曾俊元

Tseng, Tseung-Yuen・電機學院・前瞻半導體研究所、電子研究所、電機資訊國際學程、材料科學與工程學系所

碩士平均畢業時長

2.02 年

中位數 1.97 年・55 人

博士平均畢業時長

5.69 年

中位數 5.47 年・24 人

收錄論文

93 篇

100–114 學年度

全校中位數（供對照）

碩士 2.10・博士 6.11 年

畢業時長趨勢

每學年度畢業人數

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研究關鍵字

電阻式記憶體RRAMneuromorphic computing類神經運算CBRAMSupercapacitorresistive switching類神經網路突觸元件超級電容ZrO2Memristor光學元件選擇器Selector氧化鋯resistive random access memory憶阻器石墨烯類神經計算氧化鉭氧化鋅ZnOsynaptic device電橋式記憶體人工突觸artificial synapse非揮發性記憶體transparentGrapheneNanocompositesReliabilityRetentionnonlinearityMemory奈米碳管電泳法卷積神經網路convolutional neural network圖像辨識氧化鉿Image Recognition氧化鎵類神經特性Resistive switching memoryOptical device氧化鎢透明阻態轉換碲

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指導論文

學年度	論文	學制	入學	提交日期	畢業時長
114	經退火處理後之SrTiO₃/TaOₓ光電憶阻器之特性及其記憶體內運算應用 Properties of Post-Annealed SrTiO₃/TaOₓ Optoelectronic Memristive Devices and Their Computing in Memory Applications 前瞻半導體研究所・共同指導：孟心飛憶阻器、光電元件、類神經計算、鈦酸鍶、氧化鉭、卷積神經網路、Memristor、optoelectronic device、neuromorphic computing、SrTiO₃、TaOₓ、convolutional neural network	碩士	113	2026-06-26	1.90 年
114	SnOx/SZO 異質結構光電突觸憶阻器之特性及其於類神經運算及視覺感測之應用 Characterization of Optoelectronic Synaptic Memristor Based on SnOx/SZO Heterojunction for Neuromorphic Computing and Visual Sensing 電子研究所・共同指導：林詩淳憶阻器、光電突觸元件、金屬氧化物異質接面、氧化錫、鋯鍶氧化物、類神經網路、Memristor、optoelectronic synaptic device、metal oxide heterojunction、Tin oxide、SrZrOx、neuromorphic neural networks	碩士	113	2026-06-26	1.90 年
114	經後退火處理之鈦酸鍶光電突觸憶阻器之特性分析及其類神經運算應用 Characterizations of Post-Annealed SrTiO₃ Optoelectronic Synaptic Memristors and Their Neuromorphic Computing 國際半導體產業學院・共同指導：許恒通鈣鈦礦氧化物、記憶體元件、光電突觸、氧空缺、紫光刺激、卷積神經網路、perovskite oxide、memristor、optoelectronic synapse、oxygen vacancy、violet light stimulation、convolutional neural network	碩士	112	2026-01-22	2.48 年
114	鋯鍶氧化物/氧化鋅雙層光電憶阻器特性鑑定及其於類神經運算之應用 SZO/ZnO Bilayer Optoelectronic Memristor Characterizations and its Neuromorphic Computing Application 前瞻半導體研究所・共同指導：冉曉雯電阻式記憶體、非揮發記憶體、氧化鋅、鋯鍶氧化物、成對刺激加成(PPF)、脈衝時序依賴可塑性(STDP)、光學元件、CNN人臉辨識系統、Resistive RAM (RRAM)、non-volatile memory、ZnO、SZO、neuromorphic computing、spike-timing-dependent plasticity (STDP)、paired-pulse facilitation (PPF)、CNN facial recognition	碩士	112	2025-07-15	1.95 年
113	ZTO/SZO雙層電阻式憶阻器之光電特性及其於類神經運算之臉部辨識應用 Optoelectronic Synaptic Characteristics of ZTO/SZO Bilayer Memristor and Its Application in Face Recognition for Neuromorphic Computing 電子研究所・共同指導：林詩淳鈣鈦礦材料、氧化鋅錫、突觸元件、光學特性、類神經網路運算、Zinc Tin Oxide、Perovskite、synaptic device、optoelectronic characteristics、neuromorphic computing	碩士	112	2025-06-27	1.91 年
113	SrTiO₃/HfOx異質結構之光電憶阻器元件於類神經運算之研究 Optoelectronic Memristive Device based on SrTiO₃/HfOx Heterostructure for Neuromorphic Computing 前瞻半導體研究所・共同指導：冉曉雯類神經運算、光電突觸憶阻器、圖像辨識、氧化鉿、鈦酸鍶、Neuromorphic Computing、Optoelectronic Synaptic memristor、Image Recognition、Hafnium Oxide、Strontium Titanate	碩士	112	2025-06-26	1.90 年
113	經後退火處理之 WO3/Cu2O P-N 異質接面光電突觸憶阻器之特性分析及其人臉識別應用 Characterizations of Post Annealed WO3/Cu2O P-N Heterojunction Optoelectronic Synaptic Memristor for Face Recognition Application 電機資訊國際碩士學位學程 p-n 結、突觸記憶體、類神經計算、卷積神經網路、光電阻態記憶體、p-n junction、synaptic memristor、neuromorphic computing、optoelectronic memristor、convolutional neural network	碩士	111	2024-12-26	2.40 年
112	氧化鎵/氧化鉿基電橋式記憶體於類神經網路之應用 GaOx/HfOx based Conductive Bridge Random Access Memory for Neuromorphic Applications 電子研究所・共同指導：林詩淳電橋式記憶體、神經形態計算、人工突觸、氧化鎵、導電絲、conductive bridge random access memory、neuromorphic computing、artificial synapse、gallium oxide、conductive filament	碩士	111	2024-08-12	2.03 年
112	AlN/HZO 基鐵電穿隧記憶體的製備及類神經計算 Neuromorphic Computing Based on AlN/HZO Ferroelectric Tunnel Junction 前瞻半導體研究所・共同指導：冉曉雯氧化鉿鋯、鐵電穿隧記憶體、低功耗、氮化鋁、類神經網路應用、Hafnium Zirconium Oxide、Ferroelectric Tunneling Junction、Low Power Consumption、Aluminum Nitride、Neuromorphic Network Applications	碩士	111	2024-07-10	1.94 年
112	ZnO/HfON基電橋式記憶體於類神經運算及光電系統之應用 Applications of ZnO/HfON Based Conductive Bridge Random Access Memory in Neuromorphic Computing and Optoelectronic Systems 電子研究所・共同指導：林詩淳電橋式記憶體、碲頂電極、氧化鋅、氮氧化鉿、類神經運算、光電系統、CBRAM、tellurium top electrode、zinc oxide、hafnium oxynitride、neuromorphic computing、optoelectronic system	碩士	111	2024-07-08	1.94 年
112	憶阻器的界面, 摻雜改性與光電特性 Interface, Doping Modification and Photoelectric Properties of Memristors 電子研究所・共同指導：林詩淳憶阻器、光致增強、突觸、圖像識別、負微分電阻效應、Memristor、Optical potentiation、Synapse、Image recognition、Negative differential resistance effect	博士	107	2024-07-03	5.92 年
112	雙層氧化錫電阻式記憶體於類神經網路與光電系統應用 Application of bilayer Tin Oxide Resistive Switching Memory in Neural Networks and Optoelectronic Systems 前瞻半導體研究所・共同指導：冉曉雯電阻式記憶體、氧化錫、類神經特性、光學元件、Resistive switching memory、Tin oxide、Neural characteristic、Optical device	碩士	110	2024-03-08	2.60 年
111	雙層氧化鉭電阻式記憶體於光特性與類神經突觸之研究 Optical Response and Neuromorphic Synaptic Functionality in TaOx-based Bilayer Resistive Switching Devices 電子研究所・共同指導：林詩淳氧化鉭、電阻式記憶體、類神經特性、光學元件、Tantalum oxide、Resistive memory、Neural properties、Optical devices	碩士	110	2023-06-27	1.90 年
111	基於氧化鎢雙層可撓性電阻式記憶體應用於可穿戴設備中的神經應用和光電特性 Flexible Bilayer Tungsten Oxide-Based Resistive Random Access Memory for Neural Applications and Optoelectronic Characteristics in Wearable Devices 電子研究所・共同指導：林詩淳電阻式記憶體、氧化鎢、類神經元件、可穿戴式設備、光學元件、可撓性基板、Resistive memory、Tungsten oxide、Neural devices、Wearable devices、Optical devices、Flexible substrates	碩士	110	2023-06-27	1.90 年
111	氧化鋅透明電阻式記憶體應用於類神經突觸運算及光電特性 Resistive Switching of Transparent Zinc Oxide for Brain-Inspired Computing and Optoelectronic Application 電子研究所・共同指導：林詩淳非揮發電阻式記憶體、馮·諾依曼瓶頸、成對刺激加成、脈衝時序依賴可塑性、Non-Volatile RRAM、Von-Neumann Bottleneck、Paired-Pulse Faciliation、Spike-Timing-Dependent-Plasticity、Hop-Field Simulation(HNN)	碩士	110	2023-06-27	1.90 年
111	基於MgO/HZO鐵電穿隧元件之優化與類神經應用 Optimization and Neural Network Applications of MgO/HZO Ferroelectric Tunneling Junction Device 電子研究所・共同指導：林詩淳鐵電穿隧元件、退火處理、電流開關比、類神經網路、圖像辨識、ferroelectric tunnel junction、annealing、on/off ratio、neuromorphic computing、image recognition	碩士	110	2023-06-21	1.89 年
111	HZO/HfAlO鐵電穿隧記憶體在類神經方面的應用 HZO/HfAlO based ferroelectric tunneling junction for neuromorphic application 電子研究所・共同指導：林詩淳鐵電穿隧記憶體、氧化鉿鉻、氧化鉿鋁、類神經特性、霍普菲爾德神經網絡、Ferroelectric Tunneling Junction、Hafnium Zirconium Oxide、Hafnium Aluminum alloy、Neuromorphic Characteristic、Hopfield neural network	碩士	110	2023-06-20	1.88 年
111	光電憶阻器的增強和抑制突觸行為在類神經計算中的應用 Excitatory and Inhibitory Synaptic Behavior of Photoelectric Memristor for Neuro-inspired Computing 電機資訊國際學程・共同指導：林詩淳光電憶阻器、類神經計算、強化和抑制性突觸、傷害感受器、半導體異質結構、photoelectric memristor、neuro-inspired computing、excitatory and inhibitory synapse、nociceptor、semiconductor heterostructure	博士	108	2023-05-25	3.81 年
111	基於氧化鎵/氧化鋅錫電阻式記憶體於類神經突觸及光電特性之應用 GaOx/ZTO Based Resistive Random Access Memory for Neuromorphic Synapse and Optoelectronic Applications 電子研究所・共同指導：林詩淳電阻式記憶體、類神經運算、人工突觸、光電突觸、光學復位、自製靶材、resistive switching random‐access memory、neuromorphic computing、artificial synapse、optoelectronic synapse、optical reset、self-made target	碩士	110	2023-03-27	1.65 年
111	銅釩銅基板提升磷化鋁鎵銦發光二極體散熱能力之研究 Thermal Dissipation Improvement of AlGaInP-Based Light Emitting Diodes with Cu/Invar/Cu Substrate 電子研究所・共同指導：洪瑞華紅色發光二極體、共金貼合、銅釩銅、散熱、固晶、red LED、metal bonding、copper invar copper、thermal dissipation、die bonding	碩士	108	2023-03-08	3.60 年
111	氧化鎵/氧化鋅電阻式記憶體於光學及類神經運算之應用 GaOx/ZnO Optoelectronic Resistive Switching Memory for Neuromorphic Computing Application 電子研究所・共同指導：林詩淳氧化鎵、電阻式記憶體、類神經元件、光學應用、非揮發性記憶體、GaOx、RRAM、neuro-like device、optical application、nonvolatile memory	碩士	109	2023-02-06	2.52 年
111	氧化鉿和氧化坦基憶阻器之突觸行為的探討 Synaptic Behavior of TaOx and HfO2 based Memristors 電機資訊國際學程類神經、突觸、可撓式憶阻器、光電、耐用電子產品、人工神經網路、圖像辨識、Neuromorphic、Synapse、Flexible memristor、Opto-electronic、Robust electronics、artificial neural networks、image and pattern recognition	博士	106	2023-02-03	5.51 年
110	基於鈷錳氧化物陰極和3D多孔石墨烯陽極材料的高性能儲能元件之電荷存儲研究 Exploration of Charge Storage to Build High Performance Energy Storage Devices Based on Cobalt Manganese Oxide Cathode and 3D Porous Graphene Anode Material 電機資訊國際學程 CoMn2O4、混合超電容元件、3D多孔石墨烯、表面積、雙電層電容器(EDLC)、電荷儲存機制、Hybrid supercapacitor device、3D porous graphene、surface area、electric double layer capacitor (EDLC)、charge storage mechanism	博士	102	2022-10-19	9.22 年
110	基於ZnO/TaOx突觸元件的正光導率之類神經應用 Positive photoconductivity of ZnO/TaOx based synaptic device for brain-inspired computing 電子研究所電阻式記憶體、突觸元件、成對刺激加成、脈衝時序依賴可塑性、光學元件、RRAM、neuromorphic computing、synaptic device、PPF、STDP、optical device	碩士	109	2022-06-29	1.91 年
110	氮氧化鉿基之正光電導電阻式記憶體作為光電突觸憶阻器之應用 HfON-based Positive Photoconductive RRAM for Optoelectronic Synaptic Memristor 電子研究所電阻式記憶體、光電憶阻器、類神經網路應用、突觸元件、RRAM、Optoelectronic Memristor、Neuromorphic Computing、Synaptic Device	碩士	109	2022-06-28	1.91 年
110	氮氧化鉭及氧化鋅錫之雙層電阻式記憶體於類神經突觸及光特性之研究 Resistive Switching for Neuromorphic Synapse and Optical Response of TaON & ZTO Bilayer RRAM Device 電子研究所電阻式記憶體、光學偵測器、氮氣電漿、類神經網路、人工突觸、微電極、Resistive Switching Random‐Access Memory、Optical sensor、Nitrogen plasma、artificial neural network、artificial synapse、micro-electrode	碩士	109	2022-06-27	1.90 年
110	應用於可穿戴式裝置的可撓式氧化鉿基電阻式記憶體之類神經應用及光電特性 Optoelectronic and Synaptic Properties of HfOx-Based Flexible Resistive Random Access Memory for Wearable Devices 電子研究所電阻式記憶體、類神經網路運算、突觸元件、光電元件、PEN塑膠基板、可穿戴式裝置、RRAM、Neuromorphic computing、Synaptic devices、Optoelectronic devices、PEN、Wearable devices	碩士	109	2022-06-27	1.90 年
110	雙層氧化鋅錫電阻式記憶體於類神經運算及光學之應用 Bilayer ZTO-based Optoelectronic Memristor for Neuromorphic Computing Application 電子研究所氧化鋅錫記憶體、透明、類神經運算、憶阻器、突觸模擬記憶體、氧化鋅錫/氧化鎂記憶體、ZTO-based RRAM、transparent、neuromorphic computing、memristor、synaptic RRAM、ZTO/MgO RRAM	碩士	109	2022-06-27	1.90 年
110	異質元素摻雜還原氧化石墨烯電極於儲能裝置之應用研究 Fabrication and Characterization of Heteroatom Doped Reduced Graphene Oxide for Energy Storage Application 材料科學與工程學系所・共同指導：黃爾文氧化石墨、還原氧化石墨、摻雜鈷的石墨、比電容（單位電容）、超級電容器、能量和功率密度、Graphene oxide、Reduced graphene oxide、Co-doped graphene、Specific capacitance、Supercapacitor、Energy and power densities	博士	101	2021-08-25	9.07 年
110	對於可穿戴式裝置以及人工智慧應用於數位類比轉換的高效能氧化鉭憶阻器 High Performance TaOx-Based Digital to Analog Switching Memristor for Wearable and Artificial Intelligence Applications 材料科學與工程學系所・共同指導：陳智可撓式突觸、可穿戴憶阻器、人工神經網絡、環境穩健、人臉識別、Flexible synapse、wearable memristor、artificial neural networks、environmental robust、face recognition、Memristor	博士	102	2021-01-08	7.44 年
109	氧化鋅錫透明電阻式記憶體之電轉換與光特性 Resistive Switching and Optical Characteristics of Transparent Zinc Tin Oxide Memory 國際半導體產業學院・共同指導：許恒通氧化鋅錫、透明電阻式記憶體、電設置、光重置、光響應、類神經網絡、ZTO-based TRRAM、transparent、electrical SET、optical RESET、optical response、neuromorphic computing	碩士	108	2021-08-09	2.02 年
109	提升氧化鉿基電橋式記憶體之可靠度與類神經特性之研究 Improvement of Reliability and Synaptic Properties in HfOx-based Conductive Bridge Random Access Memory Device 電子研究所電橋式記憶體、神經突觸、CBRAM、neuromorphic systems	碩士	108	2021-08-04	2.01 年
109	氧化鉿透明電阻式記憶體之光電特性與類神經應用 Optoelectronic Characteristics and Synaptic Properties of HfOx-Based Transparent RRAM 電子研究所電阻式記憶體、類神經計算、突觸元件、光學元件、RRAM、neuromorphic computing、synaptic device、optical device	碩士	108	2021-08-03	2.01 年
109	二氧化錳/三摻雜石墨烯復合電極於超級電容器之應用研究 Fabrication of MnO2/triple-doped graphene nanohybrid in Supercapacitor Application 電子研究所二氧化錳、石墨烯、摻雜、三電極系統、超電容、Manganese oxide、Graphene oxide、Doping、Three electrode system、Supercapacitor	碩士	108	2021-08-02	2.00 年
109	氧化鈦基電阻式記憶體與緩衝層之類神經突觸特性之研究 TiOx-based Resistive Random Access Memory with Buffer Layer for Neuromorphic Synapse Application 電子研究所類神經網路、電阻式記憶體、突觸元件、阻態轉換、neuromorphic computing、RRAM、synaptic memory device、resistive switching	碩士	107	—	無法計算
108	氧化鉿基電橋式記憶體類神經突觸特性之研究 HfOx-based Conductive Bridge Random Access Memory as Analog Neuromorphic Synapse 電子研究所電橋式記憶體、神經突觸、CBRAM、neuromorphic synapse	碩士	107	2020-07-23	1.98 年
108	氮硫共摻雜之碳電極於超級電容器之應用研究 Fabrication of nitrogen and sulfur co-doped carbon in Supercapacitor Application 電子研究所超級電容、氮硫共摻雜碳電極、supercapacitor、nitrogen and sulfur co-doped carbon electrode	碩士	107	2020-07-22	1.97 年
108	利用碲為源層金屬電橋電阻式記憶體之轉換特性與類神經應用 Resistive Switching Behavior and Synaptic Properties of Tellurium ions Conductive Bridge Random Access Memory Device 電子研究所導電橋式、電阻式記憶體、碲、氧化鉭、類神經網路、電子突觸、類神經運算、CBRAM、RRAM、Te、TaOx、neuromorphic computing、electronic synapse、neural network	碩士	107	2020-07-22	1.97 年
108	氧化鋅奈米棒薄膜的製備與特性於記憶體和氣體感測器之應用 Fabrication and Characterization of ZnO Nanorods Thin Films in Memory and Gas Sensing Application 電機資訊國際學程開關記憶體、非揮發性記憶體、電阻元件、氧化鋅、奈米棒薄膜、一氧化氮、氣體感測器、switching memories、nonvolatile memories、resistive devices、ZnO、nanorods thin film、nitric oxide、gas sensor	博士	103	2020-05-21	5.80 年
108	鎳鈷氧/硫化物及其奈米複合物於超級電容器之應用 Nickel Cobalt Oxide/Sulfide and Their Nano-Composites Applied in Supercapacitors 電子研究所超級電容、鎳鈷氧、鎳鈷硫、石墨烯、自組裝、奈米複合材、Supercapacitor、Nickel Cobalt Oxide、Nickel Cobalt Sulfide、Graphene、Self-assembly、Nanocomposites	博士	103	2020-03-02	5.59 年
108	應用於人工智慧之數位及類比阻態轉換元件 Digital and Analog Resistive Switching Devices for Artificial Intelligence Applications 電機資訊國際學程電阻轉換、極性、憶阻器、阻擋層ECM、電阻式突觸、腦啟發運算、神經網絡、人工突觸、artificial synapse、neural networks、brain-inspired computing、ECM、VCM	博士	103	2019-08-25	5.07 年
108	電阻式記憶體之可靠度及類神經網路應用之分析與模擬 Characterization and simulation of reliability and artificial neural network application of resistive random access memory 電子研究所電阻式記憶體、可靠度、記憶體保持能力、物理模型、類神經運算、選擇器、ReRAM、Reliability、Retention、Physical model、Neuromorphic computing、Selector	博士	103	—	無法計算
107	氧化鈦基電阻式記憶體於類神經網路之應用 TiOx-based synaptic memory device for neuromorphic application 電子研究所電阻式記憶體、突觸元件、氧化鈦、類神經、RRAM、synaptic memory device、TiOx、neuromorphic	碩士	106	2019-07-24	1.98 年
107	氧化還原添加劑固態電解質於超級電容器之應用 Fabrication and properties of Redox additives solid-like electrolytes for Supercapacitor Application 電子研究所超級電容、氧化還原添加電解質、固態電解質、Supercapacitor、Redox additives electrolyte、Solid-like electrolyte	碩士	106	2019-07-15	1.95 年
107	碲基導電橋式隨機存取記憶體之特性與可靠度研究 Properties and Reliability Investigation in Tellurium-Based Conductive Bridge Random Access Memory 電子研究所導電橋式、電阻式記憶體、碲、資料保存、X射線光電子能譜學、RRAM、CBRAM、Te、retention、XPS	博士	100	2019-07-15	7.95 年
107	氧化鋯電阻式記憶體於類神經運算之應用 Zirconium oxide-based resistive switching memory for neuromorphic computing applications 電子研究所・共同指導：施敏電阻式記憶體、氧化鋯、類神經網路、類神經運算、RRAM、Zirconium oxide、Neuromorphic computing、Neural network	碩士	106	2019-04-17	1.71 年
107	氧化鉭基電阻式記憶體之轉換特性與類神經應用 Resistive Switching Behavior and Synaptic Properties in TaOx-based RRAM Device 電子研究所電阻式記憶體、類神經網路、氧化鉭、類神經運算、電子突觸、阻態轉換、RRAM、neuromorphic computing、neural network、TaOx、electronic synapse、resistive switching	碩士	106	2018-07-29	0.99 年
107	氧化鉿基電阻式記憶體於類神經網路之應用 HfOx-based Resistive Random Access Memory for neuromorphic computing application 電子研究所電阻式記憶體、RRAM	碩士	106	—	無法計算
106	鍺基半導體元件製作之研究 Study on Germanium-based Device Fabrication 電子研究所・共同指導：李耀仁鍺、微波退火、紅外線溫度計、二氧化鍺、單原子層摻雜、雷射退火、germanium、microwave annealing、infrared pyrometer、GeO2、monolayer doping、laser annealing	博士	99	2018-07-24	7.98 年
106	氧化鉿電阻式記憶體搭配鎳摻雜選擇器特性之研究 Investigation on HfO2-based Resistive Random Access Memory with Ni-doped Selector 電子研究所鎳摻雜、選擇器、氧化鉿、電阻體記憶體、Ni-doped、selector、HfO2、RRAM、1S1R	碩士	105	2018-07-15	1.95 年
106	氧化鉿電阻式記憶體搭配可撓式氧化物選擇器 HfOx-based resistive random access memory with oxide-based flexible selector 電子研究所電阻式記憶體、選擇器、可撓式、一電阻式記憶體一選擇器結構、resistive random access memory、selector、flexible、1S1R	碩士	105	2018-07-12	1.94 年
106	高效能橋式電阻式記憶體之製造與特性 High Performance Conductive Bridging Resistive Switching Memory: Fabrication and Characterization 電子研究所可靠度、穩定性、記憶時間、雙層、非線性度、導電絲、reliability、endurance、retention、double layer、nonlinearity、conductive filament	博士	103	2018-07-01	3.92 年
106	鎳鈷硫化物/氧化石墨烯複合電極材料於超級電容器之應用 Nickel Cobalt Sulfide / Graphene Oxide Nanocomposites Electrodes and Their Applications in Supercapacitors 電子研究所超級電容、Supercapacitor	碩士	104	2018-01-15	2.46 年
105	氧化層雙向選擇器於電阻式記憶體之應用 Oxide-based bipolar selector device for resistive switching memory applications 電子研究所選擇器、電阻式記憶體、非線性選擇比、selector、RRAM、Nonlinearity	碩士	104	2017-07-17	1.96 年
105	單層氧化鎂選擇器應用於電阻式記憶體之研究 Single-layer Magnesium Oxide Based Selectors for Resistive Switching Memory Applications 電子研究所選擇器、電阻式記憶體、非線性、有效讀取區域、陣列、Selector、RRAM、Nonlinearity、Read Margin、Array	碩士	104	2017-07-17	1.96 年
105	金屬氧化物選擇器搭配氧化鋯電阻式記憶體之特性研究 Investigation on ZrO2-based RRAM with metal-oxide selector 電子研究所金屬氧化物、選擇器、電阻式記憶體、metal oxide、selector、rram	碩士	104	2017-07-16	1.96 年
105	氧化鋯電阻式記憶體元件之熱相關研究 The Thermal-Related Study on ZrO2-Based Resistive Switching Memory Devices 電子研究所電阻式記憶體、氧化鋯、熱、resistive switching memory、ZrO2、thermal	博士	99	2016-12-20	6.39 年
105	二氧化鈰及氧化鋅組成雙層穿透性電阻式記憶體之研究 Investigation of Transparent CeO2/ZnO Bi-Layer RRAM 電機資訊國際學程・共同指導：Tseng, TY 氧化锌、氧化铈、记忆、半导体存储器、ZnO、CeO2、Memory、Semiconductor Memory、Transparent Memory、RRAM	碩士	103	2016-09-01	2.09 年
105	藉由電極調整及摻雜提升氧化鋅透明性電阻式記憶體電阻轉態特性 Resistive Switching Characteristics of Transparent ZnO-based Devices Enhanced by Electrode Engineering and Dopant 材料科學與工程學系所・共同指導：韋光華電阻器件、回憶切換、非易失性存儲器、ZnO薄膜、透明電子、resistive devices、switching memories、nonvolatile memories、ZnO films、transparent electronics	博士	101	2016-08-31	4.08 年
105	高導電度膠態電解液於固態超級電容之應用 Applications of High Conductivity Gel Electrolytes in All Solid State Supercapacitor 電子研究所固態超級電容、膠態電解液、離子液體、Solid state of supercapacitor、Gel electrolyte、Ionic liquid	碩士	104	—	無法計算
104	前瞻式金氧半場效電晶體之隨機電報訊號分析與熱載子劣化研究 Investigation of Random Telegraph Signal and Hot Carrier Degradation in Advanced MOSFETs 電子工程學系電子研究所・共同指導：張鼎張隨機電報訊號、缺陷位置、氧化鉿、多聲子放射理論、晶格鬆弛能量、雙擴散汲極金氧半場效電晶體、熱載子裂化、Random Telegraph Signal (RTS)、Trap Position、HfO2、Multiphonon Emission Theory、Lattice Relaxation Energy、Double Diffused Drain MOSEFTs、Hot Carrier Degradation	博士	98	2016-08-03	7.01 年
104	三維多孔石墨烯/鎳鈷氧化物複合電極材料於超級電容器之應用 Three-dimensional Porous Graphene / Nickel Cobaltite Nanocomposites Electrodes and Their Applications in Supercapacitors 電子工程學系電子研究所超級電容、石墨烯、鎳鈷氧化物、Supercapacitor、Graphene、Nickel Cobaltite	碩士	103	2016-07-27	1.99 年
104	二氧化鉿金屬橋樑電阻式記憶體之可靠度研究 Reliability Improvement in HfO2-Based Conductive Bridge Random Access Memory 電子工程學系電子研究所二氧化鉿、金屬橋樑電阻式記憶體、Hafnium-Oxide、Conductive Bridge Random Access Memory	碩士	103	2016-07-27	1.99 年
104	利用碲為源層及增強阻障特性於氮化矽金屬導電橋接電阻式記憶體之可靠度優化研究 Optimization of Reliability in SiN-based Conductive Bridge Random Access Memory by Using Tellurium as Source Layer and Enhancing Barrier Property 電子工程學系電子研究所碲、氮化矽、金屬導電橋接電組式記憶體、阻障層、Tellurium、Silicon nitride、CBRAM、Barrier	碩士	103	2016-07-27	1.99 年
104	以電泳法沉積奈米碳管的電阻式記憶體之轉態特性研究 Investigation on Switching Characteristics of CNT Fabric RRAM Deposited by Electrophoretic Deposition 電子工程學系電子研究所奈米碳管、電阻式記憶體、電泳法、carbon nanotubes、resistive random access memory、electrophoretic deposition	碩士	103	2016-07-25	1.98 年
104	高效能電阻式記憶體搭配場效電晶體與記憶體可靠度特性提升的研究 Memory Reliability Improvement in High Performance Resistive Switching Memory with 1T1R Cross Bar Architecture 電子工程學系電子研究所 reliability、endurance、retention、Gibbs free energy、double layer、nonlinearity、tunneling barrier、MIC	博士	101	2015-01-08	2.44 年
104	納米電阻式記憶體導體特點的分析方法 A Comprehensive Analysis and Modelof Conducting Filament Properties in Nanoscale Resistive Switching Memory Devices 電子工程學系電子研究所 RRAM、CBRAM、HfO2、ZrO2、ZnO	博士	98	2015-01-04	5.43 年
103	氧化鋅摻雜鈷應用於透明電阻式記憶體之電阻開關特性研究 Resistive Switching Characteristics of Co-doped ZnO Transparent Resistive Random Access Memory 電機資訊國際學程易失性存储器、非易失性存储器、对ITO/氧化锌/ ITO RRAM设备电气特性、Volatile Memory、Non-Volatile Memory、Electrical characteristics of ITO/ZnO/ITO RRAM devices、Electrical characteristics of ITO/Co:ZnO/ITO RRAM devices	碩士	102	2015-08-11	2.03 年
103	高介電材料於導電橋式及透明電阻記憶體之轉態特性研究 Investigation on Resistive Switching Characteristics of CBRAM and T-RRAM Using High-k Materials 電子工程學系電子研究所電阻式記憶體、導電橋式電阻記憶體、透明電阻式記憶體、高介電材料、RRAM、CBRAM、Transparent RRAM、High-k material	碩士	102	2015-07-21	1.97 年
103	奈米碳管/氮摻雜石墨烯複合電極材料於超級電容器之應用 Carbon Nanotubes / Nitrogen-doped reduced Graphene Oxide Composites and Their Applications in Supercapacitors 電子工程學系電子研究所超級電容、氮參雜石墨烯、奈米碳管、離子液體、奈米複合材料、supercapacitor、N-doped graphene、carbon nanotubes、ionic liquid、nanocomposites	碩士	102	2015-07-20	1.97 年
103	氧化鋯金屬橋接電阻式記憶體轉態特性優化之研究 Investigation and Optimization of Switching Characteristics in ZrO2-base Conductive Bridge Resistive Random Access Memory 電子工程學系電子研究所電阻式記憶體、氧化鋯、銅、熱傳導係數、Resistive random access memory、ZrO2、Copper、Thermal conductivity	碩士	102	2015-07-20	1.97 年
103	氮化矽薄膜應用於銅導電橋隨機存取記憶體之特性研究 A Study on Copper Conductive-Bridging Random Access Memory Made by SiNx Thin Film 電子工程學系電子研究所氮化矽、銅導電橋隨機存取記憶體、電阻式隨機存取記憶體、SiNx、Copper Conductive-Bridging Random Access Memory、Resistive Random Access Memory	碩士	102	2015-07-20	1.97 年
103	鎵摻雜氧化鋅奈米柱金屬橋接電阻式記憶體轉態特性之研究 Resistive Switching Characteristic of GZO-nanorods Based Conductive Bridge Random Access Memory 電機資訊國際學程导电性桥的随机存取存储器、GZO棒、Conductive Bridge Random Acess Memory、GZO nanorods	碩士	101	2015-02-02	2.51 年
103	高可靠度特性的過渡金屬氧化物電阻式記憶體製作與特性研究 Fabrication and Characterization of Transition Metal Oxide Based Resistive Switching Memory with High Reliability 電子工程學系電子研究所可靠度、耐操度、雙層結構、電阻式記憶體、透明、reliability、endurance、bilayer、RRAM、transparent	博士	98	2014-11-04	5.26 年
102	石墨烯/氧化鎢奈米複合型材料於電致變色元件之應用研究 Synthesis and Electrochromic Characteristics of Graphene/Tungsten Trioxide Nanocomposites 照明與能源光電研究所・共同指導：林萬里電致變色、氧化鎢、石墨烯、水熱法、旋鍍法、可撓式基板、electrochromic、Tungsten Trioxide、Graphene、Hydrothermal method、Spin coating method、Flexible substrate	碩士	101	2014-06-30	1.91 年
102	先進High-k/Metal Gate之金氧半場效電晶體電性分析與可靠度研究 Investigation on the Electrical Analysis and Reliability Issues in Advanced High-k/Metal Gate MOSFETs 電子工程學系電子研究所・共同指導：張鼎張金氧半場效電晶體、高介電值係數、快速量測、MOSEFTs、high-k、charge pumping、fast I-V	博士	99	2014-06-30	3.91 年
102	奈米碳基/錳氧化物複合電極材料於超高電容器之應用研究 Fabrication of nanostructured carbon / manganese oxide composites and their applications in supercapacitors 材料科學與工程學系所・共同指導：林鵬、陳三元儲能材料、奈米複合材料、超高電容、充放電反應機制、非對稱超高電容器、奈米碳管、石墨烯、錳氧化物、電泳法、Energy storage materials、Nanocomposites、Supercapacitors、Charge/discharge mechanism、Asymmetric supercapacitors、CNTs、Graphene、Manganese Oxide、Electrophoretic deposition	博士	97	2014-05-28	5.82 年
102	氧化鋯電阻式記憶體之單極性電阻切換特性研究及其應用 Unipolar Resistive Switching Characteristics of ZrO2-Based RRAM and its Application 電子工程學系電子研究所電阻式記憶體、氧化鋯、單極性、電阻轉態、記憶體、RRAM、ZrO2、unipolar、resistive switching、memory	碩士	100	—	無法計算
102	氧化鋯電阻式記憶體搭配氧化鎢之雙極性與自我限流特性研究 Investigation of bipolar and self-compliance characteristics in ZrO2-based RRAM structure with WO3 layer 電子工程學系電子研究所電阻式記憶體、自我限流、RRAM、self-compliance	碩士	101	—	無法計算
102	非揮發性氧化鋯電阻式記憶體於鎢電極之結構與特性研究 Properties of W Electroded ZrO2-based Non-Volatile Resistive Memory 電機學院電子與光電學程非揮發性記憶體、電阻式記憶體、氧化鋯、鎢電極、阻態轉換、Non-Volatile Resistive Memory、Resistive Random Access Memory、ZrO2、W Electrode、Resistive Switching	碩士在職專班	100	—	無法計算
102	奈米碳管/鈷氧化物複合電極材料於超高電容器之應用研究 Fabrication of Nanostructured Carbon / Cobalt Oxide Composites and Their Applications in Supercapacitors 電子工程學系電子研究所四氧化三鈷、奈米碳管、奈米複合材料、電泳法、水熱法、超級電容、Co3O4、CNTs、Nanocomposites、Electrophoretic deposition、Hydrothermal method、Supercapacitors	碩士	101	—	無法計算
102	具交叉結構二氧化鉿電阻式記憶體之可靠度與非線性特性研究 Investigation of reliability and nonlinear characteristics in HfO2-based RRAM with crossbar structure 電子工程學系電子研究所電阻式記憶體、resistive switching、crossbar	碩士	101	—	無法計算
101	水熱法合成氧化鎢奈米束狀結構應用於可撓式基板之電致變色元件研究 Electrochromic Properties of Hydrothermally Grown Tungsten Oxide Nanobundles on Flexible Substrate 電子工程學系電子研究所電致變色、氧化鎢、水熱法、電泳法、可撓式基板、奈米束、electrochromic、tungsten oxide、hydrothermal、electrophoresis、flexible substrate、nanobundles	碩士	100	2013-07-24	1.98 年
101	利用後續沉積退火處理來提升雙層氧化物結構之電阻式記憶體轉態特性 Improved Resistive Switching Characteristics by Using Post Deposition Annealing in Bilayer RRAM Structure 電子工程學系電子研究所電阻式記憶體、退火處理、Resistive Switching、Annealing	碩士	100	—	無法計算
101	高緻密鎵摻雜氧化鋅奈米柱薄膜應用於全透明高效能電阻式非揮發性記憶體特性 Fully Transparent and Stable Resistive Switching Characteristics of Compact GZO Nanorods Thin Film for High-Performance NVM Application 電子工程學系電子研究所電阻式記憶體、透明、鎵摻雜氧化鋅奈米柱、RRAM、Transparent、GZO Nanorods	碩士	100	—	無法計算
101	控制氧空缺或氧離子分佈於過渡金屬氧化物薄膜之電阻式記憶體元件的影響 Influence of Oxygen Vacancies or Oxygen Ions Engineering Distributed in Transition Metal Oxide Film in RRAM Device 電子工程學系電子研究所電阻式記憶體、氧空缺、氧離子、RRAM、Oxygen Vacancy、Oxygen Ions	碩士	100	—	無法計算
100	以水熱法製備氧化鎢奈米線網狀結構之電致變色元件研究 Electrochromic Properties of Tungsten Trioxide Nanowire Networks Structure Synthesized by Hydrothermal Method 電子工程學系電子研究所電致變色、三氧化鎢、奈米線、Electrochromic、Tungsten trioxide、Nanowire	碩士	99	2012-07-31	2.00 年
100	前瞻電阻式轉態記憶體元件之製作與特性研究 Fabrication and Electrical Characterization of Advanced Resistive Random Access Memory Devices 電子工程學系電子研究所・共同指導：張鼎張記憶體、電阻轉換、memory、resistance switching	博士	96	2012-07-04	4.93 年
100	氧化鋯電阻式記憶元件搭配場效電晶體之特性研究 A Study on ZrO2 based Resistance Switching Nonvolatile Memory with 1T1R Architecture 電子工程學系電子研究所電阻式、非揮發記憶體、二氧化鋯、電晶體、Resistive Switching、RRAM、ZrO2、MOSFET	博士	96	2012-05-24	4.81 年
100	一維氧化鋅奈米結構之製備及其應用 Synthesis of One Dimensional Zinc Oxide Nanostructure and their Applications 材料科學與工程學系所・共同指導：林鵬氧化鋅、場發射、感測器、電阻式記憶體、Zinc oxide、Field emission、Sensor、Resistive switching memory	博士	96	2012-04-25	4.73 年
100	非晶態金屬氧化物薄膜電晶體之環境敏感性與可靠度 Environmental Sensitivity and Reliability for Amorphous Metal-Oxide Thin Film Transistors 電子工程學系電子研究所・共同指導：張鼎張金屬氧化物半導體、薄膜電晶體、不穩定性、環境、氧吸附、metal oxide semiconductor、thin film transistor、instability、environment、oxygen adsorption	博士	96	2012-01-11	4.45 年
100	鋯酸鍶基電阻式記憶元件特性與機制之研究 Investigation of Resistive Switching Characteristics and Mechanisms of Strontium Zirconate Memory Devices 電子工程學系電子研究所非揮發性記憶體、電阻式記憶體、鋯酸鍶、鈣鈦礦、Nonvolatile Memory、Resistive Random Access Memory、Strontium Zirconate、Perovskite	博士	95	—	無法計算
100	二元金屬氧化物電阻式記憶元件之界面效應研究 Investigation of Interface Effect on Resistive Switching Properties of Binary Metal Oxide Memory Devices 電子工程學系電子研究所電阻式記憶體、氧化鋯、電阻轉態、記憶體、氧化鎵、RRAM、ZrO2、resistive switching、memory、Ga2O3	博士	96	—	無法計算