林群祐

Lin, Chun-Yu・電機學院・電子研究所

碩士平均畢業時長

1.96 年

中位數 1.97 年・5 人

博士平均畢業時長

3.51 年

中位數 3.51 年・1 人

收錄論文

6 篇

102–114 學年度

全校中位數（供對照）

碩士 2.10・博士 6.11 年

畢業時長趨勢

每學年度畢業人數

只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。

研究關鍵字

靜電放電electrostatic discharge (ESD)矽控整流器轉阻放大器silicon-controlled rectifier (SCR)transimpedance amplifier (TIA)跨電源域直接放電路徑cross-domaindirect discharge path射頻與靜電防護協同設計級聯放大器旁路電路電源箝位電路RF-ESD co-designcascade amplifierbypass circuitpower clamp全 nMOS面積效益高耐壓低漏電流負電壓應用all-nMOSarea-effectivehigh-voltage tolerancelow leakagenegative voltage植入式生醫晶片閂鎖防護鰭式場效電晶體蕭特基二極體implanted biomedical deviceslatch-upFinFETsilicon-controlled rectifierSchottky barrier diode靜電放電防護高介電係數 /金屬閘極製程ESD28nm High-K / Metal Gate Process低雜訊放大器二極體射頻differential low-noise amplifier (LNA)dioderadio-frequency (RF)

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指導論文

學年度	論文	學制	入學	提交日期	畢業時長
114	使用矽控整流器於跨電源域之靜電放電防護設計與驗證 Design and Verification of Cross-Power-Domain ESD Protection Using Silicon-Controlled Rectifiers 電子研究所跨電源域、直接放電路徑、靜電放電、矽控整流器、轉阻放大器、cross-domain、direct discharge path、electrostatic discharge (ESD)、silicon-controlled rectifier (SCR)、transimpedance amplifier (TIA)	碩士	113	2026-07-31	2.00 年
114	應用於寬頻高速轉阻放大器之靜電防護與旁路電路協同設計 A Co-Designed ESD Protection and Bypass Circuit for Wideband High-Speed TIA 電子研究所轉阻放大器、靜電放電、射頻與靜電防護協同設計、級聯放大器、旁路電路、電源箝位電路、Transimpedance amplifier (TIA)、electrostatic discharge (ESD)、RF-ESD co-design、cascade amplifier、bypass circuit、power clamp	碩士	113	2026-07-22	1.97 年
114	應用於負電壓之全NMOS高耐壓電源軌ESD箝位電路 All-NMOS High-Voltage-Tolerant Power-Rail ESD Clamp Circuit for Negative Voltage Applications 電子研究所全 nMOS、面積效益、靜電放電、高耐壓、低漏電流、負電壓應用、all-nMOS、area-effective、electrostatic discharge (ESD)、high-voltage tolerance、low leakage、negative voltage	碩士	113	2026-07-21	1.97 年
109	應用於可植入式生醫晶片之靜電放電防護電路與閂鎖防護設計 On-chip ESD Protection and Latch-up Prevention in Silicon Chips for Implantable Biomedical Applications 電子研究所・共同指導：柯明道靜電放電、植入式生醫晶片、閂鎖防護、鰭式場效電晶體、矽控整流器、蕭特基二極體、electrostatic discharge (ESD)、implanted biomedical devices、latch-up、FinFET、silicon-controlled rectifier、Schottky barrier diode	博士	106	2021-02-02	3.51 年
103	高介電係數 /金屬閘極製程之靜電放電防護設計與研究 ESD Protection Design in 28nm High-K / Metal Gate Process 電子工程學系電子研究所・共同指導：柯明道靜電放電防護、高介電係數 /金屬閘極製程、ESD、28nm High-K / Metal Gate Process	碩士	101	2014-11-16	2.29 年
102	奈米互補式金氧半製程下應用於射頻積體電路之靜電放電防護設計 ESD protection design for radio-frequency integrated circuits in nanoscale CMOS technology 電子工程學系電子研究所・共同指導：柯明道低雜訊放大器、二極體、靜電放電、射頻、矽控整流器、differential low-noise amplifier (LNA)、diode、electrostatic discharge (ESD)、radio-frequency (RF)、silicon-controlled rectifier (SCR)	碩士	101	2014-02-24	1.57 年