陳仕鴻
Chen,Szu -Hung・光電學院・照明與能源光電研究所
碩士平均畢業時長
3.23 年
中位數 3.23 年・1 人
收錄論文
2 篇
105–107 學年度
全校中位數（供對照）
碩士 2.10 年
畢業時長趨勢
每學年度畢業人數
只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。
研究關鍵字
砷化銦鎵歐姆接觸InGaAsohmic contact金氧半場效電晶體深化銦鋁背阻障層MOSFETInAlAsBack barrier layer三五族半導體高載子遷移率多層金屬銻化鎵III-V compound semiconductorhigh carrier-mobilitymulti-layer metalGaSb
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指導論文
| 學年度 | 論文 | 學制 | 入學 | 提交日期 | 畢業時長 |
|---|---|---|---|---|---|
| 107 | The Process Development of a Heterogeneous InGaAs n-MOSFET Device with High Energy Gap InAlAs Back Barrier Layer 照明與能源光電研究所・共同指導：林俊廷 金氧半場效電晶體、砷化銦鎵、深化銦鋁、歐姆接觸、背阻障層、MOSFET、InGaAs、InAlAs、ohmic contact、Back barrier layer | 碩士 | 104 | 2018-10-24 | 3.23 年 |
| 105 | Fabrication and analysis of ohmic contacts formed by multi-layer metal structures on high carrier-mobility semiconductors 光電學院光電科技學程・共同指導：林俊廷 三五族半導體、歐姆接觸、高載子遷移率、多層金屬、砷化銦鎵、銻化鎵、III-V compound semiconductor、ohmic contact、high carrier-mobility、multi-layer metal、InGaAs、GaSb | 碩士在職專班 | 103 | — | 無法計算 |