	碩士	100	2013-12-18	2.38 年
102	氫氣蝕刻氮化鎵之原理與應用 Study and Application of Hydrogen Etch on GaN 電子物理系所氮化鎵、氫氣、氫氣蝕刻、氮化鎵基板、發光二極體、內部量子效率、GaN、hydrogen、hydrogen etch、GaN substrate、LED、internal quantum efficiency	博士	97	2013-12-13	5.37 年
101	獨立式氮化鎵不同極性面對於金屬半導體接面的影響 Influence of crystal polarity on the properties of metal contact n-type freestanding GaN 電子物理系所氮化鎵、獨立式、極性、GaN、polarity、contact、freestanding、HVPE	碩士	99	2012-12-05	2.35 年
100	以二階段氫化物氣相磊晶法製作非極性氮化鎵基板之研究 Two step growth of non-polar GaN substrate by HVPE 電子物理系所氮化鎵、磊晶、孔洞、藍寶石基板、氫化物氣相磊晶、GaN、Epitaxy、void、sapphire、HVPE	碩士	99	2012-07-26	1.98 年
100	氮化鎵基板的開發與同質磊晶研究 Development of GaN Substrates and Homoepitaxy 電子物理系所氮化鎵、氮化鎵基板、同質磊晶、氫化物氣相磊晶、GaN、GaN substrate、homoepitaxy、HVPE	博士	96	2011-09-30	4.16 年