羅廣禮

Luo, Guang-Li・電機學院・電子研究所

碩士平均畢業時長

2.36 年

中位數 2.33 年・3 人

博士平均畢業時長

5.24 年

中位數 4.87 年・4 人

收錄論文

7 篇

103–111 學年度

全校中位數（供對照）

碩士 2.10・博士 6.11 年

畢業時長趨勢

每學年度畢業人數

只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。

研究關鍵字

矽鍺SiGeMOSFET金氧半場效應電晶體異質磊晶鍺矽鍺元件介面品質等效氧化物厚度SiGe deviceInterface qualityEOT微波退火蕭特基接面P-N接面MWASchottky junctionP-N junction原子層沉積系統氨電漿鋁摻雜ALDNH3 plasmaAl doping過氧化氫溶液三維積層型Hydrogen Peroxide SolutionThree-dimensional MonolithicHetero-epitaxialSiGe channelinterface passivationHfO2high-vacuum annealing矽鍺通道界面鈍化二氧化鉿高真空退火表面鈍化鍺電容鍺電晶體魚鰭式電晶體Germaniumsurface passivationGe MOSheteroepitaxialGe MOSFETFinFET三閘極非平面蕭特基

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指導論文

學年度	論文	學制	入學	提交日期	畢業時長
111	氮化鈦 /二氧化鉿閘極堆疊於矽鍺通道元件的界面特性及等效氧化物厚度降低之研究 Study on the Interface Properties and Equivalent Oxide Thickness Improvement of TiN/HfO2 Gate Stack on SiGe-Channel Devices 電子研究所・共同指導：簡昭欣矽鍺元件、介面品質、等效氧化物厚度、SiGe device、Interface quality、EOT	博士	107	2022-11-18	4.30 年
111	優化矽鍺之蕭特基接面與P-N接面電性之研究 A Study on Optimization of Electrical Characteristics of Schottky Junction and P-N Junction on Silicon Germanium Substrates 電子研究所・共同指導：簡昭欣矽鍺、微波退火、蕭特基接面、P-N接面、金氧半場效應電晶體、SiGe、MWA、Schottky junction、P-N junction、MOSFET	碩士	109	2022-11-01	2.25 年
110	以鋁摻雜及氨電漿處理對矽鍺通道材料介面品質之研究 Study on the Interface Properties of SiGe Channel Using NH3 Plasma Treatment With Al Doping 電子研究所・共同指導：簡昭欣矽鍺、原子層沉積系統、氨電漿、鋁摻雜、金氧半場效應電晶體、SiGe、ALD、NH3 plasma、Al doping、MOSFET	碩士	108	2021-11-30	2.33 年
108	以過氧化氫溶液氧化成長介電層於矽鍺材料及三維積層型異質磊晶鍺元件於上層矽基板之研究 A Study of SiGe Gate Stack by Hydrogen Peroxide Solution Oxidation and Three-dimensional Monolithic Top Layer Ge-channel MOSFETs by Hetero-epitaxial on Si 電子研究所・共同指導：簡昭欣矽鍺、過氧化氫溶液、三維積層型、異質磊晶、SiGe、Hydrogen Peroxide Solution、Three-dimensional Monolithic、Hetero-epitaxial	碩士	106	2020-02-02	2.51 年
108	氮化鈦/二氧化鉿閘極堆疊於多種鍺含量矽鍺通道的界面特性之研究 Study on the Interface Properties of TiN/HfO2 Gate Stack on SiGe Channel with a Wide Range of Ge Contents 電子研究所・共同指導：簡昭欣 SiGe channel、interface passivation、HfO2、high-vacuum annealing、矽鍺通道、界面鈍化、二氧化鉿、高真空退火	博士	103	2020-01-07	5.43 年
103	高介電材料於鍺基板及異質磊晶鍺元件於矽平台之研究 The Study of High-κ Dielectrics on Ge and Heteroepitaxial Ge-channel MOSFETs on Si Platform 電子工程學系電子研究所・共同指導：簡昭欣鍺、表面鈍化、鍺電容、異質磊晶、鍺電晶體、魚鰭式電晶體、Germanium、surface passivation、Ge MOS、heteroepitaxial、Ge MOSFET、FinFET	博士	96	2014-09-23	7.15 年
103	非平面型三閘極鍺金氧半場效電晶體整合於矽平台 Non-planar Tri-gate Germanium MOSFETs Integrated on Si Platform 電子工程學系電子研究所・共同指導：簡昭欣鍺、三閘極、非平面、蕭特基、金氧半場效電晶體、Ge、Tri-gate、Non-planar、Schottky、MOSFET	博士	99	2014-08-29	4.08 年