許恒通

Hsu, Heng-Tung・國際半導體產業學院・國際半導體產業學院

碩士平均畢業時長

2.40 年

中位數 2.17 年・22 人

博士平均畢業時長

4.61 年

中位數 4.75 年・9 人

收錄論文

32 篇

106–115 學年度

全校中位數（供對照）

碩士 2.10・博士 6.11 年

畢業時長趨勢

每學年度畢業人數

只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。

研究關鍵字

GaN HEMT氮化鎵TCAD simulation毫米波ReliabilityGaN氮化鎵高電子遷移率電晶體功率放大器power amplifierDC stress氮化鋁熱載子效應Millimeter wave諧波調諧millimeter-wavephased-array system直流應力雙閘極結構等效氧化層厚度aluminum nitridedual-gate structureequivalent oxide thickness可靠度分析RF stress可靠度Hot carrier effect砷化鎵TCAD模擬HEMTlinearity元件模擬切換器Switches第五代行動通訊5G相位陣列系統堆疊式場效電晶體射頻前端次系統SPDT 射頻開關Stacked-FETRF front-end subsystemSPDT RF switchharmonic tuning鈣鈦礦氧化物記憶體元件光電突觸氧空缺紫光刺激卷積神經網路perovskite oxide

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指導論文

學年度	論文	學制	入學	提交日期	畢業時長
115	應用於毫米波段相位陣列系統之射頻前端次系統開發 Development of RF Front-End Subsystems for Millimeter-Wave Phased-Array Systems 國際半導體產業學院・共同指導：曹逸凡毫米波、相位陣列系統、堆疊式場效電晶體、射頻前端次系統、SPDT 射頻開關、諧波調諧、功率放大器、millimeter-wave、phased-array system、Stacked-FET、RF front-end subsystem、SPDT RF switch、harmonic tuning、power amplifier	博士	109	2026-01-19	5.47 年
114	經後退火處理之鈦酸鍶光電突觸憶阻器之特性分析及其類神經運算應用 Characterizations of Post-Annealed SrTiO₃ Optoelectronic Synaptic Memristors and Their Neuromorphic Computing 國際半導體產業學院・共同指導：曾俊元鈣鈦礦氧化物、記憶體元件、光電突觸、氧空缺、紫光刺激、卷積神經網路、perovskite oxide、memristor、optoelectronic synapse、oxygen vacancy、violet light stimulation、convolutional neural network	碩士	112	2026-01-22	2.48 年
114	用於射頻和太赫茲應用的InAlGaN/GaN高電子遷移率電晶體的可靠性和直流/射頻應力引起的性能退化 Reliability and DC/RF Stress Induced Degradation in InAlGaN/GaN HEMTS for RF and Terahertz Applications 國際半導體產業學院・共同指導：古普塔、安庫爾 GaN HEMT、直流應力、可靠性、射頻線性度、TCAD、DC stress、Reliability、RF linearity	博士	112	2026-01-12	2.45 年
114	透過介面中間層實現二硒化鎢雙閘極元件介電層整合之研究 Dielectric Integration on WSe₂ for Dual-Gate FETs via Interfacial Layer Engineering 國際半導體產業學院・共同指導：簡昭欣二維材料、二硒化鎢、氮化鋁、氧化鎢、雙閘極結構、原子沉積技術、等效氧化層厚度、Two-dimensional materials、tungsten diselenide、aluminum nitride、tungsten oxide、dual-gate structure、atomic layer deposition、equivalent oxide thickness	碩士	112	2025-10-17	2.21 年
114	應用於三維積體電路之金錫固液擴散接合結構測試與技術開發 Structure Testing and Technology Development of Au-Sn Solid–liquid Interdiffusion Bonding Applied to 3D Integrated Circuits 國際半導體產業學院・共同指導：陳冠能三維積體電路、微機電系統、先進封裝、金錫介金屬化合物、固液擴散接合、Three-dimensional integrated circuits、Micro electro mechanical systems、Advanced packaging、Gold-tin intermetallic compounds、Solid-liquid interdiffusion bonding	碩士	111	2025-08-31	3.08 年
114	應用於Ka頻段低軌衛星之接收機射頻前端電路設計 Design of Front-end Circuits for Ka-band Low-Earth-Orbit Satellite Communication Receiver 國際半導體產業學院低軌衛星、Ka頻段、吸收式SPDT切換器、高線性低雜訊放大器、GaN HEMT、非地面網路、GaAs p-HEMT、Low Earth Orbit Satellite、Ka-Band、Absorptive SPDT Switch、High-Linearity Low-Noise Amplifier、Non-Terrestrial Networks	碩士	112	2025-08-25	2.07 年
114	適用於毫米波通訊系統之氮化鎵元件在直流與射頻可靠度試驗下之失效機制探討 Reliability Assessment of GaN HEMTs for Millimeter-wave Communication Systems under DC and RF Stress 國際半導體產業學院氮化鎵高電子遷移率電晶體、可靠度分析、電流暫態分析、直流應力、射頻應力、GaN HEMT、Reliability、Current transient、DC stress、RF stress	碩士	112	2025-08-25	2.07 年
114	具 AlN 間隔層之 AlGaN/GaN 與 InAlGaN/GaN 高電子遷移率功率電晶體之可靠度與閘極工程改善研究 Reliability and Gate Engineering Enhancements in AlGaN/GaN and InAlGaN/GaN HEMTs with AlN Spacers 國際半導體產業學院寬頻隙半導體、氮化鎵、高電子遷移率電晶體、可靠度、熱載子效應、自發熱效應、電場集中效應、閘極閥值電壓、high-bandgap compound semiconductor、GaN、HEMTs、Reliability、hot carrier injection、self-heating effect、electric field crowding、threshold voltage	博士	109	2025-08-12	5.03 年
113	短通道氮化鎵高電子遷移率電晶體可靠度探討與退化機制分析 Reliability Assessment and Failure Mechanism Analysis of Short-channel Gallium Nitride High-electron-mobility Transistors 國際半導體產業學院短通道、氮化鎵高電子遷移率電晶體、可靠度、直流應力實驗、熱電子效應、缺陷、高頻應力實驗、Short-channel、GaN HEMTs、Reliability、DC stress、Hot-electron effect、Trap、RF stress	博士	110	2025-08-06	4.01 年
113	高溫環境中氮化鎵元件在直流與射頻操作條件下之可靠度特性探討 Reliability Analysis of GaN HEMTs under DC and RF Operation Under High Temperature Conditions 國際半導體產業學院氮化鎵高電子遷移率電晶體、可靠度分析、熱載子效應、DC HTOL、RF HTOL、GaN HEMT、Reliability、Hot carrier effect	碩士	111	2025-02-13	2.54 年
113	利用氮化鋁中間層與背閘氧化層處理實現雙閘極二硫化鉬場效電晶體亞一奈米級等效氧化層厚度 Sub-1nm EOT in Dual-Gate MoS₂ FETs via AlN Intermediate Layer and Back-Gate Oxide Treatment 國際半導體產業學院・共同指導：簡昭欣二硫化鉬、表面處理、氮化鋁、等效氧化層厚度、雙閘極場效電晶體、次臨界擺幅、molybdenum disulfide、surface treatment、aluminum nitride、equivalent oxide thickness、dual-gate field-effect transistor、subthreshold swing	碩士	111	2024-12-24	2.40 年
112	利用TCAD模擬軟體探討提升砷化鎵高速電子遷移率電晶體高頻特性之方法 Study of the Approaches to Enhance the High Frequency Characteristics of GaAs High Electron-mobility Transistors Using TCAD Simulation 國際半導體產業學院砷化鎵高速電子遷移率電晶體、TACD模擬軟體、砷化鎵、高頻特性、通道長度對閘極長度關係、複合式通道、GaAs high-electron mobility transistors、GaAs HEMT、TCAD simulation、Ft、Fmax	碩士	110	2024-03-11	2.61 年
112	開發適用於5G NR第二頻段具波束切換能力之發射機模組 Development of Beam-Switchable Transmitter for 5G New-Radio Frequency Range 2 Applications 國際半導體產業學院單刀雙擲切換器、毫米波、發射機、射頻前端、Single-Pole-Double-Throw Switch、Millimeter-wave、Transmitter、RF front-end	博士	107	2024-01-29	5.49 年
112	應用於毫米波之收發器系統開發 Development of Transceiver System for Millimeter-Wave Applications 國際半導體產業學院毫米波、收發器、射頻前端模組、鎊線技術、單片微波積體電路、Millimeter wave、Transceiver、RF front-end module、Wire bonding、Monolithic microwave integrated circuit	博士	107	2023-04-15	4.70 年
111	高頻氮化鎵高速電子遷移率電晶體能障層結構優化設計之TCAD模擬 TCAD simulation of barrier structure optimization for high-frequency GaN HEMT 國際半導體產業學院氮化鎵、高速電子遷移率電晶體、高頻表現、TCAD模擬、結構優化、GaN、HEMT、RF performance、TCAD simulation、structure optimization	碩士	110	2023-07-17	1.96 年
111	利用自動化微流晶片平台偵測和分離循環腫瘤細胞 An Automatic Microfluidic Platform for Isolation and Detection of Circulating Tumor Cells (CTCs) 國際半導體產業學院金屬輔助化學蝕刻、微流免疫黏著晶片、循環腫瘤細胞、卵巢癌、循環腫瘤細胞特徵分析、人工智慧影像辨識、自動化、Metal-assisted chemical etching、Microfluidic immunoaffinity chip、Circulating tumor cells、Ovarian cancer、CTC profiling、AI image identification、Automation	博士	107	2023-07-04	4.92 年
111	應用於無線通訊系統之諧波調諧功率放大器設計 Harmonic Tuned Power Amplifier Design for Wireless Communication Systems 國際半導體產業學院無線通訊系統、功率放大器、諧波調諧、Wireless Communication Systems、Power Amplifier、Harmonic Tuned	碩士	110	2023-06-14	1.87 年
111	不同功函數調變與不同鰭數目對三閘極鰭式電晶體元件之電性分析及可靠度研究 Study of theWork Function and Fin Number Variation Effect on the Electrical and Reliability Characteristics of the Tri-gate FinFETs 國際半導體產業學院鰭式場效電晶體、功函數、熱載子效應、FinFET、Work function、Hot carrier effect	博士	107	2023-04-14	4.70 年
110	應用於毫米波段之氮化鎵高電子遷移率電晶體結構最佳化與線性度分析 Structure optimization and linearity analysis of GaN HEMTs for millimeter-wave application 國際半導體產業學院氮化鎵高電子遷移率電晶體、雙閘極結構、Synopsys Sentaurus TCAD、線性度分析、閘極偏壓擺幅、曲線擬和、Gm3、GaN HEMT、Dual-gate structure、linearity、curve fitting、Third-order transconductance	碩士	109	2021-12-13	1.37 年
109	利用TCAD模擬分析增強型氮化鎵電晶體之製程條件優化 Optimization of Fabrication Condition for Enhancement-mode Gallium Nitride Transistors Using TCAD Simulation 國際半導體產業學院增強型氮化鎵、製程優化、TCAD模擬分析、Enhancement-mode Gallium Nitride Transistors、TCAD Simulation、Optimization of Fabrication Condition	碩士	107	2021-12-27	3.41 年
109	氧化鋅錫透明電阻式記憶體之電轉換與光特性 Resistive Switching and Optical Characteristics of Transparent Zinc Tin Oxide Memory 國際半導體產業學院・共同指導：曾俊元氧化鋅錫、透明電阻式記憶體、電設置、光重置、光響應、類神經網絡、ZTO-based TRRAM、transparent、electrical SET、optical RESET、optical response、neuromorphic computing	碩士	108	2021-08-09	2.02 年
109	低成本類比相位陣列之系統關鍵元件研究與開發 Research and Development of Key Elements for Low-Cost Analog Phased-Array Systems 國際半導體產業學院相位陣列、功率分配器、相移器、縮小化、寬頻、Phased-array system、Power divider、Phase shifter、Compact、Wideband	博士	105	2021-05-03	4.75 年
109	以TCAD模擬技術為基礎之氮化鎵元件線性度特性探討 A Linearity Characteristics Study of Gallium Nitride Devices Based on TCAD Simulation Techniques 國際半導體產業學院氮化鎵、線性度、元件模擬、GaN HEMT、Linearity、TCAD simulation	碩士	107	2021-03-29	2.66 年
109	可撓性有機薄膜電晶體對彎曲應力測試的反應與載子傳輸特性之研究 Study of the Impact of Bending Strain on the Performance of Flexible Organic Thin-Film Transistors and Charge Transport in Organic Semiconductors 國際半導體產業學院・共同指導：林鴻志有機薄膜電晶體、可撓性、彎曲應力、載子傳輸、Organic transistor、Flexible、Bending strain、Carrier Transport	碩士	106	2020-12-28	3.41 年
109	應用於次世代通訊系統之功率放大器設計 Power Amplifier Design for Next-generation Communication Systems 國際半導體產業學院功率放大器、5G通訊系統、砷化鎵、Power Amplifier、5G Communication system、GaAs	博士	105	—	無法計算
108	適用於Ka頻段衛星通訊系統之毫米波切換開關晶片設計 Design of Millimeter Wave MMIC Switches for Ka-Band Satellite Communication Systems 國際半導體產業學院衛星通訊、毫米波、切換器、Satellite Communication、Millimeter Wave、Switches	碩士	107	2020-07-01	1.92 年
108	Field plate結構應用於高頻及高壓氮化鎵元件之TCAD模擬與開發 Field Plate Structure TCAD Simulation and Development for High Frequency and High Voltage GaN HEMT Applications 國際半導體產業學院氮化鎵、場板、崩潰電壓、截止頻率、元件模擬、GaN HEMT、field plate、TCAD simulation、breakdown voltage、cutoff frequency	碩士	106	2019-09-16	2.12 年
108	氮化鎵高電子移動率電晶體T型閘極最佳化設計與TCAD模擬 GaN HEMT T-gate Optimal Design and TCAD simulaiton 國際半導體產業學院氮化鎵、高電子移動率電晶體、T型閘極、TCAD模擬、GaN、HEMT、T gate、TCAD simulation	碩士	106	2019-09-16	2.12 年
107	氮化鎵高電子遷移率功率電晶體之閘極鈍化層搭配氮化鋁之研究 The study of GaN MIS-HEMT power device with AlN stack layer 國際半導體產業學院氮化鎵、高功率元件、閘極鈍化層、氮化鋁、氧化鋁、二氧化鉿、GaN、High power device、Mis-HEMT、AlN、Al2O3、HfO2	碩士	106	2019-06-22	1.89 年
107	應用於第五代行動通訊基地台操作於3.5GHz之高效率Doherty功率放大器模組 A High Efficiency Doherty Amplifier Module Design for 5th Generation Communication System Base-Station Applications 電子研究所・共同指導：溫瓌岸高效率、多赫蒂、功率回退、威金森功率分配器、第五代行動通訊、超大型基地台、High efficiency、Doherty、OPBO、Wilkinson power divider、5G、Base station	碩士	104	2019-06-02	3.84 年
107	銅閘極的高功率氮化鎵元件製程之研究 Study of Copper Gated HEMTs for High Power Device Applications 國際半導體產業學院氮化鎵、功率元件、GaN	碩士	105	2019-06-01	2.83 年
106	適用於第五代行動通訊系統之毫米波切換開關晶片設計 Design of millimeter wave MMIC switches for 5G communication systems 國際半導體產業學院第五代行動通訊、毫米波、切換器、5G、Millimeter wave、Switches	碩士	105	2018-06-20	1.88 年