黃英原

Huang, Ying-Yuan・光電學院・光電系統研究所

碩士平均畢業時長

2.03 年

中位數 2.03 年・4 人

收錄論文

4 篇

113–113 學年度

全校中位數（供對照）

碩士 2.10 年

畢業時長趨勢

每學年度畢業人數

只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。

研究關鍵字

矽基太陽能電池Sentaurus TCAD離子佈植內部復合損失穿隧層氧化鈍化接觸金屬線寬總飽和電流密度ion implantationinternal recombination losstunnel oxide passivated contactmetal line widthtotal saturation current density叉指背接觸無摻雜材料半導體製程元件模擬Silicon-based solar cellsinterdigitated back contactdopant-free materialssemiconductor processdevice simulation雙面載子選擇性鈍化接觸TOPConSiC寬能隙材料Bifacial passivated contactsWide band gap material穿隧氧化層鈍化接觸選擇性鈍化接觸Si solar cellstunnel oxide passivated contactsselective passivated contacts

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指導論文

學年度	論文	學制	入學	提交日期	畢業時長
113	具有離子佈植硼射極與絲網印刷金屬電極之穿隧氧化層鈍化接觸矽太陽能電池之研究 Development of Tunnel Oxide Passivated Contact Silicon Solar Cells with Ion-implanted Boron Emitters and Screen-Printed Metal Contacts 照明與能源光電研究所離子佈植、內部復合損失、穿隧層氧化鈍化接觸、金屬線寬、總飽和電流密度、ion implantation、internal recombination loss、tunnel oxide passivated contact、metal line width、total saturation current density	碩士	111	2024-08-14	2.04 年
113	模擬和設計優化無摻雜非對稱異質接觸的叉指背電極矽太陽能電池 Simulation and design optimization of interdigitated back contact silicon solar cells with dopant-free asymmetric hetero-contacts 光電系統研究所矽基太陽能電池、叉指背接觸、無摻雜材料、半導體製程、元件模擬、Silicon-based solar cells、interdigitated back contact、dopant-free materials、semiconductor process、device simulation	碩士	111	2024-08-12	2.03 年
113	以TCAD模擬並實作出具有SiC/SiOx正面鈍化接觸的雙面鈍化接觸太陽能電池 TCAD Modeling and Fabrication Bifacial Passivated Contact Solar Cells with SiC/SiOx as Front Passivated Contacts 光電系統研究所雙面載子選擇性鈍化接觸、TOPCon、SiC、寬能隙材料、Sentaurus TCAD、Bifacial passivated contacts、Wide band gap material	碩士	111	2024-08-12	2.03 年
113	使用TCAD模擬並製作正面選擇性鈍化接觸的工業TOPCon太陽能電池 TCAD Modeling and Fabrication of Industrial TOPCon Solar Cells with Selective Passivated Contacts on the Front 光電系統研究所矽基太陽能電池、穿隧氧化層鈍化接觸、選擇性鈍化接觸、Sentaurus TCAD、Si solar cells、tunnel oxide passivated contacts、selective passivated contacts	碩士	111	2024-08-12	2.03 年