許博淵
Shew, Bor-Yuan・工學院・工學院加速器光源科技與應用學位學程
碩士平均畢業時長
2.55 年
中位數 2.24 年・14 人
收錄論文
17 篇
100–110 學年度
全校中位數(供對照)
碩士 2.10 年
畢業時長趨勢
每學年度畢業人數
只計入有論文收錄的畢業生;中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。
研究關鍵字
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指導論文
| 學年度 | 論文 | 學制 | 入學 | 提交日期 | 畢業時長 |
|---|---|---|---|---|---|
| 110 | Linear Dichroism Spectrum of Hf1-xZrxO2 : a Study That Combines Experimental and Computational Approaches 工學院加速器光源科技與應用學位學程・共同指導:林炯源 氧化鉿鋯、鐵電材料、X光吸收光譜、X光線性二色性、第一原理計算、半定量分析、Hf1-xZrxO2、ferroelectric material、X-ray absorption spectroscopy、X-ray linear dichroism、first principle calculation、semi-quantitative analysis | 碩士 | 106 | 2022-01-18 | 4.47 年 |
| 109 | Study of carbon monoxide gas sensor based on IGZO films by microwave annealing 工學院加速器光源科技與應用學位學程・共同指導:張國明 微波退火、氧銦鎵鋅、氣體感測器、IGZO、gas sensor、microwave annealing | 碩士 | 108 | — | 無法計算 |
| 108 | Enhancement of Carbon Monoxide Sensor Using IGZO Thin Films by AP-PECVD 工學院加速器光源科技與應用學位學程・共同指導:張國明 氣體感測器、氧化銦镓鋅、二氧化碳、大氣電漿、Gas sensor、IGZO、Carbon Monoxide、AP PECVD | 碩士 | 106 | 2019-12-25 | 2.40 年 |
| 108 | Study of Carbon Monoxide Gas Sensor Activation by UV Light and Based on IGZO Films by Surface Treatment 工學院加速器光源科技與應用學位學程・共同指導:張國明 氣體感測器、氧銦鎵鋅薄膜、氧氣電漿處理、微波退火、Gas sensor、a-IGZO、O2 plasma、Microwave annealing | 碩士 | 107 | — | 無法計算 |
| 107 | Synchrotron Radiation Technology Study of AP-PECVD fabricated amorphous InGaZnO 工學院加速器光源科技與應用學位學程・共同指導:張國明 同步輻射、銦鎵鋅氧、薄膜電晶體、synchrotron radiation、indium gallium zinc oxide、thin film transistor | 碩士 | 105 | 2018-08-19 | 2.05 年 |
| 104 | Investigation of p-type SnOx Thin-Film Transistors with Furnace Annealing in Nitrogen and Oxygen ambient 工學院加速器光源科技與應用學位學程・共同指導:張國明 退火、氧化錫、爐管、Furnace、Annealing | 碩士 | 103 | 2016-08-01 | 2.00 年 |
| 104 | Characteristic Improvement of Inkjet Printed Ag Interconnects Using Tape On-Off and Mirror-Reaction Processes 工學院加速器光源科技與應用學位學程・共同指導:鄭裕庭 噴墨印刷銀、Inkjet Print Silver | 碩士 | 102 | 2015-10-22 | 2.22 年 |
| 104 | The Effects of B4C Interlayer on the Thermal and Optical Properties of Mo/Si Multilayers Mirror for EUV Lithography 工學院加速器光源科技與應用學位學程・共同指導:崔秉鉞 極紫光微影、多層膜、鉬/矽、碳化硼、13.5奈米、EUVL、multilayer、Mo/Si、B4C、13.5nm | 碩士 | 102 | 2015-09-09 | 2.11 年 |
| 104 | The Study of InGaZnO Thin Film Transistors with Dual Treatment of Pre-oxidation ZrO2 High-ĸ Dielectric and Post-oxidation InGaZnO Channel by Neutral Beam System 工學院加速器光源科技與應用學位學程・共同指導:張國明 薄膜電晶體、氧化銦鎵鋅、大氣壓電漿輔助化學氣相沉積、中性粒子束、Thin Film Transistors、InGaZnO、Neutral Beam System、AP-PECVD | 碩士 | 103 | — | 無法計算 |
| 103 | Investigation of Fluorine enhanced oxide passivation on SiGe nanowire with high sensitivity bio-sensor 工學院加速器光源科技與應用學位學程・共同指導:張國明 矽鍺、奈米線、生物感測器、氟強化鈍化處裡、靈敏度、Fluorine enhanced oxide passivation、SiGe、nanowire、sensitivity、bio-sensor | 碩士 | 100 | 2015-06-30 | 3.91 年 |
| 103 | Effect of plasma treatment on the radiation hardness of the HfO2/Si interfacial layer 工學院加速器光源科技與應用學位學程・共同指導:崔秉鉞 極紫外光、高介質電質、金屬閘極、輻射、EUV、high-k、metal gate、radiation | 碩士 | 100 | 2014-09-12 | 3.12 年 |
| 102 | Design, Fabrication, and Characterization of High-Reflectance Multilayer Mirrors for Extreme Ultra-Violet Lithography 工學院加速器光源科技與應用學位學程・共同指導:黃遠東 極紫外光、微影、多層膜、反射鏡、EUV、lithography、multilayer、reflective mirror | 碩士 | 101 | 2014-09-01 | 2.08 年 |
| 101 | Design, Fabrication, and Characterization of Multilayer Mirrors for Extreme Ultra-Violet Lithography 工學院加速器光源科技與應用學位學程・共同指導:黃遠東 極紫外光微影、多層膜、磁控濺鍍系統、反射儀、EUV lithography、multilayer、magnetic sputter system、reflectometer | 碩士 | 100 | 2013-09-01 | 2.09 年 |
| 101 | A Study on the Effect of Ionizing Radiation on MOS Devices with Various Hf-based Dielectric Thickness 工學院加速器光源科技與應用學位學程・共同指導:崔秉鉞 極紫外光輻射微影、輻射損傷、高介電係數介電層、金屬閘極、Extremely Ultraviolet Lithograohy、Radiation Damage、High-K Dielectric、Metal Gate | 碩士 | 99 | 2013-01-08 | 2.44 年 |
| 101 | A Study on Effect of Ionizing Radiation on Resistive Random Access Memory 工學院加速器光源科技與應用學位學程・共同指導:崔秉鉞 極紫外光、輻射傷害、電阻式記憶體、Extreme Ultraviolate、Radiation damage、Resistive Random Access Memory | 碩士 | 99 | 2012-11-01 | 2.25 年 |
| 100 | Reflectance Improvement of Mo/Si Multilayer Mirrors and Masks for Extreme Ultra-Violet Lithography 工學院加速器光源科技與應用學位學程・共同指導:黃遠東 極紫外光微影、多層膜、屏障層、覆蓋層、介面工程、Extreme Ultra-Violet Lithography (EUVL)、Multilayer、Barrier layer、Capping layer、Interface-Engineered | 碩士 | 98 | 2012-02-09 | 2.52 年 |
| 100 | Effect of Interfacial Layer Engineering on the Radiation Hardness of Hf-based Dielectrics to EUV Irradiation 極紫外光、氧化鉿、輻射、EUV、HfO2、radiation | 碩士 | 98 | 2011-09-08 | 2.10 年 |