鄭鴻祥
Yang, Hung-Hsiang・光電學院・照明與能源光電研究所
收錄論文
1 篇
104–104 學年度
每學年度畢業人數
只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。
研究關鍵字
原子層沉積技術氧化鋁鍺金氧半元件Atomic layer deposition (ALD)Aluminum oxideGermaniumMOS devise
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指導論文
| 學年度 | 論文 | 學制 | 入學 | 提交日期 | 畢業時長 |
|---|---|---|---|---|---|
| 104 | Investigations of Aluminum oxide/Germanium Metal-Oxide-Semiconductor Devices Deposited by Atomic Layer Deposition at Different Temperatures 照明與能源光電研究所・共同指導：楊斯博 原子層沉積技術、氧化鋁、鍺、金氧半元件、Atomic layer deposition (ALD)、Aluminum oxide、Germanium、MOS devise | 碩士 | 102 | — | 無法計算 |