鄭兆欽
Cheng, Chao-Ching・電機學院・電子研究所
博士平均畢業時長
5.06 年
中位數 5.06 年・1 人
收錄論文
1 篇
110–110 學年度
全校中位數（供對照）
博士 6.11 年
畢業時長趨勢
每學年度畢業人數
只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。
研究關鍵字
二維材料二硫化鉬二硫化鎢二維電晶體記憶體元件邏輯閘Two-dimensional materialMoS2WS22D-material transistorMemory deviceLogic gate
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指導論文
| 學年度 | 論文 | 學制 | 入學 | 提交日期 | 畢業時長 |
|---|---|---|---|---|---|
| 110 | Two Dimensional Materials for Logic Transistor and Computing in Memory Applications 電子研究所・共同指導：簡昭欣 二維材料、二硫化鉬、二硫化鎢、二維電晶體、記憶體元件、邏輯閘、Two-dimensional material、MoS2、WS2、2D-material transistor、Memory device、Logic gate | 博士 | 105 | 2021-08-22 | 5.06 年 |