鄭淳護

Chun-Hu Cheng・電機學院・電子物理系所、電子研究所

碩士平均畢業時長

2.22 年

中位數 2.05 年・8 人

博士平均畢業時長

5.19 年

中位數 5.19 年・6 人

收錄論文

14 篇

101–111 學年度

全校中位數（供對照）

碩士 2.10・博士 6.11 年

畢業時長趨勢

每學年度畢業人數

只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。

研究關鍵字

負電容Negative capacitance負電容電晶體鐵電FerroelectricHfZrONegative Capacitance Effect鐵電材料Ferroelectric material氧化鋁Al2O3氧化鋯鉿負電容效應Negative capacitance FET氧化鉿鋯次臨界擺幅Subthreshold Swing二氧化鈦TiO2氧化鉿基鐵電記憶體覆蓋層類神經網路系統HfO2-basedFeRAMCapping layerNeuromorphic鐵電電容鐵電電晶體定電壓應力時間依賴性介電崩潰Ferroelectric CapacitorFerroelectric TransistorConstant Voltage StressTime Dependent Dielectric Breakdown介面鈍化氮電漿處理interface passivationremote nitrogen plasma氧化鉿HfO2遠程氮電漿Remoto nitrogen plasma超薄氧化鋁鉿漏電流多域輻射摻雜金屬閘極應力

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指導論文

學年度	論文	學制	入學	提交日期	畢業時長
111	覆蓋層效應之氧化鉿基鐵電記憶體於類神經網路之應用 Investigation of Hafnium Oxide-Based Ferroelectric Memory with Capping Layer Effect for Neuromorphic Applications 電子物理系所・共同指導：周武清氧化鉿基、鐵電記憶體、氧化鋁、覆蓋層、類神經網路系統、HfO2-based、FeRAM、Al2O3、Capping layer、Neuromorphic	博士	106	2023-07-02	5.92 年
109	堆疊型氧化鋯鉿鐵電記憶體與電晶體元件電性可靠度研究 Electrical Reliability Investigation of Stacked HfZrO Ferroelectric Memory and Field Effect Transistor 照明與能源光電研究所・共同指導：張俊彥、藍宇彬鐵電電容、鐵電電晶體、氧化鋯鉿、負電容效應、定電壓應力、時間依賴性介電崩潰、Ferroelectric Capacitor、Ferroelectric Transistor、HfZrO、Negative Capacitance Effect、Constant Voltage Stress、Time Dependent Dielectric Breakdown	碩士	107	2021-02-17	2.55 年
108	運用遠程氮電漿於界面鈍化處理於無摻雜氧化鉿負電容電晶體之特性探討 Interface Engineering for Dopant-Free HfO2 Negative Capacitance Transistor Using Remote Nitrogen Plasma Passivation 電子研究所・共同指導：簡昭欣負電容、介面鈍化、氮電漿處理、Negative capacitance、interface passivation、remote nitrogen plasma	碩士	106	2020-07-15	2.95 年
108	運用遠程氮電漿處理之無摻雜氧化鉿負電容鐵電電晶體之探討 Investigation of Dopant-Free HfO2 Ferroelectric Negative Capacitance Transistor with Remote Nitrogen Plasma Treatment 電子物理系所・共同指導：周武清氧化鉿、負電容效應、HfO2、negative capacitance effect	碩士	106	2019-08-26	2.07 年
108	運用遠程氮電漿鈍化處理於P型氧化鉿鋁負電容電晶體之研究 Investigation of P-Type Negative Capacitance Transistor Using Ferroelectric HfAlOx with Remote Nitrogen Plasma Passivation 電子研究所・共同指導：簡昭欣負電容電晶體、鐵電材料、遠程氮電漿、Negative capacitance FET、Ferroelectric material、Remoto nitrogen plasma	碩士	106	2019-08-25	2.06 年
108	閘極堆疊微縮對N/P型氧化鉿鋯鐵電負電容電晶體之影響 Impact of Ferroelectric HfZrOx Gate-Stack Scaling on N-type and P-type Negative Capacitance Transistors 光電系統研究所・共同指導：張俊彥、林建中負電容電晶體、氧化鉿鋯、鐵電材料、negative capacitance、HfZrO、ferroelectric material	碩士	106	2019-08-17	2.04 年
108	超薄氧化鋁鉿鐵電負電容電晶體應用於先進低功耗CMOS技術之研究 Ferroelectric Negative Capacitance Transistor Using Ultrathin Hafnium Aluminum Oxide for Advanced Low-Power CMOS Application 電子物理系所・共同指導：張俊彥、周武清鐵電、負電容電晶體、超薄、氧化鋁鉿、漏電流、次臨界擺幅、多域、輻射、摻雜、金屬閘極應力、Ferroelectric、Negative Capacitance Transistor、Ultrathin、Hafnium Aluminum Oxide、Leakage、Subthreshold Swing、Multi-domain、Radiation、Dopant、Metal Gate Stress	博士	104	2019-01-04	3.43 年
107	先進負電容電晶體應用於低功耗物聯網與次5奈米CMOS技術節點之研究 Advanced Negative Capacitance Transistor for the Applications of Low-Power IoT and Sub-5nm CMOS node 電子研究所・共同指導：張俊彥、簡昭欣鐵電、負電容場效電晶體、次臨界擺幅、氧化鉿鋁、無摻雜鐵電薄膜、應力誘發相轉變、缺陷鈍化、Ferroelectric、Negative-Capacitance FETs、Subthreshold swing、HfAlO、Dopant-free ferroelectric film、Stress-induced phase transition、Defect passivation	博士	103	2019-02-09	4.53 年
107	低於60毫伏特次臨界擺幅之鐵電氧化鉿鋯負電容場效電晶體之探討 Investigation of Sub-60mV/dec-Swing Negative Capacitance Field Effect Transistor with Ferroelectric Zirconium-Doped Hafnium Oxide 電子研究所・共同指導：簡昭欣負電容、氧化鉿鋯、鐵電、電晶體、negative capacitance、HfZrO2、ferroelectric、transistor	博士	99	2019-02-09	8.53 年
107	運用機械應力於無摻雜氧化鉿薄膜之鐵電特性和機制探討 Investigation on Ferroelectric Mechanism of Dopant-Free Hafnium Oxide Induced by Mechanical Stress 電子研究所・共同指導：張俊彥無摻雜氧化鉿薄膜、氧化鉿鐵電材料、負電容、Dopant-free HfO2、Hafnium Oxide Ferroelectric Material、Negative Capacitance Effect	碩士	105	2018-08-19	2.05 年
107	探討具有氧化鉿鋁鐵電薄膜之陡峭次臨界擺幅負電容電晶體之研究 Investigation of Steep-Slope Negative Capacitance Transistors Using Ferroelectric Hafnium Aluminum Oxides 電子研究所・共同指導：張俊彥負電容電晶體、鐵電材料、熱穩定性、Negative capacitance FET、Ferroelectric material、Thermal stability	碩士	105	2018-08-19	2.05 年
105	應變閘極堆疊負電容鐵電介電層應用於低功耗記憶體與次10奈米電晶體之研究 Strained-Gate with Negative Capacitance Ferroelectric Dielectric Layer for Energy Efficient Memories and Sub-10nm Transistors 電子研究所・共同指導：張俊彥鐵電、負電容、氧化鋯鉿、非揮發性、記憶體、ferroelectric、negative capacitance、HfZrO、nonvolatile、memory	博士	103	2017-06-13	2.87 年
102	氧化鍺覆蓋層在二氧化鈦與鋯鈦酸鉛基底之電阻式隨機存取記憶體之研究 The Investigation of GeO Capping layer on TiO2 Based and PZT Based Resistive Random-Access Memory 電子工程學系電子研究所・共同指導：荊鳳德電阻式隨機存取記憶體、二氧化鈦、鋯鈦酸鉛、RRAM、TiO2、PZT	博士	97	2014-06-04	5.84 年
101	氧化鋁/二氧化鈦電阻式記憶體元件的低功率開關特性探討 Switching Characteristics of Low-Power Al2O3/TiO2 Resistive Memory Devices 電子工程學系電子研究所・共同指導：荊鳳德電阻式記憶體元件、氧化鋁、二氧化鈦、低功率、resistive random access memory、Al2O3、TiO2、Low-Power	碩士	100	2013-07-26	1.98 年