科契諾

Kirchner, Stefan Bernd・理學院・電子物理學系

碩士平均畢業時長

1.88 年

中位數 2.07 年・4 人

收錄論文

4 篇

113–114 學年度

全校中位數（供對照）

碩士 2.10 年

畢業時長趨勢

每學年度畢業人數

只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。

研究關鍵字

二矽化鈷cobalt disilicide超導體Little-Parks 效應磁通量子化半量子磁通子自旋單重態自旋三重態superconductorLittle–Parks effectflux quantizationspin-singletspin-triplet奈米橋乾式蝕刻反應性離子蝕刻相干長度nanobridgeDry etchingReactive Ion Etchingcoherence length超導現象薄膜微奈米尺度低溫系統磁電阻SuperconductingThin filmsMicro/Nano scalesLow-temperature systemsMagnetoresistance二矽化鈷薄膜鋁薄膜低頻雜訊二能級系統量子電路Cobalt disilicide thin filmsAluminum thin filmsLow-frequency noisetwo-level systemsQuantum circuits

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指導論文

學年度	論文	學制	入學	提交日期	畢業時長
114	透過磁通量量子化探討二矽化鈷中的庫珀對對稱性 Probing Cooper Pair Symmetry in Cobalt Disilicide via Magnetic Flux Quantization 電子物理學系二矽化鈷、超導體、Little-Parks 效應、磁通量子化、半量子磁通子、自旋單重態、自旋三重態、cobalt disilicide、superconductor、Little–Parks effect、flux quantization、spin-singlet、spin-triplet	碩士	113	2025-11-28	1.33 年
114	基於蝕刻製程之 CoSi₂ 奈米橋製作及其低溫超導性質 Etching-Based Fabrication of CoSi₂ Nanobridge and The Low-Temperature Superconducting Properties 電子物理學系二矽化鈷、奈米橋、乾式蝕刻、反應性離子蝕刻、相干長度、Cobalt disilicide、nanobridge、Dry etching、Reactive Ion Etching、coherence length	碩士	112	2025-08-25	2.07 年
113	在<111>矽基板上的二矽化鈷薄膜的量子干涉效應之研究 Quantum interference effect of cobalt disilicide thin films on Si <111> substrates 電子物理學系二矽化鈷、超導現象、薄膜、微奈米尺度、低溫系統、磁電阻、Cobalt disilicide、Superconducting、Thin films、Micro/Nano scales、Low-temperature systems、Magnetoresistance	碩士	111	2024-08-27	2.07 年
113	微奈米尺度二矽化鈷與鋁薄膜製作及其低頻噪音特性研究 Fabrication of Micro- and Nanoscale CoSi2 and Al Films and Study of Their Low-Frequency Noise Properties 電子物理學系二矽化鈷薄膜、鋁薄膜、低頻雜訊、二能級系統、量子電路、Cobalt disilicide thin films、Aluminum thin films、Low-frequency noise、two-level systems、Quantum circuits	碩士	111	2024-08-27	2.07 年