施敏

Sze, Simon M・電機學院・電子研究所

碩士平均畢業時長

2.17 年

中位數 2.08 年・17 人

博士平均畢業時長

5.53 年

中位數 5.06 年・5 人

收錄論文

25 篇

100–112 學年度

全校中位數（供對照）

碩士 2.10・博士 6.11 年

畢業時長趨勢

每學年度畢業人數

只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。

研究關鍵字

氮化鎵電阻式記憶體GaN薄膜電晶體MOCVDTransparent amorphous oxide semiconductorThin film transistor非晶態銦鎢鋅氧化物透明非晶態氧化物半導體金屬導電阻絲耐久性保持能力Resistive random access memoryAmorphous indium-tungsten-zinc oxideMetallic conducting filamentPlasma treatmentEnduranceRetention非晶矽薄膜電晶體有機金屬化學氣相沉積Schottky contact高電子遷移率電晶體高功率HEMTRRAMInGaZnO氧化物半導體oxide semiconductor氧化銦鎵鋅歐姆接觸Ohmic contact金屬蕭特基二極體氧化層氧化鎵TEOSMetalSchottky diodeoxide layergallium oxidemetal organic chemical vapor deposition (MOCVD)tetraethoxysilane (TEOS)低溫電漿改質技術氧濃度梯度輻射損傷可靠度改善Oxygen concentration effectRadiation hardness technology低溫超臨界流體技術鈷電極

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指導論文

學年度	論文	學制	入學	提交日期	畢業時長
112	N型氧化鎵磊晶成長與其應用於蕭特基二極體之研究 Study on the Properties of N-type Gallium Oxide and Applied to Schottky Diodes 電子研究所・共同指導：洪瑞華金屬、蕭特基二極體、氧化層、氧化鎵、MOCVD、TEOS、Metal、Schottky diode、oxide layer、gallium oxide、metal organic chemical vapor deposition (MOCVD)、tetraethoxysilane (TEOS)	碩士	110	2023-09-07	2.10 年
111	非晶態氧化銦鎢鋅半導體應用於電阻式記憶體之電性及可靠度優化研究 Electrical and Reliability Enhancement of Amorphous Indium-Tungsten-Zinc Oxide Semiconductor for Resistive Random Access Memory 電子研究所・共同指導：劉柏村電阻式記憶體、非晶態銦鎢鋅氧化物、透明非晶態氧化物半導體、金屬導電阻絲、低溫電漿改質技術、氧濃度梯度、輻射損傷、可靠度改善、耐久性、保持能力、Resistive random access memory、Amorphous indium-tungsten-zinc oxide、Transparent amorphous oxide semiconductor、Metallic conducting filament、Plasma treatment、Oxygen concentration effect、Radiation hardness technology、Endurance、Retention	博士	106	2022-08-24	5.06 年
110	含鎢非晶銦鋅氧化物半導體於電阻式記憶體技術之研究 Investigation on Amorphous Indium-Tungsten-Zinc Oxide Semiconductor for Resistive Random Access Memory Technology 電子研究所・共同指導：劉柏村電阻式記憶體、非晶態銦鎢鋅氧化物、透明非晶態氧化物半導體、金屬導電阻絲、低溫超臨界流體技術、鈷電極、耐久性、保持能力、Resistive random access memory、Amorphous indium-tungsten-zinc oxide、Transparent amorphous oxide semiconductor、Metallic conducting filament、Supercritical fluid technology、Co electrode、Endurance、Retention	博士	103	2021-12-11	7.36 年
110	高速閘極驅動電路於窄邊框平面顯示器應用 High-speed gate driver on array circuit for narrow bezel flat display applications 電子研究所・共同指導：劉柏村非晶矽薄膜電晶體、窄邊框顯示器、抗雜訊區塊共用架構、高速驅動、Amorphous Silicon Thin-Film Transistor、Narrow bezel display、Noise-free Sharing Structure、High Speed Driving	碩士	108	2021-11-09	2.28 年
109	利用有機金屬化學氣相沉積法成長ZGO薄膜應用於深紫外光感測器之元件可靠度分析 Reliability Study on Deep-Ultraviolet Photodetectors Based on Epitaxial ZnGa2O4 Epilayers Grown by MOCVD 電子研究所・共同指導：洪瑞華有機金屬化學氣相沉積、氧化鎵鋅、深紫外光感測器、缺陷分析、蕭特基接觸、可靠度問題、表面鈍化層、氧化鋁、氧化鉿、氮化矽、MOCVD、ZnGa2O4、DUV photodetector、Defects analysis、Schottky contact、reliability issue、surface passivation layer、Al2O3、HfO2、Si3N4	碩士	107	2021-12-27	3.41 年
109	以有機金屬化學氣相沉積之鎵摻雜氧化鋅磊晶膜研製具微型加熱器之氣體感測器 Study on Gas Sensor with Micro Heater of Ga-doped ZnO Epilayers Grown by MOCVD 電子研究所・共同指導：洪瑞華有機金屬化學氣相沉積、鎵摻雜氧化鋅、一氧化氮氣體感測器、尺寸效應、微型加熱器、氣體響應、MOCVD、Ga-doped ZnO、NO gas sensor、Dimension Effect、Micro Heater、Gas Response	碩士	107	2020-09-25	2.15 年
109	藉由高閘極結構以改良氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體高頻功率性能之研究 RF Power Performance Improvement of AlGaN/GaN HEMTs by applying Tall Gate Stem for Ka-Band Applications 電子研究所・共同指導：張翼高閘極結構、氮化鋁鎵/氮化鎵、高電子遷移率電晶體、高頻、高功率、RF、Power Performance、AlGaN/GaN、HEMT、Tall Gate Stem、Ka-Band	碩士	107	2020-01-10	1.44 年
108	厚銅金屬化製程應用在毫米波氮化鎵高電子遷移率電晶體之研究 Study of GaN HEMT with Thick Copper Metallization for Millimeter Wave Applications 電子研究所・共同指導：張翼氮化鎵、高頻功率元件、厚銅金屬化製程、閘極掘入、共平面波導、GaN、High frequency power device、Thick copper metallization、Gate recess、Coplanar waveguide	碩士	106	2019-08-31	2.08 年
107	基於高介電係數閘極絕緣層之含鎢非晶氧化物半導體薄膜電晶體之電性及可靠度提升 Electrical Performance and Stability Enhancement for Tungsten Doped Amorphous Oxide Semiconductor Thin Film Transistor with High-k Gate Insulator 電子研究所・共同指導：劉柏村薄膜電晶體、高介電係數閘極絕緣、透明非晶氧化物半導體、含鎢銦氧化物、高效能、高可靠度、Thin film transistor、High-k gate insulator、Transparent amorphous oxide semiconductor、Tungsten doped indium oxide、High performance、Excellent stability	博士	103	2019-05-04	4.76 年
107	氧化鋯電阻式記憶體於類神經運算之應用 Zirconium oxide-based resistive switching memory for neuromorphic computing applications 電子研究所・共同指導：曾俊元電阻式記憶體、氧化鋯、類神經網路、類神經運算、RRAM、Zirconium oxide、Neuromorphic computing、Neural network	碩士	106	2019-04-17	1.71 年
107	改善次世代高速低功率砷化銦鎵金氧半場效電晶體效能之研究 A Study on Performance Improvement of InGaAs nMOSFETs for Future High Speed and Low Power Applications 電子研究所・共同指導：張翼三五族半導體、邏輯元件、鰭式場效電晶體、電漿處理、高介電常數閘極絕緣層、砷化銦鎵金氧半場效電晶體、III-V material、logic device、FinFET、plasma treatment、High-k dielectric、InGaAs MOSFET	博士	101	2018-10-01	6.17 年
107	低功耗之高速邏輯應用砷化銦通道高電子遷移率電晶體前瞻製程技術開發 Advanced Process Technology Development of InAs Channel HEMTs for High-Speed and Low-Power Logic Applications 電子研究所・共同指導：張翼砷化銦、高速電子遷移率電晶體、高速低功耗邏輯應用、InAs、HEMTs、High-speed and low power logic applications	博士	101	—	無法計算
106	非晶矽薄膜電晶體應用於具光感測式觸控功能之整合顯示面板研究 Study on Amorphous-Silicon TFTs for Display Panel Integration with Photo Sensing Touch 電子研究所・共同指導：劉柏村光感測、觸控、整合顯示面板、非晶矽薄膜電晶體、環境光、閘級驅動電路、photo sensing、touch、integration display panel、amorphous silicon thin film transistor、ambient light、gate driver circuit	碩士	105	2018-06-24	1.89 年
106	藉由步進式偏壓量測評估高功率氮化鎵金屬絕緣層半導體高電子遷移率電晶體之穩定性研究 Development of an Accelerated Step-Stress Methodology for the Evaluation of the Stability of GaN-on-Si Power MIS-HEMTs 電子研究所・共同指導：張翼步進式量測、氮化鎵、高功率元件、GaN MIS-HEMTs、step-stress	碩士	104	—	無法計算
105	經電荷調變之能帶對氮化鎵金屬絕緣層半導體高電子遷移率電晶體元件特性影響之研究 Study of Device Performance with Charge-induced Energy Band Modulation in GaN MIS-HEMTs 電子研究所・共同指導：張翼氮化鎵、金屬絕緣層半導體高電子遷移率電晶體、氮氧化矽、鐵電材料、能帶調變、GaN、MIS-HEMT、SiON、Ferroelectric、Energy Band Modulation	碩士	102	2016-11-09	3.27 年
105	應用於窄邊框液晶顯示器之高信賴性雙輸出閘極驅動陣列研究 Study on High Reliable Dual-Output Gate Driver on Array Design for Narrow Bezel TFT-LCD 電子研究所・共同指導：劉柏村非晶矽、窄邊框、閘極驅動電路陣列、amorphous silicon、narrow bezel、gate driver on array	碩士	103	2016-08-29	2.08 年
103	前瞻銦鎵鋅氧薄膜電晶體之閘極電應力與自我加熱效應可靠度分析 Investigation on Reliability of Advanced a-InGaZnO Thin Film Transistors under Gate Bias Stress and Self-Heating Effect 電子工程學系電子研究所・共同指導：張鼎張銦鎵鋅氧薄膜電晶體、閘極電應力、可靠度、焦耳熱、自我加熱效應、InGaZnO、thin film transistors、gate bias stress、Joule-heating、self-heating effect	碩士	102	2015-06-02	1.83 年
103	高效能銦鋅錫氧化物薄膜電晶體元件開發與研究 Investigation on High Performance Indium Zinc Tin Oxide Semiconductor for Thin Film Transistors Application 電子工程學系電子研究所・共同指導：劉柏村薄膜電晶體、氧化物半導體、銦鋅錫氧化物、thin film transistor、oxide semiconductor、In-Zn-Sn-O	博士	99	2014-11-23	4.31 年
103	非晶態氮摻雜氧化銦鎵鋅薄膜電晶體特性之研究 Investigation on Amorphous Nitrogenated Indium Gallium Zinc Oxide Thin Film Transistors Application 電子工程學系電子研究所・共同指導：劉柏村薄膜電晶體、氮摻雜、氧化銦鎵鋅、TFT、IGZO:N、nitrogenated	碩士	101	2014-09-16	2.12 年
102	前瞻銦鎵鋅氧薄膜電晶體應用於閘極驅動陣列基板技術之自我加熱效應物理機制研究 Physical Mechanism Analysis of Self-Heating Effect Induced Degradation Behavior of Advanced InGaZnO Thin-Film Transistors for Gate Driver on Array Technology 電子工程學系電子研究所・共同指導：張鼎張氧化銦鎵鋅、薄膜電晶體、自我加熱、氧化物半導體、InGaZnO、thin film transistor、self-heating、oxide semiconductor	碩士	101	2014-07-01	1.91 年
102	高功率氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體之金屬接觸製程研究 The Study of Contact Metals for High Power AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors Application 電子工程學系電子研究所・共同指導：張翼氮化鎵、高功率、高電子遷移率電晶體、歐姆接觸、蕭基接觸、GaN、high power、HEMT、Ohmic contact、Schottky contact	碩士	100	2013-09-17	2.13 年
102	三五族量子井金屬氧化物半導體場效電晶體相關於晶向在低功率高頻的應用 Orientation Dependent Characteristics of III-V QWMOSFET for Low Power High Frequency Applications 電子工程學系電子研究所・共同指導：張翼晶向、金屬氧化物半導體、Orientation Dependent、QWMOSFET	碩士	100	—	無法計算
100	Hf1-xZrXO2/Metal Gate之P型金氧半場效電晶體電性分析與施加動態正負偏壓劣化研究 Electrical Analysis and Investigation with Dynamic Negative and Positive Bias Stress of Hf1-xZrXO2/Metal Gate for P-MOSFETs 電子工程學系電子研究所・共同指導：張鼎張 Hf1-xZrXO2、動態負偏壓、動態正偏壓、閘極電流、Dynamic Negative Bias Stress、Dynamic Positive Bias Stress、Gate Current	碩士	99	2012-06-25	1.90 年
100	電阻式記憶體在二氧化矽基底的薄膜上之開關機制的研究 Investigating the resistance Switching Mechanism in Silicon Oxide Based Thin Film for Non-Volatile Resistance Switching Memory 電子工程學系電子研究所・共同指導：張鼎張電阻式記憶體、Gd、RRAM、釓	碩士	99	2012-06-24	1.90 年
100	氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體之銅金屬化製程研究 The Study of Copper Metallization for AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors 電子工程學系電子研究所・共同指導：張翼氮化鎵、銅、鈦鋁鎢、歐姆接觸、GaN、cu、copper、TiAlW、ohmic contact	碩士	98	2012-03-29	2.66 年