安庫爾

Gupta, Ankur・國際半導體產業學院・國際半導體產業學院

博士平均畢業時長

2.45 年

中位數 2.45 年・1 人

收錄論文

1 篇

114–114 學年度

全校中位數（供對照）

博士 6.11 年

畢業時長趨勢

只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。

GaN HEMT直流應力可靠性射頻線性度TCADDC stressReliabilityRF linearity

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學年度	論文	學制	入學	提交日期	畢業時長
114	用於射頻和太赫茲應用的InAlGaN/GaN高電子遷移率電晶體的可靠性和直流/射頻應力引起的性能退化 Reliability and DC/RF Stress Induced Degradation in InAlGaN/GaN HEMTS for RF and Terahertz Applications 國際半導體產業學院・共同指導：許恒通、古普塔 GaN HEMT、直流應力、可靠性、射頻線性度、TCAD、DC stress、Reliability、RF linearity	博士	112	2026-01-12	2.45 年