吳永俊
Wu, Yung-Chun・電機學院・電子工程學系 電子研究所
博士平均畢業時長
4.93 年
中位數 4.93 年・1 人
收錄論文
1 篇
101–101 學年度
全校中位數（供對照）
博士 6.11 年
畢業時長趨勢
每學年度畢業人數
只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。
研究關鍵字
環繞式閘極奈米線薄膜電晶體多晶矽奈米點單一記憶胞二位元儲存矽-氧化矽-氮化矽-氧化矽-矽次臨界擺幅無接面電晶體Gate-All-AroundNanowireThin Film TransistorPolycrystalline Silicon (Poly-Si)Nanocrystal2-bit/cellSilicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon (SONOS)Subthreshold Swing (SS)Junctionless Transistor
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指導論文
| 學年度 | 論文 | 學制 | 入學 | 提交日期 | 畢業時長 |
|---|---|---|---|---|---|
| 101 | Gate-All-Around Nano-wire Channel Transistors and Nonvolatile Memory Devices 電子工程學系 電子研究所・共同指導：張俊彥 環繞式閘極、奈米線、薄膜電晶體、多晶矽、奈米點、單一記憶胞二位元儲存、矽-氧化矽-氮化矽-氧化矽-矽、次臨界擺幅、無接面電晶體、Gate-All-Around、Nanowire、Thin Film Transistor、Polycrystalline Silicon (Poly-Si)、Nanocrystal、2-bit/cell、Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon (SONOS)、Subthreshold Swing (SS)、Junctionless Transistor | 博士 | 97 | 2013-07-08 | 4.93 年 |