林炯源

Lin, Chiung-Yuan・電機學院・電子研究所

碩士平均畢業時長

2.59 年

中位數 2.25 年・46 人

收錄論文

50 篇

100–115 學年度

全校中位數（供對照）

碩士 2.10 年

畢業時長趨勢

每學年度畢業人數

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研究關鍵字

接觸電阻第一原理密度泛函理論contact resistance量子傳輸density functional theory二維材料二硒化鎢過渡金屬二硫族化合物tungsten diselenidetransition metal dichalcogenidesfirst-principles二硫化鉬quantum transporttwo-dimensional materialsmolybdenum disulfidefirst principles載子遷移率第一原理量子傳輸計算carrier mobilityfirst-principles calculationsquantum-transport非平衡格林函數二氧化鉿NEGF第一原理計算contacts resistance釕電極過渡金屬二硫族化物transition-metal dichalcogenides銠電極鈀電極rhodium electrode氮化鋁aluminum nitrideTMD二硫化鎢有效質量effective mass2D Material矽烯silicene蕭特基位障dopant segregationGermaniumSchottky barrier heighthafnium dioxideMoS2WSe2DFT

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指導論文

學年度	論文	學制	入學	提交日期	畢業時長
115	過渡金屬二硫族化合物第一原理與量子傳輸研究: 釕電極接觸電阻、通道載子遷移率及雙原子層重構 First-principles and Quantum-transport Studies of TMDs: Contact Resistance with Ru Electrodes, Channel Carrier Mobility and Bilayer TMD Reconstruction 電子研究所過渡金屬二硫族化合物、二硒化鎢、二硫化鉬、釕電極、二氧化鉿、接觸電阻、載子遷移率、原子重構、第一原理、量子傳輸、密度泛函理論、transition metal dichalcogenides、tungsten diselenide、molybdenum disulfide、ruthenium electrodes、hafnium dioxide、contact resistance、carrier mobility、atomic reconstruction、first-principles calculations、quantum-transport、density functional theory	碩士	113	2026-10-14	2.20 年
114	採用鉑電極的TMD通道電晶體的第一原理及量子傳輸計算：接觸電阻、O相二氧化鉿影響下的通道遷移率 First-principles Quantum-transport Calculations of TMD transistors with Pt Electrodes: the Contact Resistance and the Channel Mobility that is affected by the O-phase HfO₂ 電子研究所二維材料、MoS2、WSe2、接觸電阻、閘極長度、underlap/overlap、蕭特基能障、能帶圖、O-phase HfO2、載子遷移率、電子-聲子耦合、NEGF、DFT、two-dimensional materials、contact resistance、gate length、Schottky barrier、band diagram、carrier mobility、electron–phonon coupling	碩士	112	2025-10-31	2.25 年
114	從二維材料電晶體之低接觸電阻至以基板提升臨界溫度之超導元件材料：採第一原理之研究 From 2D Transistors of Low Contact Resistance to the Substrate-enhanced Tc of a Superconducting Electronic Material : a First-principles Study 電子研究所過渡金屬二硫族化物、二硒化鎢、接觸電阻、單晶超導鋁薄膜、超導臨界溫度、第一原理量子傳輸計算、密度泛函理論、密度泛函微擾理論、Transition metal dichalcogenides、tungsten diselenide、contact resistance、epitaxial superconducting aluminum thin film、superconducting critical temperature、first-principles quantum transport、density functional theory、density functional perturbation theory	碩士	112	2025-10-31	2.25 年
114	二硫族化合物電晶體之第一原理量子傳輸理論研究：釕電極接觸電阻與介電層影響之通道載子遷移率 First-principles Quantum-transport Study of TMD-based Transistors: the Contact Resistance with Ru Electrodes and the Dielectric-affected Channel Mobility 電子研究所過渡金屬二硫族化合物、二硒化鎢、二硫化鉬、釕電極、二氧化鉿、接觸電阻、載子遷移率、第一原理、量子傳輸、密度泛函理論、Transition-metal dichalcogenides (TMDs)、tungsten diselenide (WSe₂)、molybdenum disulfide (MoS₂)、ruthenium (Ru) contacts/electrodes、hafnium dioxide (HfO₂)、contact resistance、carrier mobility、first-principles、quantum transport、density functional theory (DFT)	碩士	112	2025-10-22	2.23 年
114	從二維材料電晶體之低接觸電阻至具高相干時間的單晶超導量子位元生長：採第一原理之研究 From 2D Transistors of Low Contact Resistance to the Growth of Single-crystal Superconducting Qubits of High Coherent Time : a First-principles Study 電子研究所過渡金屬二硫族化合物、二硒化鎢、銅電極、接觸電阻、約瑟夫森結、第一原理量子傳輸計算、密度泛函理論、分子動力學、transition-metal dichalcogenides、tungsten diselenide、copper electrodes、contact resistance、Josephson junction、first-principles quantum transport、density functional theory、molecular dynamics	碩士	112	2025-10-21	2.22 年
114	過渡金屬二硫族化合物電晶體第一原理與量子傳輸研究:銠、鈀電極接觸電阻與氧化物覆蓋之載子遷移率 First-principles and Quantum-transport Study of TMD-based Transistors: Contact Resistance with Rh and Pd Electrodes and Oxide-capped Carrier Mobility 電子研究所第一原理量子傳輸、密度泛函理論、過渡金屬二硫族化合物、二硒化鎢、二硫化鉬、銠電極、鈀電極、接觸電阻、二氧化鉿、載子遷移率、first-principles quantum-transport、density functional theory、transition-metal dichalcogenides、tungsten diselenide、molybdenum disulfide、rhodium electrode、palladiumelectrode、contact resistance、hafnium dioxide、carrier mobility	碩士	112	2025-09-26	2.15 年
114	氮化鋁表面電荷轉移至二維電晶體二硒化鎢通道：第一原理量子傳輸研究 AlN Surface Charge Transfer to the WSe2 Channel of a 2D Transistor, a First-principles Quantum-transport Study 電子研究所・共同指導：簡昭欣過渡金屬二硫族化合物、二硒化鎢、氮化鋁、表面電荷轉移、第一原理、量子傳輸、密度泛函理論、Transitional metal dichalcogenides、tungsten diselenide、aluminum nitride、surface charge transfer、first-principles、quantum transport、density functional theory	碩士	112	2025-09-26	2.15 年
114	二硒化鎢電晶體含1T′-2H異質結構與銠電極邊緣接觸之第一原理量子傳輸計算：介面性質與接觸電阻 First-principles Quantum-transport Calculations of WSe₂ Transistor with 1T′-2H Heterojunction and Rh Edge Contacts: the Interface Properties and the Contact Resistance 電子研究所過渡金屬二硫族化合物、二硒化鎢、銠電極、異質接面、相工程、接觸電阻、第一原理、量子傳輸、密度泛函理論、transition metal dichalcogenides、tungsten diselenide、rhodium electrode、heterojunction、phase engineering、contact resistance、first principles、quantum-transport、density functional theory	碩士	111	2025-08-27	3.07 年
114	第一原理與量子傳輸分析釕與銻接觸TMD二維材料通道之接觸電阻與介面工程 First-principles and Quantum Transport Analysis of Contact Resistance and Interface Engineering in Ru and Sb Contacted Two-dimensional TMD Channels 電子研究所二維材料、2D、TMD、釕金屬、Ruthenium、Ru、MoS2、二硫化鉬、WSe2、二硒化鎢、第一原理、NEGF、接觸電阻、量子傳輸、過渡金屬二硫族化合物、two-dimensional materials、transition metal dichalcogenides (TMDs)、tungsten diselenide (WSe₂)、molybdenum disulfide (MoS₂)、ruthenium (Ru)、antimony (Sb)、first-principles calculations、non-equilibrium Green's function (NEGF)、quantum transport、contact resistance	碩士	111	—	無法計算
113	TMD電晶體的第一原理及量子傳輸計算：以鉑與二硫化鈮為電極的接觸電阻、長晶形成與遷移率 TMD-transistor by First-principles Quantum-transport Methods: the Contact Resistance with Pt, NbS2 Electrodes and the Monolayer Growth and Mobility 電子研究所過渡金屬二硫族化物、接觸電阻、吸附能、載子遷移率、第一原理量子傳輸計算、密度泛函理論、transition metal dichalcogenides、contact resistance、adsorption energy、carrier mobility、first-principles quantum transport calculation、density functional theory	碩士	111	2025-03-17	2.63 年
113	採用銠、氮化鈦電極的TMD通道電晶體的第一原理量子傳輸計算：接觸電阻、受介面層影響的遷移率 TMD-transistor with Rh and TiN Electrodes by First-principles Quantum-Transport Methods： the Contact Resistance and the Mobility affected by the Interface layer 電子研究所二維材料、第一原理量子傳輸計算、TCAD、接觸電阻、載子遷移率、二硒化鎢、二硫化鉬、銠、氮化鈦、氮化鋁、Two-dimensional materials、first-principles quantum transport calculation、contact resistance、mobility、tungsten diselenide、molybdenum disulfide、rhodium、titanium nitride、aluminum nitride	碩士	111	2025-03-04	2.59 年
113	二氧化鈦電阻式記憶體和雙層二硫化鎢場效電晶體的第一原理量子傳輸計算 First-principles quantum-transport calculations of TiO2-based RRAM and bilayer WS2-based FET 電子研究所二氧化鈦、電阻式記憶體、二硫化鎢、部分硫族元素取代、量子傳輸、TiO2、RRAM、WS2、partial sulfur replacement、quantum transport	博士	107	—	無法計算
113	採用鈀、鉍電極的TMD通道電晶體的第一原理及量子傳輸計算：接觸電阻、受基板影響的通道遷移率 First-principles Quantum-transport Calculations of TMD-transistors with Pd and Bi Electrodes : the Contact Resistance and the Substrate-affected Channel Mobility 電子研究所過渡金屬二硫族化合物、二硒化鎢、二硫化鉬、鈀電極、鉍電極、接觸電阻、二氧化矽、載子遷移率、第一原理量子傳輸計算、密度泛函理論、transition metal dichalcogenides、tungsten diselenide、molybdenum disulfide、palladium electrode、bismuth electrode、contacts resistance、silicon dioxide、carrier mobility、first-principles quantum-transport calculation、density functional theory、TCAD	碩士	111	—	無法計算
112	以第一原理量子傳輸理論研究二硒化鎢於直接接觸作為超低電阻通道電晶體 Ultra Low-resistance Direct Contact of a WSe2 Transistor: a First-principles Quantum-transport Study 電子研究所二維材料、過渡金屬二硫族化合物、費米能階釘扎效應、接觸電阻、二硒化鎢、第一原理量子傳輸計算、密度泛函理論、two-dimensional materials、transition-metal dichalcogenides、Fermi Level Pinning effect、contact resistance、tungsten diselenide、first-principles quantum transport calculations、density functional theory	碩士	109	2024-02-02	3.50 年
112	以第一原理量子傳輸理論優化二硫族化合物電晶體：鈀電極接觸電阻、接觸氮化鋁與二氧化矽之電子結構 TMD-transistor Optimization by First-principles Quantum-transport Methods: the Resistance in Contact with Pd and the AlN, SiO2/Channel Electronic Structure 電子研究所過渡金屬二硫族化合物、二硒化鎢、二硫化鉬、鈀電極、氮化鋁、二氧化矽、接觸電阻、有效質量、第一原理、量子傳輸、密度泛函理論、transition metal dichalcogenides、tungsten diselenide、molybdenum disulfide、palladium electrode、aluminum nitride、silicon dioxide、contacts resistance、effective mass、first-principles、quantum-transport、density functional theory	碩士	110	2023-11-28	2.32 年
112	以第一原理量子傳輸理論優化二硫族化合物電晶體: 接觸藍寶石之通道有效質量、銠與二硫化鈮電極接觸電阻 TMD-transistor Optimization by First-principles Quantum-transport Methods: the Channel/Sapphire Effective Masses and the Resistance in Contact with Rh and NbS2 電子研究所二維材料、過度金屬二硫族化合物、二硒化鎢、二硫化鉬、銠電極、二硫化鈮、接觸電阻、有效質量、第一原理、量子傳輸、密度泛函理論、two-dimensional materials、transition metal dichalcogenides、tungsten diselenide、molybdenum disulfide、rhodium electrode、niobium disulfide、contacts resistance、effective mass、first principles、quantum transport、density functional theory	碩士	110	2023-11-28	2.32 年
112	以第一原理量子傳輸理論優化二硫族化物電晶體：接觸二氧化鋯之通道有效質量、釕與銻電極接觸電阻 TMD-transistor Optimization by First-principles Quantum-transport Methods: the Channel/ZrO2 Effective Masses and the Resistance in Contact with Ru and Sb 電子研究所二維材料、過渡金屬二硫族化合物、二硒化鎢、二硫化鉬、釕電極、銻電極、接觸電阻、有效質量、二氧化鋯、第一原理、量子傳輸、密度泛函理論、two-dimensional materials、transition metal dichalcogenides、tungsten diselenide、molybdenum disulfide、ruthenium electrode、antimony electrode、contact resistance、effective mass、zirconium dioxide、first principles、quantum transport、density functional theory	碩士	110	2023-11-26	2.32 年
111	以第一原理量子傳輸理論研究二硫化鉬電晶體之超低電阻直接接觸 Ultra Low-resistance Direct Contact of a MoS2 Transistor: a First-principles Quantum-transport Study 電子研究所二維材料、過渡金屬二硫族化合物、二硫化鉬、費米能階釘扎效應、第一原理量子傳輸計算、非平衡格林函數、接觸電阻、two-dimensional materials、transition metal dichalcogenides、molybdenum disulfide、Fermi level pinning effect、first-principles quantum transport calculations、non-equilibrium Green's function、contact resistance	碩士	109	2022-09-30	2.16 年
111	以第一原理量子傳輸理論研究二硫化鎢電晶體之超低電阻直接接觸 Ultra Low-resistance Direct Contact of a WS2 Transistor: a First-principles Quantum-transport Study 電子研究所二維材料、過度金屬二硫族化合物、二硫化鎢、第一原理、量子傳輸、密度泛函理論、非平衡格林函數、接觸電阻、two-dimensional materials、transition metal dichalcogenides、tungsten disulfide、first principles、quantum transport、density functional theory、NEGF、contacts resistance	碩士	109	2022-09-29	2.16 年
110	氧化鉿鋯線性二色性光譜:結合實驗與模擬計算之研究 Linear Dichroism Spectrum of Hf1-xZrxO2 : a Study That Combines Experimental and Computational Approaches 工學院加速器光源科技與應用學位學程・共同指導：許博淵氧化鉿鋯、鐵電材料、X光吸收光譜、X光線性二色性、第一原理計算、半定量分析、Hf1-xZrxO2、ferroelectric material、X-ray absorption spectroscopy、X-ray linear dichroism、first principle calculation、semi-quantitative analysis	碩士	106	2022-01-18	4.47 年
110	原子層化學氣相沉積於二維材料和其上閘極元件應用之研究 Atomic Layer Deposition for Two Dimensional Materials and Their Top-gate Device Application 電子研究所・共同指導：簡昭欣二維材料、原子層化學氣相沉積、高介電常數、雙閘極元件、等效閘極氧化層厚度、次臨界擺幅、two-dimensional materials、atomic layer deposition、high-k materials、double-gate devices、effective oxide thickness、subthreshold swing	碩士	108	2021-11-24	2.32 年
110	以第一原理與量子傳輸理論來計算在汲源極與閘極電壓下之二硫化鉬/金屬側接觸 First-principles and Quantum-transport Calculations of the Biased and Gated MoS2/Metal Side Contacts 電子研究所・共同指導：郭治群二維材料、第一原理、量子傳輸、接觸電阻、費米能階扎釘效應、First-principles、Quantum-transport、2D Material、Contact Resistance、Fermi Level Pinning	碩士	108	2021-09-26	2.15 年
110	以第一原理量子傳輸理論研究在介面處有取代硒處理之二硒化鎢與二硒化鉬兩種電晶體 WSe2 and MoSe2 Transistors with Selenium Atoms Replaced at the Interface: a First-principles Quantum-transport Study 電子研究所二維材料、過渡金屬二硫族化物、二硒化鎢、二硒化鉬、第一原理與量子傳輸計算、非平衡格林函數、接觸電阻、2D materials、transition metal dichalcogenides、tungsten diselenide、molybdenum diselenide、first-principles and quantum-transport calculations、non-equilibrium Green's functions、contact resistance	碩士	108	2021-09-23	2.15 年
110	具新穎氮硫化鎢界面結構的p型二硫化鎢電晶體: 以第一原理量子傳輸理論進行模擬計算 Novel WSN Interface Structure in p-channel WS2 Field-effect Transistor, Calculated by First-principles Quantum-transport Theory 電子研究所・共同指導：簡昭欣過渡金屬二硫屬化物、二維材料、密度泛函理論、二硫化鎢、非平衡格林函數、p型接觸、p型電晶體、transition metal dichalcogenides、2D materials、density functional theory、tungsten disulfide、NEGF、p-type contacts、pFET	碩士	108	2021-08-21	2.06 年
110	以第一原理量子傳輸理論研究在介面處有取代硫處理之二硫化鎢電晶體 WS2 Transistor with Sulfur Atoms Being Replaced at the Interface: a First-principles Quantum-transport Study 電子研究所二硫化鎢電晶體、第一原理、量子傳輸、接觸電阻、WS2 transistor、First-principles、Quantum-transport、Contact resistance	碩士	108	2021-08-18	2.05 年
109	在常溫萃取低蕭特基位障之方法 A method of extracting low Schottky barrier height at room temperature 電子研究所・共同指導：崔秉鉞低蕭特基位障、熱游離場發射模型、常溫、寄生電阻、鏡像力降低位障效應、low Schottky barrier height、room temperature、image-force barrier lowering、parasitic resistance、thermionic field emission model	碩士	103	2021-01-28	6.49 年
109	以第一原理與量子傳輸來計算單層硒化銦與銦的接觸界面 First-principles and Quantum-transport Calculations of Metal Indium/monolayer InSe Contacts 電子研究所硒化銦、銦、接觸界面、InSe、In、contacts	碩士	107	2020-09-06	2.10 年
109	以第一原理與量子傳輸來分析過渡金屬硫族化物和金屬接觸的電阻與穩定性 Resistance and Stability of TMD/Metal Contacts:First-principles and Quantum-transport Calculations 電子研究所過渡金屬硫族化物、二硒化鉬、接觸結構、二維材料、量子傳輸、第一原理、TMD、MoSe2、contact、2D material、First-principles、Quantum-transport	碩士	107	2020-08-24	2.06 年
109	以第一原理與量子傳輸計算來研究塊材二硒化鉑與單層二硒化鉑無縫接觸結構界面 First-principles and Quantum-transport Calculations of the Bulk PtSe2/Monolayer PtSe2 Seamless Contact 電子研究所過渡金屬二硫族化合物、接觸電阻、二硒化鉑、無縫接觸、transition metal dichalcogenide、contact resistance、platinum diselenide、seamless contact	碩士	107	2020-08-23	2.06 年
109	二碲化鎢與電極接觸的第一原理暨量子傳輸計算 First-principles and Quantum-transport Calculations of WTe2/electrode Contacts 電子研究所二維材料、過渡金屬硫化物、二碲化鎢、接觸、2D material、TMD、WTe2、Contacts	碩士	107	2020-01-10	1.44 年
108	單層二硒化鎢和鉑接觸之原子尺度建造設計幾何:第一原理量子傳輸研究 Engineering Atomistic Geometry of Monolayer WSe2/Pt Contacts: a First-principles Quantum-transport Study 電子研究所第一原理、量子傳輸、二維材料、接觸電阻、First principles、Quantum transport、two-dimensional material、contact resistance	碩士	107	2020-07-24	1.98 年
107	具有厚的底部氧化層的碳化矽溝槽式金氧半場效應電晶體之製程與特性分析 Process and Characterization of 4H-SiC UMOSFET with Thick Bottom Oxide 電子研究所・共同指導：崔秉鉞碳化矽、U型漕槽式閘極金氧半場效電晶體、金氧半場效電晶體、4H-SiC、UMOSFET、MOSFET	碩士	105	2019-05-16	2.79 年
107	以第一原理與量子傳輸來計算鍺化物合金與N型鍺接面 First-principles and Quantum-transport Calculations of Metal Germanides/n-type Ge Contacts 電子研究所・共同指導：簡昭欣第一原理、量子傳輸、特徵接觸阻抗、鈀鍺化物、鉑鍺化物、蕭特基接面、First principles、Quantum transport、Specific contact resistance、Palladium germanides、Platinum germanides、Schottky junction	碩士	105	2019-02-19	2.55 年
107	以第一原理計算二氧化鈦氧空缺之間交互作用 First-principles calculations of mutual interaction between TiO2 oxygen vacancies 電子研究所第一原理、電阻式記憶體、氧空缺、二氧化鈦、First-principles calculations、Resistive switching RAM (RRAM)、Oxygen Vacancy、TiO2	碩士	105	2018-01-09	1.44 年
106	矽烯在二氧化矽表面的第一原理計算 First-principles calculations of Silicene on Silicon Dioxide 電子研究所二維材料、第一原理、矽烯、two-dimension materials、First-principles、VASP、silicene	碩士	104	2017-11-30	2.33 年
106	以第一原理與量子傳輸來計算在1nm接觸寬度的鎳鍺化物與N型鍺接面 First-principles and Quantum-transport Calculations of 1nm NiGe/n-type Ge Contact Width 電子研究所第一原理計算、量子傳輸、蕭特基位障、特徵接觸阻抗、NiGe/Ge接面、First-principles calculations、Quantum-transport calculations、Shottcky barrier height、Specific contact resistance、NiGe/Ge contact	碩士	104	2017-11-16	2.29 年
106	以第一原理計算深入探討鈀鍺化物與鍺(001)接面之能隙中央態密度 A Detailed Study of the Midgap States of the PdGe/Ge(001) Contacts by First-principles Calculations 電子研究所・共同指導：簡昭欣金屬鍺化物、鈀、第一原理、蕭特基介面、metal-germanide、Palladium、first principles、Schottky junction	碩士	104	2017-09-14	2.12 年
106	矽烯與二氧化鉿接面之第一原理計算 First-principles Calculations of Silicene on Hafnium Oxide 電子研究所矽烯、第一原理、二氧化鉿、silicene、First-principles、Hafnium Oxide	碩士	104	2017-01-19	1.47 年
106	以第一原理計算氧化鋯/矽烯/氧化鋯之三明治結構 First-principles Calculations of ZrO2/Silicene/ZrO2 Sandwich Structures 電子研究所・共同指導：簡昭欣矽烯、第一原理、能隙、三明治結構、Silicene、first principles、GWA、energy gap、sandwich structure	碩士	104	—	無法計算
105	鉑鍺化物與N型鍺接面對於蕭特基位障的影響−藉由結合實驗與第一原理計算 Tailoring the Schottky-Barrier Height of a PtGex/Ge Contact by Combining the Experiments and First-principles Calculations 電子研究所・共同指導：簡昭欣第一原理計算、鉑鍺化物、蕭特基位障、離子聚集、First-principles calculations、Pt-germanide、Schottky barrier、dopant segregation	碩士	103	2016-11-13	2.29 年
105	以二氧化鉿為閘極介電層及鎳-銻化鎵合金為源/汲極之銻化鎵通道P型場效電晶體製作 Fabrication of GaSb Channel PMOSFETs with HfO2 as Gate Dielectric and Ni-GaSb Alloy as Source/Drain 電子研究所・共同指導：簡昭欣銻化鎵、P型場效電晶體、氫氣電漿處理、二氧化鉿、GaSb、PMOSFET、hydrogen plasma treatment、HfO2	碩士	103	2016-10-11	2.20 年
105	閘極低介面缺陷的高介電係數堆疊以及鈀鍺合金對鍺元件之研究 A Study of Low Interfacial Traps High-k Gate Stacks and Palladium Germanide Formation for Germanium Devices 電子研究所・共同指導：簡昭欣鍺、電容、接面、鈀鍺合金、金氧半場效應電晶體、Germanium、capacitor、junction、Palladium germanide、MOSFET	碩士	103	2016-09-05	2.10 年
104	以第一原理與量子傳輸來計算植入特殊離子的鎳鍺化物與N型鍺接面 First-principles and Quantum-transport Calculations of the Ion-implanted NiGe/n-type Ge Contact 電子工程學系電子研究所第一原理計算、密度泛函理論、非平衡格林函數、蕭特基位障、量子傳輸、摻雜析離、鍺、First-principles、Density functional theory、Nonequilibrium Green's function、Schottky barrier height、Quantum transport、Dopant segregation、Germanium	碩士	101	2015-11-16	3.29 年
103	以同步輻射X光繞射實驗和量子蒙地卡羅方法來探討氧化鋅的應變及應力變化 Studying the Strain/Stress of Zinc Oxide by X-ray Diffraction and Quantum Monte Carlo Methods 工學院加速器光源科技與應用學位學程・共同指導：徐嘉鴻量子蒙地卡羅、第一原理、同步輻射、氧化鋅、彈性模量、應變、Quantum Monte Carlo、First Principle、Synchrotron Radiation、Zinc Oxide、Elastic Modulus、Strain	碩士	98	2015-10-01	6.17 年
103	以密度泛函理論研究鐿矽及鐿鍺接觸的蕭特基位障 Schottky Barrier Heights of the YbSi/Si and YbGe/Ge Contacts: A Density-functional Study 電子工程學系電子研究所費米能級釘札、密度泛函理論、蕭特基位障高度、投影態密度、X光繞射、Fermi level pinning、Density Functional Theory、Schottky barrier height、projected density of states、X-ray diffraction	碩士	99	2015-09-23	5.14 年
103	硼摻雜於矽奈米晶體鑲嵌於非晶二氧化矽的分布研究的模擬計算 Simulations for dopants distribution of boron-doped silicon nanocrystal embedded in amorphous silicon dioxide matrix 電子工程學系電子研究所矽量子點薄膜、矽奈米晶體、硼摻雜分布、分子動力學、Si quantum dot thin film、Si nanocrystal、B dopants distribution、molecular dynamics	碩士	101	2015-07-12	2.94 年
102	鎳鍺化物與N型鍺接面摻雜析離對於蕭基位障的影響:透過第一原理計算 Schottky Barrier Height of the NiGe/n-type Ge Contact with Dopant Segregation: A First-principles Study 電子工程學系電子研究所・共同指導：崔秉鉞第一原理計算、密度泛函理論、鍺基板、蕭基位障、摻雜析離、First-principles calculations、Density functional theory、Germanium、Schottky barrier height、Dopant segregation	碩士	100	2013-09-26	2.15 年
101	為發展太陽能電池所進行之矽奈米粒子電子結構的研究 Electronic-structure Studies of Silicon Nanoparticles for Solar-cell Applications 電子工程學系電子研究所矽奈米晶體、第一原理、緊束縛法、密度泛涵理論、Si nanocrystal、First-Principles、tight-binding、DFT	碩士	99	2013-03-29	2.66 年
100	綠能與節能材料之第一原理研究 First-Principles Study of Green-Energy and Energy-Saving Materials 電子工程學系電子研究所染敏太陽能電池、銳態礦奈米管、拓樸絕緣體、綠能、第一原理、節能、DSSC、anatase nanotube、topological insulator、green-energy、first-principles、energy-saving	碩士	98	2012-06-06	2.85 年
100	碳六十分子於銅金屬表面經表面重構之量子傳輸特性 Quantum Transport Properties of C60 Molecules on a Cu(111) Surface with Surface Reconstruction 電子工程學系電子研究所碳六十、非平衡格林函數、傳輸、C60、NEGF、transport	碩士	98	2011-12-07	2.35 年