羅正忠
Lou, Jen-Chung・電機學院・電子工程學系 電子研究所
博士平均畢業時長
4.10 年
中位數 4.10 年・1 人
收錄論文
1 篇
100–100 學年度
全校中位數（供對照）
博士 6.11 年
畢業時長趨勢
每學年度畢業人數
只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。
研究關鍵字
氟鈍化二氧化鉿快閃記憶體氮氧化層fluorine passivationHfO2flash memorySOHOSSiON
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指導論文
| 學年度 | 論文 | 學制 | 入學 | 提交日期 | 畢業時長 |
|---|---|---|---|---|---|
| 100 | Investigation of Fluorine Passivation and Robust Oxynitride on High-κ MOSFET and Flash Memory 電子工程學系 電子研究所・共同指導：林國瑞 氟鈍化、二氧化鉿、快閃記憶體、氮氧化層、fluorine passivation、HfO2、flash memory、SOHOS、SiON | 博士 | 96 | 2011-09-05 | 4.10 年 |