NYCU Labook

阿圖爾

Useinov Artur・國際半導體產業學院・國際半導體產業學院

碩士平均畢業時長
2.23 年
中位數 2.03 年・3 人
博士平均畢業時長
3.80 年
中位數 3.80 年・1 人
收錄論文
4 篇
112–114 學年度
全校中位數（供對照）
碩士 2.10・博士 6.11 年

畢業時長趨勢

每學年度畢業人數

只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。

研究關鍵字

可靠度Reliability感應器磁性點接觸磁阻疇壁電阻透射係數轉移矩陣法sensorsmagnetic point-like contactmagnetoresistancedomain wall resistancetransmission coefficienttransfer matrix technique氧化鉿鋯鐵電高電子遷移率電晶體三維溝槽式電容器氮化鎵預極化HZOFEHEMTtrench-capacitorGaNPre-poling鐵電性氧化鉿鋯電容器一階反轉曲線壓電力顯微鏡限域成核開關模型FerroelectricHZO-based CapacitorFirst-Order Reverse CurvePFMNucleation Limited Switching Model鐵磁性電阻開關記憶體自旋電子學磁性各向異性resistive switchingFeRAMtunnel junctionmagnetic anisotropyspintronics

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指導論文

學年度論文學制入學提交日期畢業時長
114
點狀磁性奈米接觸中的電子輸運模型
Model of Electron Transport in point-like Magnetic Nanocontact
國際半導體產業學院
感應器、磁性點接觸、磁阻、疇壁電阻、透射係數、轉移矩陣法、sensors、magnetic point-like contact、magnetoresistance、domain wall resistance、transmission coefficient、transfer matrix technique
碩士1132026-07-081.93 年
113
氧化鉿鋯材料之金屬-鐵電-半導體高電子遷移率電晶體與金屬-鐵電-金屬電容器在GaN-on-QST®基板之製程與特性分析
Fabrication and Characterization of HZO-Based MFS-HEMTs and MFM-Capacitors on GaN-on-QST® Substrates
國際半導體產業學院
氧化鉿鋯、鐵電高電子遷移率電晶體、三維溝槽式電容器、氮化鎵、可靠度、預極化、HZO、FEHEMT、trench-capacitor、GaN、Reliability、Pre-poling
碩士1122025-08-112.03 年
113
關鍵製程對於鐵電記憶體可靠度之影響與薄膜材料進階分析: 鐵電層厚度與介面優化、壓電力顯微鏡晶相分析、一階反轉曲線應用、成核限制翻轉模型
Impact of Key Processes on Ferroelectric Memory Reliability and Advanced Thin-Film Analysis: Thickness and Interface Optimization, PFM Phase Analysis, FORC Application, and Nucleation-Limited Switching Model
國際半導體產業學院
鐵電性、氧化鉿鋯電容器、一階反轉曲線、可靠度、壓電力顯微鏡、限域成核開關模型、Ferroelectric、HZO-based Capacitor、First-Order Reverse Curve、Reliability、PFM、Nucleation Limited Switching Model
碩士1112025-04-292.74 年
112
在納米尺度系統中的電阻切換：考慮到鐵電隧道結和二維聚酞菁單層
Resistive switching in nano-scale systems: Considering ferroelectric tunnel junctions, and 2D polyphthalocyanines monolayers
國際半導體產業學院
鐵磁性、電阻開關、記憶體、自旋電子學、磁性各向異性、resistive switching、FeRAM、tunnel junction、magnetic anisotropy、spintronics
博士1092024-05-213.80 年