陳建旭

Chen, Chien-Hsu・電機學院・電子研究所

碩士平均畢業時長

3.17 年

中位數 2.37 年・4 人

博士平均畢業時長

3.92 年

中位數 3.92 年・1 人

收錄論文

6 篇

103–108 學年度

全校中位數（供對照）

碩士 2.10・博士 6.11 年

畢業時長趨勢

每學年度畢業人數

只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。

研究關鍵字

離子佈植Ion Implantation霍爾效應Hall effect奈米鑽石磁振造影對比劑硼中子捕獲治療硼輸送劑NanodiamondMagnetic Resonance ImagingContrast AgentBoron Neutron Capture TherapyBoron Delivery Agent稀磁性半導體砷化鎵錳離子束誘發晶體結晶Diluted Magnetic SemiconductorGaMnAsIon Beam Induced Epitaxial Crystallization離子源離子光學模擬聚焦電極ion sourceIon beam simulationeinzel lensIBSIMU快速熱熔再結晶法X-射線繞射穿透式電子顯微鏡拉曼光譜儀電子背向散射繞射rapid-melting growthX-ray diffractionTransmission electron microscopyRamanElectron backscatter diffraction聰明切絕緣體上鍺自旋載子注入漢勒效應自旋載子偵測Smart cutSpin injectionSpin detectionHanle effectGermanium on insulatorSpin lifetime氣體電離室高能量分辨率

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指導論文

學年度	論文	學制	入學	提交日期	畢業時長
108	離子佈植製備內嵌離子之奈米鑽石其性質與生醫應用研究 Properties and Bio-medical Applications of Nanodiamonds with Embedded Ions Prepared by Ion Implantation 電子研究所・共同指導：李建平奈米鑽石、離子佈植、磁振造影、對比劑、硼中子捕獲治療、硼輸送劑、Nanodiamond、Ion Implantation、Magnetic Resonance Imaging、Contrast Agent、Boron Neutron Capture Therapy、Boron Delivery Agent	博士	105	2020-07-04	3.92 年
107	利用離子束誘發晶體結晶技術製作鎂離子佈植砷化鎵錳稀磁性半導體之應變與光學特性分析 Strain and Optical Characteristics Analysis of Mg Ion-Implanted GaMnAs Diluted Magnetic Semiconductor Fabricated by Ion Beam Induced Epitaxial Crystallization 電子研究所・共同指導：李建平稀磁性半導體、砷化鎵錳、離子佈植、離子束誘發晶體結晶、Diluted Magnetic Semiconductor、GaMnAs、Ion Implantation、Ion Beam Induced Epitaxial Crystallization	碩士	102	2019-08-25	6.06 年
106	離子源製作與離子光學模擬 Ion Source Set Up and Ion Optical Simulation 物理研究所・共同指導：林貴林離子源、離子光學模擬、聚焦電極、ion source、Ion beam simulation、einzel lens、IBSIMU	碩士	104	2017-10-20	2.22 年
104	利用快速熱溶再結晶法在矽基板上成長鍺結晶層之技術及其特性 Growth of Ge single crystal stripes on Si substrate using rapid-melting growth 電子工程學系電子研究所・共同指導：李建平快速熱熔再結晶法、X-射線繞射、穿透式電子顯微鏡、拉曼光譜儀、電子背向散射繞射、霍爾效應、rapid-melting growth、X-ray diffraction、Transmission electron microscopy、Raman、Electron backscatter diffraction、Hall effect	碩士	102	—	無法計算
103	在絕緣體上單晶鍺薄膜上製作自旋載子注入與偵測元件與其特性之研究 Fabrication and Characterization of Device of Spin Injection and Detection on Germanium on Insulator 電子工程學系電子研究所・共同指導：李建平聰明切、絕緣體上鍺、自旋載子注入、霍爾效應、漢勒效應、自旋載子偵測、Smart cut、Spin injection、Spin detection、Hanle effect、Hall effect、Germanium on insulator、Spin lifetime	碩士	102	2015-06-25	1.90 年
103	一個具有高能量分辨率的氣體電離室 A Gas Ionization Chamber With High Energy Resolution 物理研究所・共同指導：林貴林氣體電離室、高能量分辨率、gas ionization chamber、high energy resolution	碩士	101	2015-02-02	2.51 年