呂函庭
Lue, Hang-Ting・電機學院・電子工程學系 電子研究所
博士平均畢業時長
5.99 年
中位數 5.99 年・1 人
收錄論文
1 篇
103–103 學年度
全校中位數（供對照）
博士 6.11 年
畢業時長趨勢
每學年度畢業人數
只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。
研究關鍵字
三維快閃記憶體記憶體元件薄膜電晶體複晶矽3D NAND Flashmemory devicethin-film transistorPolysilicon
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指導論文
| 學年度 | 論文 | 學制 | 入學 | 提交日期 | 畢業時長 |
|---|---|---|---|---|---|
| 103 | Evaluation on 3D NAND Flash Technology and its Specific Characteristics 電子工程學系 電子研究所・共同指導：崔秉鉞 三維快閃記憶體、記憶體元件、薄膜電晶體、複晶矽、3D NAND Flash、memory device、thin-film transistor、Polysilicon | 博士 | 98 | 2015-07-30 | 5.99 年 |