薛宏中

Hsueh, Hung-Chung・理學院・電子物理學系

碩士平均畢業時長

2.25 年

中位數 2.25 年・2 人

收錄論文

2 篇

111–113 學年度

全校中位數（供對照）

碩士 2.10 年

畢業時長趨勢

每學年度畢業人數

只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。

研究關鍵字

密度泛函理論第一原理研究GW計算單硫系鎵三元合金化合物First-principlesDFTGW calculationsternary alloy compounds of the gallium monochalcogenides第一原理電子結構GW近似鍺烯first-principles calculationsDensity Functional Theoryelectronic structuresGW approximationgermanene

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指導論文

學年度	論文	學制	入學	提交日期	畢業時長
113	單硫系鎵三元合金化合物的第一原理研究：密度泛函理論（DFT）和GW計算 First-principles study on electronic structures of ternary alloy compounds of the gallium monochalcogenides : DFT & GW calculations 電子物理學系・共同指導：鄭舜仁第一原理研究、密度泛函理論、GW計算、單硫系鎵三元合金化合物、First-principles、DFT、GW calculations、ternary alloy compounds of the gallium monochalcogenides	碩士	111	2025-01-13	2.45 年
111	單層和雙層鍺烯電子結構的第一原理研究 First-principles study on electronic structures of mono- and bi-layer germanene 電子物理系所・共同指導：鄭舜仁第一原理、密度泛函理論、電子結構、GW近似、鍺烯、first-principles calculations、Density Functional Theory、electronic structures、GW approximation、germanene	碩士	110	2023-08-15	2.04 年