鄭錫恩

Cheng, Hsyi-En・光電學院・光電系統研究所

碩士平均畢業時長

2.80 年

中位數 3.14 年・4 人

收錄論文

4 篇

109–112 學年度

全校中位數（供對照）

碩士 2.10 年

畢業時長趨勢

每學年度畢業人數

只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。

研究關鍵字

二氧化鈦Titanium dioxide酒精感測器電極載子濃度TiO2Gas sensorElectrodeCarrier concentration表面電漿共振金屬功函數光觸媒亞甲基藍電荷轉移自由基清除劑localized surface plasmon resonancemetal work functionphotocatalystmethylene bluecharge transferfree radical scavenger隨機電阻式記憶體製程溫度金屬材料退火Resistive random-access memoryProcess temperatureMetallic materialsAnnealing.二氧化錫室溫酒氣感測光活化感測器Tin dioxideRoom temperature alcohol gas sensorLight-activated sensor

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指導論文

學年度	論文	學制	入學	提交日期	畢業時長
112	原子層沉積二氧化鈦酒精感測器 : 電極參數、濕度和光源對感測性能的影響 Atomic-Layer-Deposited Titanium Dioxide Light-Activated Alcohol Sensor： Effects of Electrode Parameters, Humidity, and Light Source on Sensing Performance 光電系統研究所・共同指導：楊斯博二氧化鈦、酒精感測器、電極、載子濃度、TiO2、Gas sensor、Electrode、Carrier concentration	碩士	109	2023-12-15	3.37 年
110	金屬功函數與局域性表面電漿共振效應對二氧化鈦薄膜複合材料光觸媒之電荷轉移影響 Effect of metal work function and localized surface plasmon resonance on charge transfer of photocatalysis in titanium dioxide thin film composites 光電系統研究所・共同指導：楊斯博表面電漿共振、金屬功函數、光觸媒、亞甲基藍、電荷轉移、自由基清除劑、localized surface plasmon resonance、metal work function、photocatalyst、methylene blue、charge transfer、free radical scavenger	碩士	108	2022-06-30	2.91 年
110	以原子層沉積法成長二氧化鈦薄膜隨機電阻式記憶體開關特性之研究 Study of resistance switching mechanisms of atomic layer-deposited TiO2-based random resistive memory 照明與能源光電研究所・共同指導：楊斯博二氧化鈦、隨機電阻式記憶體、製程溫度、金屬材料、退火、Titanium dioxide、Resistive random-access memory、Process temperature、Metallic materials、Annealing.	碩士	107	2022-01-20	3.47 年
109	以原子層沉積法成長二氧化鈦-二氧化錫複合薄膜在室溫下之光活化酒氣感測特性 Light-Activated room-temperature alcohol gas sensing properties of TiO2-SnO2 composite films deposited by Atomic Layer Deposition 光電系統研究所・共同指導：楊斯博二氧化鈦、二氧化錫、室溫酒氣感測、光活化感測器、Titanium dioxide、Tin dioxide、Room temperature alcohol gas sensor、Light-activated sensor	碩士	107	2020-01-12	1.45 年