林御專

Lin, Yu-Chuan・工學院・材料科學與工程學系

碩士平均畢業時長

2.12 年

中位數 2.06 年・5 人

收錄論文

5 篇

114–115 學年度

全校中位數（供對照）

碩士 2.10 年

畢業時長趨勢

每學年度畢業人數

只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。

研究關鍵字

二維材料二硫化鉬有機金屬化學氣相沉積場效電晶體Molybdenum disulfidemetal-organic chemical vapor depositiontwo-dimensional materialsfield-effect transistorsβ-Ga2O3 / AlN異質結構二維MoS2遠程磊晶有機金屬化學氣相沉積法β-Ga2O3 / AlN heterostructuretwo-dimensional MoS2Remote EpitaxyMOCVD角解析光電子能譜過渡金屬二硫族化物異質結構Angle-resolved photoemission spectroscopyTMDheterostructures矽碳氮電漿化學氣相沉積低介電材料SiCNPlasma-enhanced chemical vapor depositionLow-k material2D material熱重分析二硫化鎢釩摻雜化學氣相沉積thermogravimetric analysistungsten disulfidevanadium dopingchemical vapor depositiontwo‑dimensional materials

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指導論文

學年度	論文	學制	入學	提交日期	畢業時長
115	以有機金屬化學氣相沉積法製備可控層數二硫化鉬薄膜 Layer-Controlled Growth of MoS2 Thin Films by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition 材料科學與工程學系二硫化鉬、有機金屬化學氣相沉積、二維材料、場效電晶體、Molybdenum disulfide、metal-organic chemical vapor deposition、two-dimensional materials、field-effect transistors	碩士	113	2026-08-13	2.03 年
115	利用MoS2中間層於SiC基板上實現自支撐 β-Ga2O3 / AlN異質結構之遠程磊晶 Remote Epitaxy of Freestanding β-Ga2O3 / AlN Heterostructures on SiC Enabled by MoS2 Interlayer 材料科學與工程學系 β-Ga2O3 / AlN異質結構、二維MoS2、遠程磊晶、有機金屬化學氣相沉積法、β-Ga2O3 / AlN heterostructure、two-dimensional MoS2、Remote Epitaxy、MOCVD	碩士	113	2026-08-13	2.03 年
114	界面交互作用主導的 WSe₂/Graphene 的旋轉域與 moiré 超晶格 Rotational Domains and Moiré Superlattices Driven by Interfacial Interactions in Epitaxial WSe₂/Graphene 材料科學與工程學系角解析光電子能譜、過渡金屬二硫族化物、異質結構、Angle-resolved photoemission spectroscopy、TMD、heterostructures	碩士	112	2025-12-24	2.40 年
114	研究以電漿增強化學氣相沉積法低溫生長矽碳氮介電層之結構與電性 The Investigation on Structural and Electrical Properties of Silicon Carbon Nitride Dielectrics Grown at Low Temperatures by Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition 材料科學與工程學系矽碳氮、電漿化學氣相沉積、低介電材料、二維材料、SiCN、Plasma-enhanced chemical vapor deposition、Low-k material、2D material	碩士	112	2025-08-25	2.07 年
114	以熱重分析導引化學氣相沉積參數優化於二維半導體二硫化鎢之晶體生長與釩摻雜之研究 Thermogravimetric Analysis–Guided Optimization of Chemical Vapor Deposition Parameters for Growth and Vanadium Doping of Two-Dimensional Tungsten Disulfide Semiconductor Crystals 材料科學與工程學系奈米科技熱重分析、二硫化鎢、釩摻雜、化學氣相沉積、二維材料、thermogravimetric analysis、tungsten disulfide、vanadium doping、chemical vapor deposition、two‑dimensional materials	碩士	112	2025-08-22	2.06 年