王英郎

Wang, Y.L.・工學院・材料科學與工程學系所

在職專班平均畢業時長

1.98 年

中位數 1.98 年・2 人

博士平均畢業時長

8.28 年

中位數 8.28 年・1 人

收錄論文

3 篇

100–105 學年度

全校中位數（供對照）

在職專班 2.08・博士 6.11 年

畢業時長趨勢

每學年度畢業人數

只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。

研究關鍵字

界面介金屬無鉛銲錫先進封裝Intermetallic LayersCu/Solder JointsAdvanced PackagingA/B鏡頭248奈米波長雷射曝光機深紫外光功率曲線控制LENS A/BDUV 248 nm wavelengthLASER CHAMBERDUV laserPOWER CURVE CONTROL淺溝槽隔離化學機械平坦技術Shallow Trench IsolationChemical Mechanical Planarization

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指導論文

學年度	論文	學制	入學	提交日期	畢業時長
105	先進電子封裝技術無鉛銲錫與銅界面介金屬化合物的探討 Intermetallic Layers in Cu/Solder Joints for Advanced Electronic Packaging 材料科學與工程學系所・共同指導：劉增豐界面介金屬、無鉛銲錫、先進封裝、Intermetallic Layers、Cu/Solder Joints、Advanced Packaging	博士	97	2016-11-10	8.28 年
100	半導體廠深紫外光(248奈米波長)雷射曝光機, A/B鏡頭及雷射共振腔壽命延長藉由高效率的功率曲線控制之研究 STUDY OF DUV 248 LENS A/B AND LASER CHAMBER LIFETIME EXTEND BY EFFICIENT POWER CURVE CONTROL 光電學院光電科技學程 A/B鏡頭、248奈米波長、雷射曝光機、深紫外光、功率曲線控制、LENS A/B、DUV 248 nm wavelength、LASER CHAMBER、DUV laser、POWER CURVE CONTROL	碩士在職專班	99	2012-07-26	1.98 年
100	淺溝槽隔離平坦化技術在奈米半導體積體電路製造製程研究 Study of Nano-scale Shallow Trench Isolation Planarization Process for Semiconductor Integrated Circuits Manufacture 光電學院光電科技學程淺溝槽隔離、化學機械平坦技術、Shallow Trench Isolation、Chemical Mechanical Planarization	碩士在職專班	99	2012-07-23	1.98 年