譚至善

Tan, Chih-Shan・電機學院・電子研究所

碩士平均畢業時長

2.03 年

中位數 2.03 年・19 人

收錄論文

19 篇

110–115 學年度

全校中位數（供對照）

碩士 2.10 年

畢業時長趨勢

每學年度畢業人數

只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。

研究關鍵字

Perovskite鈣鈦礦發光二極體光電元件Light-Emitting Diode二維材料2D material碳化矽太陽能電池TCAD模擬TCAD simulation鈣鈦礦太陽能電池Perovskite Solar Cells堆疊型太陽能電池Tandem Solar Cells第一原理計算SiCFirst-principle calculations藍光元件穩定性Solar cellDevice stabilityOptoelectronic devices氧化鋅電子傳輸層鹼土金屬摻雜陷阱密度暗電流銻化銦量子點短波紅外光偵測器ZnO electron transport layeralkaline-earth dopingtrap densitydark currentInSb quantum dotsshort-wave infrared photodetector矽鍺合金應變鬆弛磷擴散差分霍爾效應計量縱深活化分析silicon germanium alloystrain relaxationphosphorus diffusionDHEMdepth resolved activation analysis銻化銦（InSb）膠體量子點短波紅外線光偵測器外部量子效率

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指導論文

學年度	論文	學制	入學	提交日期	畢業時長
115	鈣、鎂、鍶摻雜改善氧化鋅電子傳輸層缺陷降低銻化銦量子點短波紅外光偵測器暗電流之研究 Dark Current Suppression in InSb Quantum Dot Short Wave Infrared Photodetectors Using Calcium, Magnesium, and Strontium Doped Zinc Oxide Electron Transport Layers 電子研究所氧化鋅電子傳輸層、鹼土金屬摻雜、陷阱密度、暗電流、銻化銦量子點、短波紅外光偵測器、ZnO electron transport layer、alkaline-earth doping、trap density、dark current、InSb quantum dots、short-wave infrared photodetector	碩士	113	2026-08-25	2.06 年
115	鍺含量對磷摻雜應變矽鍺電性活化的影響 Impact of Ge Composition on Electrical Activation in Phosphorus-Doped Strained SiGe 電子研究所矽鍺合金、應變鬆弛、磷擴散、差分霍爾效應計量、縱深活化分析、silicon germanium alloy、strain relaxation、phosphorus diffusion、DHEM、depth resolved activation analysis	碩士	113	2026-08-18	2.05 年
115	應用於短波紅外線偵測之InSb膠體量子點光偵測器TCAD模擬與效能最佳化 TCAD Modeling and Performance Optimization of InSb Colloidal Quantum Dot Photodetectors for Short-Wave Infrared Detection 電子研究所 TCAD模擬、銻化銦（InSb）、膠體量子點、短波紅外線、光偵測器、外部量子效率、比探測率、TCAD simulation、indium antimonide (InSb)、colloidal quantum dots、short-wave infrared、photodetector、external quantum efficiency、specific detectivity	碩士	113	2026-08-13	2.03 年
114	氮化鋁鎵厚度與鋁含量對氮化鎵高電子遷移率電晶體載子濃度研究 Investigation of Carrier Concentration Dependence on AlGaN Barrier Thickness and Aluminum Content in GaN HEMT 電子研究所高電子遷移率電晶體、有機化學氣相沉積、異質結構、氮化鋁鎵、氮化鎵、材料分析、High Electron Mobility Transistor、MOCVD、Heterostructures、AlGaN、GaN、Material Characterization	碩士	112	2025-11-14	2.29 年
114	鋅離子主導缺陷鈍化之高效率紫光量子點鈣鈦礦發光二極體 Zinc-Driven Defect Passivation for High-Efficiency Violet Quantum Dot Perovskite Light-Emitting Diodes 電子研究所量子點、鈣鈦礦、發光二極體、紫光、缺陷鈍化、Quantum Dots、Perovskite、Light-Emitting Diode、Violet Emission、Defect Passivation	碩士	112	2025-09-19	2.14 年
113	透過雙面鈍化增強近紅外光錫基鈣鈦礦光電探測器的性能 Enhanced Performance of Sn-Based Perovskite Photodetectors Through Double-Sided Passivation for Near-Infrared Applications 電子研究所純錫無鉛鈣鈦礦、近紅外光光電探測器、雙面鈍化、二維材料、Sn-based perovskite、NIR photodetector、double-sided passivation、2D material、protective layer	碩士	112	2025-06-23	1.89 年
113	透過摻雜鹼金族碘化物於NiOx電洞傳輸層提升反式鈣鈦礦太陽能電池之性能 Enhancing the Performance of Inverted Perovskite Solar Cells by Doping NiOx Hole Transport Layer with Alkali Metal Iodides 電子研究所鈣鈦礦太陽能電池、低溫NiOx薄膜、鹼金族碘化物、摻雜、反式、Perovskite Solar Cells、Low-Temperature NiOx thin films、Alkali gold iodides、Doping、Inverted	碩士	111	2025-04-25	2.73 年
113	磷佈植碳化矽經355nm雷射退火後之電性與微結構 Microstructures and Electrical Properties of Phosphorus- Implanted Silicon Carbide after 355 nm Laser Annealing 電子研究所碳化矽、霍爾量測、雷射退火、磷佈植、片電阻、四點探針、穿透式電子顯微鏡、4H-SiC、Hall Effect measurement、implantation、laser annealing、P-ion irradiation、sheet resistance、Transmission Electron Microscopy	碩士	111	2024-09-02	2.09 年
112	窄能隙鈣鈦礦太陽能電池電洞傳輸層混合型優化與元件模擬 Hybrid Optimization and Simulation for Hole Transport Layers in Narrow Bandgap Perovskite Solar Cells 電子研究所鈣鈦礦太陽能電池、窄能隙鈣鈦礦、堆疊型太陽能電池、TCAD模擬、能帶校準理論計算、Perovskite Solar Cells、Narrow-Bandgap Perovskites、Tandem Solar Cells、TCAD Simulation、Band alignment theoretical calculation	碩士	111	2024-08-26	2.07 年
112	以第一原理計算摻雜之碳化矽之德拜溫度研究 First-principles calculations on the Debye temperature of doped SiC 電子研究所碳化矽、第一原理計算、德拜溫度、分子動力學、熔點、SiC、First-principle calculations、Debye Temperature、molecular dynamics calculations、melting point	碩士	111	2024-08-05	2.01 年
112	透過摻雜二甲基吖啶提升準二維鈣鈦礦藍光發光二極體壽命 Enhancing the Lifetime of Quasi-2D Perovskite Blue Light-Emitting Diodes through Dimethylacridine Doping 電子研究所鈣鈦礦、自組裝單層膜、發光二極體、藍光、元件模擬、Perovskite、Self-assembled monolayer、Light-emitting diodes、Blue、TCAD	碩士	111	2024-02-22	1.56 年
112	深藍光鈣鈦礦材料開發與發光元件之探討 Discussion about Material Development and Light-Emitting Devices of Deep Blue Perovskite 電子研究所藍光鈣鈦礦材料、氯化物鈍化層、藍色發光二極體、Blue Perovskite Materials、Chloride Passivation Layer、Blue Light Emitting Diodes	碩士	110	2023-10-16	2.21 年
112	藍光鈣鈦礦薄膜的優化及透明導電電極在藍紫光鈣鈦礦元件的開發 Optimization of Blue Light Perovskite Thin Films and Development of Transparent Conductive Electrodes for Blue-Purple Light Perovskite Devices Applications 電子研究所鈣鈦礦、反溶劑、藍光、導電率、透明導電電極、Perovskite、Anti-solvent、Conductivity、Transparent Conductive Electrode	碩士	110	2023-10-03	2.17 年
111	第一原理計算對於高阻值與低阻值4H-SiC晶體摻雜元素研究 First-principle calculations for high-resistance and low-resistance doped 4H-SiC 電子研究所碳化矽、第一原理計算、電阻率、態密度、能帶、SiC、First-principle calculations、Electrical resistivity、Density of states、Band structure	碩士	110	2023-08-04	2.01 年
111	一元、二元與三元陽離子寬能隙鈣鈦礦太陽能電池的特性探討 Characterization of Wide Band-gap Perovskite Solar Cells with Single, Double and Triple Cation 電子研究所鈣鈦礦、太陽能電池、堆疊型太陽能電池、寬能隙、光電元件、perovskite、solar cells、tandem solar cells、wide bandgap、photovoltaic devices	碩士	110	2023-07-31	2.00 年
111	用於鈣鈦礦太陽能電池長期穩定的對稱二銨基準二維鈣鈦礦層研究 Symmetric diammonium-based quasi 2D perovskite layer for long time stabilization perovskite solar cells 電子研究所鈣鈦礦、太陽能電池、元件穩定性、二維材料、光電元件、Perovskite、Solar cell、Device stability、2D material、Optoelectronic devices	碩士	110	2023-04-12	1.69 年
111	極寬能隙鈣鈦礦材料開發與元件特性分析 Ultra-wide band gap Perovskite materials development and analysis of device characteristic 電子研究所鈣鈦礦、發光二極體、紫外光、光電元件、鈣鈦礦合成、Perovskite、Light-emitting diode、Ultraviolet、Optoelectronic device、synthesis of perovskite	碩士	110	2023-02-02	1.51 年
110	將混二維材料作為保護層以優化鈣鈦礦太陽能電池的元件穩定性 Using hybrid 2D materials as protective layer to improve device stability of perovskite solar cells 電子研究所鈣鈦礦、太陽能電池、元件穩定性、二維材料、光電元件、Perovskite、Solar cell、Device stability、2D material、Optoelectronic devices	碩士	109	2022-08-14	2.03 年
110	使用全溶液法製作藍色鈣鈦礦發光二極體 Fabrication of Blue Perovskite Light-emitting Diode by All Solution Process 電子研究所鈣鈦礦材料、發光二極體、全溶液法、電子傳輸層、寬能隙半導體、Perovskite、Light-emitting diode、All solution process、Electron transport layer、Wide-bandgap semiconductor	碩士	109	2022-08-10	2.02 年