荊鳳德

Chin, Albert・電機學院・電子研究所

碩士平均畢業時長

2.17 年

中位數 2.02 年・41 人

博士平均畢業時長

5.00 年

中位數 5.84 年・7 人

收錄論文

65 篇

100–115 學年度

全校中位數（供對照）

碩士 2.10・博士 6.11 年

畢業時長趨勢

每學年度畢業人數

只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。

研究關鍵字

薄膜電晶體電阻式記憶體二氧化錫thin-film transistorRRAM金屬氧化物半導體Metal Oxide SemiconductorSnO2Thin film transistorThin Film TransistorsP-typeUV annealingN-type氧化亞錫鈍化層Tin OxidePassivation LayerIGZOAI氧化錫氧化鋅記憶體memoryhigh-kP型半導體可靠度reliability退火Annealing鐵電材料二氧化鈦TiO2P 型紫外光退火高遷移率奈米薄片電晶體UV 退火High MobilityNanosheet TransistorMIM capacitorP型錫氧氮氧化物半導體N型半導體Tin Oxynitride鍺錫合金鐵電記憶體電阻式隨機存取記憶體氮化矽可變電感

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指導論文

學年度	論文	學制	入學	提交日期	畢業時長
115	鈍化層對超薄體氧化錫p 型場效電晶體於單晶片三維整合之影響 Effect of Passivation Layer on Ultra-Thin Body SnO pFETs for Monolithic 3D Integration 電子研究所氧化亞錫、超薄體電晶體、鈍化層、P 型、金屬氧化物半導體、人工智能、Tin Oxide、Ultra-Thin Body Transistor、Passivation Layer、P-type、Metal Oxide Semiconductor、AI	碩士	112	—	無法計算
114	藉由紫外光退火實現之高遷移率超薄 SnO2 場效電晶體 High-Mobility Ultra-Thin Body SnO2 FETs Enabled by UV Annealing 電子研究所有效遷移率、二氧化錫、紫外光退火、超薄通道電晶體、單晶片三維積體電路、Effective mobility、SnO2、UV annealing、Ultra-Thin body、Monolithic 3D	碩士	112	2026-08-04	3.01 年
114	以射頻濺鍍實現之高遷移率 SnO₂ n 型場效電晶體及其於單晶片三維積體電路之應用 High-Mobility SnO₂ nFETs Enabled by RF Sputtering for Monolithic 3D IC Applications 電子研究所氧化錫、高遷移率、奈米薄片電晶體、N 型半導體、鈍化層、金屬氧化物半導體、UV 退火、Tin Oxide、High Mobility、Nanosheet Transistor、N-type、Passivation Layer、Oxide Semiconductor、UV Annealing	碩士	112	2026-01-07	2.44 年
114	高電流開關比底閘氧化鋅N型薄膜電晶體之元件特性優化 Device Performance Optimization of Large Ion/Ioff Bottom-Gate ZnO N-type Thin-Film Transistors 電子研究所氧化鋅、薄膜電晶體、AI、UV 退火、金屬氧化物半導體、記憶體、Zinc oxide、thin-film transistor、UV annealing、metal oxide semiconductor、memory	碩士	112	—	無法計算
113	氧通量及紫外光退火對於底閘 SnO 薄膜電晶體之影響 Effects of Oxygen Flux and UV Annealing on Bottom-Gate SnO Thin-Film Transistors 電子研究所氧化亞錫、P 型、薄膜電晶體、紫外光退火、金屬氧化物半導體、Tin monoxide、P-type、thin-film transistor、UV annealing、metal oxide semiconductor	碩士	111	2025-01-13	2.45 年
113	利用次能帶奈秒雷射退火及表面電漿效應提升Ni/ZrO2/TiN電容值 Large Ni/ZrO2/TiN Capacitance Increase Using Sub-Energy Bandgap Nanosecond Laser Annealing and Surface Plasma Effect 電子研究所雷射退火、MIM電容、高介電常數、表面電漿效應、次能帶、high-k、laser annealing、MIM capacitor、surface plasmon resonance、sub-energy bandgap	碩士	111	2025-01-13	2.45 年
113	鈍化層對底閘氧化錫P型奈米薄片電晶體特性的影響 Effect of passivation layer on characteristics of bottom-gate SnO p-type nanosheet transistor 電子研究所氧化亞錫、奈米薄片電晶體、鈍化層、P型、金屬氧化物半導體、AI、6G、UV退火、Tin Oxide、Nanosheet Transistor、Passivation Layer、P-type、Metal Oxide Semiconductor、UV Annealing	碩士	111	2025-01-13	2.45 年
112	不同氮摻雜量及紫外光退火條件對 SnON 底閘薄膜電晶體之影響 Impact of Different Nitrogen Doping Amounts and Condition of UV Light Annealing Conditions on Bottom-Gate SnON Thin-Film Transistors 電子研究所錫氧氮、高遷移率、氧化物半導體、N型半導體、薄膜電晶體、Tin Oxynitride、High Mobility、metal-oxide-semiconductor、N-Type、Thin-Film Transistor	碩士	110	2024-01-06	2.43 年
112	不同氧通量及紫外線退火對於頂閘極氧化亞錫薄膜電晶體之影響 Effects of Different Oxygen Fluxes and Ultraviolet Annealing on Top-Gate Tin Oxide Thin Film Transistors 電子研究所氧化亞錫電晶體、P型半導體、薄膜電晶體、紫外線退火、頂閘極薄膜電晶體、Tin oxide transistor、P-type semiconductor、Thin film transistor、Ultraviolet annealing、Top-gate thin film transistor	碩士	110	2024-01-06	2.43 年
112	鈍化層對底閘二氧化錫薄膜電晶體特性的影響 Effect of Passivation Layer on Characteristics of Bottom-Gate SnO2 Thin Film Transistor 電子研究所二氧化錫、薄膜電晶體、鈍化層、N 型、金屬氧化物半導體、Tin Oxide、Thin Film Transistor、Passivation Layer、N-type、Metal Oxide Semiconductor	碩士	110	2023-11-27	2.32 年
111	對於P型鍺錫薄膜電晶體在不同快速熱退火條件下通道性質及其與不同氧化層介面品質之特性研究 Investigation on Channel Property under Different Rapid Thermal Annealing Conditions and its Interface Quality with Different Oxide Layer of P-Type GeSn Thin-Film Transistors 電子研究所鍺錫合金、P型半導體、多晶半導體、薄膜電晶體、介面層、低溫製程、Germanium Tin、P-Type、Poly Crystalline、Thin-Film Transistor、Interfacial Layer、Low Temperature	碩士	108	2023-07-31	4.00 年
111	研究不同爐管退火條件下的通道特性已獲得SnON薄膜電晶體的超高遷移率 Investigation on Channel Properties under Different Furnace Annealing Condition to Obtain Ultra-high Mobility of SnON Thin Film Transistor 電子研究所薄膜電晶體、超高遷移率、錫氧氮、N型半導體、Thin-Film Transistor、Ultra-high Mobility、Tin Oxynitride、N-Type	碩士	109	2022-09-15	2.12 年
111	相容於後段製程之N型二氧化錫鐵電薄膜電晶體 N-type Tin-Dioxide Ferroelectric Thin Film Transistor (SnO2 n-FeTFT) Compatible with BEOL Process 電子研究所二氧化錫、鐵電記憶體、薄膜電晶體、氧化鉿鋯、二氧化錫鐵電薄膜電晶體、Tin-dioxide、Ferroelectric memory、Thin Film Transistors (TFTs)、Hafnium-Zirconium-Oxide (Hf0.5Zr0.5O2)、SnO2 n-FeTFT	碩士	109	2022-09-14	2.12 年
111	具有高自選性之雙層氧化鍺電阻式記憶體 Double-Layer Germanium Oxide RRAM with High Self-Selectivity 電子研究所電阻式隨機存取記憶體、氧化鍺、自我選擇性、非線性度、RRAM、Germanium oxide、self-selective、non-linearity	碩士	109	2022-09-14	2.12 年
111	雙閘極結構對n型氧化錫薄膜電晶體的特性改善 Improved of characteristics of n-type SnO2 thin film transistor with double gate structure 電子研究所雙閘極、薄膜電晶體、氧化物半導體、氧化錫、double gate、thin film transistor、metal oxide、SnO2	碩士	109	2022-09-08	2.10 年
111	應用於三維人腦模擬積體電路之高遷移率薄膜電晶體與高可靠度電阻式記憶體 High Mobility TFT and High Reliability RRAM Devices for Three-Dimensional Brain-Mimicking IC 電子研究所三維人腦模擬積體電路、高遷移率薄膜電晶體、高可靠度電阻式記憶體、氧化錫、錫化鍺、氮化矽、Three-Dimensional Brain-Mimicking IC、High Mobility TFT、High Reliability RRAM、SnO2、GeSn、SiNx	博士	105	2022-08-28	6.07 年
111	不同錫摻雜量及厚度條件對頂閘極多晶鍺錫薄膜電晶體之影響 Impact of Different Sn Doping Amounts and Condition of Thickness on Top-Gate Polycrystalline Germanium-Tin Thin-Film Transistors 電子研究所鍺錫合金、P型半導體、窄能隙、薄膜電晶體、熱退火處理、Germanium Tin alloy、P-type Transistor、Thin-Film Transistor、Narrow Bandgap、Thermal annealing treatment	碩士	109	2021-09-06	1.10 年
110	兼具高可靠性與低變異度的 Cu/GeOxNy/P+-Si 電阻式記憶體 Cu/GeOxNy/P+-Si RRAM with high reliability and small variations 電子研究所電阻式記憶體、金屬導電絲、銅、高可靠度、低變異度、RRAM、CBRAM、Copper、High reliability、Small variations	碩士	108	2021-08-30	2.08 年
110	利用控制電感Shielding之浮接與接地狀態來達到調變電感值之研究 A CMOS Tunable Inductor Based on Grounded Floating Patterned Metal Shields 電子研究所螺旋電感、圖形式接地屏蔽、可變電感、射頻電路、無線通訊系統、spiral inductor、patterned metal shield、tunable inductor、RFIC、microwave communication	碩士	108	2021-08-30	2.08 年
109	可應用於人工智慧物聯網之系統晶片整合技術 Technology in System-on-Chips Integration Applied to Artificial Intelligence of Things 電子研究所人工智慧、物聯網、第五代行動通訊、RRAM交錯型陣列、潛行電流、二階段IGBT閘極驅動電路、反向恢復電流、射頻收發機、收發轉換開關、可變電感、寬頻壓控振盪器、Artificial intelligence、IoT、5G、RRAM cross-point array、sneak current、two-step IGBT gate driver、reverse recovery、RF transceiver、T/R switch、tunable inductor、wide tuning range VCO	博士	104	2021-06-29	5.91 年
109	利用常壓電漿輔助化學氣相沉積製備氧化銦鎵鋅層於電阻式記憶體元件之電性及可靠度研究 Research of Electrical Characteristics and Reliability in RRAM Device Based on IGZO layer Fabricated by AP-PECVD 電子研究所・共同指導：張國明、吳建宏四氟化碳、銦鎵鋅氧、電阻式非揮發式記憶體、可靠度、carbon tetrafluoride、indium gallium zinc oxide、resistive non-volatile memory、reliability	博士	107	2021-06-17	2.88 年
109	鎂摻雜與四氟化碳之電漿處理技術對大氣電漿沉積氧化銦鎵鋅層於電阻式記憶體元件之影響 Effect of Mg Doping and CF4 Plasma Treatment on IGZO Layer Deposited by AP-PECVD for RRAM Device 電子研究所・共同指導：張國明氧化銦鎵鋅層、氧化銦鎵鋅層摻鎂、四氟化碳電漿處理、電阻式記憶體、氧空缺、IGZO、IGZO doped Mg、CF4 plasma treatment、RRAM、Oxygen vacancy	碩士	107	2020-08-27	2.07 年
109	類摻雜效應、快速熱退火與二氧化矽緩衝層對Top-Gated SnO2薄膜電晶體特性的影響 Impact of Doping-Like Effect, Rapid Thermal Annealing, and Silicon Dioxide Buffer Layer on Characteristics of Top-Gated SnO2 Thin-Film Transistors 電子研究所薄膜電晶體、N型、二氧化錫、Thin-Film Transistor、n-type、SnO2	碩士	107	—	無法計算
109	應用於三維積體電路在不同製程條件下對於 top-gate p型氧化亞錫薄膜電晶體之特性研究 Study on the Characteristics of Top-Gate P-Type SnO Thin-Film Transistors with Different Processing Conditions for 3DIC 電子研究所薄膜電晶體、p型、氧化亞錫、Thin-Film Transistors、p-type、SnO	碩士	107	—	無法計算
109	使用非對稱LDD互補式金氧半電晶體製作應用在 5G頻段的高功率收發機開關 A High-Power Capability T/R Switch using Asymmetric-LDD CMOS for 5G Applications 電子研究所射頻收發開關、高功率、5G通訊、T/R switch、High power、5G technology	碩士	107	—	無法計算
108	鎂摻雜對大氣電漿沉積氧化銦鎵鋅層於電阻式記憶體元件之影響 Effect of Mg doping on IGZO Layer Deposited by AP-PECVD for RRAM Device 電子研究所・共同指導：張國明電阻式記憶體、大氣電漿沉積、轉換特性、可靠度、鎂的摻雜、氧化銦鎵鋅、RRAM、APPECVD、Switch Characteristic、Reliability、Mg doping、IGZO	碩士	106	—	無法計算
108	利用常壓電漿輔助化學氣相沉積製備銦鎵鋅氧電晶體元件之可靠度研究 Research of Reliability in Transistor Device Based on IGZO Fabricated by AP-PECVD 電子研究所・共同指導：張國明、吳建宏中子束技術、銦鎵鋅氧、電晶體、可靠度、Neutral Beam Technology、IGZO、Transistor、Reliability	博士	106	—	無法計算
108	使用電漿處理於二氧化錫薄膜在室溫下照射UV光對一氧化碳感測行為之影響 UV-Light Enhancement of Gas Sensor Response of Tin Dioxide for Carbon Monoxide Sensing by Plasma Treatment at Room Temperature 電子研究所・共同指導：張國明紫外線散射光增強氣體感測、二氧化錫薄膜、電漿處理、UV scattering light enhanced gas sensor、Carbon monoxide、SnO2 thin film、Plasma treatment	碩士	106	—	無法計算
107	應用二氧化矽緩衝層改善二氧化鋯/二氧化鉿電阻式記憶體之特性研究 Study on the characteristic of ZrO2/HfO2 Resistance Random Access Memory with SiO2 buffer layer 電子研究所電阻式記憶體、Resistance Random Access Memory、RRAM	碩士	106	2019-08-10	2.02 年
107	不同製程條件對SnO2-ZnO雙通道層薄膜電晶體之特性探討 Characteristic investigation of SnO2-ZnO dual active layer thin film transistors with different processing conditions 電子研究所薄膜電晶體、氧化鋅、二氧化錫、雙通道層、thin film transistor、ZnO、SnO2、bilayer	碩士	106	2019-07-30	1.99 年
106	高效能金屬氧化物薄膜電晶體元件之特性探討與開發 The Investigation and Development of High Performance Metal-Oxide Thin Film Transistors 電子研究所電晶體、金屬氧化物、高效能、transistor、metal-oxide、high performance	博士	102	2018-08-14	5.03 年
106	紫外光曝曬對N型二氧化錫薄膜電晶體的特性探討 Characteristic investigation of n-type SnO2 thin film transistors with ultraviolet exposure 電子研究所金屬氧化物半導體、薄膜電晶體、二氧化錫、紫外光、退火、Metal Oxide Semiconductor、Thin Film Transistors、Tin Dioxide、Ultra Violet、Annealing	碩士	105	2018-08-08	2.02 年
105	使用ZrO2 當做緩衝層的多階電阻式記憶體之電阻轉態特性研究 Resistive Switching Characteristics of Multi-level Resistive Random Access Memory with ZrO2 buffer layer 電機資訊國際學程非揮發記憶體、電阻式記憶體、IV特性、容忍度、保存性、緩衝層、Non Volatile Memory、RRAM、IV characterstics、Endurance、Retention、Buffer layer	碩士	104	2017-08-31	2.08 年
105	紫外光的曝曬及結構性變化對於p型氧化亞錫薄膜電晶體之特性影響 Influences of Ultraviolet Exposure and Structural Changes on the Characteristics of p-Type SnO Thin Film Transistors 電子研究所 p型氧化亞錫薄膜電晶體、高載子遷移率、紫外光照射、應力效果、高介電常數閘極介電質、薄膜電晶體、p-type SnO TFT、high carrier mobility、UV exposure、strain effect、High K gate dielectric、thin film transistor	碩士	104	2017-07-03	1.92 年
105	鋁摻雜氧化鋅薄膜電晶體之特性探討 Characteristics investigation of AZO thin film transistors 電子研究所薄膜電晶體、氧化鋁鋅、TFTs、Thin film transistors、Al doped ZnO、AZO	碩士	104	—	無法計算
105	在介面改質與不同製程條件下，HTO鍺鐵電電容的特性探討 Investigate the characteristic of HTO germanium ferroelectric capacitor under the interface modification and different process conditions 電子研究所鍺、鐵電、電容、介面改質、鍺電容、鍺鐵電電容、電容-電壓特性、Germanium、Ferroelectric、Capacitor、Interface Modification、Ge Capacitor、Germanium Ferroelectric Capacitor、C-V Characteristic	碩士	104	—	無法計算
105	擁有低溫快速退火條件的HfAlO鐵電記憶體 HfAlO ferroelectric memory device with low rapid thermal annealing temperature 電子研究所鐵電性、鐵電記憶體、二氧化鉿、Ferroelectricity、FeRAM、HfO2	碩士	104	—	無法計算
104	不同退火條件下對於p-type SnO 與 n-type SnO2 薄膜電晶體之特性探討 Characteristic investigation of p-type SnO and n-type SnO2 thin film transistors with different annealing conditions 電子工程學系電子研究所薄膜電晶體、一氧化錫、二氧化錫、退火、SnO、SnO2、thin film transistors、annealing	碩士	103	2016-07-30	2.00 年
104	對於不同溫度條件下的HfZrO與HfAlO鐵電記憶體電容之特性探討 Investigate the characteristic of HfZrO and HfAlO ferroelectric memory capacitor under the different temperture condition 電子工程學系電子研究所鐵電材料、二氧化鉿、記憶體、ferroelectric material、HfO2、memory	碩士	103	2016-07-27	1.99 年
103	高性能氮化鋁鎵/氮化鎵電晶體之製作與分析 The Fabrication and Analysis of High Performance AlGaN/GaN Transistor 電子工程學系電子研究所閘極氧化層、氮化鋁鎵/氮化鎵、二維電子氣、gate dielectric、AlGaN/GaN、2DEG	碩士	102	—	無法計算
103	不同快速退火條件對氧化鋅薄膜電晶體的特性探討 Characteristic of ZnO thin film transistors with various rapid thermal annealing conditions 電子工程學系電子研究所快速、退火、氧化鋅、薄膜電晶體、rapid、annealing、ZnO、thin film transistors	碩士	102	—	無法計算
103	改變製程時氮氣含量對氮氧化鋅薄膜電晶體之特性探討 Characterizations of ZnON Film Transisitors with various N2 flows 電子工程學系電子研究所薄膜電晶體、Thin Film Transistors	碩士	102	—	無法計算
103	不同金屬上電極對氧化鋯鉿金屬-氧化物-半導體鐵電電容特性影響 Effect of different metal top electrode on HfZrO Ferroelectric Metal-Oxide-Semiconductor capacitor 電子工程學系電子研究所鐵電材料、記憶體、Ferroelectric material、Memory	碩士	102	—	無法計算
102	介面緩衝層氧化物對氧化鋯鉿金屬-氧化物-半導體鐵電電容的影響 Effect of interface buffer Oxide on ZrHfO Ferroelectric Metal-Oxide-Semiconductor capacitor 電子工程學系電子研究所鐵電材料、氧化鋯鉿、鐵電電容、Ferroelectric、ZrHfO、Ferroelectric-capacitor	碩士	101	2014-07-08	1.93 年
102	氧化鍺覆蓋層在二氧化鈦與鋯鈦酸鉛基底之電阻式隨機存取記憶體之研究 The Investigation of GeO Capping layer on TiO2 Based and PZT Based Resistive Random-Access Memory 電子工程學系電子研究所・共同指導：鄭淳護電阻式隨機存取記憶體、二氧化鈦、鋯鈦酸鉛、RRAM、TiO2、PZT	博士	97	2014-06-04	5.84 年
102	使用二氧化矽/氧化鋁介電層運用在氮化鎵鋁/氮化鎵金屬-絕緣層-半導體電晶體的研究 Investigation of AlGaN/GaN Metal-Insulator-Semiconductor Transistors Using Al2O3/SiO2 Dielectrics 光電系統研究所氮化鎵鋁/氮化鎵、高介電係數、二維電子氣、AlGaN/GaN、high-k、2DEG	碩士	99	2013-12-27	3.41 年
102	應用二氧化矽介面層改善二氧化鈦電阻式記憶體的功率開關特性 Switching Characteristic of Power with SiO2 Buffer Layer in TiO2 Based Resistive Random-Access Memory 電子工程學系電子研究所電阻式記憶體、Resistive Random-Access Memory	碩士	101	—	無法計算
102	高介電係數介電層應用於氮化鎵電晶體之特性探討 Characterizations of GaN Transistors By Using High-K Gate Dielectric 電子工程學系電子研究所原子層沉積技術、ald	碩士	101	—	無法計算
101	使用二氧化鍺/二氧化鈦介電層之低功率電阻式記憶體之研究 Low-Power Resistive Switching Memory Adopting Stacked GeO2/TiO2 Dielectrics 電子工程學系電子研究所電阻式記憶體、二氧化鍺、二氧化鈦、Resistive Switching Memory、GeO2、TiO2	碩士	100	2013-08-15	2.04 年
101	具有氧化鋁鑭與二氧化矽雙層閘極介電層低操作電壓非晶態氧化銦鎵鋅薄膜電晶體之研究 Low-Operating-Voltage InGaZnO Thin Film Transistors with LaAlO3/SiO2 Gate Dielectrics 光電系統研究所・共同指導：IEEEFellow、OpticalSocietyofAmericaFellow 低操作電壓、非晶態氧化銦鎵鋅、薄膜電晶體、Low-Operating-Voltage、InGaZnO、Thin Film Transistors	碩士	100	2013-07-29	1.99 年
101	氮氧化鉿電荷捕獲層與二氧化鉿/二氧化矽雙層結構於非揮發性記憶體之特性研究 Charge-Trapping Characteristics of Non-volatile Memory Using HfON Trapping Layer and HfO2/SiO2 Barriers 光電系統研究所非揮發性記憶體、Non Volatile Memory	碩士	100	2013-07-29	1.99 年
101	金屬閘極/高介電係數氧化層技術在氮化鎵電晶體之應用 Metal-Gate/High-κ Dielectric Stacks for GaN Transistor Application 電子工程學系電子研究所氮化鎵、金屬閘極、高介電係數氧化層、GaN、Metal-Gate、High-κ Dielectric	碩士	100	2013-07-28	1.99 年
101	應用於Ku-band之低功率主動式降頻混頻器 A Low Power Active Down-Conversion Mixer for Ku-band Applications 影像與生醫光電研究所混頻器、Mixer	碩士	100	2013-07-26	1.98 年
101	二氧化鉿/二氧化鋯介電質應用於非晶態氧化銦鎵鋅薄膜電晶體之特性探討 Characterizations of Amorphous InGaZnO Thin Film Transistors Using High-k ZrO2 and HfO2 Dielectrics 電子工程學系電子研究所薄膜電晶體、高介電系數、氧化銦鎵鋅、thin film transistor、high-k、IGZO	碩士	100	2013-07-26	1.98 年
101	氧化鋁/二氧化鈦電阻式記憶體元件的低功率開關特性探討 Switching Characteristics of Low-Power Al2O3/TiO2 Resistive Memory Devices 電子工程學系電子研究所・共同指導：鄭淳護電阻式記憶體元件、氧化鋁、二氧化鈦、低功率、resistive random access memory、Al2O3、TiO2、Low-Power	碩士	100	2013-07-26	1.98 年
101	對於K頻段互補式金氧半射頻前端電路內超低功率集成元件之研究與設計方法 The Investigation and Design Methodology for Ultra-Low-Power Integrated Components in K-Band CMOS RF Frond-End Circuits 電子工程學系電子研究所雙模壓控振盪器、分離偏壓技術、K頻段、dual-resonance VCO、bias-varied technique、K-band	博士	95	2012-08-16	6.04 年
100	矽化鉑蕭特基金氧半電晶體使用高介電係數介電層與金屬閘極 Schottky Barrier Source/Drain MOSFET Using Platinum Silicide With High-K Gate Dielectric and Metal-Gate Electrode 電子工程學系電子研究所蕭特基、Schottky	碩士	99	2012-07-19	1.97 年
100	T25高壓製程之高頻特性研究測試元件 Testkey of tsmc 0.25 um high voltage process in high frequency 電子物理系所・共同指導：陳振芳功率放大器、元件模擬器、崩潰電壓、低掺雜區域、高頻特性、高壓製程、LDMOS、power、TCAD、base stations	碩士	99	2012-07-18	1.96 年
100	利用非對稱元件在0.18微米互補式金氧半電晶體製程製作之具有高功率乘載能力的收發機開關 A high power-handling capability 0.18μm CMOS T/R switch using the asymmetric transistor 電子工程學系電子研究所非對稱輕參雜、功率乘載能力、Asym-LDD、power handling capability	碩士	99	2012-07-18	1.96 年
100	應用於K-band之低功率吉爾伯特降頻混頻器 A Low Power Gilbert-Base Down-Conversion Mixer for K-band Applications 電子工程學系電子研究所降頻器、K-band、橫向電流縮減、down-conversion、lateral current commutation	碩士	99	2012-07-18	1.96 年
100	氧化鋁/氧化鈦電阻轉化層之電阻式記憶體特性研究 Characterization of Resistive Random Access Memory Devices Based on Al2O3/TiO2 電子工程學系電子研究所電阻式記憶體、Resistive Random Access Memory	碩士	99	2012-07-17	1.96 年
100	具有鐿金屬矽化物之蕭特基能障金氧半場效電晶體的應用 The Application of Schottky-Barrier MOSFET with Ytterbium Silicide 光電系統研究所蕭特基能障、Schottky-Barrier	碩士	99	2012-07-17	1.96 年
100	有機鐵電薄膜於閘極堆疊結構之研究 The Investigation of Organic Ferroelectric Thin Film in Gate Stack Structure 電子工程學系電子研究所有機鐵電薄膜、聚偏氟乙烯三氟乙烯、聚乙烯醇、蕭特基接觸、organic ferroelectric thin film、P(VDF-TrFE)、PVA、Schottky contact	碩士	99	2012-07-17	1.96 年
100	高度微縮等效氮化矽厚度之電荷捕獲記憶體和金屬-絕緣層-金屬電容結構之研究 The Investigation of Novel High-Scaled Equivalent-Si3N4-Thickness Charge-Trapping Flash and Metal-Insulator-Metal Capacitor 電子工程學系電子研究所非揮發性記憶體、電荷捕獲記憶體、金氧金電容、non-volatile memory、charge-trapping flash、MIM capacitor	博士	97	2011-10-13	3.20 年
100	鍺擴散於氮化矽快閃記憶體之研究 The Investigation of Charge-Trapping Flash Nonvolatile Memory by Using Ge Diffusion into Si3N4 Trapping Layer 電子工程學系電子研究所鍺、擴散、氮化矽、氮化矽鍺、Ge、Diffusion、Si3N4、GeSi2N4	碩士	98	2011-08-19	2.05 年