顏順通

Yen, Shun Tung・電機學院・電子研究所

碩士平均畢業時長

2.70 年

中位數 2.60 年・44 人

博士平均畢業時長

5.02 年

中位數 5.02 年・1 人

收錄論文

47 篇

100–115 學年度

全校中位數（供對照）

碩士 2.10・博士 6.11 年

畢業時長趨勢

每學年度畢業人數

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研究關鍵字

兆赫波Terahertz微共振腔Microcavity光子晶體4H-SiC帶間穿隧奈米線nanowiresTerahertz waveFar infrared砷化鎵聲子phonon高功率元件碳化矽4H 型碳化矽silicon carbideJBS diode面射型雷射光子晶體面射型雷射複數能帶結構complex band structure表面電漿surface plasmon耦合電磁波能帶圖Coupled electromagnetic wave共振吸收Resonant absorptionphotonic crystalk∙p模型k∙p Model八能帶模型interband tunneling影像雷達系統Quantum Well Infrared PhotodetectorsIntersubband Absorption遠紅外熱輻射thermal emission磷化銦gallium arsenidepHEMT4H型碳化矽抗輻射能力隔離能力深層缺陷暫態能譜儀power devicesradiation hardness

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指導論文

學年度	論文	學制	入學	提交日期	畢業時長
115	4H型碳化矽中氬離子植入形成的缺陷層之組成與其隔離能力研究 Investigation of Composition and Isolation Capability of Defect Layers in 4H-SiC Induced by Argon Implantation 電子研究所・共同指導：崔秉鉞 4H型碳化矽、高功率元件、抗輻射能力、隔離能力、深層缺陷暫態能譜儀、4H-SiC、power devices、radiation hardness、isolation capability、DLTS	碩士	112	2026-08-31	3.08 年
114	1700 伏特 4H 型碳化矽厚底氧化層溝槽式閘極金氧半場效電晶體之設計、關鍵製程改善與特性分析 Design, Key Process Improvement, and Characterization of 1700-V 4H-SiC UMOSFETs with Thick Bottom Oxide 電子研究所・共同指導：崔秉鉞碳化矽、4H 型碳化矽、高功率元件、金氧半場效電晶體、溝槽式閘極金氧半場效電晶體、溝槽、厚底氧化層、silicon carbide、4H-SiC、power device、MOSFET、trench MOSFET (UMOSFET)、trench、thick bottom oxide (TBOX)	碩士	111	2026-07-15	3.95 年
114	高性能1700伏特4H型碳化矽接面能障蕭特基場效電晶體與20伏特互補式金氧半閘極驅動電路之單晶片整合開發 Developing High-Performance 1.7 kV 4H-SiC JBSFET Monolithically Integrated with 20 V CMOS Gate Driver Circuit 電子研究所・共同指導：崔秉鉞碳化矽、垂直式雙離子植入金氧半場效電晶體、接面能障蕭特基場效應電晶體、接面能障蕭特基二極體、反向恢復、互補式金氧半場效電晶體、閘極驅動器、單晶片整合、silicon carbide、VDMOSFET、JBSFET、JBS diode、reverse recovery、CMOS、gate driver、monolithic integration	碩士	112	2026-02-26	2.57 年
114	球面上均勻分佈天線的聚焦特性研究 Study of Focusing Properties of uniformly distributed antennas on a spherical surface 電子研究所陣列天線、球形天線、相位補償、牛頓法、拉格朗日乘數、湯姆森問題、array antenna、spherical antenna、phase compensation、Newton's method、Lagrange multiplier、Thomson's problem	碩士	112	2026-01-28	2.49 年
114	寬能隙 SiC MOSFET 與 GaN HEMT 之缺陷/捕捉機制、可靠度與高溫電路穩定性研究：以電荷泵浦、BTI 與動態應力解析並延伸至單晶邏輯電路/比較電路 Defect/Trapping Mechanisms, Reliability, and Wide-Temperature Circuit Stability of WBG SiC MOSFETs and GaN HEMTs: Charge Pumping, BTI, and Dynamic Stress Analyses Extended to Monolithic Logic and Comparator Circuits 電子研究所・共同指導：吳添立 4H碳化矽N型功率金屬氧化物半導體場效電晶體、4H碳化矽P型功率金屬氧化物半導體場效電晶體、p型閘極氮化鎵高電子遷移率電晶體、電荷泵浦、偏壓溫度不穩定性、缺陷生成、碳化矽互補式反相器、碳化矽NOR閘、碳化矽NAND閘、碳化矽XOR、零電壓開關、硬開關、電流-深能級瞬態能譜、碳化矽SR正反器、低溫穩定性、邏輯電路可靠性、單晶整合氮化鎵比較器、4H-SiC NMOSFET、4H-SiC PMOSFET、p-GaN gate HEMTs、Charge Pumping、Bias Temperature Instability、Defect Generation、SiC CMOS Inverter、SiC NOR Gate、SiC NAND Gate、SiC XOR、zero-voltage switching、hard-switching、I-DLTS、GaN RTL、GaN DCFL、GaN NOR、GaN NAND、GaN AND、GaN SR-Flip-Flop、cryogenic temperature stability、logic circuit reliability、monolithic GaN Comparator	碩士	112	2026-01-16	2.46 年
114	光子晶體面射型雷射之設計優化及其速率方程式分析 Design Optimization and Rate-Equation Analysis of Photonic-Crystal Surface-Emitting Lasers 電子研究所・共同指導：林國瑞光子晶體、面射型雷射、耦合波理論、速率方程、數值模擬、隨機微分方程、Photonic-Crystal、Surface-Emitting Laser、Coupled-Wave Theory、Rate Equations、Numerical Simulation、Stochastic Differential Equation	碩士	112	2026-01-06	2.43 年
114	1064nm光子晶體面射型雷射之製作及其二次諧波產生綠光雷射 Fabrication of 1064 nm Photonic Crystal Surface-Emitting Lasers and Their Second-Harmonic Generation of Green Light 電子研究所・共同指導：林國瑞近紅外雷射、光子晶體面射型雷射、二次諧波產生、綠光、Near-infrared laser、photonic crystal surface-emitting laser、second-harmonic generation、green light	碩士	111	2025-09-30	3.16 年
113	採用P型AlGaAs披覆層的紅光光子晶體面射型雷射研究 Study on Red-Light Photonic Crystal Surface-Emitting Lasers with P-Type AlGaAs Cladding Layer 電子研究所・共同指導：林國瑞紅光雷射、光子晶體、面射型雷射、遠場圖形、耦合係數、Red Lasers、Photonic crystals、Surface-Emitting Lasers、Far Field Pattern、Coupling Coefficient	碩士	111	2025-06-20	2.89 年
113	4H型碳化矽溝槽式接面位障蕭特基二極體的順向電性分析：實驗研究與 TCAD 模擬 Analysis of Forward Electrical Characteristics in 4H-SiC Trench Junction Barrier Schottky (TJBS) Diodes: Experimental Investigation and TCAD Simulation 電子研究所・共同指導：崔秉鉞 4H 型碳化矽、均勻蕭特基能障溝槽式接面位障蕭特基二極體、接面位障蕭基二極體、蕭特基能障、費米能階釘扎、順向導通電壓變異、TCAD 模擬、4H-SiC、USB-TJBS diode、JBS diode、TCAD simulation、Schottky barrier height、Fermi-level pinning、Forward voltage variation	碩士	111	2025-04-13	2.70 年
113	利用不同金屬製作二硫化鉬邊緣接觸場效應電晶體之研究 Study on Fabricationg MoS2 Edge Contact Field-Effect Transistors Using Different Metals 電子研究所過渡金屬二硫化物、二硫化鉬、覆蓋層、費米能階釘扎效應、邊緣接觸、Transition metal dichalcogenides、Molybdenum disulfide、Capping layer、Fermi Level Pinning、Edge contacts	碩士	110	2024-08-02	3.00 年
112	使用模態展開法對光子晶體系统的光學性質進行分析 Analysis of Optical Properties of Photonic Crystal Systems Using the Mode-Expansion Method 電子研究所複數能帶結構、群論、光性模擬、光子晶體面射型雷射、光子晶體板共振、complex band structure、group theory、optical simulation、photonic crystal slab resonance、Photonic Crystal Surface Emitting Laser	碩士	110	2024-06-12	2.86 年
112	層狀氮化鋁作為閘極介電夾層並應用於二硫化鎢場效電晶體之研究 Study of Layered Aluminum Nitride as Gate Dielectric Interlayer in WS2 Field Effect Transistors 電子研究所二硫化鎢、原子層沉積、層狀氮化鋁、雙閘極元件、次臨界擺幅、等效閘極氧化層厚度、Tungsten disulfide、atomic layer deposition、layered aluminum nitride、dual gate device、subthreshold swing、equivalent oxide thickness	碩士	110	2023-12-15	2.37 年
111	藉由模態耦合法計算一維與二維次波長金屬結構的異常光學穿透之研究 Studies of Extraordinary Optical Transmission on 1D/2D Metallic Subwavelength Structures by Coupled Mode Method 電子研究所異常穿透現象、模態耦合法、表面模態、孔洞腔模、狹縫腔模、extraordinary optical transmission、Coupled-Mode Method、surface mode、groove cavity mode、slit cavity mode	碩士	107	2023-08-15	5.04 年
111	以第一原理計算與分析KTaO3熱電特性 Analysis and Simulation of KTaO3 Thermoelectric characteristic by first-principles calculations 電子研究所熱電材料、鈣鈦礦、第一原理、thermoelectric material、first-principle、perovskite	碩士	109	2023-07-30	2.99 年
111	以擴增平面波法研究多圓柱單位晶胞之二維金屬光子晶體 Studies of Two-dimensional Metallic Photonics Crystals with Multiple-cylinder Unit Cells by Augmented Plane Wave Method 電子研究所金屬光子晶體、數值收斂、表面電漿、複數能帶結構、metallic photonics crystal、numerical convergence、surface plasmon、complex band structure	碩士	109	2023-07-28	2.99 年
111	利用擴增平面波法分析二維複合晶格介電材料圓柱光子晶體之能帶曲線及電磁場分布 Analysis of Band Structures and Electromagnetic Field Distribution in Two-Dimensional Composite Lattice Cylindrical Dielectric Photonic Crystal by Augmented Plane Wave Method 電子研究所複合晶格光子晶體、耦合電磁波、擴增平面波展開法、能帶圖、勘根演算法、Composite Lattice Photonic crystal、Coupled electromagnetic wave、APW method、band diagram、Root Finding Algorithm	碩士	109	2023-07-28	2.99 年
110	含有十字接頭形孔洞陣列之兆赫波段雙頻吸收器之研究 Studies of a Terahertz Dual Band Absorber With Cross Joint Hole Arrays 電子研究所・共同指導：李建平兆赫波、吸收器、微共振腔、週期性孔洞陣列、共振吸收、Terahertz、Absorber、MIM structure、Periodic hole array、Resonant absorption	碩士	108	2022-06-15	2.87 年
110	擴增平面波理論分析與應用在二維金屬柱光子晶體之研究 Analysis of two-dimensional metallic photonic crystal by augmented plane wave method 電子研究所・共同指導：李建平光子晶體、表面電漿、能帶曲線、複數勘根方法、負折射率、photonic crystal、surface plasmon、dispersion relation、complex root finding algorithm、negative group index	碩士	108	2022-06-10	2.86 年
110	以k∙p模型研究鍺錫合金奈米線穿隧二極體之特性 Study of Tunneling Characteristics of GeSn Nanowires Tunnel Diode by k∙p Model 電子研究所 k∙p模型、帶間穿隧、奈米線、k∙p Model、bant to band tunneling、nanowires	碩士	108	2022-03-23	2.64 年
110	建立APW與耦合電磁波在週期性陣列的物理模型並以新創的演算法計算光子晶體能帶 Physical modeling of APW and coupled electromagnetic waves in periodic arrays with an innovative algorithm to calculate photonic crystal bands 電子研究所 APW、耦合電磁波、光子晶體、光子晶體能帶圖、Coupled electromagnetic wave、Photonic Crystal、Photonic crystal band	碩士	108	2022-03-23	2.64 年
110	以經驗膺勢法計算矽鍺錫合金之k∙p模型參數與研究其奈米線穿隧二極體 Calculation of k∙p parameters from empirical pseudopotential method for SiGeSn and Study of its nanowire tunnel diode 電子研究所經驗膺勢法、八能帶模型、奈米線、帶間穿隧、empirical pseudopotential method、eight-band k∙p theory、nanowires、interband tunneling	碩士	108	2021-10-06	2.18 年
109	以繞射理論設計與分析具有聚焦掃描效果之相陣列天線 Design and analysis of phased array antenna with focusing and scanning effect based on diffraction theory 電子研究所兆赫波、電子陣列天線、繞射理論、Terahertz wave、Electronic array antenna、Diffraction theory	碩士	107	2021-04-30	2.75 年
109	以經驗贋勢法計算六角結構矽鍺合金之能帶結構與八能帶k∙p模型之參數 Study of band structures of hexagonal SiGe alloys by empirical pseudopotential method and extraction of parameters for k∙p model 電子研究所矽鍺合金、經驗贋勢法、k∙p模型、SiGe alloy、emperical pseudopotential method、k∙p model	碩士	106	2021-03-30	3.66 年
109	兆赫波段相陣列雷達影像系統之研究 Studies of Terahertz Phased Array Radar Imaging System 電子研究所兆赫波、影像雷達系統、相陣列天線、Terahertz wave、image radar system、phased array antenna	碩士	107	2021-03-28	2.66 年
109	以八能帶模型分析奈米線帶間穿隧特性 Analysis of Interband Tunneling in Nanowires by Eight-band k.p Model 電子研究所八能帶模型、奈米線、帶間穿隧、k.p method、nanowires、interband tunneling	碩士	107	2021-01-25	2.49 年
109	利用二維光柵微共振腔結構來增強量子井紅外線偵測器的次能帶吸收之研究 Enhancing the Intersubband Absorption of Quantum Well Infrared Photodetectors by Using 2D Grating Microcavity Structure 電子研究所二維光柵、微共振腔、量子井紅外線偵測器、次能帶吸收、2D Grating、Microcavity、Quantum Well Infrared Photodetectors、Intersubband Absorption	碩士	107	2021-01-20	2.47 年
108	兆赫/遠紅外波段共振吸收器與高效率熱輻射源之研究 Studies of Terahertz/Far-infrared Resonant Absorbers and High Eﬀiciency Thermal Emitters 電子研究所兆赫、遠紅外、共振吸收、干涉、熱輻射、微共振腔、電晶體、Terahertz、Far infrared、resonant absorption、interference、thermal emission、microcavity、transistor	博士	104	2020-08-09	5.02 年
108	藉由二維陣列所產生的共振模態來增強量子井偵測器效率之研究 Studies of Enhancing the Efficiency of Quantum Well Photodetectors through the Cavity Modes Generated by the 2D Grating 電子研究所量子井紅外線偵測、微共振腔、子能帶吸收、Quantum well infrared photodetectors、Microcavity、Intersubband absorption	碩士	106	2020-08-07	3.02 年
108	兆赫波Martin-Puplett干涉光譜儀架設之研究 A Study of Terahertz Spectrometer Based on Martin-Puplett Interferometer 電子研究所兆赫波、傅里葉轉換紅外光譜儀、Martin-Puplett、Terahertz、THz、FTIR	碩士	106	2019-12-26	2.40 年
108	兆赫波影像雷達之光學系統：機械式掃描共焦橢球葛式反射鏡組之研究 Studies on THz Imaging Radar Optical System: Mechanical Scanning Confocal Ellipsoidal Gregorian Reflector System 電子研究所兆赫波影像雷達系統、共焦橢球葛氏反射鏡組、機械式掃描、THz Imaging Radar System、Confocal Ellipsoidal Gregorian Reflector System、Mechanical Scanning	碩士	106	2019-11-27	2.32 年
108	兆赫波影像雷達之光學系統：共焦雙橢球反射鏡組之研究 Studies on THz Imaging Radar Optical System: Confocal Ellipsoidal Reflector System 電子研究所兆赫波、影像雷達系統、terahertz、optical system	碩士	106	2019-11-25	2.32 年
108	高效率有限元素分析法模擬號角天線輻射特性之研究：網格密度重置法 Efficient Finite Element Method for Analysis of Horn Antenna Radiation Properties: A Grid-Density Reset Method 電子研究所有限元素網格密度、高效率有限元素分析法、號角天線、模態匹配、horn antenna、fem grid-density、efficient finite element method、mode-matching method	碩士	105	2019-09-07	3.10 年
107	紅外光窄帶分佈式布拉格反射濾波器之非色散紅外線氣體偵測改進之研究與應用 Enhancement of Non-Dispersive Infrared Gas Detection by Narrow-band Midinfrared Distributed Bragg Reflector Filter 電子研究所非色散紅外線、氣體偵測、分佈式布拉格反射濾波器、紅外光窄帶、Non-Dispersive Infrared、Gas Detection、Distributed Bragg Reflector Filter、Narrow-band Midinfrared	碩士	104	2018-12-17	3.38 年
107	鍺錫合金分析與穿隧二極體模擬之研究 Analysis on GeSn and Simulation of Tunneling Diode 電子研究所鍺錫合金、穿隧二極體、能帶圖、GeSn、Tunneling Diode、Band Structure	碩士	105	2018-12-11	2.36 年
106	兆赫波段漁網型微共振腔之研究與應用 Studies of fishnet-like microcavity and its application in the Terahertz Regime 電子研究所兆赫波段、微共振腔、TeraHertz、Microcavity	碩士	104	—	無法計算
106	具高準確性與高效率之量子傳輸模擬之研究 Studies on Quantum Transport Simulation with High Accuracy and High Efficiency 電子研究所非平衡格林函數法、接觸區塊簡化法、彈道傳輸、Non-equilibrium green's function、Contact block reduction method、ballistic transport	碩士	104	—	無法計算
104	含二維金屬孔洞陣列之反射式遠紅外窄頻吸收器之研究 Studies of far infrared reflective narrow-band absorber with two-dimensional metallic hole array 電子工程學系電子研究所遠紅外、二維金屬孔洞陣列、窄頻吸收器、far infrared、narrow-band absorber、two-dimensional metallic hole array	碩士	103	2016-08-15	2.04 年
103	遠紅外波段下二維金屬孔洞型微共振腔之研究 Studies of far infrared microcavities with two-dimensional metallic hole array 電子工程學系電子研究所微共振腔、異常穿透、表面電漿子、Microcavity、EOT、SPP	碩士	101	2015-01-13	2.45 年
103	以第一原理計算分析砷化鎵與磷化銦紅外線雙聲子特徵譜線之研究 Analysis of two-phonon infrared spectral features of gallium arsenide and indium phosphide by ab initio calculation 電子工程學系電子研究所雙聲子過程、能態密度、砷化鎵、磷化銦、遠紅外線、泛范霍夫奇異點、two-phonon processes、density of states、gallium arsenide、indium phosphide、far infrared、van Hove singularity	碩士	101	2014-11-03	2.26 年
103	兆赫波波段之微共振腔研究 Study of Microcavity in Terahertz Regime 電子工程學系電子研究所微共振腔、兆赫波、Microcavity、Terahertz	碩士	101	2014-09-09	2.11 年
102	以電激發砷化鎵塊材為兆赫波增益介質之研究 Study of electrically excited gallium arsenide as a terahertz gain medium 電子工程學系電子研究所兆赫波、砷化鎵、電激發、Terahertz wave、gallium arsenide、electrically excited	碩士	100	2014-05-25	2.81 年
102	砷化鎵與磷化銦遠紅外光譜與聲子能態密度之研究 Research on far infrared spectrum and phonon density of states of GaAs and InP 電子工程學系電子研究所・共同指導：李建平砷化鎵、磷化銦、遠紅外光譜、聲子、聯合能態密度、GaAs、InP、Far-infrared spectrum、phonon、Joint density of states	碩士	100	2013-09-11	2.11 年
102	以模型化方式探討氮化鎵藍、綠光發光二極體效率下降之原因 Model analysis of efficiency droop in GaN-based light emitting diodes 電子工程學系電子研究所氮化鎵發光二極體、效率下降、歐傑復合、有效主動層體積、漏電流、GaN-based light emitting diodes、Efficiency droop、Auger recombination、Effective volume、Leakage current	碩士	100	2013-09-10	2.11 年
100	整合光柵結構與電晶體的室溫兆赫波輻射源之研究 Research on integrating grating-like electrodes with field-effect transistors as room-temperature terahertz radiation sources 電子工程學系電子研究所兆赫波輻射、聲子、光柵、高載子遷移率電晶體、偏振、terahertz、phonon、grating、pHEMT、polarization	碩士	98	2012-01-13	2.45 年
100	以塑膠基板製作金屬網狀濾波器於兆赫波段下之研究 Studies of metal mesh filter device on polymer substrate in terahertz frequencies 電子工程學系電子研究所薄金屬濾波器、厚金屬濾波器、thin metal mesh filter、thick metal mesh filter	碩士	98	2011-11-10	2.28 年
100	半導體電激發光致冷元件之降溫極限的探討 Investigation on the ultimate cooling temperature of semiconductor electroluminescent refrigerators 電子工程學系電子研究所半導體電激發光致冷元件、降溫、semiconductor electroluminescent refrigerators、ultimate cooling temperature	碩士	98	2011-10-05	2.18 年
100	室溫操作之pHEMT於兆赫波段之輻射特性 Investigation of THz radiation from pHEMT at room temperature 電子工程學系電子研究所兆赫波、熱輻射、聲子、terahertz、thermal emission、phonon、pHEMT	碩士	98	2011-09-06	2.10 年