張國明

Chang, Kow-Ming・電機學院・台聯大光電博士學位學程

碩士平均畢業時長

2.14 年

中位數 2.04 年・36 人

在職專班平均畢業時長

4.12 年

中位數 3.96 年・6 人

博士平均畢業時長

5.47 年

中位數 6.10 年・8 人

收錄論文

75 篇

100–114 學年度

全校中位數（供對照）

碩士 2.10・在職專班 2.08・博士 6.11 年

畢業時長趨勢

每學年度畢業人數

只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。

研究關鍵字

IGZO薄膜電晶體AP-PECVD銦鎵鋅氧氧化銦鎵鋅microwave annealing大氣電漿TFT微波退火RRAM氣體感測器gas sensor銦鎵鋅氧薄膜電晶體Neutral BeamDual Plasma Treatment可靠度reliability電阻式記憶體Thin Film TransistorCarbon Monoxide電漿處理Plasma treatment雙重電漿處理大氣常壓電漿輔助化學氣相沉積太陽能電池Mg dopingGZOThin-Film TransistorIGZO TFT中性粒子束大氣常壓電漿大氣壓電漿二氧化鋯Atmospheric pressure plasma憶阻器Memristor突觸裝置synaptic deviceindium gallium zinc oxide雙通道層P型solar cell氧氣電漿處理a-IGZO二氧化錫薄膜SnO2 thin film一氧化碳快速熱退火二氧化錫Tin dioxide

想看最新的研究方向與計畫經費，也可以查政府研究計畫（GRB）。

指導論文

學年度	論文	學制	入學	提交日期	畢業時長
114	地對空飛彈適應性攔截目標研究 The Study Adaptive Interception Target of Surface-to-air Missile 電機學院碩士在職專班・共同指導：陳科宏單發殺傷率、時頻分佈函數、多重非穩態訊號、希爾伯特-黃轉換、目標物、Kill rate per shot、Time-frequency distribution function、multiple unsteady signals、Hilbert-Huang transform、target object	碩士在職專班	108	—	無法計算
112	熱和γ輻射對於電阻變化記憶元件的影響 Thermal and γ radiation effects on the memristor 國際半導體產業學院・共同指導：張翼憶阻器、電化學金屬化、熱效應、生產線末端工藝、輻射傳感器應用、Memristor、ECM、thermal effects、BEOL、radiation sensor application	博士	104	2024-06-29	8.91 年
111	用於人工智慧之突觸式電阻記憶體的元件設計、製造和特性之研究 Device Design, Fabrication and Characterization of Synaptic Memristors for Artificial Intelligence Applications 台聯大光電博士學位學程・共同指導：吳建宏電阻式記憶體突觸、漸進切換、突觸裝置、Hopfield 神經網絡、RRAM、gradual switching、synaptic device、HNN	博士	105	2023-08-02	7.00 年
111	用於非揮發性儲存和神經形態應用的電阻式隨機存取記憶體 Resistive-RAM for Non-Volatile Storage and Neuromorphic Applications 台聯大光電博士學位學程・共同指導：吳建宏憶阻器、突觸裝置、神經形態計算、多級、傷害感受器、Memristor、synaptic device、neuromorphic computing、multilevel、nociceptor	博士	105	2023-05-01	6.75 年
109	利用常壓電漿輔助化學氣相沉積製備氧化銦鎵鋅層於電阻式記憶體元件之電性及可靠度研究 Research of Electrical Characteristics and Reliability in RRAM Device Based on IGZO layer Fabricated by AP-PECVD 電子研究所・共同指導：荊鳳德、吳建宏四氟化碳、銦鎵鋅氧、電阻式非揮發式記憶體、可靠度、carbon tetrafluoride、indium gallium zinc oxide、resistive non-volatile memory、reliability	博士	107	2021-06-17	2.88 年
109	鎂摻雜與四氟化碳之電漿處理技術對大氣電漿沉積氧化銦鎵鋅層於電阻式記憶體元件之影響 Effect of Mg Doping and CF4 Plasma Treatment on IGZO Layer Deposited by AP-PECVD for RRAM Device 電子研究所・共同指導：荊鳳德氧化銦鎵鋅層、氧化銦鎵鋅層摻鎂、四氟化碳電漿處理、電阻式記憶體、氧空缺、IGZO、IGZO doped Mg、CF4 plasma treatment、RRAM、Oxygen vacancy	碩士	107	2020-08-27	2.07 年
109	使用微波退火氧銦鎵鋅薄膜應用於一氧化碳氣體感測之研究 Study of carbon monoxide gas sensor based on IGZO films by microwave annealing 工學院加速器光源科技與應用學位學程・共同指導：許博淵微波退火、氧銦鎵鋅、氣體感測器、IGZO、gas sensor、microwave annealing	碩士	108	—	無法計算
108	大氣常壓電漿輔助化學氣相沉積雙通道層銦鋅氧/銦鎵鋅氧薄膜電晶體的電性改善之研究 Enhanced Electrical Properties of Double Layer Channel IZO/IGZO Thin Film Transistor Fabricated by AP-PECVD 國際半導體產業學院・共同指導：張翼薄膜電晶體、雙通道層、銦鋅氧、銦鎵鋅氧、大氣常壓電漿輔助化學氣相沉積、Thin Film Transistor、Double Layer Channel、IZO、IGZO、AP-PECVD	碩士	107	2020-08-09	2.02 年
108	加速器輻射光源於生醫吸收輻射劑量與人體有效輻射劑量之研究 Investigation on Relation between Biomedical Absorbed Dose and Human Body Effective Dose by Accelerator Light Source 電機學院電子與光電學程・共同指導：鄒志偉吸收輻射劑量、人體有效劑量、劑量重建、Absorbed dose、Human body effective dose、Dose reconstruction	碩士在職專班	105	2020-06-22	3.89 年
108	使用大氣電漿製作氧化銦镓鋅薄膜之一氧化碳感測器研究 Enhancement of Carbon Monoxide Sensor Using IGZO Thin Films by AP-PECVD 工學院加速器光源科技與應用學位學程・共同指導：許博淵氣體感測器、氧化銦镓鋅、二氧化碳、大氣電漿、Gas sensor、IGZO、Carbon Monoxide、AP PECVD	碩士	106	2019-12-25	2.40 年
108	使用不同的射極對於基本結構的P型太陽能電池之研究 Using different emitter for P-type solar cells in the basic structure 物理研究所・共同指導：林及仁太陽能電池、P型、三氯氧磷、solar cell、P type、POCL3	碩士	106	2019-09-22	2.14 年
108	鎂摻雜對大氣電漿沉積氧化銦鎵鋅層於電阻式記憶體元件之影響 Effect of Mg doping on IGZO Layer Deposited by AP-PECVD for RRAM Device 電子研究所・共同指導：荊鳳德電阻式記憶體、大氣電漿沉積、轉換特性、可靠度、鎂的摻雜、氧化銦鎵鋅、RRAM、APPECVD、Switch Characteristic、Reliability、Mg doping、IGZO	碩士	106	—	無法計算
108	表面處理對氧銦鎵鋅薄膜應用於紫外光驅動一氧化碳氣體感測之研究 Study of Carbon Monoxide Gas Sensor Activation by UV Light and Based on IGZO Films by Surface Treatment 工學院加速器光源科技與應用學位學程・共同指導：許博淵氣體感測器、氧銦鎵鋅薄膜、氧氣電漿處理、微波退火、Gas sensor、a-IGZO、O2 plasma、Microwave annealing	碩士	107	—	無法計算
108	利用四氟化碳之電漿表面處理技術改善金屬氧化層IGZO在RRAM之效能研究 Research of Performance in RRAM Based on IGZO Metal Oxide Layer Improving by CF4 Plasma Treatment 電子研究所電阻式記憶體、電漿、RRAM、Plasma、IGZO	碩士	106	—	無法計算
108	利用常壓電漿輔助化學氣相沉積製備銦鎵鋅氧電晶體元件之可靠度研究 Research of Reliability in Transistor Device Based on IGZO Fabricated by AP-PECVD 電子研究所・共同指導：荊鳳德、吳建宏中子束技術、銦鎵鋅氧、電晶體、可靠度、Neutral Beam Technology、IGZO、Transistor、Reliability	博士	106	—	無法計算
108	使用電漿處理於二氧化錫薄膜在室溫下照射UV光對一氧化碳感測行為之影響 UV-Light Enhancement of Gas Sensor Response of Tin Dioxide for Carbon Monoxide Sensing by Plasma Treatment at Room Temperature 電子研究所・共同指導：荊鳳德紫外線散射光增強氣體感測、二氧化錫薄膜、電漿處理、UV scattering light enhanced gas sensor、Carbon monoxide、SnO2 thin film、Plasma treatment	碩士	106	—	無法計算
107	提升LED顯示屏畫面品質之研究 A research of LED display image quality 電機學院電子與光電學程・共同指導：盧廷昌 LED顯示器、鉻遷移、顯示效果、LED display、mini-LED、micro-LED、Cr-migration	碩士在職專班	101	2019-08-18	7.04 年
107	使用氫氣電漿處理氧化鎵鋅薄膜之一氧化碳氣體感測器研究 Study of Carbon Monoxide Sensor Based on GZO Films by Hydrogen Plasma Treatment 電機學院電子與光電學程・共同指導：鄒志偉一氧化碳、金屬氧化物、氫氣電漿、carbon monoxide、metal oxide、hydrogen plasma	碩士在職專班	105	2019-08-11	3.03 年
107	大氣電漿輔助化學氣相沉積製備摻鎂之氧化銦鎵鋅及氧化銦鎵鋅通道結構改善薄膜電晶體介面 Interface Improvement Thin-Film Transistors with Amorphous Mg-InGaZnO/InGaZnO AP-PECVD Fabricated Channel Structure 電子研究所鎂摻雜、雙通道結構、介面缺陷、大氣電漿輔助化學氣相沉積、快速熱退火、薄膜電晶體、Mg doping、Double channel structure、Interface defects、AP-PECVD、Rapid thermal annealing、TFT	碩士	106	2019-07-01	1.91 年
107	利用同步輻射技術分析大氣常壓電漿輔助化學氣相沉積製備非晶銦鎵鋅氧薄膜之特性研究 Synchrotron Radiation Technology Study of AP-PECVD fabricated amorphous InGaZnO 工學院加速器光源科技與應用學位學程・共同指導：許博淵同步輻射、銦鎵鋅氧、薄膜電晶體、synchrotron radiation、indium gallium zinc oxide、thin film transistor	碩士	105	2018-08-19	2.05 年
107	銀離子輔助蝕刻製備矽奈米結構於一氧化碳感測器之應用 Silver Ion-Assisted Etching of Silicon Nanostructures for Carbon Monoxide Gas Sensor 電子研究所金屬離子輔助蝕刻法、矽奈米結構、一氧化碳感測器、二氧化錫薄膜、Metal-assisted chemical etching、Silicon nanostructures、CO gas sensors、SnO2 thin film	碩士	106	—	無法計算
107	使用氮氣電漿處理大氣常壓電漿輔助化學氣相沉積銦鎵鋅氧摻雜鎂之薄膜電晶體研究 Effects of Nitrogen Plasma Treatment on AP-PECVD Fabricated Mg-Doped InGaZnO Channel Thin Film Transistors 國際半導體產業學院薄膜電晶體、氮氣電漿、大氣常壓電漿輔助化學氣相沉積、氧化銦鎵鋅、TFT、nitrogen plasma、AP-PECVD、IGZO	碩士	106	—	無法計算
107	使用兩階段退火處理大氣電漿製備氧化銦鎵鋅薄膜之一氧化碳氣體感測研究 Carbon Monoxide Gas Sensor Based on IGZO film Fabricated Atmospheric Pressure Plasma by Two-Step Annealing 國際半導體產業學院氧化銦鎵鋅氣體感測器、一氧化碳氣體感測、兩階段退火、IGZO gas sensor、CO sensing、Two-step annealing	碩士	106	—	無法計算
107	使用監控模組系統提升電漿輔助化學氣相沉積薄膜製程品質 PECVD Thin Film Process Quality Improvement By Monitoring Modules System 電機學院電子與光電學程・共同指導：郭浩中電漿輔助化學氣相沉積薄膜製程、監控模組系統、工業4.0、大數據、PECVD Thin Film Process、Monitoring Modules System、Industry 4.0、Big data	碩士在職專班	106	—	無法計算
107	電漿處理對二氧化錫於一氧化碳感測行為之影響 Enhancement of Gas Sensor Response of Tin Dioxide for Carbon Monoxide Sensing by Plasma Treatment 電子研究所氣體感測器、二氧化錫、一氧化碳、電漿處理、Gas sensor、Tin dioxide、Carbon monoxide、Plasma treatment	碩士	105	—	無法計算
107	藉由氧氣電漿處理二氧化錫薄膜之酒精氣體感測器研究 Study on Ethanol Gas Sensor Based on Tin Dioxide Thin Film by Oxygen Plasma Treatment 電子研究所氧氣電漿處理、二氧化錫、酒精、氣體感測器、Oxygen plasma treatment、Tin dioxide、Ethanol、Gas sensor	碩士	106	—	無法計算
107	鎂摻雜對於大氣常壓電漿輔助化學氣相沉積雙通道層非晶銦鎵鋅氧薄膜電晶體影響之研究 Effects of Mg doping on Double Channel Layer AP-PECVD Fabricated a-IGZO Thin Film Transistors 國際半導體產業學院銦鎵鋅氧、薄膜電晶體、雙通道層、摻鎂、IGZO、TFT、double channel、Mg doping	碩士	106	—	無法計算
107	溝渠式金氧半蕭特基整流器對元件電性影響之研究 Electrical Characteristics of Trench MOS Barrier Schottky Rectifier (TMBS) 電機學院電子與光電學程・共同指導：郭浩中溝渠式、蕭特基、整流器、Trench、Schottky、Rectifier	碩士在職專班	104	—	無法計算
106	高介電感測材料於生醫感測之應用 High-k and sensitive materials for bio-sensor applications 電子研究所高介電、生醫感測、氧化鋅、high-k、bio-sensing、ZnO、EIS	博士	105	2018-08-07	2.02 年
106	微波低熱預算退火對大氣常壓電漿輔助化學氣相沉積製備非晶銦鎵鋅氧薄膜電晶體的影響之研究 Microwave Annealing as a Low Thermal Budget Technique for Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors Fabricated Using AP-PECVD 電子研究所銦鎵鋅氧薄膜電晶體、微波退火、低熱預算退火、IGZO TFTs、Microwave annealing、Low thermal budget annealing	碩士	105	2018-06-29	1.91 年
106	使用爐管和快速熱退火處理氧化鋅鎵作為源極/汲極在大氣電漿輔助化學氣相沉積製備非晶氧化銦鎵鋅薄膜電晶體之比較 Performance Comparisons between Furnace and Rapid Thermal Annealing for GaZnO Source/Drain Electrodes of AP-PECVD Fabricated Amorphous InGaZnO Thin Film Transistors 電子研究所大氣電漿、氧化銦鎵鋅、氧化鋅鎵、薄膜電晶體、快速熱退火、AP-PECVD、IGZO、GZO、TFT、RTA	碩士	105	2018-06-27	1.90 年
106	大氣電漿輔助化學氣相沉積製備高品質氧化銦鎵鋅薄膜並應用於薄膜電晶體液晶顯示器之研究 High Quality Amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide Thin Film by AP-PECVD for TFT-LCD Application 電子研究所氧化銦鎵鋅、薄膜電晶體、材料分析、大電常壓電漿輔助化學氣相沉積、IGZO、Thin-Film Transistor、Material Analysis、AP-PECVD	碩士	105	2018-06-26	1.90 年
106	使用低溫氫氣混合氣體處理大氣常壓電漿輔助化學氣相沉積製備非晶銦鎵鋅氧薄膜電晶體研究 Effects of Low-temperature Forming Gas Anneal on AP-PECVD Fabricated Amorphous InGaZnO Thin Film Transistors 電子研究所使用氫氣混合氣體退火、銦鎵鋅氧薄膜電晶體、低溫退火、大氣常壓電漿輔助化學氣相沉積、Forming Gas Annealing、InGaZnO TFT、Low Temperature Annealing、AP-PECVD	碩士	105	—	無法計算
105	使用氮氣中性粒子束電漿處理之大氣常壓電漿輔助化學氣相沉積製備高效能銦鎵鋅氧薄膜電晶體研究 High-Performance AP-PECVD Fabricated InGaZnO Thin Film Transistors with Nitrogen Incorporation by Neutral Beam System 電子研究所中子儀、薄膜電晶體、大氣電漿、Neutral Beam、IGZO TFT、APPJ	碩士	104	2017-09-10	2.11 年
105	利用氮中性粒子束處理非晶氧化銦鎵鋅薄膜電晶體在閘極偏壓不穩定性研究 Investigation of Gate Bias Stress Instability in a-InGaZnO Thin Film Transistors by Neutral Beam Nitrogen Treatment 電機工程學系・共同指導：陳科宏可靠度、阈值电压漂移、中性粒子束、銦鎵鋅氧、Reliability、Threshold Voltage Shift、Neutral Beam、IGZO	碩士	104	2017-07-28	1.99 年
105	使用氮氣中性粒子束電漿處理於大氣常壓電漿輔助化學氣相沉積製備氧化鎵鋅薄膜電晶體之研究 The Study of AP-PECVD Fabricated Ga-doped ZnO Thin Film Transistors with Nitrogen Treatment Using Neutral Beam System 電子研究所氧化鎵鋅、薄膜電晶體、中子束、GZO、TFT、neutral beam	碩士	104	2017-07-25	1.98 年
105	使用微波退火處理大氣常壓電漿輔助化學氣相沉積製備非晶銦鎵鋅氧薄膜電晶體之研究 The Study of AP-PECVD Fabricated Amorphous InGaZnO Thin Film Transistors with Microwave Annealing Treatment 電子研究所大氣電漿、氧化銦鎵鋅、薄膜電晶體、微波退火、AP-PECVD、IGZO、TFT、Microwave annealing	碩士	104	2017-07-25	1.98 年
104	低溫製程技術處理於低溫多晶矽薄膜電晶體及大氣常壓電漿輔助化學氣相沉積製備銦鎵鋅氧薄膜電晶體之探討 Investigation on High Performance of Poly-Si and AP-PECVD Fabricated In-Ga-Zn-O Thin Film Transistors with Low Temperature Technology 電子工程學系電子研究所・共同指導：吳建宏雙重電漿處理、大氣常壓電漿輔助化學氣相沉積系統、內氫電漿處理、中性離子束再氧化效應、電壓變溫可靠度、Dual Plasma Treatment、AP-PECVD、in-situ hydrogen Plasma Treatment、Neutral Beam Re-oxidation、Bias Temperature Instabilities	博士	101	2016-08-04	4.01 年
104	藉由爐管退火在氮氣與氧氣環境下製備 P 型氧化錫薄膜電晶體之探討 Investigation of p-type SnOx Thin-Film Transistors with Furnace Annealing in Nitrogen and Oxygen ambient 工學院加速器光源科技與應用學位學程・共同指導：許博淵退火、氧化錫、爐管、Furnace、Annealing	碩士	103	2016-08-01	2.00 年
104	利用大氣常壓電漿輔助化學氣相沉積和中性粒子束系統雙重氣體處理應用於高效能銦鎵鋅氧薄膜電晶體研究 High Performance InGaZnO Thin Film Transistors with Dual Treatment of in-situ Hydrogen Incorporation by AP-PECVD and Post-oxidation by Neutral Beam System 電子工程學系電子研究所大氣常壓電漿、中性束粒子、雙重電漿、Atmospheric pressure plasma jet、Neutral beam、dual plasma treatment	碩士	103	2016-08-01	2.00 年
104	使用氧氣中性粒子束電漿處理之大氣常壓電漿輔助化學氣相沉積製備非晶銦鎵鋅氧薄膜電晶體研究 The Study of AP-PECVD Fabricated Amorphous InGaZnO Thin Film Transistors with Oxygen Neutral Beam Plasma Treatment 電子工程學系電子研究所氧化銦鎵鋅薄膜電晶體、大氣壓電漿、氧電漿處理、中性粒子束、IGZO thin film transistors、AP-PECVD、Oxygen plasma treatment、Neutral Beam	碩士	103	2016-07-31	2.00 年
104	在氧氣環境下使用微波及爐管退火製備P型氧化錫薄膜電晶體之比較 Comparison on Microwave and Furnace Annealing for p-type SnOx Thin-Film Transistors in Oxygen Ambient 電子工程學系電子研究所氧化錫、P型、薄膜電晶體、微波退火、爐管退火、Tin oxide、P-type、Thin-film transistor、Microwave annealing、Furnace annealing	碩士	103	2016-07-30	2.00 年
104	可應用於生物分子感測之鋁薄膜移轉技術之特性研究 Research of Transfer Technique of Aluminum Thin-Film for Bio-Sensing 電子工程學系電子研究所鋁薄膜、表面電漿子、生物感測、aluminum thin-film、Plasmonics、bio-chemical sensing	碩士	102	2015-10-31	2.25 年
104	大氣壓電漿輔助化學氣相沉積系統之氫電漿處理氧化銦鎵鋅薄膜電晶體與偏壓變溫不穩定特性研究 The Study of IGZO Thin Film Transistors with in-situ Hydrogen plasma for Atmospheric Pressure-PECVD and Bias Temperature Instability Characteristics 電機學院電信學程・共同指導：周復芳大氣壓電漿、偏壓變溫不穩定性、正偏壓變溫不穩定性、負偏壓變溫不穩定性、AP-PECVD、Bias Temperature Instability、positive bias temperature instability、negative bias temperature instability	碩士在職專班	100	2015-10-25	4.23 年
104	微波退火處理對於氧化鑭鋁/二氧化鋯/銦鎵鋅氧化物薄膜電晶體之電特性與可靠度研究 The effect of microwave annealing on electrical and reliability characteristics of LaAlO3/ZrO2/IGZO TFTs 電子工程學系電子研究所銦鎵鋅氧薄膜電晶體、氧化鑭鋁、二氧化鋯、微波退火能量、Stretched-exponential 方程式、正向偏壓可靠度分析、IGZO TFTs、Lanthanum Aluminum oxide (LaAlO3)、Zirconium oxide (ZrO2)、Microwave annealing、Stretched-exponential model、Positive bias stress	碩士	102	2015-10-18	2.21 年
104	藉由大氣壓電漿輔助化學氣相沉積系統將氫導入非晶銦鎵鋅氧主動層之薄膜電晶體之研究 The Study of in-situ Hydrogen deposited a-IGZO active layer TFTs by Atmospheric Pressure-PECVD 電子工程學系電子研究所非晶銦鎵鋅氧、氫氣、大氣電漿、薄膜電晶體、a-IGZO、Hydrogen、Atmospheric Pressure、TFT	碩士	101	2015-08-29	3.07 年
104	利用雷射退火改善離子佈值後P型4H-碳化矽及蕭基二極體之電性研究 Investigation on Electrical Performance of Post-Implantation P-Type 4H-SiC with Laser Annealing Treatment and Schottky Barrier Diodes 電子工程學系電子研究所碳化矽、雷射退火、崩潰電壓、棚離子、Silicon Carbide、Laser Annealing、Breakdown Voltage、Boron atoms	碩士	102	2015-08-29	2.08 年
104	氫電漿處理銦鎵鋅氧主動層應用於大氣壓電漿輔助化學氣相沉積薄膜電晶體之研究 The study of in-situ Hydrogen Plasma Treatment on IGZO active layer of TFTs with Atmospheric Pressure-PECVD 電子工程學系電子研究所銦鎵鋅氧薄膜電晶體、二氧化鋯、大氣壓電漿、電漿處理、IGZO thin film transistors、ZrO2、AP-PECVD、Plasma treatment	碩士	102	2015-08-26	2.07 年
104	微波退火對大氣電漿沉積氧化銦鎵鋅層於電阻式記憶體元件之影響 Effects of Microwave Annealing on IGZO Layer Deposited by APPECVD for RRAM Device 電子工程學系電子研究所電阻式記憶體、氧化銦鎵鋅、微波退火、RRAM、IGZO、microwave annealing	碩士	102	—	無法計算
104	雙重中性粒子束氧化處理於高介電係數二氧化鋯及銦鎵鋅氧通道電晶體之研究 The Study of InGaZnO Thin Film Transistors with Dual Treatment of Pre-oxidation ZrO2 High-ĸ Dielectric and Post-oxidation InGaZnO Channel by Neutral Beam System 工學院加速器光源科技與應用學位學程・共同指導：許博淵薄膜電晶體、氧化銦鎵鋅、大氣壓電漿輔助化學氣相沉積、中性粒子束、Thin Film Transistors、InGaZnO、Neutral Beam System、AP-PECVD	碩士	103	—	無法計算
104	可利用石墨烯最佳化金半接面歐姆接觸之特性研究 Investigation on Characteristics of Graphene Layer Optimized for Metal Semiconductor Ohmic-Contacts 電子工程學系電子研究所石墨烯、銅、內導連線、graphene、copper、interconnect	碩士	103	—	無法計算
103	具高靈敏度生物感測之矽锗奈米線於氟強化鈍化處裡技術應用之特性研究 Investigation of Fluorine enhanced oxide passivation on SiGe nanowire with high sensitivity bio-sensor 工學院加速器光源科技與應用學位學程・共同指導：許博淵矽鍺、奈米線、生物感測器、氟強化鈍化處裡、靈敏度、Fluorine enhanced oxide passivation、SiGe、nanowire、sensitivity、bio-sensor	碩士	100	2015-06-30	3.91 年
102	氮電漿處理高介電係數介電質二氧化鋯應用於大氣壓電漿輔助化學氣相沉積製備銦鎵鋅氧薄膜電晶體之研究 The Study of N2 Plasma Treatment on ZrO2 High-Gate Dielectric of TFTs with Atmospheric Pressure-PECVD Deposited IGZO Channel 電子工程學系電子研究所銦鎵鋅氧薄膜電晶體、二氧化鋯、氮電漿處理、IGZO TFT、ZrO2、N2 plasma treatment	碩士	101	2014-07-29	1.99 年
102	氫還原暨硫化對硒化銅銦鎵太陽能電池的影響 The Effect of Hydrogen Reducing and Sulfur Passivation on the Cu(In,Ga)Se2 Solar Cells 電子工程學系電子研究所太陽能電池、硒化銅銦鎵、Solar Cells、CIGS、Hydrogen Reducing、Passivation	碩士	100	2014-03-24	2.64 年
102	利用鈍化層與雷射退火改善由大氣電漿輔助化學氣相沉積製備氧化鉿/氧化鋁/銦鎵鋅氧薄膜電晶體之電性研究 The Improvement of Electrical Performance of HfO2/Al2O3/IGZO TFTs Using Atmospheric Pressure Plasma Jet with Passivation Layer and Laser Annealing Treatment 電子工程學系電子研究所鈍化層、雷射退火、銦鎵鋅氧、passivation layer、laser annealing、IGZO	碩士	100	2013-08-15	2.04 年
102	利用大氣壓電漿輔助化學氣相沉積製備不同比例之銦鎵鋅氧薄膜電晶體與雷射退火處理之電性研究 Effects of Composition on Electrical Properties of Amorphous In-Ga-Zn-O Films Deposited Using Atmospheric Pressure Plasma Jet and Post Laser Annealing 電子工程學系電子研究所薄膜電晶體、銦鎵鋅氧、大氣常壓電漿、Thin film transistor、IGZO、Atmospheric pressure plasma	碩士	100	2013-08-14	2.04 年
102	雙層結構硒膜應用於銅銦鎵硒吸收層之兩階段硒化研究 Preparation and Properties of CIGSSolar Cells Using Bilayer Selenium Thin Films by Two-stage Selenization Process 電子工程學系電子研究所雙層結構硒膜、兩階段硒化、銅銦鎵硒吸收層、大氣電漿輔助化學相沉積、太陽能電池、Bilayer Selenium Thin Films、Two-stage Selenization Process、CIGS absorber layers、CIGS Solar Cells	碩士	100	2013-08-14	2.04 年
102	具高靈敏度生物感測之矽锗奈米線於電漿處理技術應用之特性研究 Investigation of Plasma Treatment Technology on SiGe Nanowire Biosensor With High Sensitivity 工學院加速器光源科技與應用學位學程・共同指導：賴麗珍生物感測器、奈米線、biosensor、nanowire	碩士	100	2013-08-14	2.04 年
102	使用具粗糙表面結構的氧化鋅摻鎵薄膜作為矽薄膜太陽能電池前電極之研究 Using ZnO:Ga Thin Films as Front Electrode for Silicon Thin Film Solar Cell 電子工程學系電子研究所鋅摻鎵薄膜、矽薄膜太陽能、GZO、Silicon thin films solar cell	碩士	100	2013-08-09	2.02 年
102	應用雙層高介電質材料氧化鋯/氧化鋁鑭於製備大氣噴射式電漿沉積氧化銦鎵鋅薄膜電晶體之特性研究 The Study of Double Layer High-k Gate Stacks ZrO2/LaAlO3 IGZO Thin-Film Transistors Prepared by APPJ 電子工程學系電子研究所薄膜電晶體、氧化銦鎵鋅、高介電質材料、Thin-Film Transistor、IGZO、High-K Material	碩士	100	—	無法計算
102	利用含硫酸性溶液作銅銦鎵硒吸收層表面鈍化之研究 Investigation on Surface Passivation of Cu(In,Ga)Se2 Absorber Layer by Sulfur-containing Acid Solution 電子工程學系電子研究所銅銦鎵硒吸收層、表面鈍化、大氣電漿輔助化學氣相沉積法、Cu(In、Ga)Se2 Absorber Layer、Suface passivation、atmospheric plasma enhanced chemical vapor deposition	碩士	101	—	無法計算
102	研究雙重電漿改良之高靈敏度矽鍺奈米線生物感測元件 Research of High Sensitivity SiGe NWs Biosensor Modified by Dual Plasma Technology 電子工程學系電子研究所矽鍺奈米線生物感測元件、SiGe NWs biosensor	碩士	101	—	無法計算
102	氫、氧與硫對銅銦鎵硒薄膜太陽能電池效能之影響以及AMPS-1D之元件模擬 Effects of Hydrogen, Oxygen and Sulfur on The Performance of Cu(In,Ga)Se2 Thin Film Solar Cells and Device Modeling by AMPS-1D Simulation 電子工程學系電子研究所薄膜太陽能、大氣電漿、表面處理、銅銦鎵硒、Thin film solar cells、atmospheric plasma、surface treatment、CIGS	博士	98	—	無法計算
102	使用ISPP 量測方法研究改善NAND快閃記憶體可靠度問題 Reliability Investigation and Improvement of NAND Flash Memory With Incremental Step Pulse Programming (ISPP) Method 電機學院電子與光電學程 NAND快閃記憶體、可靠度測試、耐久度、資料保持力、步進寫入電壓、熱載子、NAND flash memory、Relaibility test、Endurance、Data Retention、ISPP、Hot carrier	碩士在職專班	99	—	無法計算
101	四氟化碳及氨之雙重電漿處理於氧化鉿金屬-絕緣層-半導體薄膜電晶體電特性之改善研究 Improvement on electrical characteristics of HfO2 MIS transistor with dual plasma treatment: CF4 pre-treatment and NH3 post-treatment 電機學院電子與光電學程雙重電漿處理、二氧化鉿、高介電常數材料、dual plasma treatment、Hafnium oxide、high-k dielectric material	碩士在職專班	99	2013-02-04	2.51 年
101	利用大氣常壓電漿輔助化學氣相沉積製備氧化鋅系透明電極與氧化鋅/銦鎵鋅氧薄膜電晶體應用之特性研究 Study on Characterizations of ZnO-Based Transparent Electrodes and ZnO/IGZO Thin-Film Transistors Prepared by AP-PECVD 電子工程學系電子研究所・共同指導：吳建宏透明導電膜、大氣常壓電漿、氧化鋅、薄膜電晶體、銦鎵鋅氧、Transparent conductive oxide、Atmospheric pressure plasma、ZnO、Thin Film Transistor、IGZO	博士	95	2012-09-10	6.11 年
101	雙重電漿處理技術應用於具高介電常數閘極絕緣層的金屬-絕緣層-半導體電容及低溫多晶矽薄膜電晶體之特性研究 Investigation of Dual Plasma Treatment Technology on MIS Capacitor and Low Temperature Polycrystalline Silicon Thin Film Transistor with High-κ Gate Dielectric 電子工程學系電子研究所・共同指導：鄧一中高介電常數材料、氟電漿前處理、氮電漿後處理、雙重電漿處理、頻率色散、蕭基發射、弗崙克爾-普爾發射、福勒-諾德海姆穿隧、低溫多晶矽薄膜電晶體、低頻雜訊、閘極負偏壓應力、閘極正偏壓應力、閘極正偏壓高溫應力、熱載子應力、high-κ material、CF4 plasma pre-treatment、nitrogen plasma post-treatment、dual plasma treatment、frequency dispersion、Schottky emission、Frenkel-Poole (F-P) emission、Fowler-Nordheim (F-N) tunneling、LTPS-TFTs、Flicker noise (1/f noise)、Negative bias stress (NBS)、positive bias stress (PBS)、Positive bias temperature instability (PBTI)、Hot carrier stress (HCS)	博士	95	2012-09-04	6.09 年
101	使用於佈局相依效應之佈局萃取器實現 Implementation of a layout context extractor for layout-dependent effects application 電機學院電子與光電學程佈局相依效應、佈局萃取器、layout-dependent effect、layout context extractor	碩士在職專班	99	—	無法計算
100	利用大氣電漿技術沉積不同結晶性硒薄膜於堆疊金屬前驅層之硒化製程研究 The Investigation on the Selenization of Various Crystallinity Selenium Films Deposited by APPECVD on Stacked Metal Precursor 電子工程學系電子研究所銅銦鎵硒、太陽能電也、硒化、快速熱處理過程、堆疊金屬前驅物、Cu(In、Ga)Se2、Solar Cell、Selenization、Rapid thermal process、Stacked metal precursor	碩士	99	2012-08-06	2.02 年
100	利用四氟化碳電漿處理於多晶矽及氮電漿處理於二氧化鉿閘極介電層之低溫多晶矽薄膜電晶體之研究 The Study of LTPS-TFTs with CF4 plasma pre-treated poly-silicon and N2 plasma post-treated HfO2 Gate Dielectric Layer 電子工程學系電子研究所雙重電漿處理、低溫多晶矽薄膜電晶體、Dual plasma treatment、LTPS-TFTs	碩士	99	2012-08-06	2.02 年
100	熱退火處理對於大氣電漿沉積銦鎵鋅氧化物薄膜電晶體之特性影響 The Effect of Thermal Annealing on IGZO TFT Properties Prepared by Atmospheric Pressure Plasma Jet 電子工程學系電子研究所大氣電漿、銦鎵鋅氧、IGZO TFT、atmospheric pressure plasma	碩士	98	2011-08-23	2.06 年
100	高靈敏度之堆疊式結構矽鍺奈米線於不同氧化條件下之氧化特性研究 The Study of Oxidation Characteristics of High Sensitivity Stacked SiGe/Si-On-Insulator Nanowire under Different Oxidation Conditions 電子工程學系電子研究所矽鍺奈米線、堆疊式結構、生物感測元件、SiGe nanowire、stacked structure、bio-sensor device	碩士	98	2011-08-23	2.06 年
100	利用四氟化碳及氮之雙重電漿處理於氧化鉿鋁金屬-絕緣體-半導體電容之研究 The study of HfAlO MIS capacitor with dual plasma treatment: CF4 pre-treatment and nitrogen post-treatment 電子工程學系電子研究所電漿處理、高介電常數、plasma treatment、high-k	碩士	98	2011-08-23	2.06 年
100	應用多層次結構製作之矽鍺奈米線於生物感測元件上之靈敏度研究 The Study of the Sensitivity of SiGe Nanowire Bio-sensor Device Fabricated with Multi-layer (oxide/SiGe/Si-on-insulator) Structure 電子工程學系電子研究所矽鍺奈米線、多層次結構、生物感測元件、Si-Ge nanowire、multi-layer structure、bio-sensor device	碩士	98	2011-08-22	2.06 年
100	高效率交流發光二極體於SPICE之模擬分析 Analysis of High Efficiency Alternating-Current Light-Emitting-Diodes in SPICE 電機學院電子與光電學程・共同指導：郭浩中 SPICE 模擬、交流發光二極體、惠斯登橋式發光二極體、發光二極體、Matlab、直流發光二極體、SPICE Analysis、ACLED、Wheatstone Bridge LED、Light Emiting Doide、DCLED	碩士在職專班	96	2011-08-08	4.02 年