張鼎張

Chang, Ting-Chang・電機學院・電子研究所

碩士平均畢業時長

1.90 年

中位數 1.90 年・6 人

博士平均畢業時長

5.50 年

中位數 4.98 年・11 人

收錄論文

17 篇

100–113 學年度

全校中位數（供對照）

碩士 2.10・博士 6.11 年

畢業時長趨勢

每學年度畢業人數

只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。

研究關鍵字

薄膜電晶體Thin film transistorInGaZnO銦鎵鋅氧可靠度熱載子效應reliability電阻式記憶體RRAMthin film transistors自我加熱效應快速量測gate bias stressself-heating effectfast I-V可撓式顯示器低溫多晶矽機械彎曲應力正偏壓應力負偏壓應力負偏壓溫度不穩定性Flexible DisplaysLow-Temperature Polycrystalline SiliconThin-Film TransistorsMechanical BendingPositive Gate Bias StressNegative Gate Bias StressNegative Bias Temperature InstabilityHot-Carrier StressX射線感測器時間響應閘極氧化層雜訊特性X-raySensorTime responseGate insulatorNoise behavior蝕刻終止層短通道效應氧空缺hot-carrier effectetch stop layershort channel effectoxygen vacancy金屬氧化物電負度軟崩潰電場鏈鎖反應

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指導論文

學年度	論文	學制	入學	提交日期	畢業時長
113	低溫多晶矽薄膜電晶體於可撓式顯示器應用之元件開發 Development of Low-Temperature Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors for Flexible Display Applications 電子研究所・共同指導：林鴻志可撓式顯示器、低溫多晶矽、薄膜電晶體、機械彎曲應力、正偏壓應力、負偏壓應力、負偏壓溫度不穩定性、熱載子效應、Flexible Displays、Low-Temperature Polycrystalline Silicon、Thin-Film Transistors、Mechanical Bending、Positive Gate Bias Stress、Negative Gate Bias Stress、Negative Bias Temperature Instability、Hot-Carrier Stress	博士	107	2024-09-15	6.12 年
111	薄膜電晶體受X光照射效應之研究 Study of the X-ray irradiation effect on thin-film transistors 光電工程研究所・共同指導：戴亞翔薄膜電晶體、X射線、感測器、時間響應、閘極氧化層、雜訊特性、Thin film transistor、X-ray、Sensor、Time response、Gate insulator、Noise behavior	博士	105	2022-10-16	6.21 年
106	前瞻顯示器銦鎵鋅氧薄膜電晶體於結構相關之偏壓穩定性與照光熱載子效應物理機制研究 Physical Mechanism of Structure-dependent Bias Stability and Illuminated Hot-carrier effect on Reliability of InGaZnO Thin-Film Transistors for Advanced Displays 電子物理系所・共同指導：周武清薄膜電晶體、銦鎵鋅氧、熱載子效應、蝕刻終止層、可靠度、短通道效應、氧空缺、thin film transistor、InGaZnO、hot-carrier effect、etch stop layer、reliability、short channel effect、oxygen vacancy	博士	102	2018-07-25	4.98 年
105	金屬氧化物電阻式記憶體之軟崩潰機制研究與元件特性改善 The research of soft breakdown mechanism in metal oxide resistive random access memory and improvement to device characteristic 電子物理系所・共同指導：周武清電阻式記憶體、金屬氧化物、電負度、軟崩潰電場、可靠度、鏈鎖反應、RRAM、metal oxide、electronegativity、Soft breakdown electric field、Reliability、chain effect	碩士	104	2017-07-12	1.95 年
104	應用於可撓式透明顯示器之薄膜電晶體技術 The Application on Flexible and Transparent Display with Technology of Thin Film Transistors 光電工程研究所・共同指導：戴亞翔薄膜電晶體、負偏壓照光不穩定性、紫外光感測器、thin film transistors、negative bias illumination stress、ultra-violet sensor	博士	100	2016-08-07	5.02 年
104	前瞻式金氧半場效電晶體之隨機電報訊號分析與熱載子劣化研究 Investigation of Random Telegraph Signal and Hot Carrier Degradation in Advanced MOSFETs 電子工程學系電子研究所・共同指導：曾俊元隨機電報訊號、缺陷位置、氧化鉿、多聲子放射理論、晶格鬆弛能量、雙擴散汲極金氧半場效電晶體、熱載子裂化、Random Telegraph Signal (RTS)、Trap Position、HfO2、Multiphonon Emission Theory、Lattice Relaxation Energy、Double Diffused Drain MOSEFTs、Hot Carrier Degradation	博士	98	2016-08-03	7.01 年
103	前瞻顯示器銦鎵鋅氧薄膜電晶體之偏壓穩定性與電流誘導熱效應物理機制研究 Physical Mechanism of Bias Stability and Current-induced Thermal Effect on Reliability of InGaZnO Thin-Film Transistors for Advanced Displays 電子物理系所・共同指導：周武清薄膜電晶體、銦鎵鋅氧、閘極偏壓電應力、水解效應、自我加熱效應、快速量測、分離電極、thin film transistor、InGaZnO、gate bias stress、hydrolysis effect、self-heating effect、fast I-V、expanded-electrode	博士	99	2015-07-18	4.96 年
103	前瞻銦鎵鋅氧薄膜電晶體之閘極電應力與自我加熱效應可靠度分析 Investigation on Reliability of Advanced a-InGaZnO Thin Film Transistors under Gate Bias Stress and Self-Heating Effect 電子工程學系電子研究所・共同指導：施敏銦鎵鋅氧薄膜電晶體、閘極電應力、可靠度、焦耳熱、自我加熱效應、InGaZnO、thin film transistors、gate bias stress、Joule-heating、self-heating effect	碩士	102	2015-06-02	1.83 年
102	保護層應用在非晶態銦鎵鋅氧薄膜電晶體之電性物理機制研究 Study of Physical Mechanisms of Electrical Reliability for Passivation Layer Applied to Amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide Thin Film Transistors 光電工程研究所・共同指導：戴亞翔銦鎵鋅氧、薄膜電晶體、保護層、石蠟、二氧化矽、二氧化氮、IGZO、TFT、Passivation layer、Paraffin Wax、SiO2、N2O	博士	98	2014-07-16	4.96 年
102	前瞻銦鎵鋅氧薄膜電晶體應用於閘極驅動陣列基板技術之自我加熱效應物理機制研究 Physical Mechanism Analysis of Self-Heating Effect Induced Degradation Behavior of Advanced InGaZnO Thin-Film Transistors for Gate Driver on Array Technology 電子工程學系電子研究所・共同指導：施敏氧化銦鎵鋅、薄膜電晶體、自我加熱、氧化物半導體、InGaZnO、thin film transistor、self-heating、oxide semiconductor	碩士	101	2014-07-01	1.91 年
102	先進High-k/Metal Gate之金氧半場效電晶體電性分析與可靠度研究 Investigation on the Electrical Analysis and Reliability Issues in Advanced High-k/Metal Gate MOSFETs 電子工程學系電子研究所・共同指導：曾俊元金氧半場效電晶體、高介電值係數、快速量測、MOSEFTs、high-k、charge pumping、fast I-V	博士	99	2014-06-30	3.91 年
100	薄膜電晶體之光電特性研究 Study on Electrical Characteristics and Physical 光電工程研究所・共同指導：戴亞翔多晶矽元件、光漏電流、氧化鋅、非揮發性記憶體、poly-Si TFT、photo leakage current、ZnO、nonvolatile memory	博士	93	2012-07-27	7.99 年
100	前瞻電阻式轉態記憶體元件之製作與特性研究 Fabrication and Electrical Characterization of Advanced Resistive Random Access Memory Devices 電子工程學系電子研究所・共同指導：曾俊元記憶體、電阻轉換、memory、resistance switching	博士	96	2012-07-04	4.93 年
100	High-k/Metal Gate 與 SOI金氧半場效電晶體RTN分析與可靠度的研究 Investigation on RTN and Reliability of High-k/Metal Gate and SOI MOSFETs 電子工程學系電子研究所高介電常數氧化層金屬閘極金氧半電晶體、矽覆絕緣金氧半場效電晶體、隨機雜訊分析、High-k/Metal Gate MOSFETs、SOI MOSFETs、RTN	碩士	99	2012-06-29	1.91 年
100	Hf1-xZrXO2/Metal Gate之P型金氧半場效電晶體電性分析與施加動態正負偏壓劣化研究 Electrical Analysis and Investigation with Dynamic Negative and Positive Bias Stress of Hf1-xZrXO2/Metal Gate for P-MOSFETs 電子工程學系電子研究所・共同指導：施敏 Hf1-xZrXO2、動態負偏壓、動態正偏壓、閘極電流、Dynamic Negative Bias Stress、Dynamic Positive Bias Stress、Gate Current	碩士	99	2012-06-25	1.90 年
100	電阻式記憶體在二氧化矽基底的薄膜上之開關機制的研究 Investigating the resistance Switching Mechanism in Silicon Oxide Based Thin Film for Non-Volatile Resistance Switching Memory 電子工程學系電子研究所・共同指導：施敏電阻式記憶體、Gd、RRAM、釓	碩士	99	2012-06-24	1.90 年
100	非晶態金屬氧化物薄膜電晶體之環境敏感性與可靠度 Environmental Sensitivity and Reliability for Amorphous Metal-Oxide Thin Film Transistors 電子工程學系電子研究所・共同指導：曾俊元金屬氧化物半導體、薄膜電晶體、不穩定性、環境、氧吸附、metal oxide semiconductor、thin film transistor、instability、environment、oxygen adsorption	博士	96	2012-01-11	4.45 年