陳明哲

Chen, Ming-Jer・電機學院・電子研究所、電子工程學系電子研究所

碩士平均畢業時長

2.25 年

中位數 2.22 年・27 人

博士平均畢業時長

7.04 年

中位數 7.33 年・5 人

收錄論文

34 篇

100–107 學年度

全校中位數（供對照）

碩士 2.10・博士 6.11 年

畢業時長趨勢

每學年度畢業人數

只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。

研究關鍵字

FinFETmobility臨界電壓變異性隨機擾動訊號電漿子金氧半場效電晶體遷移率模擬SimulationRandom Telegraph SignalsRTSplasmonsmetal gate製程變異Threshold Voltage Variability鰭狀電晶體VariabilityDipole鰭式場效電晶體自然長度Subthreshold SwingDrain-Induced Barrier LoweringNatural lengtheffective channel length能隙窄化bandgap narrowing溫度效應temperature effectHKMG隨機電報訊號統計變異長距庫倫作用MOSFETslong-range Coulomb interactionswave-function penetration臨界電壓偏移dual-dielectric-layerhigh-k遠距庫倫效應遠距庫倫機械應力mechanical stressMOSFET應力p-MOSFETstress鉿氧化物金屬閘極TCAD 模擬奈米線電晶體

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指導論文

學年度	論文	學制	入學	提交日期	畢業時長
107	矽奈米線環繞式閘極電晶體受製程變異之本質參數擾動之模擬研究 Simulation Study of Intrinsic Parameter Fluctuations under Process Variations in Si Gate-All-Around Nanowire MOSFETs 電子研究所 TCAD 模擬、臨界電壓變異性、奈米線電晶體、製程變異、TCAD Simulation、Threshold Voltage Variability、Nanowire MOSFET、Process Variation	碩士	105	2018-10-22	2.22 年
107	模擬塊材與絕緣層上矽鰭式場效電晶體之本質參數變異研究 Threshold Voltage Variability due to Random Variability Sources in Bulk and SOI FinFETs 電子研究所臨界電壓變異性、鰭狀電晶體、絕緣層上矽、塊材、Variability、FinFET、SOI、Bulk	碩士	105	2018-10-22	2.22 年
107	鰭狀場效電晶體之線邊緣粗糙程度引致汲極偏壓致通道能障降低偏移之統計變異性模擬研究 Statistical Variability of Line Edge Roughness Induced Drain- Induced Barrier Lowering Shift in Nanoscale FinFETs 電子研究所・共同指導：簡昭欣線邊緣粗糙程度、臨界電壓變異性、汲極偏壓致通道能障降低偏移、模擬、Line Edge Roughness、Threshold voltage variability、Drain- Induced Barrier Lowering variability、Simulation	碩士	105	2018-10-22	2.22 年
106	鰭狀場效電晶體之二氧化鉿與二氧化矽介面電偶極子引致臨界電壓偏移之統計變異性模擬研究 Threshold Voltage Variability due to Random HfO2/SiO2 Interface Dipoles in HKMG FinFETs 電子研究所模擬、電偶極子、臨界電壓變異性、Simulation、Dipole、Variability	碩士	104	2017-10-30	2.25 年
106	奈米級鰭狀場效電晶體之金屬閘極顆粒度製程變異及隨機擾動訊號引致臨界電壓偏移模擬分析 Simulation and Analysis of the Statistical Variability of Metal Gate Granularity and Random Telegraph Signals Induced Threshold Voltage Shift in Nanoscale FinFETs 電子研究所金屬閘及顆粒度、隨機擾動訊號、鰭狀電晶體、臨界電壓、Metal gate granularity、Random Telegraph Signals、FinFET、Threshold Voltage	碩士	104	2017-10-30	2.25 年
106	利用軟體模擬奈米級鰭式場效電晶體的臨界擺幅和汲極偏壓致通道能障降低效應建立自然長度模型及應用 Application of Natural Length Model for Subthreshold Swing and Drain-Induced Barrier Lowering in Nanoscale Bulk FinFETs through TCAD Simulation 電子研究所模擬、鰭式場效電晶體、臨界擺幅、汲極偏壓致通道能障降低效應、自然長度、Simulation、FinFET、Subthreshold Swing、Drain-Induced Barrier Lowering、Natural length	碩士	104	2017-10-30	2.25 年
105	奈米級金氧半場效電晶體和鰭狀場效電晶體之隨機擾動訊號及製程變異引致臨界電壓偏移建模化 Modeling the Statistical Variability of Process and Random Telegraph Signals Induced Threshold Voltage Shifts in Nanoscale MOSFETs and FinFETs 電子研究所鰭狀場效電晶體、隨機擾動訊號、製程變異、FinFET、RTS、Process	碩士	103	2016-11-06	2.27 年
105	利用自然長度為依據之電腦輔助設計軟體預測鰭式場效電晶體的次臨界擺幅及汲極偏壓致通道能障降低效應 Natural Length Based Predictive TCAD for the Subthreshold Swing and Drain-Induced Barrier Lowering in Bulk FinFETs 電子研究所塊狀基板之鰭式場效電晶體、三閘極電晶體、多閘極電晶體、自然長度、等效通道長度、源極/汲極串聯電阻、汲極偏壓導致通道能障降低效應、次臨界擺幅、bulk FinFET、tri-gate FET、multi-gate FET、natural length、effective channel length、S/D series resistance、drain-induced barrier lowering、subthreshold swing	碩士	103	2016-10-24	2.23 年
105	電漿子強化n型矽半導體之歐傑復合效應 Plasmon-Enhanced Auger Recombination in n-Type Silicon 電子研究所電漿子、歐傑復合、生命週期、能隙窄化、電子加熱、plasmons、Auger recombination、lifetime、bandgap narrowing、electron heating	碩士	103	2016-10-23	2.23 年
105	高介電係數金屬閘極金氧半場效電晶體之反置層等效電子遷移率衰減機制探討 Investigation on the Inversion-Layer Effective Mobility Degradation Mechanisms in High-k Metal Gate MOSFETs 電子研究所遠距離電偶極散射、中性缺陷散射、電漿子、溫度效應、remote dipoles scatterers、neutral defects scattering、plasmons、temperature effect	碩士	103	2016-10-23	2.23 年
105	高介電金屬閘極短通道場效電晶體之長距庫倫效應、電中性缺陷散射及遠程偶極散射 Long-Range Coulomb Interaction, Neutral Defect Scattering, and Remote Dipole Scattering in HKMG Ultra-Short Channel FETs 電子研究所高介電、短通道、效電晶體、長距庫倫、電中性缺陷、遠程偶極、Coulomb、interaction、neutral、dipole、HKMG、FET	博士	100	2016-01-08	4.44 年
104	奈米尺度場效電晶體隨機電報訊號:三維統計異變模式及缺陷捉放動力學分析 Random Telegraph Signals in Nanoscale FETs: 3D Statistical Variability Models and Trapping/De-trapping Kinetics Analysis 電子工程學系電子研究所隨機電報訊號、統計變異、滲透理論、偏壓溫度不穩定性、Random Telegraph Signals、Statistical Varibility、Percolation、Bias Temperature Instability	博士	96	2016-07-20	8.97 年
104	探討長距庫倫作用:實驗證據與微觀計算 Probing Long-Range Coulomb Interactions: Experimental Evidence and Microscopic Calculations 電子工程學系電子研究所金氧半場效電晶體、江崎穿隧二極體、長距庫倫作用、非拋物線修正、波函數穿隧、MOSFETs、Esaki tunneling diode、long-range Coulomb interactions、non-parabolic correction、wave-function penetration	碩士	102	2015-10-06	2.18 年
104	奈米級金氧半場效電晶體和鰭狀場效電晶體之隨機擾動訊號引致臨界電壓偏移之統計變異建模化 Modeling the Statistical Variability of Random Telegraph Signals Induced Threshold Voltage Shifts in Nanoscale MOSFETs and FinFETs 電子工程學系電子研究所隨機擾動訊號、臨界電壓偏移、統計變異、random telegraph signals、threshold voltage shifts、statistical variability	碩士	102	2015-10-06	2.18 年
104	決定奈米尺寸場效電晶體之有效通道長度與源/汲極串聯電阻的先進方法 Advanced Method of Determining Effective Channel Length Leff and Source/Drain Series Resistance RSD in Nanoscale FETs 電子工程學系電子研究所有效通道長度、源/汲極串聯電阻、雙層介質模型、穿隧電流、effective channel length、source/drain series resistance、dual-dielectric-layer、tunneling current	碩士	102	2015-10-06	2.18 年
104	影響場效電晶體微縮化的兩大因子: 長距集合式庫倫作用與彈道傳輸 Two Key Factors in FETs Scaling:Long-Range Collective Coulomb Interactions and Ballistic Transport 電子工程學系電子研究所長距庫倫作用、電漿子震盪、彈道傳輸、金屬閘高介質場效電晶體、Long-Range Collective Coulomb Interactions、Plasmons resonance、Ballistic Transport、high-k、metal gate	碩士	102	2015-10-06	2.18 年
103	長距庫倫作用於塊材矽之探討 Explorations on Long-Range Coulomb Interactions in Bulk Silicon 電子工程學系電子研究所電漿子、電位擾動、能隙窄化、遷移率、plasmons、potential fluctuations、bandgap narrowing、mobility	碩士	101	2014-10-13	2.20 年
103	電漿子強化矽場效電晶體之遠距庫倫效應 Plasmons Enhanced Long-Range Coulomb Interactions in Si Metal-Oxide-Semiconductor Devices 電子工程學系電子研究所電漿子、矽場效電晶體、遠距庫倫效應、plasmon、Si MOSFET、Long-range Coulomb interaction	碩士	101	2014-10-13	2.20 年
103	次臨界區奈米級金氧半場效電晶體之隨機擾動訊號振幅統計分佈引致臨界電壓偏移之建模化 Modeling the Statistical Distribution of Random Telegraph Signals Magnitudes and Induced Threshold Voltage Shifts in Subthreshold Nanoscale MOSFETs 電子工程學系電子研究所隨機擾動訊號、臨界電壓偏移、機率分佈、Random Telegraph Signal、Threshold Voltage Shift、Probability Distribution	碩士	101	2014-10-13	2.20 年
102	探討奈米級場效電晶體之遠距庫倫效應 Probing long-range Coulomb interactions in nanoscale MOSFETs 電子工程學系電子研究所遠距庫倫、電子遷移率、Long-rang Coulomb、mobility	碩士	100	2013-11-28	2.33 年
102	次臨界區奈米級金氧半場效電晶體之隨機擾動訊號切換強度之建模化 Modeling the Switching Magnitude of Random Telegraph Signals in Subthreshold Nanoscale MOSFETs 電子工程學系電子研究所隨機電報訊號、金氧半場效電晶體、建模、次臨界區、RTS、MOSFETs、Modeling、Subthreshold region	碩士	100	2013-11-28	2.33 年
102	速度過衝減弱化之超短通道雙閘極金氧半場效電晶體 Velocity Overshoot Weakening in Ultrashort Double-gate MOSFETs 電子工程學系電子研究所速度過衝、遠距庫倫效應、Velocity Overshoot、Long-range Coulomb interactions	碩士	100	—	無法計算
101	高介電金屬閘金氧半場效電晶體之隨機擾動電子訊號：實驗、建模與TCAD模擬 HKMG MOSFET Random Telegraph Signals (RTS): Experiment, Modeling, and TCAD Simulation 電子工程學系電子研究所隨機擾動電子訊號、缺陷、RTS、trap	碩士	98	2012-12-06	3.35 年
101	一種新穎自行開發之快速精準量子模擬器用於三維度高應力下矽電洞能帶結構及反置層遷移率之研究 A New In-House Fast Sophisticated Quantum Simulator for Silicon Hole Band Structure and Inversion-Layer Mobility under Three-Dimensional GPa-Level Stresses 電子工程學系電子研究所量子侷限效應、機械應力、價電子能帶結構、六能帶 k•p 薛丁格波松方程自洽、Luttinger參數、Bir-Pikus形變電位參數、電洞遷移率、quantum confinement、mechanical stress、valence-band structure、six-band k•p Schrödinger-Poisson self-consistent method、Luttinger parameters、Bir-Pikus deformation potentials、hole mobility	博士	93	2012-12-03	8.34 年
101	n型反置層精準量子計算：應變、次能帶、遷移率及三維結構 Sophisticated Quantum Computation on n-type Inversion Layers: Strain, Subband, Mobility, and 3-D Structure 電子工程學系電子研究所應變、次能階、遷移率、三維應力、Strain、Subband、Mobility、3-D Stress	博士	94	2012-11-29	7.33 年
101	馬西森定則在金氧半場效電晶體電子通用遷移率造成的誤差並其修正 The Error of Matthiessen's Rule in MOSFET electron Universal Mobility and Its Correction 電子工程學系電子研究所馬西森定則、修正、金氧半場效電晶體、Matthiessen's Rule、Correction、MOSFET	碩士	99	2012-10-25	2.23 年
101	雙閘極金氧半場效電晶體模擬器 Double-gate MOSFET Simulator 電子工程學系電子研究所雙閘極、波函數穿隧效應、double-gate、wave-function penetration	碩士	99	2012-10-18	2.21 年
101	利用實驗驗證場效電晶體之汲極與源極之遠距庫倫效應 Experimental Evidence for MOSFET S/D Long-Range Coulomb Effects 電子工程學系電子研究所遠距庫倫、遷移率、mobility、long-range	碩士	99	2012-10-08	2.19 年
101	三維應力引致(001)和(110) p型場效電晶體反置層電洞遷移率變化之研究 On Three-Dimensional Stress Altered Hole Inversion-Layer Mobility in (001) and (110) p-MOSFETs 電子工程學系電子研究所 p型場效電晶體、應力、遷移率、p-MOSFET、stress、mobility	碩士	99	2012-10-04	2.18 年
101	高介電係數金屬閘極層穿隧電流機制探討 Exploration of Tunneling Mechanisms in HKMG Stacks 電子工程學系電子研究所高介電係數金屬閘極、雙層介電質模型、次奈米、穿隧等效質量、鉿氧化物、穿隧距離、HKMG、dual-dielectric-layer、subnanoscale、tunneling effective mass、Hf oxide、tunneling distance	碩士	99	—	無法計算
100	金氧半及鰭式場效電晶體閘極穿隧電流之先進模擬及其潛在應用 Advanced Modeling of Gate Tunneling Current in CMOSFETs and FinFETs and Its Potential Application 電子工程學系電子研究所機械應力、淺溝槽隔離、穿隧、壓電阻、元件佈局、金氧半場效電晶體、鉿金屬矽化物、鉿氧化物、高介電係數、金屬閘極、鰭式場效電晶體、Mechanical stress、shallow trench isolation、tunneling、piezoresistance、layout、MOSFET、HfSiON、HfO2、high-k、metal gate、FinFET	博士	94	2011-09-15	6.12 年
100	金屬閘高介電n型金氧半場效電晶體及鰭式電晶體閘極電子穿隧電流的精確模擬 Accurate Modeling of Gate Electron Tunneling Current in Metal-Gate/High-K nMOSFET and nFinFET 電子工程學系電子研究所閘極電子穿隧電流、鰭式電晶體、Gate Electron Tunneling Current、nFinFET	碩士	98	2011-08-17	2.04 年
100	利用溫度效應實驗分析奈米級超薄介電層場效電晶體之遠距散射機制 Temperature-Dependent Experiment to Distinguish Remote Scatterers in Polysilicon Ultrathin Gate Oxide MOSFETs 電子工程學系電子研究所遠距散射、溫度效應、遠距離庫倫散射、遠距聲子散射、表面電漿子、remote scatterers、temperature effect、remote coulomb scatterers、remote phonon scatterers、interface plasmons	碩士	98	2011-08-15	2.04 年
100	新穎六層k•p模擬器用於受應力(001)及(110)Ｐ型複晶矽，全矽化及金屬閘極Ｐ通道金氧半場效電晶體之閘極電洞穿隧電流 A Novel Six-Band k•p Simulator for Hole Gate Tunneling Current in (001) and (110) Strained pMOSFETs with Polysilicon, FUSI, and Metal Gates 電子工程學系電子研究所應力、閘極電洞穿隧電流、Ｐ通道金氧半場效電晶體、金屬閘極、全矽化閘極、stress、hole gate direct tunneling、p-MOSFET、metal gate、FUSI gate	碩士	98	2011-08-14	2.03 年