陳振芳

Chen, Jenn-Fang・理學院・電子物理學系

碩士平均畢業時長

2.01 年

中位數 2.01 年・24 人

博士平均畢業時長

5.96 年

中位數 6.01 年・5 人

收錄論文

30 篇

100–114 學年度

全校中位數（供對照）

碩士 2.10・博士 6.11 年

畢業時長趨勢

每學年度畢業人數

只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。

研究關鍵字

量子點Quantum dots量子井Quantum Well光電容photocapacitanceGaAs砷化鎵量子點光電流InAs蕭基二極體Schottky diode電容電壓量測InAs quantum dotsQuantum dotDLTSInAs quantum dotphotocurrent砷化鎵電滯曲線HysteresisGaAsN/GaAs量子井GaAsN/GaAs quantum wellGaAsN砷化銦深層缺陷deep level trapsphoto-capacitance升降壓轉換器buck-boost converter高分子摻雜空間電荷限制電晶體高電流polymersdopingspace-charge-limited transistorhigh output current電路模型Circuit model蕭基接面能態密度光伏效應Schottky ContactDensity of StatePhotovoltaic EffectC-V Measurement導納頻譜模擬Shottky diodeAdmittance spectroscopy simulation

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指導論文

學年度	論文	學制	入學	提交日期	畢業時長
114	具寬電壓轉換範圍之車用免冷啟與負載突變操作的降壓–升壓型轉換器 Wide Voltage Conversion Ratio Buck–Boost Converter with Crank- and Dump-Free Operation for Automotive Systems 電子物理學系・共同指導：陳科宏升降壓轉換器、buck-boost converter	碩士	112	2025-10-24	2.23 年
106	有機垂直電晶體摻雜影響與製程改善 Doping effect and process improvement of vertical organic transistors 電子物理系所・共同指導：孟心飛高分子、摻雜、空間電荷限制電晶體、高電流、polymers、doping、space-charge-limited transistor、high output current	碩士	105	—	無法計算
105	建立電路模型探討頻率對InAs量子點蕭基二極體電性之影響 Frequency-Modulated Electrical Properties of InAs Quantum Dots Schottky Diode : Using Equivalent RC Circuit Model 電子物理系所蕭基二極體、量子點、電路模型、Schottky diode、Quantum dots、Circuit model	碩士	104	2017-07-14	1.95 年
105	GaAsN/GaAs量子井蕭基二極體在照光下之光電容模擬 The Photo Capacitance Simulation of GaAsN/GaAs Quantum Well under Illumination 電子物理系所蕭基接面、量子井、能態密度、光伏效應、電容電壓量測、Schottky Contact、Quantum Well、Density of State、Photovoltaic Effect、C-V Measurement	碩士	104	2017-07-14	1.95 年
105	InAs量子點蕭基二極體之導納頻譜分析與模擬 Frequency Resolved Admittance Spectroscopy Analysis and Simulation on InAs Quantum Dots Shottky Diode 電子物理系所蕭基二極體、量子點、導納頻譜模擬、Shottky diode、InAs quantum dots、Admittance spectroscopy simulation	碩士	104	2017-07-13	1.95 年
105	照射閃爍光之蕭基二極體的導納模擬 Admittance Simulation of Schottky Diode under Flashing Illumination 電子物理系所量子點、聲光調制器、導納模擬、Quantum dot、Acousto-optic modulator、Admittance Simulation	碩士	104	2017-07-10	1.94 年
104	氮摻雜不均對於InGaAsN/GaAs量子井電性之影響 The Influence of Non-Uniform Nitrogen Doping on Electrical Properties of InGaAsN/GaAs Quantum Well 電子物理系所量子井、氮、電性、Quantum Well、Nitrogen、Electrical Properties	碩士	103	2016-08-07	2.02 年
104	利用DLTS量測以及缺陷放射模型探討量子點充電效應 Analyzing the Quantum Charging Effect by DLTS Measurement and Defect Emission Model 電子物理系所量子點、缺陷、深層能階暫態量測頻譜、充電效應、砷化鎵蕭基元件、quantum dots、defect、DLTS、charging effect、GaAs Schottky diodes	碩士	103	2016-08-02	2.00 年
104	在InAs量子點上成長不同厚度InAlAs層對於光電容特性的影響 The Photocapacitance Characteristic of InAs Quantum Dot Covered by Different Thickness of InAlAs Layer 電子物理系所量子點、光電容、砷化鋁鎵、Quantum dot、photocapacitance、InAlAs	碩士	103	2016-07-26	1.98 年
104	InAs量子點蕭基二極體之導納模擬及照光下的光電壓效應 Admittance Simulation and Photovoltaic Effect of InAs Quantum Dots Schottky Diode 電子物理系所砷化鎵量子點、光電壓、光電容、InAs quantum dot、Photocapacitance、Photovoltaic	碩士	103	2016-07-26	1.98 年
103	砷化鎵蕭基二極體中砷化銦量子點在光激發下的電容器特性之暫態測量分析 The transient-measurement-analysis of the capacitor properities under illumination on GaAs Schottky diode with InAs quantum dots 電子物理系所量子點、量子井、光電容、光電流、quantum dots、quantum well、photocapacitance、photocurrent	博士	98	2015-09-02	6.09 年
103	在照光下蕭基二極體受到鑲嵌在內部的InAs量子點影響的機制與等效電路模型 The Mechanism and Equivalent RC Circuit Model of Schottky Diode Modulated by Embedded InAs Quantum Dots under Illumination 電子物理系所量子點、蕭基、砷化鎵、電容抬升機制、QDs、Schottky、GaAs、mechanism of the apparently increased capacitance	碩士	102	2015-08-24	2.06 年
103	GaAsN/GaAs量子井中光激發引致電滯曲線於不同溫度與電場之分析 Light-induced Hysteresis Influenced by Temperature and Electric Field in GaAsN/GaAs Quantum Well 電子物理系所量子井、電滯曲線、Quantum Well、Hysteresis	碩士	102	2015-08-11	2.03 年
103	利用暫態理論與時間解析量測分析光激發下GaAsN/GaAs量子井結構之載子暫存機制 Analysis of Carrier Dynamics Storage in GaAsN/GaAs Quantum Well under Illumination using Transient Theory and Time-resolved Measurement 電子物理系所暫態理論、GaAsN/GaAs量子井、電荷暫存、光記憶元件、transient theory、GaAsN/GaAs quantum well、charge storage、optical memory device	碩士	102	2015-08-09	2.02 年
103	探討室溫下InAs量子點在GaAs蕭特基二極體中的特性並利用電路學上波德圖的方式來做分析 Analyzing the Circuit Modal of InAs Quantum Dots in GaAs Schottky Diode Using Method of Bode Plot 電子物理系所電路學、波德圖、量子點、蕭特基、二極體、InAs、GaAs、Quantum Dots、Schottky Diode、Bode Plot	碩士	102	2015-07-28	1.99 年
103	利用穿隧效應以及時間解析量測估算應力鬆弛後InAs量子點之等效電容值 To Estimate the Capacitance of Strain Relaxation InAs Quantum Dots using Tunneling Rate Theory and Time-Resolved Measurement 電子物理系所砷化鎵量子點、時間解析量測、穿隧效應、InAs Quantum dots、Time-resolved measurement、tunneling rate theory	碩士	101	2014-08-04	2.01 年
102	光激發載子於GaAsN/GaAs量子井電滯曲線的影響 The Hysteresis in Capacitance-voltage Measurements Caused by the Storage Carriers in GaAsN/GaAs Quantum Well 電子物理系所量子井、電滯曲線、電容、砷化鎵、氮砷化鎵、Quantum well、Hysteresis、Capacitance、GaAs、GaAsN	碩士	101	2014-08-06	2.01 年
102	建立電路模型探討InAs量子點累積過量電子對蕭基二極體電性之影響 The Electrical Properties of Schottky Diode Modulated by Electrons Confined in InAs Quantum Dots：Using Equivalent RC Circuit Model 電子物理系所砷化銦、量子點、EL2缺陷、等效電路、InAs、Quantum Dots、EL2 defect、equivalent circuit	碩士	101	2014-08-06	2.01 年
102	GaAsN/GaAs量子井結構中光激發載子暫存降引致光電流抑制效應：等效電路RC時間常數分析 The photocurrent suppressed by light-induced excess electrons in GaAsN/GaAs quantum well：Analysis of RC time constant of the equivalent circuit 電子物理系所分子束磊晶、GaAsN/GaAs量子井、光電流、光電流抑制、RC時間常數、MBE、GaAsN/GaAs quantum well、Photocurrent、Photocurrent suppression、RC time constant	碩士	101	2014-08-05	2.01 年
101	缺陷能階與量子點之載子躍遷光電容產生機制 The Photo-capacitance Induced by Carrier Transfer between Deep Levels and Quantum Dots 電子物理系所量子點、深層缺陷、載子躍遷、光電容、Quantum dots、Deep levels、Carrier transfer、PhotoCapacitance	碩士	100	2013-08-12	2.03 年
101	深層能階對覆蓋InAlAs層之InAs量子點的光電容特性分析 Role of deep level traps on the photocapacitance characteristics of InAs quantum dots covered by an InAlAs layer 電子物理系所光電容、量子點、深層缺陷能階、photocapacitance、quantum dots、deep level traps	碩士	100	2013-08-05	2.01 年
101	藉由光電容研究深層缺陷能階與砷化銦量子點之載子交互作用 Carrier Interaction between InAs Quantum Dots and Deep Level Traps Investigated by Photo-capacitance 電子物理系所砷化鎵量子點、光電容、光電流、深層缺陷、載子交互作用、InAs quantum dot、photo-capacitance、photo-current、deep trap、carrier interaction	博士	96	2013-08-05	6.01 年
101	深層能階缺陷對光激發載子於GaAsN/GaAs量子井結構中的影響 The influence of deep-level traps on photo-carriers in GaAsN/GaAs quantum wells 電子物理系所 GaAsN、量子井、深層能階、quantum well、deep level traps	碩士	100	2013-08-04	2.01 年
101	(In)GaAsN/GaAs量子井中N相關之局部侷限能階的形成機制與電性量測分析 The formation mechanism and electrical characteristics of N-related localized states in (In)GaAsN/GaAs quantum wells 電子物理系所氮砷化(銦)鎵、量子井、氮相關之局部侷限能階、氮摻雜、(In)GaAsN、Quantum wells、N-related localized state、Dilute Nitrogen	博士	95	2012-11-29	6.33 年
101	以矽基板開發常關型氮化鎵高電子移動率電晶體 Epitaxy and Device Technology of Normally off GaN/Si High Electron Mobility Transistors 電子物理系所氮化鎵、功率電晶體、矽基板、GaN、power device、Si	博士	95	2012-01-11	5.45 年
100	InAs/InGaAs量子點光電容特性 Photo-Capacitance of Non-Relaxed InAs Quantum Dots with InGaAs Capping Layer 電子物理系所量子點、光電容、砷化銦、深化鎵、砷化鎵銦、photo-capacitance、non-relaxed、InAs、GaAs、InGaAs	碩士	99	2012-08-08	2.02 年
100	GaAsN/GaAs量子井結構中光激發載子的光電容與光電流分析 The photo-capacitance and photo-current analysis of light-induced excess carriers in GaAsN/GaAs quantum wells 電子物理系所 GaAsN/GaAs 量子井光電容、GaAsN/GaAs QW photo-capacitance、GaAsN/GaAs photo-capacitance	碩士	99	2012-08-08	2.02 年
100	EL2 缺陷對於InAs/GaAs 量子點的電子放射特性分析:照光的影響 Role of EL2 on the electrical properties of InAs/GaAs quantum dots:the influence of illumination 電子物理系所量子點、照光、電容電壓量測、quantum dots、illumination、capacitance-voltage、DLTS、EL2	碩士	99	2012-08-06	2.02 年
100	T25高壓製程之高頻特性研究測試元件 Testkey of tsmc 0.25 um high voltage process in high frequency 電子物理系所・共同指導：荊鳳德功率放大器、元件模擬器、崩潰電壓、低掺雜區域、高頻特性、高壓製程、LDMOS、power、TCAD、base stations	碩士	99	2012-07-18	1.96 年
100	氮化銦鎵/氮化鎵量子井聯合能態密度的變化及V型結構對元件特性的影響 Optical joint density of states and effects of V-shaped structures in InGaN/GaN quantum wells 電子物理系所氮化銦鎵/氮化鎵、量子井、發光二極體、有機金屬化學氣相沉積、聯合能態密度、V型結構、InGaN/GaN、quantum well、light-emitting diodes、Metal-organic Chemical Vapor Deposition、Optical joint density of states、V-shpaed structure	博士	95	2012-06-25	5.90 年