鄧一中
Deng, I-Chung・電機學院・電子工程學系 電子研究所
博士平均畢業時長
6.09 年
中位數 6.09 年・1 人
收錄論文
1 篇
101–101 學年度
全校中位數（供對照）
博士 6.11 年
畢業時長趨勢
每學年度畢業人數
只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。
研究關鍵字
高介電常數材料氟電漿前處理氮電漿後處理雙重電漿處理頻率色散蕭基發射弗崙克爾-普爾發射福勒-諾德海姆穿隧低溫多晶矽薄膜電晶體低頻雜訊閘極負偏壓應力閘極正偏壓應力閘極正偏壓高溫應力熱載子應力high-κ materialCF4 plasma pre-treatmentnitrogen plasma post-treatmentdual plasma treatmentfrequency dispersionSchottky emissionFrenkel-Poole (F-P) emissionFowler-Nordheim (F-N) tunnelingLTPS-TFTsFlicker noise (1/f noise)Negative bias stress (NBS)positive bias stress (PBS)Positive bias temperature instability (PBTI)Hot carrier stress (HCS)
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指導論文
| 學年度 | 論文 | 學制 | 入學 | 提交日期 | 畢業時長 |
|---|---|---|---|---|---|
| 101 | Investigation of Dual Plasma Treatment Technology on MIS Capacitor and Low Temperature Polycrystalline Silicon Thin Film Transistor with High-κ Gate Dielectric 電子工程學系 電子研究所・共同指導：張國明 高介電常數材料、氟電漿前處理、氮電漿後處理、雙重電漿處理、頻率色散、蕭基發射、弗崙克爾-普爾發射、福勒-諾德海姆穿隧、低溫多晶矽薄膜電晶體、低頻雜訊、閘極負偏壓應力、閘極正偏壓應力、閘極正偏壓高溫應力、熱載子應力、high-κ material、CF4 plasma pre-treatment、nitrogen plasma post-treatment、dual plasma treatment、frequency dispersion、Schottky emission、Frenkel-Poole (F-P) emission、Fowler-Nordheim (F-N) tunneling、LTPS-TFTs、Flicker noise (1/f noise)、Negative bias stress (NBS)、positive bias stress (PBS)、Positive bias temperature instability (PBTI)、Hot carrier stress (HCS) | 博士 | 95 | 2012-09-04 | 6.09 年 |