周武清

Chou, Wu-Ching・理學院・電子物理學系、國際半導體越南境外專班、理學院碩士在職專班-應用科技組、電子物理系所、越南境外碩士專班

碩士平均畢業時長

2.03 年

中位數 1.98 年・83 人

在職專班平均畢業時長

2.09 年

中位數 2.07 年・3 人

博士平均畢業時長

5.32 年

中位數 5.37 年・16 人

收錄論文

105 篇

100–114 學年度

全校中位數（供對照）

碩士 2.10・在職專班 2.08・博士 6.11 年

畢業時長趨勢

每學年度畢業人數

只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。

研究關鍵字

分子束磊晶Molecular beam epitaxyMBE氮化鎵硒化鎵GaNGaSe量子點quantum dots三硒化二銦高電子遷移率電晶體X光吸收光譜In2Se3Photoluminescence二維材料異質結構凡德瓦磊晶Heterostructure拉曼光譜X-ray Absorption Spectroscopy磁極化子光激螢光氧化鋅ZnO二硒化鎢Tungsten diselenidevan der Waals EpitaxyIndium selenide二維電子氣2DEGHEMT分子束磊晶系統Bound magnetic polaron成長機制growth mechanismGa2O3硒化銦Raman Spectroscopy氧化鎵GaN HEMT晶粒尺寸X光激發螢光Fe diffusionX-ray excited optical luminescence同步輻射太陽能電池synchrotron radiationOptical propertieshigh electron mobility transistordislocation density

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指導論文

學年度	論文	學制	入學	提交日期	畢業時長
114	低溫分子束磊晶成長二硒化鎢之成長機制與動力學研究 Growth Kinetics and Mechanism of Low-Temperature Molecular Beam Epitaxy Grown WSe₂ 電子物理學系分子束磊晶、二硒化鎢、二維材料、成長機制、Molecular beam epitaxy、Tungsten diselenide、two-dimensional material、growth mechanism	碩士	113	2026-07-27	1.98 年
114	以分子束磊晶技術成長二維二硒化鎢/二維硒化鎵之異質結構的磊晶成長機制和特性研究 Growth Mechanism and Characterization of 2D-WSe₂/2D GaSe Heterostructures Grown by Molecular Beam Epitaxy 電子物理學系分子束磊晶、硒化鎵、二硒化鎢、異質結構、凡德瓦磊晶、Molecular Beam Epitaxy、Gallium Selenide、Tungsten Diselenide、Heterostructure、van der Waals Epitaxy	碩士	113	2026-07-27	1.98 年
114	以分子束磊晶技術成長硒化鎵/三硒化二銦之二維材料異質結構的成長機制與應變分析研究 Growth Mechanism and Strain Analysis of 2D-GaSe/2D-In2Se3 Heterostructures Grown by Molecular Beam Epitaxy 電子物理學系分子束磊晶、三硒化二銦、硒化鎵、異質磊晶、薄膜成長機制、應變分析、Molecular beam epitaxy、In2Se3、GaSe、Heteroepitaxy、Growth mechanism of thin films、Strain analysis	碩士	113	2026-07-22	1.97 年
114	基於氧空缺調控 Cu-CoOx/g-C₃N₄ 用於高效光催化 CO₂ 還原與 5-羥甲基糠醛氧化之 X 光光譜研究 X-ray spectroscopic investigation of oxygen-vacancy-engineered Cu-CoOx/g-C₃N₄ for efficient photocatalytic CO₂ reduction coupled with 5-Hydroxymethylfurfural oxidation 電子物理學系・共同指導：董崇禮光催化、Cu 單原子、CoOx 奈米團簇、氧空缺、XAS、XES、STXM、Photocatalysis、Cu single atoms、CoOx nanoclusters、oxygen vacancies	碩士	113	2026-07-17	1.96 年
114	平面式雙層結構氣體感測器及畜牧業水質汙染監測 Application of a Planar Bilayer Gas Sensor for Livestock Water Pollution Monitoring 電子物理學系・共同指導：孟心飛平面式雙層結構、氣體感測器、畜牧業水體汙染、感測陣列、氨氣、硫化氫、Planar bilayer structure、Gas sensor、Livestock water pollution、Sensor array、Ammonia、Hydrogen sulfide	碩士	113	2026-07-16	1.95 年
114	硒化鋅之分子束磊晶與特性分析 Molecular Beam Epitaxy and Characterizations of ZnSe 國際半導體越南境外專班硒化鋅、分子束磊晶、異質磊晶、晶格錯配、閃鋅礦、稀磁半導體、Diluted Magnetic Semiconductors (DMS)、Zinc Selenide (ZnSe)、Molecular Beam Epitaxy (MBE)、Heteroepitaxy、Lattice mismatch、Zinc-blende	碩士	113	2026-06-26	1.90 年
114	利用分子束磊晶單片生長三六族二維層狀化合物/三維三氧化二鎵之異質結構 Monolithic Epitaxial Growth of III–VI 2D Layered Compound/3D Ga2O3 Heterostructures by Molecular Beam Epitaxy 電子物理學系二維層狀材料、三硒化二銦、硒化鎵、三氧化二鎵、混合維度異質結構、分子束磊晶、反射式高能電子繞射儀、單晶片整合、自供電光電探測器、2D layered materials、In2Se3、GaSe、Wide bandgap materials、Ga2O3、Mixed-dimensional heterostructure、Molecular beam epitaxy、RHEED、Monolithic integration	博士	108	2025-08-17	6.05 年
113	以分子束磊晶技術成長之二硒化鎢的成長機制研究 Growth Mechanism of WSe2 Grown by Molecular Beam Epitaxy 電子物理學系分子束磊晶、二硒化鎢、成長機制、Molecular beam epitaxy、Tungsten diselenide、growth mechanism	碩士	112	2025-08-05	2.01 年
113	以分子束磊晶技術成長二維硒化鎵/三維三氧化二鎵之異質結構的磊晶成長特性研究 Epitaxial Growth Characterization of 2D-GaSe/3D-Ga2O3 Heterostructures by Molecular Beam Epitaxy 電子物理學系分子束磊晶、三氧化二鎵、硒化鎵、異質結構、薄膜生長機制、Molecular Beam Epitaxy、Gallium Oxide、Gallium Selenide、Heterostructure、Growth mechanism of thin films	碩士	113	2025-08-05	1.01 年
113	以分子束磊晶技術成長三硒化二銦於砷化鎵基板之成長機制與特性研究 Growth Mechanism and Characteristics of In2Se3 on GaAs Substrates by Molecular Beam Epitaxy 電子物理學系分子束磊晶、相位穩定性、三硒化二銦、砷化鎵基板、晶格對稱性、Molecular Beam Epitaxy、Phase Stability、Indium Selenide (In₂Se₃)、Gallium Arsenide Substrate、Lattice Symmetry	碩士	112	2025-07-31	2.00 年
113	以拉曼散射研究二維半導體之晶體結構 Study of crystal structures of two dimensional semiconductors by Raman scattering 國際半導體越南境外專班拉曼散射、分子束磊晶、硒化銦、二硒化三銦半導體、二維半導體、晶體結構、Raman scattering、Molecular beam epitaxy、InSe、In2Se3、Crystal structures.、two-dimensional semiconductors	碩士	110	2025-07-07	3.93 年
113	以分子束磊晶打造二維銦硒半導體之多相結構調控與先進元件應用 Phase Engineering and Advanced Device Application of Two-Dimensional In–Se Semiconductors Grown by Molecular Beam Epitaxy 電子物理學系硒化銦、分子束磊晶、相位調控、場效電晶體、凡德瓦磊晶、Indium selenide、Molecular beam epitaxy (MBE)、Phase engineering、Field-effect transistor (FET)、FVan der Waals epitaxy (vdWE)	博士	107	2025-04-23	6.73 年
113	碳化矽粉體合成方式及分子束磊晶於不同碳化矽基板成長二維材料之評估 Evaluation of SiC Powder Synthesis Methods and Growth of 2D Material on Different SiC Substrates by Molecular Beam Epitaxy 理學院碩士在職專班-應用科技組碳化矽、直接碳化、分子束磊晶、二維材料、拉曼光譜、SiC、Direct Carbonization、Molecular Beam Epitaxy、2D material、Raman Spectroscopy	碩士在職專班	111	2024-10-04	2.18 年
113	分子束磊晶成長之三硒化二銦的晶相、結構方向、厚度及大小操控研究 Control of crystal phase, structure orientation, thickness, and size of In2Se3 grown by molecular beam epitaxy 電子物理學系二維材料、三硒化二銦、層數依賴性、可控成長、定向成長、介面改質、Two dimensional material、Indium selenide、Layer dependency、Controlled growth、Alignment growth、Surface modification	碩士	111	2024-08-27	2.07 年
113	分子束磊晶成長異質結構二維硒化鎵/三維氧化鎵於藍寶石基板上之結構與表面特性研究 Structural and Surface Analysis of Two-dimensional GaSe/Three-dimensional Ga2O3 Heterostructures Grown on C-sapphire by Molecular Beam Epitaxy 理學院碩士在職專班-應用科技組二維層狀材料、硒化鎵、氧化鎵、混合異質結構、分子束磊晶、2D layered materials、GaSe、Ga2O3、hybrid heterostructure、Molecular beam epitaxy	碩士在職專班	111	2024-08-26	2.07 年
113	分子束磊晶成長之硒化鎵/三硒化二銦異質結構的生長機制和特性研究 Growth Mechanism and Characteristics of GaSe/In2Se3 Heterostructure Grown by Molecular Beam Epitaxy 電子物理學系分子束磊晶、三硒化二銦、硒化鎵、凡德瓦磊晶、異質結構、Molecular Beam Epitaxy、GaSe、In2Se3、Van der Waals epitaxy、heterostructure	碩士	111	2024-08-20	2.05 年
113	以分子束磊晶技術成長之二硒化鎢/三硒化二銦的成長機制研究 Growth Mechanism of WSe2/ In2Se3 Heterostructure Grown by Molecular Beam Epitaxy 電子物理學系二維材料、異質結構、二硒化鎢、分子束磊晶、Molecular beam epitaxy、Tungsten diselenide、heterostructure	碩士	111	2024-08-14	2.04 年
112	應用於高效能功率電子之氮化鎵高電子遷移率電晶體結構的磊晶成長與特性研究 Growth and Characteristics of GaN-based High Electron Mobility Transistor Structures for High-Efficiency Power Electronics 電子物理學系氮化鎵高電子遷移率電晶體、分子束磊晶、有機金屬化學氣相沉積、三維轉換為二維生長機制、勞厄奈米繞射、氮化矽插層、應力鬆弛、薄膜載子濃度、垂直漏電流、擊穿電壓、差排、GaN HEMT、MBE、MOCVD、3D/2D、Laue nanodiraction、SiN interlayer、stress relaation、sheet carrier concentration、vertical leakage、breakdown voltage、dislocations	博士	107	2024-03-28	5.66 年
111	分子束磊晶成長β-型三硒化二銦/β-型氧化鎵於藍寶石基板上結構與表面特性之研究 Structural & Surface Characteristics of β-In2Se3/β-Ga2O3 on C-Sapphire Substrate grown by Molecular Beam Epitaxy(MBE) 理學院應用科技學程分子束磊晶、β-型氧化鎵、β-型三硒化二銦、RMS、晶粒尺寸、W-H圖、Molecular Beam Epitaxy、β-Ga2O3、β-In2Se3、Crystallite size、W-H plot	碩士在職專班	110	2023-08-14	2.03 年
111	以分子束磊晶法成長二維三族金屬硫屬化物的生長機制和物理性質 Growth Mechanism and Physical Properties of Two-Dimensional Group III-Metal Chalcogenides Grown by Molecular Beam Epitaxy 電子物理系所分子束磊晶、三-六族鎵硫屬化物、壓力誘導結構相變、GaSe、h-GaSe1-xTex、InGaSe、螺旋位錯驅動（SDD）、逐層（LBL）生長模式、MBE、group III-VI metal chalcogenides、pressure-induced structural-phase transition、GaSe1-xTex、SDD、LBL growth modes	博士	108	2023-08-09	4.02 年
111	利用奈米X光繞射研究氮化鎵高電子遷移率電晶體結構之鐵原子擴散現象 Study of Fe diffusion in GaN high electron mobility transistor structure using X-ray nano-diffraction 越南境外碩士專班氮化鎵高電子遷移率電晶體、奈米X光繞射、鐵原子擴散、X光激發螢光、GaN HEMT、X-ray nano-diffraction、Fe diffusion、X-ray excited optical luminescence	碩士	110	2023-07-31	2.00 年
111	利用凡德瓦磊晶堆疊硒化鎵與三硒化二銦之分子束磊晶成長機制與特性分析 Growth Mechanism and Characteristics of GaSe and In2Se3 Grown by van der Waals Epitaxy Using Molecular Beam Epitaxy 電子物理系所分子束磊晶、硒化鎵、三硒化二銦、晶粒尺寸、異質結構、凡德瓦磊晶、Molecular Beam Epitaxy、GaSe、In2Se3、lateral size、heterostructure、van der Waals epitaxy	碩士	110	2023-07-31	2.00 年
111	透過斜切藍寶石基板成長二維三硒化二銦之區域工程 Domains Engineering of Epitaxial 2D-In2Se3 Thin Films by Miscut Sapphire Substrates 電子物理系所二為材料、斜切藍寶石基板、選區成長、三硒化二銦、分子束磊晶、單向成長、Molecular beam epitaxy、Low temperature epitaxy、Indium selenide、Site-selective Growth、Unidirectional growth	碩士	110	2023-07-31	2.00 年
111	以RIXS研究銅氧化物之超導相變中電荷能隙演變 Evolution of the charge gap across the superconducting phase transition of cuprate: A RIXS study 電子物理系所・共同指導：黃迪靖超導性、銅氧化物、電荷能隙、偽能隙、軟x光共振非彈性散射、superconductivity、cuprates、charge gap、pseudogap、resonant inelastic x-ray scattering	碩士	110	2023-07-27	1.98 年
111	覆蓋層效應之氧化鉿基鐵電記憶體於類神經網路之應用 Investigation of Hafnium Oxide-Based Ferroelectric Memory with Capping Layer Effect for Neuromorphic Applications 電子物理系所・共同指導：鄭淳護氧化鉿基、鐵電記憶體、氧化鋁、覆蓋層、類神經網路系統、HfO2-based、FeRAM、Al2O3、Capping layer、Neuromorphic	博士	106	2023-07-02	5.92 年
111	原位同步輻射光譜在光電催化材料介面電子結構之研究 In-situ X-ray Spectroscopic Studies on Interfacial Electronic Structures of Photo/Electrocatalytic Materials 電子物理系所可再生能源、電催化水分解、光催化水分解、層狀雙氫氧化物、石墨氮化碳、原位X光吸收光譜、掃描透射X光顯微術、Renewable energy、Electrocatalytic、Photocatalytic、Layered double hydroxides、Graphitic carbon nitride、In-situ/Operando X-ray absorption spectroscopy、Scanning transmission X-ray microscopy	博士	106	2022-11-09	5.27 年
110	長在藍寶石基板上的硒化鎵銦三元合金之分子束磊晶與特性研究 Molecular Beam Epitaxy and Characterizations of InGaSe Ternary Alloys on c-sapphire 越南境外碩士專班硒化鎵銦三元合金、二維到三維轉變時間、分子束磊晶、InGaSe ternary alloy、2D to 3D transition time、MBE	碩士	109	2022-08-04	2.01 年
110	分子束磊晶成長之硒化鎵異質結構的成長與特性研究 Growth and characterization of GaSe-based heterostructures grown by molecular beam epitaxy 越南境外碩士專班硒化鎵異質結構、分子束磊晶、物理機制、GaSe-based heterostructure、molecular beam epitaxy、physical mechanism	碩士	109	2022-08-04	2.01 年
110	低溫成長於二維與三維材料表面之二維材料的成長機制與特性分析 Growth Mechanism and Characteristics of Two-Dimensional Materials Grown at Low Temperature on the Surface of 2D and 3D Materials 電子物理系所分子束磊晶、低溫磊晶、硒化銦、應力、凡德瓦磊晶、介面、晶粒尺寸、Molecular beam epitaxy、Low temperature epitaxy、Indium selenide、Strain、Van der Waals epitaxy、Interface、Grain size	碩士	109	2022-07-24	1.98 年
110	電漿輔助式分子束磊晶技術成長氧化鎵薄膜之結構與光學特性分析 Structural and Optical Characteristics of Ga2O3 Epi-layers Grown by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy 電子物理系所電漿輔助式分子束磊晶、氧化鎵、低溫緩衝層、晶體結構分析、plasma-assisted molecular beam epitaxy、Ga2O3、low temperature buffer layer、crystal structure analysis	碩士	109	2022-07-20	1.97 年
110	新世代鎵基半導體之成長與特性研究 Growth and characteristics of the Ga-based new generation semiconductors 電子物理系所硒化鎵、應力工程、橫向尺寸、氧化鎵、電漿輔助分子束磊晶、GaSe、strain engineering、lateral size、β-Ga2O3、PA-MBE	博士	105	2022-07-06	5.93 年
110	利用X光吸收光譜研究銀修飾釩酸鉍用於光電化學水分解效率增益之機制 Unveiling the Origin of Ag Decorated BiVO4 for Enhanced Photoelectrochemical Water Splitting with X-ray Absorption Spectroscopy Study 電子物理系所・共同指導：董崇禮釩酸鉍、太陽能轉換氫氣、光電化學水分解、X光吸收光譜、局域性表面電漿共振、Bismuth Vanadate (BiVO4)、Solar Hydrogen Production、Photoelectrochemical (PEC)Water Splitting、X-ray Absorption Spectroscopy、Localized Surface Plasmon Resonance Effect	碩士	108	2022-01-23	2.48 年
110	應用於功率元件之氮化鎵高電子遷移率電晶體的磊晶成長與特性分析 Epitaxial growth and characteristics of GaN high electron mobility transistors for power device application 電子物理系所氮化鎵、鎂摻雜、鐵摻雜、三維成長、有機金屬化學氣相沈積、高電子遷移率電晶體、GaN HEMT、Mg doping、Fe doping、SiN interlayer、3D growth、MOCVD	博士	105	2021-09-06	5.10 年
110	以同步輻射光電子能譜探索光伏半導體元件特性及硒化銦之磊晶動力學研究 Characterization of Photovoltaic Semiconductor Devices by Synchrotron Radiation Photoelectron Spectroscopy and the Growth Mechanism of InSe 電子物理系所・共同指導：吳品鈞同步輻射、光電子能譜、太陽能電池、X光繞射、分子束磊晶、synchrotron radiation、X-ray photoelectron spectroscopy、solar cell、X-ray diffraction、molecular beam epitaxy	博士	103	—	無法計算
109	以分子束磊晶法在氮化鎵/藍寶石基板上成長三元合金的二維碲硒化鎵晶格工程研究 Lattice Engineering in 2D-GaSe1-xTex Ternary Alloys Grown on GaN/sapphire Platform by Molecular Beam Epitaxy 電子物理系所二維碲硒化鎵三元合金、操縱能隙、分子束磊晶法、晶格參數的放大度、2D GaSe1-xTex ternary alloy、bandgap tunability、lattice parameter expansion、MBE	碩士	108	2021-07-25	1.98 年
109	二維三硒化二銦之分子束磊晶成長機制與特性分析 Growth Mechanism and Characteristics of Two-dimensional In2Se3 Grown by Molecular Beam Epitaxy 電子物理系所分子束磊晶、大面積、三硒化二銦、成長機制、場效電晶體、molecular beam epitaxy、large-area、In2Se3、growth mechanism、field-effect transistor	碩士	108	2021-07-10	1.94 年
109	鐵飽和與析出對重摻雜鐵的氮化鎵高電子遷移率電晶體之電學和光學性質影響 Effects of the Fe saturation and segregation on the electrical and optical properties of heavily Fe-doped GaN high electron mobility transistors 電子物理系所重鐵摻雜、高電子遷移率電晶體、二維電子氣、鐵析出、鐵擴散、三維成長、鐵阻擋層、Heavily Fe-doping、High electron mobility transistors、2DEG、Fe segregation、Fe diffusion、3D growth、Fe mask	碩士	108	2021-07-09	1.94 年
109	二維碲化鎵材料的分子束磊晶成長和光學性質分析 MOLECULAR BEAM EPITAXY AND OPTICAL PROPERTIES OF TWO-DIMENSIONAL GALLIUM TELLURIDE 電子物理系所碲化镓、分子束外延、二维材料、光学性质、Gallium Telluride、Molecular beam epiaxy、Two-dimensional materials、Optical properties	碩士	107	2021-02-17	2.55 年
109	以奈米X光探測氮化矽插入層對高電子遷移率氮化鎵電晶體的影響 Influence of SiNx interlayer on GaN-based HEMT investigated by nano-beam X-ray 電子物理系所氮化鎵、高電子遷移率電晶體、奈米X光、聚焦離子束顯微鏡、偏應力、缺陷密度、X光激發螢光、側向成長、GaN、high electron mobility transistor、nano-beam X-ray、focused ion beam、deviatoric stress、dislocation density、X-ray excited optical luminescence、Epitaxial Lateral Overgrowth	碩士	107	2020-11-24	2.32 年
108	環保碳量子點於螢光太陽能聚光器之光物理性質研究 Photophysical Properties of Luminescent Solar Concentrators Based on Eco-friendly Carbon Dots 電子物理系所・共同指導：院繼祖碳量子點、螢光太陽能聚光器、高負載濃度、carbon dots、luminescent solar concentrators、high-loading concentration	博士	105	2020-08-25	4.07 年
108	有機金屬化學氣相沉積成長之重摻雜P型氮化鎵/氮化鋁鎵的鎂活化與擴散研究 Study of activation and diffusion of magnesium in heavily Mg-doped p-GaN/AlGaN grown by MOCVD 電子物理系所鎂摻雜氮化鎵、氮化鎵、p型氮化鎵、活化、鎂原子擴散、鎂原子析出、Mg-doped GaN、GaN、p-GaN、activation、Mg diffusion、Mg segregation	碩士	107	2020-07-28	1.99 年
108	應用於高電子遷移率電晶體之氮化鋁鎵/氮化鎵二維與三維電子氣異質結構特性研究 Characteristics of AlGaN/GaN two and three dimensional electron gas heterostructures for the application of high electron mobility transistor 電子物理系所二維電子氣、三維電子氣、氮化鋁鎵、高電子遷移率電晶體、分子束磊晶、2DEG、3DEG、AlGaN、High electron mobility transistor、Molecular Beam Epitaxy	碩士	107	2020-07-27	1.99 年
108	以分子束磊晶技術成長的二維電子氣氮化銦鎵與氮化鋁異質接面之成長與特性研究 Study of growth and characteristics of two dimensional electron gas (2DEG) InGaN/AlN heterostructure grown by molecular beam epitaxy 電子物理系所分子束磊晶、氮化銦鎵、二維電子氣、螢光光譜、反射光譜、表面特性、MBE、InGaN、2DEG、PL、reflectance、morphology	碩士	107	2020-07-27	1.99 年
108	高崩潰電壓與高電子遷移率電晶體中的鐵重摻雜氮化鎵緩衝層之鐵抑制擴散研究 Study of suppressing Fe diffusion in heavily Fe-doped GaN buffer layer of high breakdown voltage HEMT 電子物理系所氮化鎵、鐵重摻雜、高電子遷移率電晶體、高崩潰電壓、鐵析出、鐵擴散、GaN、heavily Fe-doped、HEMT、high breakdown voltage、Fe segregation、Fe diffusion	碩士	107	2020-07-13	1.95 年
108	以分子束磊晶成長的硒化鎵片狀三角形之成核機制與尺寸控制研究 Study of nucleation mechanism and size control of GaSe triangular flakes grown by molecular beam epitaxy 電子物理系所硒化鎵、分子束磊晶、三角形、成核、尺寸控制、電子顯微鏡、拉曼光譜、GaSe、MBE、triangular flakes、nucleation、size control、SEM、Raman spectroscopy	碩士	107	2020-07-13	1.95 年
108	運用遠程氮電漿處理之無摻雜氧化鉿負電容鐵電電晶體之探討 Investigation of Dopant-Free HfO2 Ferroelectric Negative Capacitance Transistor with Remote Nitrogen Plasma Treatment 電子物理系所・共同指導：鄭淳護氧化鉿、負電容效應、HfO2、negative capacitance effect	碩士	106	2019-08-26	2.07 年
108	超薄氧化鋁鉿鐵電負電容電晶體應用於先進低功耗CMOS技術之研究 Ferroelectric Negative Capacitance Transistor Using Ultrathin Hafnium Aluminum Oxide for Advanced Low-Power CMOS Application 電子物理系所・共同指導：張俊彥、鄭淳護鐵電、負電容電晶體、超薄、氧化鋁鉿、漏電流、次臨界擺幅、多域、輻射、摻雜、金屬閘極應力、Ferroelectric、Negative Capacitance Transistor、Ultrathin、Hafnium Aluminum Oxide、Leakage、Subthreshold Swing、Multi-domain、Radiation、Dopant、Metal Gate Stress	博士	104	2019-01-04	3.43 年
107	以分子束磊晶成長二維硒化鎵在砷化鎵 (001) 之螺旋差排生長模式和光學特性 SCREW-DISLOCATION-DRIVEN GROWTH MODE AND OPTICAL PROPERTIES OF TWO-DIMENDIONAL GALLIUM SELENIDE ON GALLIUM ARSENIDE (001) BY MOLECULAR BEAM EPITAXY 電子物理系所硒化鎵、螺桿脫位驅動、分子束磊晶成、拉曼光譜、溫度依賴性光致發光、相變、GaSe、Screw-dislocation-driven、Molecular beam epitaxy、Raman spectroscopy、Temperature-dependent Photoluminescence、Phase transition	碩士	106	2019-08-10	2.02 年
107	利用同步加速器奈米 X 光束探測高電子遷移率電晶體異質結構的晶體結構與光學性質 Using synchrotron nano-beam X-ray to probe the crystal structure and its optical properties for HEMT heterostructure 工學院加速器光源科技與應用學位學程・共同指導：古慶順高電子遷移率電晶體、氮化鎵、同步輻射、勞厄繞射、缺陷密度、偏應力、X光激發螢光、High Electron Mobility Transistor、GaN、Synchrotron radiation、Laue diffraction、Dislocation density、Deviatoric stress、X-ray Excited Optical Luminescence	碩士	106	2019-07-29	1.99 年
107	二茂鎂流量對P型氮化鎵之結構、光性與電性影響 Influence of Cp2Mg flow rate on the structural,electrical,and optical properties of p-type GaN 電子物理系所鎂、氮化鎵、摻雜、光性、結構、電性、Mg、GaN、doped、optical properties、structural properties、electrical properties	碩士	106	2019-07-27	1.98 年
107	分子束磊晶成長矽摻雜氮化鎵薄膜之特性分析 Growth and characterization of Si doped GaN thin film grown by Molecular Beam Epitaxy 電子物理系所分子束磊晶、矽摻雜氮化鎵、三五族、MBE、Si doped GaN	碩士	106	2019-07-27	1.98 年
107	以分子束磊晶成長二維層狀硒化鎵之結構與拉曼光譜分析 Structure and Raman Spectra Analysis of 2D-Layered Gallium Selenide Grown by Molecular Beam Epitaxy 電子物理系所分子束磊晶、二維材料、硒化鎵、拉曼光譜、MBE、2D Material、GaSe、Raman Spectra	碩士	106	2019-07-27	1.98 年
107	分子束磊晶成長不同組成之氮化銦鎵薄膜與氮化鋁/氮化銦鎵異質結構之特性研究 Characteristics of InxGa1-xN epilayers and AlN/InGaN heterostructures grown by molecular beam epitaxy 電子物理系所氮化銦鎵、分子束磊晶、氮化鋁/氮化銦鎵、三族氮化物、InGaN、molecular beam epitaxy、AlN/InGaN、III-N materials	碩士	106	2019-07-01	1.91 年
107	以不同介面處理方式調控氮化鋁/氮化鎵異質結構之電特性 Control of electrical properties of AlN/GaN heterostructure by varying interfacial treatment 電子物理系所氮化鎵、氮化鋁、介面處理、GaN、AlN	碩士	106	2019-07-01	1.91 年
107	LaCoO3薄膜的磊晶成長及共振非彈性X光散射研究 Epitaxial growth and RIXS study of LaCoO3 thin films 電子物理系所・共同指導：黃迪靖 LaCoO3、激子絕緣體、非彈性共振X光散射、自旋態調變、伸張應變力、excitonic insulator、RIXS、spin states variability、tensile strain	碩士	105	2018-08-23	2.06 年
107	鐵電氧化鉿鋯負電容電晶體於鋯摻雜效應之研究 Investigation on Zirconium-Doping Effect of Negative Capacitance Transistors with Ferroelectric Hafnium Zirconium Oxides 電子物理系所鐵電材料、氧化鉿鋯、負電容電晶體、Ferroelectric、Hafnium Zirconium Oxides、Negative Capacitance Transistors	碩士	105	—	無法計算
106	利用同步加速器光源技術研究基板溫度及通氧脈衝時間於二氧化鉿高介電材料的晶體及電子特性之效應 Effects of Deposition Temperature of Substrate and Oxygen Pulse Time on Crystalline and Electronic Properties of HfO2 High-k Dielectrics Studied by Synchrotron Radiation Techniques 電子物理系所・共同指導：吳品鈞 X光繞射、X光光電子能譜、X光吸收光譜、第一原理之模擬計算、二氧化鉿、X-ray Diffraction、X-ray Photoemission Spectroscopy、X-ray Absorption Spectroscopy、First Principle Calculation、HfO2	碩士	105	2018-07-29	1.99 年
106	二乙烯三胺摻雜二硫化鉬量子點負光電導特性分析 Analysis of negative photoconductivity in DETA-doped MoS2 quantum dots 電子物理系所二硫化鉬、量子點、負光電導、MoS2、quantum dots、negative photoconductivity	碩士	105	2018-07-29	1.99 年
106	分子束磊晶成長之氮化鋁鎵薄膜及氮化鋁鎵/氮化鎵二維電子氣異質結構之特性研究 Characterization of AlxGa1-xN Epilayers and AlGaN/GaN 2DEG Heterostructures Grown by Molecular Beam Epitaxy 電子物理系所氮化鎵、氮化鋁鎵、二維電子氣、分子束磊晶、高電子遷移率、薄膜、GaN、AlGaN、2DEG、Molecular Beam Epitaxy、HEMT、Thin film	碩士	104	2018-07-26	2.98 年
106	前瞻顯示器銦鎵鋅氧薄膜電晶體於結構相關之偏壓穩定性與照光熱載子效應物理機制研究 Physical Mechanism of Structure-dependent Bias Stability and Illuminated Hot-carrier effect on Reliability of InGaZnO Thin-Film Transistors for Advanced Displays 電子物理系所・共同指導：張鼎張薄膜電晶體、銦鎵鋅氧、熱載子效應、蝕刻終止層、可靠度、短通道效應、氧空缺、thin film transistor、InGaZnO、hot-carrier effect、etch stop layer、reliability、short channel effect、oxygen vacancy	博士	102	2018-07-25	4.98 年
106	以氮化矽插入層磊晶調控優化高電子遷移率氮化鎵電晶體之性能 Performance improvement of GaN-based HEMT by the control of SiNx interlayer epitaxial growth 電子物理系所氮化鎵、高電子遷移率電晶體、緩衝層、氮化矽插入層、差排密度、薄膜應力、空洞、GaN、HEMT、Buffer layer、SiNx interlayer、dislocation density、thin-film strain、void	碩士	105	2018-07-04	1.92 年
106	硒化鎵薄膜磊晶品質優化以及光學特性研究 Growth optimization and optical properties of GaSe thin film 電子物理系所硒化鎵、品質優化、拉曼光譜、光誘發氧化、薄膜應力、GaSe、growth optimization、raman spectra、photon-induced oxidation、thin film strain	碩士	105	2018-07-04	1.92 年
106	應用於高電子遷移率電晶體之氮化鋁和氮化鎵薄膜品質優化 Optimization of GaN and AlN epilayer for HEMT application 電子物理系所氮化鎵、氮化鋁、高電子遷移率電晶體、氮化物異質結構、GaN、AlN、HEMT、heterostructures of nitride materials	碩士	105	2018-07-02	1.92 年
105	分子束磊晶成長硒化鎘量子點之成長機制及光偵測器特性分析 Growth Mechanism and Photodetector Properties of CdSe Quantum Dots Grown by Molecular Beam Epitaxy 電子物理系所分子束磊晶系統、硒化鎘量子點、光偵測器、MBE、CdSe QDs、photodetector	碩士	104	2017-08-01	2.00 年
105	以不同載子生命期調控碲化錳鋅量子點耦合硒化鎘鋅量子井之磁極化子形成機制 Control of the Magnetic Polaron Formation Mechanism by Different Carrier Lifetime in ZnMnTe Quantum Dots Coupled with ZnCdSe Quantum Well 電子物理系所分子束磊晶系統、硒化錳鋅量子點、載子生命期、磁極化子、MBE、ZnMnTe QDs、Carrier lifetime、Bound magnetic polaron	碩士	104	2017-08-01	2.00 年
105	以不同介面磊晶方式調控氮化鋁鎵／氮化鎵異質結構之電特性分析 Control of the electrical properties of AlxGa1-xN/GaN heterostructure by varying the interfacial epitaxy 電子物理系所二為電子氣、氮化鋁鎵／氮化鎵異質結構、介面磊晶、2D electron gas、AlxGa1-xN/GaN heterostructure、Interfacial epitaxy	碩士	104	2017-07-31	2.00 年
105	分子束磊晶成長碲化鋅/硒化鎘鋅量子點經快速熱退火後之熟成機制研究 Effect of Rapid Thermal Annealing on the Ripening Mechanism of ZnTe/ZnCdSe Quantum Dots Grown by Molecular Beam Epitaxy 電子物理系所分子束磊晶、II-VI族半導體、量子點、快速熱退火、熟成、Molecular Beam Epitaxy、II-VI semiconductors、Quantum Dots、Rapid thermal annealing、Ripening	碩士	104	2017-07-30	2.00 年
105	碲化鋅/硒化鎂鋅量子點熱退火後熟成與內擴散競爭之機制研究 Study of competition mechanism between ripening and interdiffusion in ZnTe/ZnMgSe quantum dots by rapid thermal annealing 電子物理系所分子束磊晶系統、碲化鋅量子點、熱退火、MBE、ZnTe quantum dots、thermally anneal	碩士	104	2017-07-27	1.99 年
105	以不同位置的錳摻雜調控碲化鋅／硒化鋅量子點磁極化子形成機制 Manipulating the formation mechanism of magnetic polaron by Mn doping in different position of ZnTe/ZnSe quantum dots 電子物理系所稀磁性半導體、束縛磁極化子、第二型能帶結構量子點、分子束磊晶、Diluted Magnetic Semiconductor、Bound Magnetic Polaron、Type II Quantum Dots、Molecular Beam Epitaxy	碩士	104	2017-07-27	1.99 年
105	利用同步輻射X光吸收光譜對銀電漿子/二氧化矽核-殼結構奈米顆粒修飾石墨氮化碳電子結構及光催化機制之研究 Electronic Structure and Photocatalytic Mechanism of Graphitic Carbon Nitride Modified with Plasmonic Ag@SiO2 Core-shell Nanoparticles by X-ray Absorption Spectroscopy 電子物理系所石墨氮化碳、局域性表面電漿共振、X光吸收光譜、光催化水分解、光觸媒、Graphitic carbon nitride、Localized surface plasmon resonance、X-ray absorption spectroscopy、Solar water splitting、photocatalytic	碩士	104	2017-07-23	1.98 年
105	金屬氧化物電阻式記憶體之軟崩潰機制研究與元件特性改善 The research of soft breakdown mechanism in metal oxide resistive random access memory and improvement to device characteristic 電子物理系所・共同指導：張鼎張電阻式記憶體、金屬氧化物、電負度、軟崩潰電場、可靠度、鏈鎖反應、RRAM、metal oxide、electronegativity、Soft breakdown electric field、Reliability、chain effect	碩士	104	2017-07-12	1.95 年
105	利用同步輻射原位X光吸收光譜對新興能源材料電子結構之研究 In situ/Operando Synchrotron X-ray Spectroscopic Characterization of Electronic Structure of Energy-Related Materials 工學院加速器光源科技與應用學位學程・共同指導：陳政龍同步輻射、x光吸收光譜、五氧化二釩、二氧化錳、智慧玻璃、Synchrotron radiation、X-ray absorption spectroscopy、V2O5、MnO2、Smart windows	博士	100	2017-01-18	5.47 年
105	利用同步輻射光源技術研究薄膜太陽能與鋰電池材料的晶體結構與電子特性 Crystalline Structure and Electronic Properties of Thin-Film Solar Cell and Li-ion Battery Materials Studied by Synchrotron-Based Techniques 電子物理系所・共同指導：吳品鈞磷酸鋰鐵、銅銦鎵硒、鋰電池、太陽能電池、M1位置、縱深分佈、X光吸收光譜、掃描式光電子能譜、LiFePO4、CIGS、Li-ion battery、solarcell、M1 site、depth profile、X-ray absorption spectroscopy、SPEM	博士	100	2016-10-06	5.18 年
105	以分子束磊晶法在溝槽結構矽基板上成長氮化鎵之特性研究 Research of GaN Grown in Si Nano-Trench Structure by Molecular Beam Epitaxy 電子物理系所分子束磊晶、氮化鎵、矽溝槽基板、拉曼、光激螢光、MBE、GaN、Si、Nano-Trench、Raman Scattering、Photoluminescence	碩士	103	2016-08-22	2.06 年
105	Ta和Nb摻雜赤鐵礦納米棒束作為有效的光催化水分解樣品之電子結構 Electronic structures of Ta-and Nb-doped hematite nanorods for efficient photoelectrochemical water splitting. 工學院加速器光源科技與應用學位學程・共同指導：陳政龍水分解、赤鐵礦、X光吸收光譜、光電化學、Water splitting、Hematite (α-Fe2O3)、X-ray absorption spectroscopy (XAS)、Photoelectrochemical (PEC)	碩士	103	—	無法計算
104	分子束磊晶成長碲化鋅/硒化鋅布拉格反射器之反射量測與擬合 Reflectance measurement and simulation of ZnTe/ZnSe distributed Bragg reflector grown by molecular beam epitaxy 電子物理系所布拉格反射器、分子束磊晶成、碲化鋅/硒化鋅、反射、680 nm、distributed Bragg reflector、molecular beam epitaxy、ZnTe/ZnSe、Reflectance measurement	碩士	103	2016-08-11	2.03 年
104	分子束磊晶成長氯摻雜覆蓋層對硒化鎘量子點之光學特性影響 Effects of Cl-doped ZnSe Capping Layer on the Optical Properties of CdSe Quantum Dots Grown by Molecular Beam Epitaxy 電子物理系所分子束磊晶、硒化鎘、氯摻雜、MBE、CdSe、Cl-doped	碩士	103	2016-08-08	2.02 年
104	利用分子束磊晶成長硒化鋅於矽奈米溝槽及硒化鋅所受應變分佈研究 Strain Distribution of ZnSe Grown in Si Nano-Trench by Molecular Beam Epitaxy 電子物理系所分子束磊晶、硒化鋅、矽奈米溝槽、應變、Molecular Beam Epitaxy、ZnSe、Si nano-trench、Strain	碩士	103	2016-08-03	2.01 年
104	利用電漿輔助式分子束磊晶成長氮化矽／氮化鎵薄膜並觀察其特性分析 Growth and Characteristics of Silicon Nitride on Gallium Nitride by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy 電子物理系所分子束磊晶、氮化鎵、氮化矽、MBE、GaN、SiN	碩士	103	2016-08-03	2.01 年
104	碲化錳鋅／硒化鋅量子點之錳摻雜調控與光學特性 Optical Properties and Control of Mn Doping in ZnMnTe/ZnSe Quantum Dots 電子物理系所分子束磊晶、碲化錳鋅量子點、光激螢光、時間解析光激螢光、磁極化子、Molecular beam epitaxy、ZnMnTe quantum dots、Photoluminescence、Time-resolved photoluminescence、Bound Magnetic Polaron	碩士	103	2016-07-10	1.94 年
104	不同錳濃度碲化鋅/硒化錳鋅量子點的磊晶成長與磁極化子之研究 Epitaxial growth and magnetic polaron of ZnTe/Zn1-xMnxSe quantum dots with different Mn concentration 電子物理系所分子束磊晶、量子點、碲化鋅/硒化錳鋅、光激螢光、時間解析光譜、磁極化子、Molecular beam epitaxy、Quantum dots、ZnTe/Zn1-xMnxSe、Photoluminescence、Time-resolved photoluminescence、Magnetic polaron	碩士	103	2016-07-10	1.94 年
103	氧化鋅成長在藍寶石基板之表面聲波元件特性研究 Surface Acoustic Wave Device Properties of ZnO Grown on Sapphire 工學院加速器光源科技與應用學位學程・共同指導：古慶順表面聲波元件、氧化鋅、磊晶、SAW、ZnO、Epitaxial	碩士	102	2015-07-27	1.98 年
103	分子束磊晶成長碲化鎘／碲化鋅量子點經熱退火之光學特性 Optical Properties of the Thermal Annealed CdTe/ZnTe Quantum Dots Grown by Molecular Beam Epitaxy 電子物理系所碲化鎘、量子點、分子束磊晶、熱退火、CdTe、Quantum Dots、Molecular Beam Epitaxy、Thermal Anealed	碩士	102	2015-07-22	1.97 年
103	稀磁性碲化鋅/硒化錳鋅量子點的成長與磁極化子之研究 Epitaxial growth and magnetic polaron of diluted magnetic semiconductor ZnTe/ZnMnSe quantum dots 電子物理系所碲化鋅、硒化錳鋅、量子點、磁極化子、ZnTe、ZnMnSe、Quantum dots、Magnetic polaron	碩士	102	2015-07-22	1.97 年
103	以分子束磊晶法成長硒化鎘鋅磊晶層及硒化鎘鋅/硒化鋅量子井之光學特性及內部量子效率研究 Optical Property and Internal Quantum Efficiency of Zn1-xCdxSe epilayers and Zn0.80Cd0.20Se/ZnSe Single Quantum Well Grown by Molecular Beam Epitaxy 電子物理系所分子束磊晶、光激螢光、量子井、內部量子效率、Molecular Beam Epitaxy、Photoluminescence、Quantum Well、Internal Quantum Efficiency	碩士	102	2015-07-22	1.97 年
103	分子束磊晶成長自聚性碲化鋅/硒化鎂鋅量子點經熱退火之光學特性研究 Optical Properties of Thermally Annealed ZnTe/Zn1-XMgXSe Self-assembled Quantum Dots Grown by Molecular Beam Epitaxy 電子物理系所量子點、熱退火、碲化鋅、分子束磊晶、Quantum dots、thermally anneal、ZnTe、MBE	碩士	102	2015-07-20	1.97 年
103	前瞻顯示器銦鎵鋅氧薄膜電晶體之偏壓穩定性與電流誘導熱效應物理機制研究 Physical Mechanism of Bias Stability and Current-induced Thermal Effect on Reliability of InGaZnO Thin-Film Transistors for Advanced Displays 電子物理系所・共同指導：張鼎張薄膜電晶體、銦鎵鋅氧、閘極偏壓電應力、水解效應、自我加熱效應、快速量測、分離電極、thin film transistor、InGaZnO、gate bias stress、hydrolysis effect、self-heating effect、fast I-V、expanded-electrode	博士	99	2015-07-18	4.96 年
102	利用原子層沉積儀成長鋁摻雜氧化鋅磊晶薄膜 Epitaxial Al-doped ZnO Thin Films by Using In-situ Doping Atomic Layer Deposition 工學院加速器光源科技與應用學位學程・共同指導：古慶順原子層沉積法、氧化鋅、磊晶、發光二極體、atomic layer deposition、ZnO、epitaxial、LED	碩士	101	2014-07-27	1.98 年
102	利用XAS研究鉬改質氧化釩薄膜於氣致變色反應的特性 Study on Gasochromic Properties of Mo-modified VOx Thin Films by XAS 工學院加速器光源科技與應用學位學程・共同指導：董崇禮氣致變色、氧化釩、X光吸收光譜、電子結構、Gasochromism、VOx、XAS、Electronic structure	碩士	101	2014-07-23	1.97 年
102	利用分子束磊晶系統成長碲化鋅量子點耦合硒化鎘鋅量子井以延長載子生命期之研究 Study of Extending Carrier Lifetime in ZnTe QD Coupled with ZnCdSe QW Grown by Molecular Beam Epitaxy 電子物理系所量子點、量子井、第二型能帶、第一型能帶、長載子生命期、quantum dot、quantum well、Type-II、Type-I、long carrier lifetime	碩士	101	2014-07-20	1.97 年
102	自聚性碲化鋅/硒化鎘鋅量子點之成長與光學特性研究 Self-assembled growth and optical properties of ZnTe/ZnCdSe quantum dots 電子物理系所分子束磊晶、量子點、碲化鋅/硒化鎘、Molecular beam epitaxy、Quantum dots、ZnTe/ZnCdSe	碩士	101	2014-07-15	1.95 年
102	稀磁性碲化鋅/硒化錳鋅量子點的成長與光學特性研究 Epitaxial growth and optical properties of diluted magnetic semiconductor ZnTe/ZnMnSe quantum dots 電子物理系所稀磁性半導體、量子點、分子束磊晶、磁極化子、碲化鋅/硒化錳鋅、Diluted magnetic semiconductor、Quantum dots、Molecular beam epitaxy、Magnetic polaron、ZnTe/ZnMnSe	碩士	100	2014-07-13	2.95 年
102	碲化鋅/硒化鎂鋅量子點之磊晶成長與光學特性分析 Epitaxial growth and optical properties of ZnTe/ZnMgSe QDs 電子物理系所分子束磊晶系統、碲化鋅、量子點、臨界厚度、MBE、ZnTe、quantum dots、wetting layer、critical coverage	碩士	101	2014-07-03	1.92 年
101	高品質氧化鋅、氧化鎂鋅、氧化錳鋅與氧化鎘鋅之成長與光學研究 Growth and optical study of high quality ZnO, ZnMgO, ZnMnO and ZnCdO 電子物理系所分子束磊晶、氧化鋅、氧化錳鋅、氧化鎘鋅、氧化鎂鋅、MBE、ZnO、ZnMnO、ZnCdO、ZnMgO	博士	96	2013-08-07	6.02 年
101	以分子束磊晶法成長氧化錳鋅稀磁性半導體的磁學與光學特性 Magnetic and optical properties of ZnMnO diluted magnetic semiconductor grown by molecular beam epitaxy 電子物理系所分子束磊晶、氧化鋅、稀磁性半導體、共振拉曼散射、束縛磁極化子、Molecular Beam Epitaxy、ZnO、Diluted Magnetic Semiconductor、Resonant Raman Scattering、Bound Magnetic Polaron	碩士	100	2013-08-02	2.00 年
101	氧碲化鋅高度不匹配半導體之中間能帶光學特性研究 Optical Properties of the Intermediate Band in Highly Mismatched ZnTeO Semiconductors 電子物理系所中間能帶、氧碲化鋅、光學特性、Intermediate band、ZnTeO、Optical Properties	碩士	100	2013-07-11	1.94 年
101	在矽基板上以電漿輔助式分子束磊晶法成長氧化鋅奈米柱的特性分析 Growth and Characteristics of ZnO Nanorods Grown on Si(111) by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy 電子物理系所氧化鋅奈米柱、分子束磊晶法、矽基板、ZnO nanorod、Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy、Si substrate	碩士	100	2013-07-04	1.92 年
101	第二型能帶結構硒化錳鋅/碲硒化鋅多重量子井之長生命期等電性碲束縛激子研究 Long-Lived Isoelectronic Te-Bound Excitons in Type-II ZnMnSe/ZnSeTe Multiple Quantum Wells 電子物理系所第二型能帶結構、硒化錳鋅/碲硒化鋅、多重量子井、光激螢光、type-II、ZnMnSe/ZnSeTe、multiple quantum wells、photoluminescence	碩士	100	2013-07-02	1.92 年
101	利用同步輻射X光合成以牛血清蛋白為基板之奈米金團簇並探討其尺寸與螢光行為演進之研究 Size and Photoluminescence Evolution of Gold Nanoclusters with Bovine Serum Albumin as Templates during X-ray Irradiation 電子物理系所・共同指導：胡宇光牛血清白蛋白、奈米金團簇、X射線、bovine serum albumin、gold nanoclusters、X ray	碩士	100	2013-06-22	1.89 年
100	以電漿輔助式分子束磊晶法成長氧化鎂鋅磊晶薄膜與特性研究 Growth and Characterization of ZnMgO Epitaxial Films Grown by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy 電子物理系所分子束磊晶、氧化鋅、氧化鎂鋅、MBE、ZnO、ZnMgO	碩士	99	2012-07-27	1.99 年
100	以分子束磊晶成長之氧化錳鋅薄膜的光學特性研究 Optical properties of ZnMnO thin films grown by molecular beam epitaxy 電子物理系所氧化錳鋅、分子束磊晶、ZnMnO、Molecular beam epitaxy	碩士	99	2012-07-10	1.94 年
100	以電漿輔助式分子束磊晶成長之氧化鎘鋅薄膜在熱效應下的載子遷移過程研究 Thermal-Activated Carrier Transfer Processes in ZnCdO Epilayer Grown by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy 電子物理系所分子束磊晶、氧化鎘鋅、MBE、ZnCdO	碩士	99	2012-07-10	1.94 年
100	利用電激螢光影像分析多接面太陽能電池之光學特性 Analyzing the Optical Properties of Multi-Junction Solar Cells by Electroluminescence Images 電子物理系所電激螢光、太陽能電池、影像、Electroluminescence、Solar Cells、Images	碩士	99	2012-07-05	1.93 年
100	在矽基板上成長三族氮化物之磊晶及物性研究 Growth and physical properties of group III-nitrides on Si substrates 電子物理系所分子束磊晶、氮化鎵、氮化銦、MBE、GaN、InN	博士	94	2011-12-01	6.33 年
100	氧硒化鋅與碲硒化鋅等電性半導體之變溫載子復合機制研究 Temperature dependence of the carrier recombination mechanism in isoelectronic ZnSeO and ZnSeTe semiconductors 電子物理系所時間解析光譜、螢光、氧硒化鋅、碲硒化鋅、載子復合機制、II-VI族半導體、Time-resolved spectra、Photoluminescence、ZnSeO、ZnTeO、carrier recombination mechanism、II-VI semiconductors	碩士	98	2011-10-20	2.22 年