碩士平均畢業時長
2.30 年
中位數 2.25 年・81 人
在職專班平均畢業時長
4.04 年
中位數 4.04 年・1 人
博士平均畢業時長
5.16 年
中位數 5.11 年・22 人
收錄論文
109 篇
100–115 學年度
全校中位數（供對照）
碩士 2.10・在職專班 2.08・博士 6.11 年
畢業時長趨勢
每學年度畢業人數
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研究關鍵字
MOSFET鍺Atomic Layer Deposition二維材料金氧半場效電晶體germanium原子層沉積HfO2等效氧化層厚度subthreshold swing二氧化鉿二硫化鉬Two-dimensional materialsequivalent oxide thickness接觸電阻contact resistance氮化鋁次臨界擺幅aluminum nitride奈米碳管二硒化鎢MoS2二硫化鎢carbon nanotube摻雜第一原理tungsten diselenideGe矽鍺SiGeAl2O3雙閘極元件Doping氧化銦氧化鉿鋯場效電晶體微波退火金氧半場效應電晶體二氧化鈦TiO2砷化銦鎵蕭特基Schottky三氧化二鋁Tungsten disulfideforming gas annealingTMDsSchottky barrier2D materialsTop-gate transistor
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指導論文
| 學年度 | 論文 | 學制 | 入學 | 提交日期 | 畢業時長 |
|---|---|---|---|---|---|
| 115 | Dielectric Defect Engineering and Solution-Based Doping for High-Performance MoS2 Transistors with Threshold-Voltage Engineering 前瞻半導體研究所 二維材料、二硫化鉬、氧化鉿、氟電漿處理、介電層缺陷工程、臨界電壓調控、二階段溶液式摻雜、Two-dimensional materials、MoS2、HfO2、fluorine plasma treatment、dielectric defect engineering、threshold-voltage tuning、solution-based doping | 碩士 | 113 | 2026-10-30 | 2.25 年 |
| 115 | Optimization of High-κ Metal Gate Integration and Forming Gas Annealing on WS2 Transistors 前瞻半導體研究所 二硫化鎢、氮化鋁、次臨界擺幅、等效氧化層厚度、氫氮混合氣氛退火、雙閘極元件、Tungsten disulfide、aluminum nitride、subthreshold swing、equivalent oxide thickness、forming gas annealing、dual-gate device | 碩士 | 113 | 2026-10-13 | 2.20 年 |
| 115 | Enhancement of Carrier Transport in Single-Metal Aligned Carbon Nanotube Field-Effect Transistors by Nitrogen-Plasma Contact Engineering 電子研究所 高密度定向排列奈米碳管陣列、氮電漿摻雜、同質接觸、接觸工程、n 型與 p 型碳奈米管場效電晶體、Aligned carbon nanotube、Nitrogen Plasma Doping、Homo-Contact、Contact Engineering、n-Type and p-Type Carbon Nanotube Field-Effect Transistors | 碩士 | 112 | 2026-09-02 | 3.09 年 |
| 115 | High-Performance Ultra-Scaled MoS₂ Transistors with Hybrid Contacts and MOCVD Multilayers 電子研究所 接觸電阻、混合式接觸、轉移長度、低溫量測、有效蕭特基能障、CGP微縮、TMDs、contact resistance、hybrid contact、transfer length、cryogenic measurement、effective Schottky barrier height、CGP scaling、MOCVD | 碩士 | 113 | 2026-08-19 | 2.05 年 |
| 115 | CNT N-Type MOSFET Enabled by Ultrathin Y-Assisted SiON Spacer Doping 電子研究所 奈米碳管、氮氧化矽、氧空缺、n 型摻雜、carbon nanotube、silicon oxynitride、oxygen vacancy、n-type doping | 碩士 | 113 | 2026-08-19 | 2.05 年 |
| 115 | Fabrication of High-Performance Nickel-Contact Carbon Nanotube NFETs through Annealing and High-κ Dielectric Scaling 電子研究所 奈米碳管、鎳接觸、氫氮混和氣退火、高介電常數介電層、氮化鋁摻雜、蕭特基能障、Carbon nanotube、Nickel contact、Forming gas annealing、High-κ dielectric、Aluminum nitride doping、Schottky barrier | 碩士 | 113 | 2026-08-06 | 2.01 年 |
| 115 | Investigation of In2O3 Cryogenic Performance and Electrical Optimization via Localized States Reduction 電子研究所 氧化銦薄膜電晶體、低溫電性表現、局域態、快速熱退火、摻雜、鈍化層、In₂O₃ Thin Film Transistors、Cryogenic Electrical Performance、Localized States、Rapid Thermal Annealing、Doping、Passivation Layer | 碩士 | 113 | 2026-06-29 | 1.91 年 |
| 114 | High-Performance High-Density Aligned Carbon Nanotube p-FETs via Interface and Contact Engineering 電子研究所 高密度排列奈米碳管陣列、低溫高劑量原子層沉積、自我固定製程、合成氣體退火、自我對準接觸摻雜、蕭特基障壁、p型場效電晶體、aligned carbon nanotube、low-temperature high-dose atomic layer deposition、self-anchoring process、forming gas annealing、self-aligned MoOx contact doping、Schottky barrier、p-FET | 碩士 | 113 | 2026-07-16 | 1.95 年 |
| 114 | A Comprehensive Framework for Scalable and Integrable Electronics Based on Two-Dimensional Semiconductors 電子研究所 二維材料、接觸電阻最佳化、柵極間距微縮、摻雜工程、單極性電晶體／ 反相器設計、MOCVD 成長、載子遷移率與傳輸特性分析、2D materials、contact resistance optimization、contacted gate pitch (CGP) scaling、doping engineering、unipolar transistors / inverter design、MOCVD growth、carrier mobility and transport analysis | 博士 | 110 | 2026-06-09 | 4.85 年 |
| 114 | First-Principles Study of TMN/TMD Heterostructures for Low-Resistance P-Type Contacts 電子研究所 二維過渡金屬硫族化物、第一原理、過渡金屬氮化物、p型接觸、蕭特基障壁高度、接觸電阻、Transition Metal Dichalcogenides (TMDs)、p-Type Contacts、Schottky Barrier Height (SBH)、First-Principles Calculations、Contact Resistance、Transition Metal Nitrides (TMNs) | 碩士 | 111 | 2026-05-21 | 3.80 年 |
| 114 | Study on Back-Gate EOT Scaling and Gate-Stack Engineering Strategies for High-Performance MoS₂ FETs 電子研究所 二硫化鉬、原子層沉積、層狀氮化鋁、雙閘極元件、次臨界擺幅、等效氧化層厚度、Molybdenum Disulfide、Atomic Layer Deposition、Layered Aluminum Nitride、Dual-Gate Device、Subthreshold Swing、Equivalent Oxide Thickness | 碩士 | 112 | 2026-03-10 | 2.61 年 |
| 114 | Study of BEOL-Compatible Annealing-free Top-gate Transistor with Bias Stability 電子研究所 氧化銦、MFMIS 結構、鐵電場效電晶體、頂部閘極電晶體、正負偏壓應力、電漿輔助原子層沉積、In2O3、MFMIS、Ferroelectric field-effect transistors (FeFETs)、Top-gate transistor、Positive/negative bias stress (PBS/NBS)、plasma-enhanced atomic layer deposited (PEALD) | 碩士 | 111 | 2026-02-04 | 3.51 年 |
| 114 | High-Performance and Stable In₂O₃-Based TFTs by Doping and Interface Engineering for BEOL Applications 前瞻半導體研究所・共同指導：林育賢 氧化銦鎢薄膜電晶體、摻雜、高穩定度、介面工程、IWO TFTs、Doping、High Stability、Interface Engineering | 博士 | 111 | 2025-12-22 | 3.39 年 |
| 114 | Advancing Transition Metal Dichalcogenides Gate-All-Around Transistors with Two-Step Atomic Layer Deposition and Few-Layer Engineering Beyond monolayer limits 電子研究所 二維材料、少層二硒化鎢、少層二硫化鉬、環繞式閘極電晶體、原子層沉積、過渡金屬二硫屬化物、二硫化鎢、二硒化鎢、二硫化鉬、Two-dimensional material、Transition metal dichalcogenides (TMD)、MoS2、WSe2、WS2、atomic layer deposition (ALD)、gate-all-around field effect transistor (GAAFET)、few-layer MoS2、few-layer WSe2 | 博士 | 109 | 2025-11-21 | 5.31 年 |
| 114 | Investigations of Back-End-of-Line-Compatible Ferroelectric Capacitors and Indium Oxide Transistors for Monolithic 3D Integration 電子研究所・共同指導：林育賢 三維積體電路、氧化鉿鋯、氧化銦、相容於後段製程、鐵電電容、鐵電場效電晶體、3DIC、HZO、In2O3、Back end of line compatible、Ferroelectric Capacitor、Ferroelectric FET | 博士 | 108 | 2025-11-05 | 6.26 年 |
| 114 | Dielectric Integration on WSe₂ for Dual-Gate FETs via Interfacial Layer Engineering 國際半導體產業學院・共同指導：許恒通 二維材料、二硒化鎢、氮化鋁、氧化鎢、雙閘極結構、原子沉積技術、等效氧化層厚度、Two-dimensional materials、tungsten diselenide、aluminum nitride、tungsten oxide、dual-gate structure、atomic layer deposition、equivalent oxide thickness | 碩士 | 112 | 2025-10-17 | 2.21 年 |
| 114 | Study on Few-Layer WSe₂ and MoS₂ Transistors Fabricated by a Sequential Stacking Method 電子研究所 過渡金屬二硫屬化物、多層膜、序列堆疊法、本徵遷移率、接觸電阻、TMDs、few-layer、sequential stacking、intrinsic mobility、contact resistance | 碩士 | 112 | 2025-10-04 | 2.18 年 |
| 114 | AlN Surface Charge Transfer to the WSe2 Channel of a 2D Transistor, a First-principles Quantum-transport Study 電子研究所・共同指導：林炯源 過渡金屬二硫族化合物、二硒化鎢、氮化鋁、表面電荷轉移、第一原理、量子傳輸、密度泛函理論、Transitional metal dichalcogenides、tungsten diselenide、aluminum nitride、surface charge transfer、first-principles、quantum transport、density functional theory | 碩士 | 112 | 2025-09-26 | 2.15 年 |
| 114 | Leakage Suppression and Doping Strategies in Carbon Nanotube Transistors 電子研究所 低維度材料、碳奈米管、漏電流、摻雜、電晶體、Low-dimensional materials、Carbon nanotube、Leakage、Doping、Transistors | 博士 | 109 | 2025-09-18 | 5.13 年 |
| 114 | Integration of Sub-1 nm HfO2 Gate Stack by Atomic-Layer-Deposition-Only for Dual-Gate and Gate-All-Around Two-Dimensional Semiconductor Devices 電子研究所 二維材料、原子層沉積、合成氣體退火、場效電晶體、等效氧化層厚度、Two-dimensional Materials、Atomic Layer Deposition、Forming Gas Anneal、Field-Effect Transistors、Equivalent Oxide Thickness | 碩士 | 112 | 2025-09-10 | 2.11 年 |
| 114 | Material and Electrical Characterization of MoS₂ Multilayers Fabricated by Stacking CVD Monolayers and by MOCVD Growth 前瞻半導體研究所 多層膜、乾式轉印、金屬輔助乾式轉印、低溫量測、載子遷移率、接觸電阻、TMDs、Multilayer、CVD、Dry Transfer、Metal-Assisted Dry Transfer、MOCVD、Low Temperature Measurement、Mobility、Contact Resistance | 碩士 | 112 | 2025-08-18 | 2.05 年 |
| 113 | Improvement of In2O3 interfacial properties for top-gate thin film transistors by ozone-based treatment 電子研究所 氧化銦、氧化物半導體、頂閘極結構、原子層沉積技術、臭氧處理、可靠度、Indium oxide、Metal oxide semiconductors、Top-gate、Atomic layer deposition、Ozone-based treatment、Reliability | 碩士 | 112 | 2025-08-01 | 2.00 年 |
| 113 | BEOL Compatible Read/Write Isolation Double-Gate FeFET Using Indium Oxide as Channel Material 電子研究所 讀寫分離、鐵電電晶體、微波退火、氧化銦、雙閘極電晶體、原子層退火、Read/Write Isolation、Ferroelectric field-effect-transistor (FeFET)、Microwave Annealing (MWA)、Indium oxide、Double-gate transistor、Atomic Layer Annealing (ALA) | 碩士 | 111 | 2025-03-11 | 2.61 年 |
| 113 | Dense Array CNT P-MOSFET enabled by Solid-State Low-k and Ultra-Thin Spacer Doping 電子研究所 奈米碳管、金屬氧化物半導體場效電晶體、摻雜、寄生電容、P型場效應電晶體、carbon nanotubes、MOSFET、doping、parasitic capacitance、p-type field-effect transistor | 碩士 | 111 | 2025-01-14 | 2.46 年 |
| 113 | Sub-1nm EOT in Dual-Gate MoS₂ FETs via AlN Intermediate Layer and Back-Gate Oxide Treatment 國際半導體產業學院・共同指導：許恒通 二硫化鉬、表面處理、氮化鋁、等效氧化層厚度、雙閘極場效電晶體、次臨界擺幅、molybdenum disulfide、surface treatment、aluminum nitride、equivalent oxide thickness、dual-gate field-effect transistor、subthreshold swing | 碩士 | 111 | 2024-12-24 | 2.40 年 |
| 113 | High Performance Carbon Nanotube Top-Gate p-FET Optimization 電子研究所 奈米碳管、原子層沉積、等效氧化層厚度、雙層閘極堆疊、頂閘電晶體、Carbon nanotube、Atomic layer deposition、Effective oxide thickness、Bilayer gate stack、Top-gate transistor | 碩士 | 111 | 2024-11-04 | 2.26 年 |
| 113 | Robust HfO2 Gate Stack on Two-Dimensional Semiconductor Device with EOT Scaling and Reliability Characteristics 前瞻半導體研究所 二維材料、高介電常數、物理氣相沉積、原子層沉積、場效電晶體、等效氧化層厚度、可靠度、Two-dimensional materials、high-κ、Physical Vapor Deposition、Atomic Layer Deposition、Field-Effect Transistors、Equivalent Oxide Thickness、Reliability | 碩士 | 110 | 2024-09-25 | 3.15 年 |
| 113 | Investigation of AlGaN/GaN MIS_HEMTs with high quality interface for power applications 電子研究所・共同指導：張翼 氮化鎵、三維多閘極、金氧半高電子遷移率電晶體、P型氮化鎵、矽化鑭、GaN、tri-gate、MIS-HEMT、p-type GaN、La-silicate | 博士 | 105 | — | 無法計算 |
| 112 | Research on Improving the Interface Quality of the Germanium Channel and Reducing the Equivalent Oxide Layer Thickness Using Atomic Layer Deposition Method 電子研究所・共同指導：林育賢 二氧化鍺、鉿、金屬摻雜、原子層化學氣相沉積系統、介面能態密度、氫氣電漿處理、次臨界擺福、遷移率、p型金氧半場效電晶體、germanium dioxide、hafnium、metal doping、atomic layer deposition、interface traps density、hydrogen plasma、subthreshold swing、mobility、p-MOSFET | 博士 | 107 | 2024-07-11 | 5.94 年 |
| 112 | Study on the Influencing Factors of X Gap-type TFTs as Light Sensing Devices 光電工程學系・共同指導：戴亞翔 X間隙型薄膜電晶體、光感測元件、非晶矽、鍺、碲化鍺、銻化銦、二硫化鉬、硫化鉛量子點、X Gap-type TFTs、Light sensing devices、a-Si:H、Ge、GeTe、InSb、MoS2、PbS QDs | 碩士 | 111 | 2024-06-06 | 1.85 年 |
| 112 | A Study of Monolayer MoS2 Field Effect Transistors via TCAD 電子研究所 元件模擬、二維材料場效電晶體、蕭特基能障、凡德瓦通道、穿隧效應、摻雜、介面缺陷、TCAD device simulation、2D material FET、Schottky barrier height、van der Waal gap、tunneling effect、contact doping、interface trap | 碩士 | 110 | 2024-02-02 | 2.51 年 |
| 112 | Demonstration of N-type Carbon Nanotube Transistors via Aluminum Nitride Electrostatic Doping 前瞻半導體研究所 奈米碳管、原子層沉積技術(ALD)、氮化鋁、N型奈米碳管電晶體、超高真空、背閘極電晶體、Carbon nanotube、Atomic layer deposition、Aluminum nitride、N-type CNFETs、Ultra high vacuum、Back-gate devices | 碩士 | 110 | 2024-01-30 | 2.50 年 |
| 112 | Nanofog and Soak-Assisted Atomic Layer Deposition for Dual Gate and Gate-All-Around Two-Dimensional Transistors 電子研究所・共同指導：洪瑞華 二維材料、奈米霧、浸泡技術、原子層沉積技術、等效閘極氧化層厚度、次臨界擺幅、環繞式閘極電晶體、Two-dimensional materials、Nanofog、Soak、Atomic Layer Deposition、Equivalent Oxide Thickness、Subthreshold Swing、Gate-All-Around Transistor | 碩士 | 110 | 2024-01-18 | 2.46 年 |
| 112 | A Process Route for High-Performance p-type WSe2 Transistor 電子研究所・共同指導：連德軒 過渡金屬二硫化物、二硒化鎢、遲滯、接觸電阻、p 型場效應電晶體、Transition metal dichalcogenides、tungsten diselenide、hysteresis、contact resistance、p-type field-effect transistor | 碩士 | 110 | 2024-01-08 | 2.44 年 |
| 112 | Use Aluminum Nitride as Gate Dielectric Interlayer in WSe2 Field-Effect Transistors 電子研究所 二硒化鎢、原子層沉積、氮化鋁、光致發光、拉曼、Tungsten diselenide、atomic layer deposition、aluminum nitride、photoluminescence、Raman | 碩士 | 109 | 2023-08-30 | 3.08 年 |
| 111 | Ultrafast Operation Speed (sub 50ns) in Ferroelectric Hafnium Zirconium Oxide on Low CTE metal 電子研究所・共同指導：唐英瓚 氧化鉿鋯、鐵電、低熱膨脹係數、成核限制切換模型、二次退火、HZO、Ferroelectric、Low CTE、NLS model、Reannealing | 碩士 | 109 | 2023-03-13 | 2.61 年 |
| 111 | Demonstration of the Annealing-free In2O3 Top-gate Transistor with Thermal Stability 電子研究所・共同指導：連德軒 非晶型氧化銦、原子層沉積技術、電漿增益型原子層沉積技術、過氧化氫、頂閘極電晶體、熱穩定性、Amorphous In2O3、Atomic layer deposition、Plasma-enhanced atomic layer deposition、Hydrogen peroxide、Top-gate transistor、Thermal stability | 碩士 | 109 | 2023-03-11 | 2.61 年 |
| 111 | Pixel Circuit Design and Crosstalk Study of CMOS Single-Photon Avalanche Diodes 電子研究所・共同指導：蔡嘉明 單光子雪崩二極體、寄生電容、填充率、串音、二次崩潰、平均電流、single-photon avalanche diode、parasitic capacitance、high fill factor、crosstalk probability、afterpulsing probability、average current | 碩士 | 109 | 2023-02-02 | 2.51 年 |
| 111 | High-Performance WSe2 Transistor via Spacer Doping 電子研究所・共同指導：連德軒 過渡金屬二硫化物、四氯金酸、p型摻雜、二硒化鎢、場效應電晶體、Transition metal dichalcogenides、HAuCl4、p-type doping、tungsten diselenide、field-effect transistor | 碩士 | 109 | 2022-12-21 | 2.39 年 |
| 111 | Ultrathin HfO2 Deposited by Atomic Layer Deposition with Hafnium Seeding Layer on Two Dimensional Materials 電子研究所 二維材料、原子層沉積系統、鉿晶種層、高介電常數材料、雙閘極元件、等效閘極氧化層厚度、Two-dimensional materials、Atomic layer deposition、High-κ materials、ual-gate devices、Effective oxide thickness、Hf seeding layer | 碩士 | 110 | 2022-11-28 | 1.33 年 |
| 111 | Study on the Interface Properties and Equivalent Oxide Thickness Improvement of TiN/HfO2 Gate Stack on SiGe-Channel Devices 電子研究所・共同指導：羅廣禮 矽鍺元件、介面品質、等效氧化物厚度、SiGe device、Interface quality、EOT | 博士 | 107 | 2022-11-18 | 4.30 年 |
| 111 | Impact of Interfacial Engineering on the Performance of SiGe MOSFETs 電子研究所・共同指導：連德軒 矽鍺、原子層沉積、三甲基鋁處理、等效氧化層厚度、金屬氧化物半導體場效電晶體、SiGe、ALD、TMA treatment、EOT、MOSFET | 碩士 | 109 | 2022-11-06 | 2.26 年 |
| 111 | A Study on Optimization of Electrical Characteristics of Schottky Junction and P-N Junction on Silicon Germanium Substrates 電子研究所・共同指導：羅廣禮 矽鍺、微波退火、蕭特基接面、P-N接面、金氧半場效應電晶體、SiGe、MWA、Schottky junction、P-N junction、MOSFET | 碩士 | 109 | 2022-11-01 | 2.25 年 |
| 111 | A Study of Incorporation of Hafnium in Interfacial Layer of Germanium Channel by Atomic Layer Deposition Method 電子研究所 鍺、原子層化學氣相沉積系統、鉿摻雜、熱穩定性、介面能態密度、次臨界擺福、金氧半場效應電晶體、germanium、atomic layer deposition、hafnium-doping、thermal stability、interface traps density、subthreshold swing、MOSFET | 碩士 | 109 | — | 無法計算 |
| 110 | A Study of Ferroelectricity in Hf0.5Zr0.5O2 Film Featuring the Non-volatile Synaptic Applications 電子研究所・共同指導：蔡嘉明 氧化鉿鋯、鐵電材料、類神經網路、突觸式元件、鉬金屬、HZO、Ferroelectric material、Neural Network、Synaptic Device、Molybdenum | 碩士 | 108 | 2021-12-16 | 2.38 年 |
| 110 | Study on the Interface Properties of SiGe Channel Using NH3 Plasma Treatment With Al Doping 電子研究所・共同指導：羅廣禮 矽鍺、原子層沉積系統、氨電漿、鋁摻雜、金氧半場效應電晶體、SiGe、ALD、NH3 plasma、Al doping、MOSFET | 碩士 | 108 | 2021-11-30 | 2.33 年 |
| 110 | Atomic Layer Deposition for Two Dimensional Materials and Their Top-gate Device Application 電子研究所・共同指導：林炯源 二維材料、原子層化學氣相沉積、高介電常數、雙閘極元件、等效閘極氧化層厚度、次臨界擺幅、two-dimensional materials、atomic layer deposition、high-k materials、double-gate devices、effective oxide thickness、subthreshold swing | 碩士 | 108 | 2021-11-24 | 2.32 年 |
| 110 | Study of GaN-based Semiconductor for White-and-infrared Light Emitting Matrix and Application to Automotive Headlamp 國際半導體產業學院・共同指導：吳添立 氮化鎵、發光二極體、車頭燈、多晶片陣列、紅外光螢光粉、GaN、LED、Headlamp、LED matrix、Infrared phosphor | 碩士 | 107 | 2021-09-22 | 3.14 年 |
| 110 | Two Dimensional Materials for Logic Transistor and Computing in Memory Applications 電子研究所・共同指導：鄭兆欽 二維材料、二硫化鉬、二硫化鎢、二維電晶體、記憶體元件、邏輯閘、Two-dimensional material、MoS2、WS2、2D-material transistor、Memory device、Logic gate | 博士 | 105 | 2021-08-22 | 5.06 年 |
| 110 | Novel WSN Interface Structure in p-channel WS2 Field-effect Transistor, Calculated by First-principles Quantum-transport Theory 電子研究所・共同指導：林炯源 過渡金屬二硫屬化物、二維材料、密度泛函理論、二硫化鎢、非平衡格林函數、p型接觸、p型電晶體、transition metal dichalcogenides、2D materials、density functional theory、tungsten disulfide、NEGF、p-type contacts、pFET | 碩士 | 108 | 2021-08-21 | 2.06 年 |
| 110 | Design of Random Trigger Generators for Anti-Interference Single-Photon LiDARs 電子研究所・共同指導：蔡嘉明 單光子雪崩式二極體、數位控制電路、隨機雷射脈衝、系統整合度、干擾抑制比、Single Photon Avalanche Diode、Digital Control Circuit、Stochastic Laser Pulse、System Integration、Interference Suppression Ratio | 碩士 | 108 | 2021-01-05 | 1.43 年 |
| 110 | High-Performance 2D Transistor via Remote Spacer Doping 電子研究所 二維材料、低介電常數、側壁空間層摻雜、光致發光、傳輸線模型、四點量測、2D materials、low-κ、spacer doping、PL、TLM、4-point measurement | 碩士 | 108 | 2021-01-03 | 1.43 年 |
| 109 | Investigations of Germanium-based Charge Trapping MemTransistors as Synaptic Device for Neuromorphic Computing 電子研究所 鍺、介電材料、神經網路硬體、類比記憶體、人工智慧、金氧半場效電晶體、半導體記憶體、類神經運算、突觸元件、高介電係數材料、Germanium、Dielectric materials、Neural network hardware、Analog memories、Artificial intelligence、MOSFETs、Semiconductor memories、Neuromorphic computing、Synaptic device、High-κ dielectrics | 博士 | 104 | 2021-01-14 | 5.46 年 |
| 109 | Investigation and Development of the HfO2-Based Dielectric gate stack for Germanium MOSFETs 材料科學與工程學系所・共同指導：柯富祥 閘極堆疊、鍺、金屬摻雜、金氧半場效電晶體、Gate stack、Germanium、Metal doped、MOSFET | 博士 | 104 | 2020-09-09 | 5.11 年 |
| 109 | A Study of Incorporation of Yttrium in Interfacial Layer between HfO2 and Germanium Substrate by Atomic Layer Deposition Method 電子研究所 原子層沉積、金屬摻雜、釔、鍺、熱穩定性、介面層、atomic layer deposition、metal-doped、Yttrium、Ge、thermal stability、interfacial layer | 碩士 | 107 | 2020-09-01 | 2.09 年 |
| 109 | A Study of the Impact of High Temperature Annealing on Gate Stack with Interfacial Layer Grown by O2 Plasma and High-purity H2O2 on SiGe Substrates 電子研究所 矽鍺、介面層、介面缺陷密度、高溫退火、高純度雙氧水、氧電漿、SiGe、MOSFETs、Interfacial layer、O2 plasma、H2O2、Annealing | 碩士 | 107 | 2020-09-01 | 2.09 年 |
| 109 | A Study of HfTiO and Al2O3 based Gate Stack of Charge Trap MemTransistor for Neural Network Acceleration on Germanium 電子研究所 憶阻式類神經電晶體、神經網路加速、鈦摻雜二氧化鉿、氧化鋁、鍺基板、Charge Trap MemTransistor、Neural Network Acceleration、HfTiO、Al2O3、Germanium | 碩士 | 107 | 2020-09-01 | 2.09 年 |
| 108 | Interface Engineering for Dopant-Free HfO2 Negative Capacitance Transistor Using Remote Nitrogen Plasma Passivation 電子研究所・共同指導：鄭淳護 負電容、介面鈍化、氮電漿處理、Negative capacitance、interface passivation、remote nitrogen plasma | 碩士 | 106 | 2020-07-15 | 2.95 年 |
| 108 | A Study of SiGe Gate Stack by Hydrogen Peroxide Solution Oxidation and Three-dimensional Monolithic Top Layer Ge-channel MOSFETs by Hetero-epitaxial on Si 電子研究所・共同指導：羅廣禮 矽鍺、過氧化氫溶液、三維積層型、異質磊晶、SiGe、Hydrogen Peroxide Solution、Three-dimensional Monolithic、Hetero-epitaxial | 碩士 | 106 | 2020-02-02 | 2.51 年 |
| 108 | Study on the Interface Properties of TiN/HfO2 Gate Stack on SiGe Channel with a Wide Range of Ge Contents 電子研究所・共同指導：羅廣禮 SiGe channel、interface passivation、HfO2、high-vacuum annealing、矽鍺通道、界面鈍化、二氧化鉿、高真空退火 | 博士 | 103 | 2020-01-07 | 5.43 年 |
| 108 | Reliability Characterization of SiC Gate Oxide in Different Isolation Structures 國際半導體產業學院・共同指導：林育賢 碳化矽、氧化層可靠度、氮氣鈍化、SiC、oxide reliability、NO passivation | 碩士 | 106 | 2019-12-03 | 2.34 年 |
| 108 | Study of WS2 Contact Resistance and Top-gate Device Fabrication 電子研究所 二硫化鎢、接觸電阻、上閘極場效電晶體、二維材料、雙閘極場效電晶體、傳輸線模型、背閘極場效電晶體、二階段硫化成長、tungsten disulfide、contact resistance、top-gate FET、two-dimensional material、double-gate FET、back-gate FET、transmission line model、two-step sulfurization | 碩士 | 106 | 2019-11-25 | 2.32 年 |
| 108 | Investigation of P-Type Negative Capacitance Transistor Using Ferroelectric HfAlOx with Remote Nitrogen Plasma Passivation 電子研究所・共同指導：鄭淳護 負電容電晶體、鐵電材料、遠程氮電漿、Negative capacitance FET、Ferroelectric material、Remoto nitrogen plasma | 碩士 | 106 | 2019-08-25 | 2.06 年 |
| 108 | A Study of Charge Trap MemTransistor Based on the ZrO2-based Gate Stack on p-type Germanium Substrate for AI Neural Network 電子研究所 類神經網路、電荷儲存憶阻式電晶體、二氧化鋯、Neural Netwerk、Charge Trap Memtransistor、ZrO2 | 碩士 | 106 | 2019-08-13 | 2.03 年 |
| 108 | Investigation of HfO2-based Gate Stack on SiGe by Using NH3 Plasma Treatment and High Vacuum Annealing 電子研究所 矽鍺通道、閘極堆疊、介面鈍化、氨電漿處理、高真空退火、SiGe channel、Gate Stack、interface passivation、NH3 plasma treatment、high vacuum annealing | 碩士 | 106 | 2019-08-13 | 2.03 年 |
| 108 | A Study of Metal-2D Junction with Edge-Contact and Hexagonal Boron Nitride (hBN) Inserted Single-Layer MoS2 Transistor for Sub-5nm Nodes 電子研究所 二硫化鉬、電晶體、元件特性、二維材料、接觸電阻、氮化硼、MoS2、transistor、device characteristics、two dimensional materials、contact resistance、hBN | 碩士 | 106 | 2019-08-11 | 2.03 年 |
| 108 | A Study of Single-Layer Charge Trap MemTransistor with the HfO2 and Al2O3-based Gate Stack on Germanium Substrate for Neural Network 電子研究所 二氧化鉿、氧化鋁、電荷儲存憶阻式、類神經網路、鍺電晶體、Charge Trap MemTransistor、HfO2、Al2O3、Neural Network、Germanium Substrate | 碩士 | 106 | 2019-08-11 | 2.03 年 |
| 107 | First-principles and Quantum-transport Calculations of Metal Germanides/n-type Ge Contacts 電子研究所・共同指導：林炯源 第一原理、量子傳輸、特徵接觸阻抗、鈀鍺化物、鉑鍺化物、蕭特基接面、First principles、Quantum transport、Specific contact resistance、Palladium germanides、Platinum germanides、Schottky junction | 碩士 | 105 | 2019-02-19 | 2.55 年 |
| 107 | Advanced Negative Capacitance Transistor for the Applications of Low-Power IoT and Sub-5nm CMOS node 鐵電、負電容場效電晶體、次臨界擺幅、氧化鉿鋁、無摻雜鐵電薄膜、應力誘發相轉變、缺陷鈍化、Ferroelectric、Negative-Capacitance FETs、Subthreshold swing、HfAlO、Dopant-free ferroelectric film、Stress-induced phase transition、Defect passivation | 博士 | 103 | 2019-02-09 | 4.53 年 |
| 107 | Investigation of Sub-60mV/dec-Swing Negative Capacitance Field Effect Transistor with Ferroelectric Zirconium-Doped Hafnium Oxide 電子研究所・共同指導：鄭淳護 負電容、氧化鉿鋯、鐵電、電晶體、negative capacitance、HfZrO2、ferroelectric、transistor | 博士 | 99 | 2019-02-09 | 8.53 年 |
| 107 | Investigations of High-mobility Germanium and Advanced FinFET Structure for 5 nm Node MOSFET Devices 電子研究所・共同指導：葉文冠 鍺、鰭狀電晶體、金氧半場效電晶體、金屬鍺化物、計算機輔助設、第一原理計算、Germanium、FinFET、MOSFET、Metal Germanide、TCAD、First-principle Calculations | 博士 | 103 | 2018-12-12 | 4.36 年 |
| 107 | Statistical Variability of Line Edge Roughness Induced Drain- Induced Barrier Lowering Shift in Nanoscale FinFETs 電子研究所・共同指導：陳明哲 線邊緣粗糙程度、臨界電壓變異性、汲極偏壓致通道能障降低偏移、模擬、Line Edge Roughness、Threshold voltage variability、Drain- Induced Barrier Lowering variability、Simulation | 碩士 | 105 | 2018-10-22 | 2.22 年 |
| 107 | Research and Development of Process Technologies for GaSb Channel MOSFETs 電子研究所・共同指導：曾院介 銻化鎵、金氧半場效電晶體、氫電漿、鉑合金、GaSb、MOSFET、Hydrogen plasma、Pt alloy | 博士 | 102 | 2018-09-03 | 5.09 年 |
| 107 | A Study of High Performance Metal/GaSb Schottky Junctions by Inserting a TiO2 Layer between Pd and GaSb 電子研究所 銻化鎵、二極體、場效電晶體、二氧化鈦、GaSb、junction、PMOSFETs、TiO2 | 碩士 | 105 | 2018-08-15 | 2.04 年 |
| 107 | A Study of High-Ge-Content Si0.16Ge0.84 Gate Stack and Selective Oxidation Mechanism by Low Pressure Oxidation 電子研究所 矽鍺材料磊晶、矽鍺低壓氧化模型、矽鍺電容、SiGe epitaxial technology、SiGe low-pressure-oxidation model、SiGe MOSCAPs | 碩士 | 105 | 2018-08-14 | 2.03 年 |
| 106 | Fabrication of GaAs channel MOSFETs with Hetero-Epitaxial Ge Source/Drain 電子研究所 砷化鎵、磊晶鍺、金氧半場效電晶體、三五族元件、GaAs、Ge epitaxy、MOSFET、III-V device | 碩士 | 96 | 2018-07-26 | 無法計算 |
| 106 | A Study of Interfacial Layer with Incorporation of Metal Yttrium Based on the HfO2-based Gate Stack for Germanium Devices 電子研究所 鍺、釔、二氧化鉿、二氧化鍺、介面層、高介電常數薄膜/金屬閘極、電導方法、氧化釔、Germanium、Yttrium、Hafnium Oxide、Germanium Oxide、Interfacial Layer、High k/Metal Gate、Conductance Method、Yttrium Oxide | 碩士 | 105 | 2018-07-16 | 1.95 年 |
| 106 | Study on Electrical and Chemical Characteristics of Indium Gallium Arsenide MOSFET and FinFET with Atomic-Layer-Deposited Al2O3 Gate Dielectrics 電子研究所・共同指導：張俊彥 金氧半場效電晶體、魚鰭式電晶體、原子層沉積、砷化銦鎵、MOSFET、FinFET、ALD、InGaAs | 碩士 | 96 | 2018-02-08 | 無法計算 |
| 106 | A Study of Microwave-annealed Treatments on Heteroepitaxial Ge-channel MOSFETs 電子研究所 金氧半場效電晶體、蕭特基接觸、鍺、微波退火、MOSFET、Schottky contact、Germanium、Microwave annealing | 博士 | 101 | 2017-12-20 | 5.39 年 |
| 106 | A Detailed Study of the Midgap States of the PdGe/Ge(001) Contacts by First-principles Calculations 電子研究所・共同指導：林炯源 金屬鍺化物、鈀、第一原理、蕭特基介面、metal-germanide、Palladium、first principles、Schottky junction | 碩士 | 104 | 2017-09-14 | 2.12 年 |
| 106 | First-principles Calculations of ZrO2/Silicene/ZrO2 Sandwich Structures 電子研究所・共同指導：林炯源 矽烯、第一原理、能隙、三明治結構、Silicene、first principles、GWA、energy gap、sandwich structure | 碩士 | 104 | — | 無法計算 |
| 105 | Tailoring the Schottky-Barrier Height of a PtGex/Ge Contact by Combining the Experiments and First-principles Calculations 電子研究所・共同指導：林炯源 第一原理計算、鉑鍺化物、蕭特基位障、離子聚集、First-principles calculations、Pt-germanide、Schottky barrier、dopant segregation | 碩士 | 103 | 2016-11-13 | 2.29 年 |
| 105 | Fabrication of GaSb Channel PMOSFETs with HfO2 as Gate Dielectric and Ni-GaSb Alloy as Source/Drain 電子研究所・共同指導：林炯源 銻化鎵、P型場效電晶體、氫氣電漿處理、二氧化鉿、GaSb、PMOSFET、hydrogen plasma treatment、HfO2 | 碩士 | 103 | 2016-10-11 | 2.20 年 |
| 105 | A Study of Low Interfacial Traps High-k Gate Stacks and Palladium Germanide Formation for Germanium Devices 電子研究所・共同指導：林炯源 鍺、電容、接面、鈀鍺合金、金氧半場效應電晶體、Germanium、capacitor、junction、Palladium germanide、MOSFET | 碩士 | 103 | 2016-09-05 | 2.10 年 |
| 104 | A Study on Microwave Thermal Effect for Germanium Channel MOSFETs 電子工程學系 電子研究所 鍺、微波退火、金氧半場效電晶體、蕭特基、鎳鍺合金、摻雜析離、Germanium、Microwave annealing、MOSFET、Schottky、Nickel Germanide、Dopant segregation | 碩士 | 102 | 2016-01-06 | 2.43 年 |
| 104 | Investigation of HfO2/Al2O3/In0.53Ga0.47As Gate Stack Fabricated on In0.53Ga0.47As-channel nMOSFETs 電子工程學系 電子研究所 砷化銦鎵、金氧半場效電晶體、二氧化鉿、電導法、全電導法、InGaAs、MOSFET、HfO2、Conductance Method、Full-Conductance Method | 碩士 | 102 | 2015-12-30 | 2.41 年 |
| 104 | A study of the electrical properties of InP channel MOSFETs with S/D Engineering 電子工程學系 電子研究所 磷化銦、高介電常數、三五族化合物半導體、歐姆接觸、Indium Phosphide、High Dielectric Constant、III-V Compound Semiconductor、Ohmic Contact | 碩士 | 102 | 2015-11-15 | 2.29 年 |
| 103 | Active Layer and Transparent Electrode for Flexible Thin-Film Transistors: Fabrication, Characterization and Device Integration 電子工程學系 電子研究所・共同指導：雷添福 薄膜電晶體、可撓曲、駢苯衍生物、銦鎵鋅氧、奈米銀線、thin film transistor、flexible、pentacene derivative、Indium Gallium Zinc oxide、silver nano-wire | 博士 | 102 | 2015-08-26 | 2.07 年 |
| 103 | O xygen Modulation, Rapid Thermal Annealing, and Element Doping Effects on an Indium-Gallium-Zinc-Oxide Thin-Film Transistor 電子工程學系 電子研究所 薄膜電晶體、銦鎵鋅氧、快速退火、元素參雜、可靠度、TFT、IGZO、RTA、Element doping、Reliability | 博士 | 97 | 2014-10-30 | 6.25 年 |
| 103 | The Study on Electrical and Chemical Characteristics of Indium Gallium Arsenide MOSFETs with Self-Aligned Nickel S/D 電子工程學系 電子研究所 砷化銦鎵金氧半場效電晶體、自我對準金屬源極與汲極、ndium Gallium Arsenide MOSFETs、Self-Aligned Metal S/D | 碩士 | 101 | 2014-10-23 | 2.23 年 |
| 103 | Investigation of the Effect of Metal S/D Engineering on the Characteristics of InP MOSFETs 電子工程學系 電子研究所 磷化銦、金氧半場效電晶體、三氧化二鋁、二氧化鉿、金屬源極與汲極、InP、MOSFET、Al2O3、HfO2、Metal S/D | 碩士 | 101 | 2014-10-20 | 2.22 年 |
| 103 | The Study of High-κ Dielectrics on Ge and Heteroepitaxial Ge-channel MOSFETs on Si Platform 電子工程學系 電子研究所・共同指導：羅廣禮 鍺、表面鈍化、鍺電容、異質磊晶、鍺電晶體、魚鰭式電晶體、Germanium、surface passivation、Ge MOS、heteroepitaxial、Ge MOSFET、FinFET | 博士 | 96 | 2014-09-23 | 7.15 年 |
| 103 | Non-planar Tri-gate Germanium MOSFETs Integrated on Si Platform 電子工程學系 電子研究所・共同指導：羅廣禮 鍺、三閘極、非平面、蕭特基、金氧半場效電晶體、Ge、Tri-gate、Non-planar、Schottky、MOSFET | 博士 | 99 | 2014-08-29 | 4.08 年 |
| 102 | 利用源極與汲極工程改善鍺通道金氧半場效電晶體之特性 電子工程學系 電子研究所 鍺、金氧半場效電晶體、蕭特基、鎳鍺合金、Germanium、MOSFET、Schottky、Nickel Germanide | 碩士 | 101 | 2014-06-29 | 1.91 年 |
| 102 | Investigation of ZrO2/Ge Gate Stack Fabricated on Ge-Channel MOSFETs 電信工程研究所・共同指導：李義明 鍺、場效電晶體、二氧化鋯、germanium、MOSFET、ZrO2 | 碩士 | 100 | 2013-11-28 | 2.33 年 |
| 102 | Enhancing the Performance of Germanium Channel MOSFET with Schottky S/D 電子工程學系 電子研究所 鍺、蕭特基、鍺化物、金氧半電晶體、Ge、Schottky、Germanide、MOSFET | 碩士 | 100 | 2013-11-13 | 2.29 年 |
| 102 | Investigation of Electrical and Interfacial Chemistry Analyses for Atomic-Layer-Deposition ZrO2/Al2O3/In0.53Ga0.47As MOSCAPs 電子工程學系 電子研究所 砷化銦鎵、二氧化鋯、三氧化二鋁、原子層沉積、電性、表面化性、In0.53Ga0.47As、ZrO2、Al2O3、atomic-layer-deposition、electrical、interfacial chemistry | 碩士 | 100 | 2013-11-13 | 2.29 年 |
| 102 | A Study of the Impact of Modifying TiO2 Nanostructure on the Characteristics of (CH3NH3)PbI3 Perovskite Sensitized Solar Cell 電子工程學系 電子研究所 鈣鈦礦、二氧化鈦、奈米管、perovskite、TiO2、nanotube | 碩士 | 100 | 2013-10-22 | 2.23 年 |
| 102 | A study of the impact of O2 flow on the electrical characteristics of IGZO-TFTs by x-ray reflection measurement 電機學院電子與光電學程 X光反射、IGZO-TFTs、O2流量、x-ray reflection、O2 flow | 碩士在職專班 | 98 | 2013-08-14 | 4.04 年 |
| 101 | Study on Electrical and Chemical Characteristics of Indium Gallium Arsenide Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors with Atomic-Layer-Deposited Al2O3 Gate Dielectric 電子工程學系 電子研究所 砷化銦鎵、原子層沉積、三氧化二鋁、Indium Gallium Arsenide、Atomic-Layer-Deposited、Aluminium oxide | 碩士 | 99 | 2013-06-03 | 2.84 年 |
| 101 | Free-standing TiO2 nanotube-array on transparent substrates for efficient dye sensitized solar cells 電子工程學系 電子研究所 染料敏化、太陽能電池、二氧化鈦、奈米管、正面入射、dye-sensitized、solar cell、tio2、nanotube、front-side incidence | 博士 | 97 | 2013-05-02 | 4.75 年 |
| 101 | Investigation of Atomic-Layer-Deposition HfO2/InAs Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors with Interfacial Passivation and Plasma Treatments 電子工程學系 電子研究所 砷化銦、鈍化、電漿處理、原子層沉積、二氧化鉿、InAs、passivation、plasma treatment、atomic-layer-deposition、HfO2 | 碩士 | 99 | 2012-11-01 | 2.25 年 |
| 101 | Apply indoline Dyes on Multiply Treated TiO2 Nanotube-array for Dye-sensitized Solar Cell 電子工程學系 電子研究所 吲哚啉、染料敏化、indoline、DSSC | 碩士 | 99 | 2012-10-09 | 2.19 年 |
| 101 | Investigation of HfO2/Al2O3/GeOx/Ge Gate Stacks Fabricated by Post Deposition Oxidation on Ge-Channel MOSFETs 電子工程學系 電子研究所 鍺、二氧化鉿、三氧化二鋁、後沉積氧化、金氧半場效電晶體、Ge、HfO2、Al2O3、post deposition oxidation、MOSFET | 碩士 | 99 | 2012-10-09 | 2.19 年 |
| 101 | A Study on Doping Effect and Performance Enhancement of P3HT Based TFTs 電子工程學系 電子研究所 聚(3-己基噻吩)、薄膜電晶體、摻雜效應、奈米碳管、體電流效應、雙層主動層、P3HT、thin film transistors、doping effect、carbon nanotubes、bulk current effect、double-coated channel layers | 博士 | 96 | 2012-09-09 | 5.11 年 |
| 101 | Investigation of the Depinning Schottky Junction and n+/p Junction on Ge-Channel MOSFETs 電子工程學系 電子研究所 鍺、金氧半場效電晶體、費米能階釘札、二氧化鈦、Germanium、MOSFET、Fermi-level pinning、TiO2 | 碩士 | 98 | 2012-08-07 | 3.02 年 |
| 100 | Applying thin-wall TiO2 nanotubes to quasi-solid state dye sensitized solar cells 電子工程學系 電子研究所 太陽能電池、二氧化鈦奈米管、陽極氧化、準固態電解液、solar cell、TiO2 nanotube、Anodic oxidation、quasi-solid state electrolyte | 碩士 | 98 | 2011-12-15 | 2.37 年 |
| 100 | Adsorption Behavior of Bipyridyl Dyes on Hydrothermally Treated TiO2 Nanotube-Array with Different pH Conditions and Its Applications on Dye-Sensitized Solar Cell 電子工程學系 電子研究所 水熱法、二氧化鈦奈米管、染料敏化太陽能電池、染料吸附、酸鹼度、N719染料、N3染料、hydrothermal method、TiO2 nanotube、dye-sensitized solar cell、dye adsorption、pH、N719、N3 | 碩士 | 98 | 2011-10-11 | 2.19 年 |
| 100 | The Electrical Characteristics of High Performance Enhancement Mode GaAs Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor Devices 電子工程學系 電子研究所 三五族、砷化鎵、III-V、GaAs | 碩士 | 98 | 2011-08-03 | 2.00 年 |