崔秉鉞
Tsui, Bing-Yue・電機學院・電子研究所
碩士平均畢業時長
2.54 年
中位數 2.42 年・74 人
博士平均畢業時長
6.67 年
中位數 6.38 年・8 人
收錄論文
83 篇
100–115 學年度
全校中位數（供對照）
碩士 2.10・博士 6.11 年
畢業時長趨勢
每學年度畢業人數
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研究關鍵字
碳化矽4H-SiCsilicon carbide4H型碳化矽MOSFET金氧半場效電晶體DLTSVDMOSFETUMOSFET鍺Germanium高功率元件SiCContact resistance溝槽式閘極金氧半場效電晶體power deviceCMOSgate oxideSchottky barrier height溝槽trench互補式金氧半場效電晶體XPSIon implantation接觸阻抗ARROW-B極紫外光接面位障蕭基二極體JBS diodeFermi-level pinning4H 型碳化矽厚底氧化層垂直式雙離子植入金氧半場效電晶體單晶片整合monolithic integration閘極氧化層TDDB晶體缺陷時依介電層崩潰interface state density歐姆接觸ohmic contact離子佈植局部氧化穿隧電晶體GeTunnel FET非揮發性記憶體SONOSDopant segregation
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指導論文
| 學年度 | 論文 | 學制 | 入學 | 提交日期 | 畢業時長 |
|---|---|---|---|---|---|
| 115 | Investigation of Composition and Isolation Capability of Defect Layers in 4H-SiC Induced by Argon Implantation 電子研究所・共同指導：顏順通 4H型碳化矽、高功率元件、抗輻射能力、隔離能力、深層缺陷暫態能譜儀、4H-SiC、power devices、radiation hardness、isolation capability、DLTS | 碩士 | 112 | 2026-08-31 | 3.08 年 |
| 115 | Investigation of the Effects of Ar ICP Treatment on the Schottky Contact Characteristics of 1.2-kV 4H-SiC Trench Junction Barrier Schottky Diodes 電子研究所 4H型碳化矽、均勻蕭特基能障溝槽式接面位障蕭特基二極體、溝槽式接面位障蕭基二極體、接面位障蕭基二極體、蕭基能障、費米能階釘扎、4H-SiC、USB-TJBS diode、TJBS diode、JBS diode、Schottky barrier height、Fermi-level pinning | 碩士 | 112 | 2026-08-25 | 3.07 年 |
| 114 | Design, Key Process Improvement, and Characterization of 1700-V 4H-SiC UMOSFETs with Thick Bottom Oxide 電子研究所・共同指導：顏順通 碳化矽、4H 型碳化矽、高功率元件、金氧半場效電晶體、溝槽式閘極金氧半場效電晶體、溝槽、厚底氧化層、silicon carbide、4H-SiC、power device、MOSFET、trench MOSFET (UMOSFET)、trench、thick bottom oxide (TBOX) | 碩士 | 111 | 2026-07-15 | 3.95 年 |
| 114 | A Study of Channel Mobility Extraction Methods in 4H-SiC Vertical MOSFETs Using Source-Separated Single-Cell Structure 電子研究所 4H型碳化矽、垂直雙離子植入金氧半場效電晶體、溝槽式閘極金氧半場效電晶體、串聯電阻、導通電阻、通道遷移率、4H-SiC、VDMOSFET、UMOSFET、series resistance、on-resistance、channel mobility | 碩士 | 112 | 2026-03-11 | 2.61 年 |
| 114 | Developing High-Performance 1.7 kV 4H-SiC JBSFET Monolithically Integrated with 20 V CMOS Gate Driver Circuit 電子研究所・共同指導：顏順通 碳化矽、垂直式雙離子植入金氧半場效電晶體、接面能障蕭特基場效應電晶體、接面能障蕭特基二極體、反向恢復、互補式金氧半場效電晶體、閘極驅動器、單晶片整合、silicon carbide、VDMOSFET、JBSFET、JBS diode、reverse recovery、CMOS、gate driver、monolithic integration | 碩士 | 112 | 2026-02-26 | 2.57 年 |
| 114 | Study on Annealing Conditions for Improving the Quality of Atomic Layer Deposited SiO2 Gate Oxides on 4H-SiC 電子研究所 4H型碳化矽、電漿輔助原子層沉積、金屬氧化物半導體電容、閘極氧化層、介面態密度、介電層擊穿測試、與時間相關介電層崩潰測、正偏壓溫度不穩定性、X射線光電子能譜學、二次離子質譜儀、掃描式電子顯微鏡、穿透式電子顯微鏡、熱輻射故障定位顯微鏡、工藝電腦輔助設計、4H-SiC、PE-ALD、MOSCAPs、gate oxide、Dit、TZDB、TDDB、PBTI、XPS、SIMS、SEM、TEM、Thermal EMMI、TCAD | 碩士 | 112 | 2025-10-27 | 2.24 年 |
| 113 | Analysis of Forward Electrical Characteristics in 4H-SiC Trench Junction Barrier Schottky (TJBS) Diodes: Experimental Investigation and TCAD Simulation 電子研究所・共同指導：顏順通 4H 型碳化矽、均勻蕭特基能障溝槽式接面位障蕭特基二極體、接面位障蕭基二極體、蕭特基能障、費米能階釘扎、順向導通電壓變異、TCAD 模擬、4H-SiC、USB-TJBS diode、JBS diode、TCAD simulation、Schottky barrier height、Fermi-level pinning、Forward voltage variation | 碩士 | 111 | 2025-04-13 | 2.70 年 |
| 113 | A Study on the Influence of Extended Defects and Process-Induced Defects on the Electrical Characteristics of 4H-SiC VDMOSFETs 電子研究所 4H型碳化矽、晶體缺陷、製程缺陷、二倍頻、垂直式雙離子植入金氧半場效電晶體、4H-SiC、extended defect、process-induced defect、second harmonic generation、VDMOSFET | 碩士 | 111 | 2025-04-08 | 2.69 年 |
| 113 | Optimization and Characterization of 4H-SiC 1700 V VDMOSFETs for Enhanced Performance 電子研究所 碳化矽、垂直雙離子植入金氧半場效應電晶體、下沈式源極接觸窗、蕭特基二極體、嵌入式蕭特基二極體金氧半場效應電晶體、安全操作區結構、Silicon Carbide、VDMOSFET、Recessed Source Contact Window、Schottky Diode、Embedded SBD VDMOSFET、SOA Structure | 碩士 | 111 | 2025-03-03 | 2.59 年 |
| 113 | A Study on the Post-Ion-Implantation Annealing and Local Oxidation Technology of Size Effect on the Time-Dependent-Dielectric-Breakdown of Gate Oxide on 4H-SiC 加速器光源科技與應用碩士學位學程・共同指導：吳品鈞 碳化矽、SiO2/SiC介面、MOS電容、介面缺陷密度、離子注入後退火、時依介電層崩潰、Silicon carbide (SiC)、SiO₂/SiC interface、MOS capacitor、LOCal Oxidation of Silicon Carbon (LOCOSiC)、interface state density、post-ion-implantation annealing、time-dependent dielectric breakdown (TDDB)、gate oxide test structure、and size effect. | 碩士 | 108 | 2025-02-11 | 5.53 年 |
| 113 | Characteristics of SiO2 on Different 4H-SiC Crystal Surfaces after Plasma Etching Utilizing Low-Parasitic-Capacitance Trench MOS Capacitor Structure 電子研究所 4H型碳化矽、反應式離子蝕刻、溝槽式閘極金屬氧化物半導體電容、閘極氧化物、介面態密度、寄生電容、犧牲氧化、深能階暫態頻譜分析、X射線光電子能譜、4H-SiC、reactive ion etching、trench MOS capacitors、gate oxide、interface states density、parasitic capacitance、sacrificial oxidation、DLTS、XPS | 碩士 | 111 | 2024-12-26 | 2.40 年 |
| 113 | Eliminating Reactive Ion Etching Damage in 4H-SiC Active Areas Through Sacrificial Oxidation 電子研究所 碳化矽、反應性離子蝕刻、犧牲氧化、乾氧氧化、濕氧氧化、金氧半電容、閘極氧化物、界面態密度、深能階暫態頻譜分析、X 射線光電子能譜、原子 力顯微術、坑洞、silicon carbide、reactive ion etching、sacrificial oxidation、dry oxidation、wet oxidation、MOS capacitors、gate oxide、interface state density、DLTS、XPS、AFM、pits | 碩士 | 110 | 2024-08-28 | 3.07 年 |
| 112 | A Study on 4H-SiC Schottky Barrier Diodes with Argon Inductively Coupled Plasma Treatment and Post-metal Deposition Annealing 電子研究所 碳化矽、晶體缺陷、蕭基位障二極體、電感耦合氬電漿處理、蕭基位障高度、正向電壓、特徵電阻、崩潰電壓、逆向回復電流、Silicon Carbide、Crystal Defect、Schottky Barrier Diode、Ar ICP Treatment、Schottky Barrier Height、Forward Voltage、Specific Resistance、Breakdown Voltage、Reverse Recovery Current | 碩士 | 110 | 2024-06-28 | 2.91 年 |
| 112 | Monolithic Integration of 4H-SiC CMOS and 1700-V 4H-SiC VDMOSFET with the P-Type Isolation Structure and Optimization of Edge Termination Design and Process 電子研究所 碳化矽、4H型碳化矽、P型隔離結構、單晶片整合、互補式金氧半場效電晶體、垂直雙離子植入金氧半場效電晶體、邊緣終端保護結構、silicon carbide、4H-SiC、P-type isolation structure、monolithic integration、CMOS、VDMOSFET、edge termination structure | 碩士 | 110 | 2024-04-12 | 2.70 年 |
| 112 | Realizing Low Specific On-resistance Characteristic of 4H-SiC VDMOSFET 電子研究所 碳化矽、垂直式雙離子植入金氧半場效電晶體、高功率元件、特徵導通阻抗、電流分散層、通道自我對準、下凹式源極接觸窗、silicon carbide、VDMOSFET、power device、specific on-resistance、current spreading layer、self-aligned channel、recessed source contact | 碩士 | 110 | 2024-01-31 | 2.50 年 |
| 112 | A Study of Contact Resistivity Reduction Techniques of Ti-Al/P-Type 4H-SiC μm-Scale Contact 電子研究所 4H 型碳化矽、歐姆接觸、鈦鋁金屬、特徵接觸阻抗、橋式凱爾文電阻、電漿處理、非破壞性均勻度分析、4H-SiC、ohmic contact、Ti-Al alloy、specific contact resistance、cross-bridge Kelvin resistor、plasma treatment、Non-destructive uniformity analysis | 碩士 | 110 | 2023-10-17 | 2.21 年 |
| 112 | A Study on the Influence of Active-Area Etching Method and Gate Oxide Formation Method on the Gate Oxide Quality on 4H-SiC 電子研究所 碳化矽、4H型碳化矽、閘極氧化層、深能階暫態頻譜、時依介電層崩潰、可靠度、傳導機制、silicon carbide、4H-SiC、gate oxide、DLTS、TDDB、reliability、conduction mechanism | 碩士 | 109 | 2023-10-16 | 3.21 年 |
| 112 | Design and Analysis of 4H-SiC TBOX-UMOSFET - Current Status and Suggestions for Modification 電子研究所 高功率元件、碳化矽、4H型碳化矽、溝槽、金氧半場效電晶體、溝槽式閘極金氧半場效電晶體、厚底氧化層、圓角溝槽、power device、silicon carbide、4H-SiC、trench、MOSFET、UMOSFET、thick bottom oxide、TBOX、rounded trench | 碩士 | 110 | 2023-02-23 | 1.56 年 |
| 111 | A Study on the Relationship Between Defect Density, Doping Concentration, and Electrical Properties of 4H-SiC 電子研究所 碳化矽、缺陷、摻雜、電性、活化率、游離率、SiC、Defect、Doping、Electrical Properties、Activation Rate、Ionization Rate | 碩士 | 109 | 2022-12-27 | 2.40 年 |
| 111 | Process Improvement of 4H-SiC UMOSFET with Thick Bottom Oxide and Design Optimization of UMOSFET and Edge Termination Using Floating P-island 電子研究所 碳化矽、4H型碳化矽、溝槽式閘極金氧半場效電晶體、高功率元件、浮動保護環、浮動P型島、溝槽、金氧半場效電晶體、silicon carbide、4H-SiC、MOSFET、power device、floating guard ring、floating P-island、trench、UMOSFET | 碩士 | 109 | 2022-12-19 | 2.38 年 |
| 111 | Process Optimization of 4H-SiC PMOSFET and Its Application on the Performance Improvement of CMOS ICs 電子研究所 碳化矽、P型金氧半場效電晶體、互補式金氧半場效電晶體、垂直功率電晶體、積體電路、silicon carbide、PMOSFET、CMOSFET、power VDMOSFET、Integrated Circuit | 博士 | 103 | 2022-10-17 | 8.21 年 |
| 111 | A Study on the Contact Resistivity with Small Contact Windows Using Ti-Al Alloy on P-type 4H-SiC 電子研究所 4H型碳化矽、p型歐姆接觸、鈦鋁金屬、小接觸窗、4H-SiC、p-type ohmic contact、Ti-Al alloy、small contact window | 碩士 | 109 | 2022-09-27 | 2.15 年 |
| 110 | Realizing Monolithic Integration of 4H-SiC CMOS and 4H-SiC VDMOSFET Using the P-type Isolation Structure 電子研究所 碳化矽、4H型碳化矽、P型隔離結構、互補式金氧半場效電晶體、垂直雙擴散金氧半場效電晶體、單晶片整合、功率積體電路、silicon carbide、4H-SiC、P-type isolation structure、CMOS、VDMOSFET、monolithic integration、power ICs | 碩士 | 108 | 2022-04-18 | 2.71 年 |
| 110 | A Study on the Residual Defective Region after 4H-SiC Local Oxidation Process Using Ar Ion Implantation 電子研究所 碳化矽、離子佈植、深層暫態能譜、局部氧化、晶體缺陷、4H-SiC、Ion implantation、DLTS、Local oxidation、Defect | 碩士 | 108 | 2022-01-19 | 2.47 年 |
| 110 | A Study on the Area Dependent Leakage Current of P-N Junction on 4H-SiC and its Optimization 電子研究所 碳化矽、P-N接面、接面漏電流、4H-SiC、P-N junction、Junction leakage current | 碩士 | 108 | 2022-01-17 | 2.46 年 |
| 110 | Performance Improvement in 4H-SiC UMOSFET with a Thick Bottom Oxide 電子研究所 碳化矽、4H型碳化矽、溝槽、金氧半場效電晶體、溝槽式閘極金氧半場效電晶體、高功率元件、silicon carbide、4H-SiC、trench、MOSFET、U-MOSFET、power device | 碩士 | 108 | 2021-12-29 | 2.41 年 |
| 109 | Effect of Nitric Oxide Treatment on the Characteristics of Gate Dielectric on p-type Germanium 電子研究所 鍺、鈍化、一氧化氮、界面狀態密度、金氧半導體元件、Germanium、Passivation、Nitric oxide、Interface state density、MOS device | 碩士 | 107 | 2021-02-05 | 2.52 年 |
| 109 | A method of extracting low Schottky barrier height at room temperature 電子研究所・共同指導：林炯源 低蕭特基位障、熱游離場發射模型、常溫、寄生電阻、鏡像力降低位障效應、low Schottky barrier height、room temperature、image-force barrier lowering、parasitic resistance、thermionic field emission model | 碩士 | 103 | 2021-01-28 | 6.49 年 |
| 109 | A study on the 4H-SiC UMOSFET with a novel saddle P-base 電子研究所 碳化矽、溝槽式閘極、金氧半場效應電晶體、基底、馬鞍形、SiC、trench gate、MOSFET、UMOSFET、P-base、saddle | 碩士 | 107 | 2021-01-27 | 2.49 年 |
| 109 | A Study on the Influence of NO Annealing and Isolation Process on the Time-Dependent-Dielectric-Breakdown of Gate Oxide on 4H-SiC 國際半導體產業學院・共同指導：吳添立 碳化矽、時依介電層崩潰、閘極氧化層、一氧化氮退火、局部氧化、4H-SiC、TDDB、gate oxide、NO anneal、LOCOSiC | 碩士 | 107 | 2021-01-20 | 2.47 年 |
| 109 | Process and Characterization of 4H-SiC UMOSFET with Thick Bottom Oxide 電子研究所 碳化矽、厚底氧化層、溝槽式金氧半場效電晶體、高功率金氧半場效電晶體、SiC、thick bottom oxide、trench MOSFET、power MOSFET | 碩士 | 107 | 2020-12-08 | 2.35 年 |
| 109 | Studies on the Contact Resistivity of Small Contact and the Effect of Textured-Contact on Silicon and Silicon Carbide 電子研究所 接觸電阻、接觸電阻係數、紋理接觸窗、Contact resistance、Contact resistivity、Textured-contact | 碩士 | 107 | 2020-08-27 | 2.07 年 |
| 109 | Junction Engineering for Ge1−xSnx/Ge Epitaxial Tunnel Layer Tunnel FETs 電子研究所 鍺、鍺錫、穿隧電晶體、接面、Ge、GeSn、Tunnel FET、Junction | 博士 | 104 | 2020-01-12 | 4.45 年 |
| 108 | A Study on the Effects of Annealing Ambient and Plasma Treatment on the Ferroelectric Characteristics of HfZrO2 Film 電子研究所 二氧化鋯鉿、鐵電特性、退火環境、電漿處理、HfZrO2、Ferroelectric、Annealing ambient、Plasma treatment | 碩士 | 106 | 2020-06-05 | 2.84 年 |
| 108 | Using ion implatation to fabricate 4H-SiC Ultraviolet detectpr 電子研究所・共同指導：林聖迪 碳化矽、紫外光、偵測器、離子佈植、二極體、4H-SiC、Ultraviolet、detector、ion implantation、SPAD、diode | 碩士 | 106 | 2020-03-19 | 2.63 年 |
| 108 | A Study on Local Oxidation of 4H-SiC Technology and Its Application 電子研究所 碳化矽、局部氧化、離子佈植、互補式金屬氧化物半導體、溝槽式電晶體、silicon carbide、local oxidation、ion implantation、CMOS、UMOSFET、4H-SiC | 碩士 | 106 | 2019-12-28 | 2.41 年 |
| 108 | A Study on the Effect of Channel Engineering on Ge N-type MOSFET 電子研究所 鍺、金氧半場效電晶體、通道摻雜、熱處理、Germanium、MOSFET、channel doping、thermal treatment | 碩士 | 106 | 2019-12-25 | 2.40 年 |
| 108 | A Study on the Physical Mechanism of Wake-up Effect of Capacitors Using Hafnium Zirconium Oxide as Dielectric 電子研究所 二氧化鋯鉿、負電容、鐵電性、反鐵電性、HZO、Negative Capacitance、Ferroelectricity、Anti-ferroelectricity、charge trapping、domain pinning | 碩士 | 104 | — | 無法計算 |
| 107 | Process and Characterization of 4H-SiC UMOSFET with Thick Bottom Oxide 電子研究所・共同指導：林炯源 碳化矽、U型漕槽式閘極金氧半場效電晶體、金氧半場效電晶體、4H-SiC、UMOSFET、MOSFET | 碩士 | 105 | 2019-05-16 | 2.79 年 |
| 107 | Simulation and Measurement of 0.8μm CMOS Single Photon Avalanche Diode 電子研究所・共同指導：林聖迪 單光子累增二極體、客製化製程、製程模擬、抗反射層、SPAD、process simulation、TCAD、CMOS、AR-coating | 碩士 | 105 | 2018-12-12 | 2.36 年 |
| 107 | Studies on the Effect of Al- and Ge-incorporation on ZrO2 Gate Dielectric and Effect of Channel Doping on Ge n-MOSFET 電子研究所 鍺、閘極介電層、氧化鋯、n型電晶體、通道摻雜、Ge、gate dieletric、Zirconium oxide、n-MOSFET、channel doping | 碩士 | 105 | 2018-11-13 | 2.28 年 |
| 107 | Studies of N+-P Junctions on Ultrathin GeSn/Ge Structure and Self-Aligned Contact Resistance Test Structure 電子研究所 錫化鍺、PN接面、接觸阻抗、測試結構、GeSn、N+-P Junction、Contact Resistance、Test Structure | 碩士 | 105 | 2018-01-01 | 1.42 年 |
| 106 | A Study on Contact Characteristics of Metal and n-Type 4H-Silicon Carbide 電子研究所 碳化矽功率元件、蕭基二極體、歐姆接觸、感應耦合氬氣電漿處理、費米能階鎖定、碳化矽局部氧化隔離技術、SiC power device、Schottky barrier diode、Ohmic contact、Ar inductively coupled plasma treatment、Fermi-level pinning、Local oxidation of SiC | 博士 | 98 | 2018-07-16 | 8.96 年 |
| 106 | A Study on Simultaneous Formation of Ohmic Contact on N-type and P-type Implanted 4H-SiC with Ti/Al/TiN 電子研究所 碳化矽、歐姆接觸、鈦/鋁/氮化鈦、4H-SiC、silicon carbide、Ohmic contact、Ti/Al/TiN | 碩士 | 104 | 2018-02-07 | 2.52 年 |
| 106 | Design and Analysis of the contact resistance test structures for FinFETs 電子研究所 接觸阻抗、鰭狀場效電晶體、測試結構、金屬柱電阻、contact resistance、FinFETs、test structure、metal plug resistance | 碩士 | 104 | 2018-02-06 | 2.52 年 |
| 106 | A Study on the Characteristics of 4H-SiC UMOSFETs 電子研究所 碳化矽、U型漕槽式閘極金氧半場效電晶體、金氧半場效電晶體、4H-SiC、UMOSFET、MOSFET | 碩士 | 104 | 2018-02-02 | 2.51 年 |
| 106 | Effects of Structure Geometry on the Device Characteristics of Vertical Gate SONOS Memory 電子研究所 非揮發性記憶體、三維堆疊、垂直閘極、儲存電荷分佈、SONOS、NVM、3D、field enhancement、corner field、charge distribution | 碩士 | 104 | 2018-01-23 | 2.48 年 |
| 106 | A Study on the Effect of Thermal Processes on Gate Dielectric Quality in Ge MIS device 電子研究所・共同指導：吳品鈞 鍺、熱製程、二氧化鉿、二氧化鋯、germanium、thermal processes、XPS、GeO volatilization、HfO2、ZrO2 | 碩士 | 103 | 2017-10-17 | 3.21 年 |
| 106 | A study of the gate engineering of the Ge MOS capacitor and n-MOSFET devices using ZrO2 as gate dielectric 電子研究所 鍺、閘極工程、高介電材料、氧化鋯、n型電晶體、Ge、gate engineering、high-k、ZrO2、n-MOSFET | 碩士 | 104 | 2017-01-05 | 1.43 年 |
| 105 | AlTiO and AlTiON as charge trapping layer for nonvolatile memory applications 電子研究所 非揮發性記憶體、氧化鋁鈦、氮氧化鋁鈦、nonvolatile memory、AlTiO、AlTiON | 碩士 | 103 | 2017-04-06 | 2.68 年 |
| 105 | A Study on Key Process Technologies of 4H Silicon Carbide Trench Gate Power MOSFETs 電子研究所 碳化矽、溝槽式閘極、金氧半場效電晶體、功率電晶體、蝕刻、silicon carbide、trench gate、MOSFET、power MOSFET、dry etch | 博士 | 99 | 2017-01-21 | 6.48 年 |
| 105 | Effect of Grain Structure on Program Speed of Planar and Vertical Gate SONOS Memories 電子研究所 晶粒、記憶體、寫入速度、grain structure、program speed、SONOS memory | 碩士 | 103 | 2017-01-19 | 2.47 年 |
| 105 | Design, Fabrication, and Characterization of Inverted Taper Couplers Based on SiN Waveguides 電子研究所・共同指導：陳瓊華 逆向梯形耦合器、氮化矽、Invert taper coupler、Silicon nitride | 碩士 | 102 | 2017-01-17 | 3.46 年 |
| 105 | A Study on Performance Evaluation of Fin Epitaxial Tunnel Layer Tunnel FET and Performance Improvement of n-type Epitaxial Tunnel Layer Tunnel FET 電子研究所 穿隧電晶體、固態擴散、鰭狀穿隧電晶體、Tunnel FET、Solid-phase diffusion、fin TFET | 碩士 | 103 | 2017-01-16 | 2.46 年 |
| 105 | Enhancement of Oxidation rate of 4H-SiC by Ion Implantation and a Study on the Trench Junction Barrier Schottky Diode 電子研究所 提升氧化速率、離子植入、碳化矽氧化速率、接面位障蕭基二極體、溝槽式接面位障蕭基二極體、Enhancement of Oxidation rate、Ion Implantation、4H-SiC Oxidation rate、Junction Barrier Schottky Diode、Trench Junction Barrier Schottky Diode | 碩士 | 103 | 2016-10-30 | 2.25 年 |
| 104 | A Study of AlN MIS Capacitor and Mechanism of Diluted N2O Oxidation on 4H-SiC 電子工程學系 電子研究所 碳化矽、氮化鋁金氧半電容器、稀釋一氧化二氮之氧化、氧化機制、SiC、AlN MIS capacitor、diluted N2O oxidation、oxidation mechanism | 碩士 | 102 | 2015-11-01 | 2.25 年 |
| 104 | Effects of Tiny Grain and Channel Thickness on the Performance Variation of the Vertical Gate SONOS Memory Cell 電子工程學系 電子研究所 晶粒邊界、非揮發性記憶體、通道厚度、半導體-氧化矽-氮化矽-氧化矽-半導體、grain boundary、NVM、channel thickness、SONOS | 碩士 | 102 | 2015-09-28 | 2.16 年 |
| 104 | A Study on N+-P Ge Shallow Junction and Contact Resistance 電子工程學系 電子研究所 鍺、淺接面、接觸電阻、鎳鍺化物、摻雜析離、Germanium、Shallow junction、Contact resistance、Nickel germanide、Dopant segregation | 碩士 | 102 | 2015-09-13 | 2.12 年 |
| 104 | The Effects of B4C Interlayer on the Thermal and Optical Properties of Mo/Si Multilayers Mirror for EUV Lithography 工學院加速器光源科技與應用學位學程・共同指導：許博淵 極紫光微影、多層膜、鉬/矽、碳化硼、13.5奈米、EUVL、multilayer、Mo/Si、B4C、13.5nm | 碩士 | 102 | 2015-09-09 | 2.11 年 |
| 104 | Design, Fabrication, and Characterization of a Si-Based ARROW-B Pulley-Racetrack Ring Resonator Notch Filter 電子工程學系 電子研究所・共同指導：陳瓊華 滑輪操場環、陷頻濾波器、抗諧振反射光波導B型、環形共振器、Pulley-racetrack、notch filter、ARROW-B、ring resonator | 碩士 | 102 | 2015-09-07 | 2.10 年 |
| 104 | Detection of the Dengue Virus DNA Hybridization and Specificity by ARROW-B SPR Biosensors 生醫工程研究所・共同指導：袁俊傑 B型抗諧振反射光波導、表面電漿子共振、生物感測元件、登革熱病毒、DNA雜交、ARROW-B、SPR、Biosensor、Dengue Virus、DNA Hybridization | 碩士 | 102 | 2015-09-05 | 2.09 年 |
| 104 | A Study on Tunnel FET with Epitaxial Tunnel Layer Structure 電子工程學系 電子研究所 穿隧電晶體、能帶間穿隧、次臨界擺幅、Tunnel FET、Band to Band Tunneling、Subthreshold Swing | 博士 | 98 | 2015-01-06 | 5.43 年 |
| 103 | Detection of the Binding between Antibody and Antigen by ARROW-B SPR Biosensors 生醫工程研究所・共同指導：袁俊傑 表面電漿子共振、型抗諧振反射光波導、生物感測器、抗體、surface plasmon resonance、antiresonant reflecting optical waveguides、ARROW-B、SPR、biosensor、antibody | 碩士 | 101 | 2015-08-11 | 3.03 年 |
| 103 | Evaluation on 3D NAND Flash Technology and its Specific Characteristics 電子工程學系 電子研究所・共同指導：呂函庭 三維快閃記憶體、記憶體元件、薄膜電晶體、複晶矽、3D NAND Flash、memory device、thin-film transistor、Polysilicon | 博士 | 98 | 2015-07-30 | 5.99 年 |
| 103 | Design, Fabrication, and Characterization of Si-Based ARROW-B SPR Sensors B型抗諧振反射光波導、波導、表面電漿共振、生物感測器、ARROW-B、waveguide、SPR、biosensors、surface plasmon resonance | 博士 | 96 | 2015-03-02 | 7.58 年 |
| 103 | A Study on the Characteristics of 4H-SiC MOSFETs and Improvement of Deep Level Transient Spectroscopy System 電子工程學系 電子研究所 碳化矽金氧半場效電晶體、深層暫態能譜分析、SiC MOSFET、DLTS | 碩士 | 101 | 2014-11-24 | 2.31 年 |
| 103 | Effect of Grain Size on the Performance Variation of the Vertical Gate SONOS Memory Cell 電子工程學系 電子研究所 半導體-氧化矽-氮化矽-氧化矽-半導體、晶粒邊界、SONOS、Grain boundary | 碩士 | 101 | 2014-11-17 | 2.29 年 |
| 103 | A Study on High Quality Metal-Insulator-Germanium Capacitor Using Al-based Interfacial Layer 電子工程學系 電子研究所 鍺電容器、Germanium Capacitor | 碩士 | 101 | 2014-11-12 | 2.28 年 |
| 103 | Effect of plasma treatment on the radiation hardness of the HfO2/Si interfacial layer 工學院加速器光源科技與應用學位學程・共同指導：許博淵 極紫外光、高介質電質、金屬閘極、輻射、EUV、high-k、metal gate、radiation | 碩士 | 100 | 2014-09-12 | 3.12 年 |
| 103 | A study on the effect of ionizing radiation on random telegraph noise of NMOSFETs 電子工程學系 電子研究所 隨機電報雜訊、極紫外光、random telegraph noise、extreme ultraviolet | 碩士 | 101 | 2014-08-15 | 2.04 年 |
| 102 | A Study on the 4H-SiC MOSFETs Channel Mobility Degradation Mechanism 電子工程學系 電子研究所 碳化矽金氧半場效電晶體通道遷移率劣化機制之研究 | 碩士 | 100 | 2013-11-26 | 2.32 年 |
| 102 | A Study on the Nickel Germanide Contacted N+-P Germanium Shallow Junction and Contact Resistance 電子工程學系 電子研究所 鍺基板、鎳鍺化物、接觸阻抗、鍺淺接面、參雜層析技術、Germanium、Nickel germanide、Contact resistance、Shallow junction、Dopant segregation | 碩士 | 100 | 2013-09-26 | 2.15 年 |
| 102 | Schottky Barrier Height of the NiGe/n-type Ge Contact with Dopant Segregation: A First-principles Study 電子工程學系 電子研究所・共同指導：林炯源 第一原理計算、密度泛函理論、鍺基板、蕭基位障、摻雜析離、First-principles calculations、Density functional theory、Germanium、Schottky barrier height、Dopant segregation | 碩士 | 100 | 2013-09-26 | 2.15 年 |
| 102 | A Study on the Defect in SiC by Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS) and Design Analysis of the SiC Trench Junction Schottky Barrier (TJBS) Diode 電子工程學系 電子研究所 深層暫態能譜分析、碳化矽、溝槽市接面蕭基位障二極體、DLTS、SiC、trench junction schottky barrier diode | 碩士 | 100 | 2013-09-10 | 2.11 年 |
| 102 | An Accurate and Efficient Procedure for Schottky Barrier Height Extraction 電子工程學系 電子研究所 蕭基位障、萃取、模擬、比對、鉑化矽、Schottky Barrier、Extraction、Simulation、Fitting、PtSi | 碩士 | 99 | 2013-01-28 | 2.49 年 |
| 101 | A Study on the Effect of Ionizing Radiation on MOS Devices with Various Hf-based Dielectric Thickness 工學院加速器光源科技與應用學位學程・共同指導：許博淵 極紫外光輻射微影、輻射損傷、高介電係數介電層、金屬閘極、Extremely Ultraviolet Lithograohy、Radiation Damage、High-K Dielectric、Metal Gate | 碩士 | 99 | 2013-01-08 | 2.44 年 |
| 101 | A Study on Effect of Ionizing Radiation on Resistive Random Access Memory 工學院加速器光源科技與應用學位學程・共同指導：許博淵 極紫外光、輻射傷害、電阻式記憶體、Extreme Ultraviolate、Radiation damage、Resistive Random Access Memory | 碩士 | 99 | 2012-11-01 | 2.25 年 |
| 101 | A Study on the Contact Resistance Reduction in Metal/n-type Germanium Contacts 電子工程學系 電子研究所 鍺基板、接觸阻抗、蕭基位能障、介電層插入技術、蕭基位能障調變技術、Germanium、Contact resistance、Schottky barrier、Dielectric insertion process、Modified Schottky barreir process | 碩士 | 99 | 2012-08-27 | 2.07 年 |
| 101 | A Comparison Study of the Specific Contact Resistivity Extraction Methods: CBKR Method and Modified TLM Method 電子工程學系 電子研究所 接觸阻抗係數、specific contact resistivity | 碩士 | 99 | 2012-01-22 | 1.48 年 |
| 100 | Improvement of 4H-SiC MIS Capacitor Interface State Density by Low Thermal Budget Processes 電子工程學系 電子研究所 碳化矽、介面能態、改善、SiC、interface states、improvement | 碩士 | 99 | 2012-09-03 | 2.09 年 |
| 100 | A Study on Carbon Doping Technology and High-Performance Poly-Si Nanowire TFTs 電子工程學系 電子研究所 多晶矽奈米線、薄膜電晶體、三維積體電路、自我加熱效應、隨機電報雜訊、電漿浸潤式離子佈植、poly-Si nanowire、thin-film transistors、three-dimensional integrated circuits、self-heating effect、random telegraph noise、plasma immersion ion implantation | 博士 | 94 | 2011-11-15 | 6.29 年 |
| 100 | A Study on Thin Film Transistor Performance Based on Percolating Carbon Nanotube Networks 電子工程學系 電子研究所 奈米碳管、交絡網路、薄膜電晶體、Carbon Nanotube、Percolating Network、Thin Film Transistor | 碩士 | 98 | 2011-10-10 | 2.19 年 |
| 100 | Effect of Interfacial Layer Engineering on the Radiation Hardness of Hf-based Dielectrics to EUV Irradiation 極紫外光、氧化鉿、輻射、EUV、HfO2、radiation | 碩士 | 98 | 2011-09-08 | 2.10 年 |