碩士平均畢業時長
2.25 年
中位數 2.07 年・25 人
博士平均畢業時長
5.29 年
中位數 5.29 年・2 人
收錄論文
31 篇
110–115 學年度
全校中位數（供對照）
碩士 2.10・博士 6.11 年
畢業時長趨勢
每學年度畢業人數
只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。
研究關鍵字
碲Tellurium氧化銦HysteresisTransition metal dichalcogenideselectric double layer氧化銦電晶體Indium oxide transistor非晶氧化銦Amorphous In2O3Indium oxideField-effect transistor非晶氧化物半導體Amorphous oxide semiconductors遲滯強化學習機器學習reinforcement learningmachine learning場效應電晶體熱穩定性Thermal stabilitySchottky contact過渡金屬二硫化物二硒化鎢接觸電阻tungsten diselenidecontact resistance神經形態電晶體固態電解質電雙層突觸可塑性時空資訊處理多輸入訊號整合neuromorphic transistorsolid electrolytesynaptic plasticityspatiotemporal information processingmulti-input signal integration閾值電壓調整載子傳輸滲漏可撓性元件應變工程threshold voltage tuningcarrier percolation transportflexible devicesstrain engineering氧化物薄膜電晶體電雙層效應質子調控
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指導論文
| 學年度 | 論文 | 學制 | 入學 | 提交日期 | 畢業時長 |
|---|---|---|---|---|---|
| 115 | Neuromorphic Transistors Enabled by PVD-Grown SiO₂ Solid Electrolytes for Spatiotemporal Information Processing 電子研究所 神經形態電晶體、固態電解質、電雙層、突觸可塑性、時空資訊處理、多輸入訊號整合、neuromorphic transistor、solid electrolyte、electric double layer、synaptic plasticity、spatiotemporal information processing、multi-input signal integration | 碩士 | 113 | 2026-10-19 | 2.21 年 |
| 114 | Analysis of Carrier Percolation Transport Mechanism in In₂O₃ Back-gate Transistor 前瞻半導體研究所 氧化銦電晶體、閾值電壓調整、載子傳輸滲漏、可撓性元件、應變工程、Indium oxide transistor、threshold voltage tuning、carrier percolation transport、flexible devices、strain engineering | 碩士 | 111 | 2026-09-02 | 4.09 年 |
| 114 | Carrier Modulation and Characterization Techniques for Oxide Semiconductor Devices 前瞻半導體研究所 非晶氧化銦、氧化物薄膜電晶體、電雙層效應、質子調控、超低漏電流、2T DRAM感測、Amorphous In2O3、Oxide Thin-Film Transistors、Electric Double Layer、Proton-Assisted Modulation、Ultra-Low Leakage Current、2T DRAM Sensing | 碩士 | 113 | 2026-07-09 | 1.94 年 |
| 114 | Threshold Voltage Instability Control and Thermal Reliability Optimization of Indium Oxide and Tellurium Field-Effect Transistors for Three-Dimensional Integration 前瞻半導體研究所 後段製程、氧化銦、碲、電性遲滯、場效電晶體、Back-end-of-line、Indium oxide、Tellurium、Electrical hysteresis、Field-effect transistor | 逕讀博士 | 110 | 2026-07-08 | 4.93 年 |
| 114 | Study of Carbon Nanotube-Based AC Electroluminescent Active Micro-Optical Devices 電子研究所 奈米碳管、交流電致發光、菲涅耳波帶片、迴音壁模態、量子點、主動式微光學元件、Carbon Nanotube、Alternating Current Electroluminescence、Fresnel Zone Plate、Whispering Gallery Mode、Quantum Dot、Active Micro-Optical Device | 碩士 | 113 | 2026-07-08 | 1.93 年 |
| 114 | Physics-Aware Training of Physical Neural Networks with Multi-Layer Supply Voltage Optimization 電子研究所 物理神經網路、物理感知訓練、分段非線性激活函數、前向-前向演算法、供應電壓最佳化、physical neural networks、physics-aware training、piecewise nonlinear activation functions、forward-forward algorithm、supply voltage optimization | 碩士 | 113 | 2026-07-07 | 1.93 年 |
| 114 | A Universal Transferable Gate Stack for Semiconductor Characterizations 電子研究所 可轉移式閘極堆疊、低損傷整合、新興半導體、氧化銦電晶體、鐵電氧化鉿鋯、Parylene-C 閘極介電層、可重構邏輯記憶體、transferable gate stack、low-damage integration、emerging semiconductors、indium oxide transistor、ferroelectric hafnium zirconium oxide、Parylene-C gate dielectric、reconfigurable logic-in-memory | 碩士 | 113 | 2026-07-07 | 1.93 年 |
| 114 | A Study on ACT Robotic Arm Imitation Learning Using a Mixture-of-Experts Mechanism: Implementation and Analysis with a YOLO-Segmentation-Based Vision-Guided Grasping System 電子研究所 模仿學習、混合專家模型、機械手臂、Action Chunking Transformer、Routing、YOLO、Segmentation | 碩士 | 113 | 2026-07-07 | 1.93 年 |
| 114 | Understanding and tailoring electronic transport in amorphous oxide semiconductors 電機學院博士班 非晶氧化物半導體、超薄通道電晶體、閾值電壓工程、滲透傳導機制、幾何縮放效應、Amorphous oxide semiconductors、Ultrathin-channel transistors、Threshold voltage engineering、Percolation transport mechanism、Dimensional scaling effect | 逕讀博士 | 109 | 2026-03-31 | 5.66 年 |
| 114 | Analysis and Suppression of Hysteresis in Tellurium Field-Effect Transistors 電子研究所 碲、遲滯、退火、鈍化層、氧化鋁、Tellurium、Hysteresis、Annealing、Passivation layer、Aluminum oxide | 碩士 | 112 | 2025-09-30 | 2.17 年 |
| 114 | Reinforcement Learning for Stage Alignment and Selection Strategy Optimization in Micro-LED Manufacturing 電子研究所 製程優化、晶片修補、強化學習、機器學習、manufacturing optimization、implantation、reinforcement learning、machine learning、micro-LED | 碩士 | 112 | 2025-08-27 | 2.07 年 |
| 114 | Study on the Electrical Characteristics of Tellurium and Indium Oxide-Based CMOS Devices 電子研究所 單晶片三維整合、碲、氧化銦、遲滯現象、互補式金氧半導體、Monolithic 3D Integration、Tellurium、Indium Oxide、Hysteresis、CMOS | 碩士 | 113 | — | 無法計算 |
| 114 | CMOS-Inverter-Based Bayesian Inference for Out-of-Distribution Detection 電子研究所 CMOS 反相器、貝氏神經網路、拒絕採樣、不確定性估計、未見資料偵測、CMOS inverter、Bayesian neural network、rejection sampling、uncertainty estimation、out-of-distribution detection | 碩士 | 113 | — | 無法計算 |
| 114 | Interfacial Physics and Thickness Control in Amorphous Oxide Semiconductor Transistors 電機學院博士班 非晶氧化銦、電晶體尺寸微縮、局部退火、可逆厚度控制、閾值電壓、Amorphous Indium Oxide、Transistor Geometric Scaling、Localized Annealing、Reversible Thickness Control、Threshold Voltage | 博士 | 110 | — | 無法計算 |
| 113 | Influence of Crystal Orientation on the Characteristics of p-Type Tellurium Field-Effect Transistors 電子研究所 碲、p-type半導體、結晶取向、場效應電晶體、奈米級晶界、Te、p-type semiconductor、crystallographic orientation、field-effect transistors、nanoscale grain boundaries | 碩士 | 112 | 2025-08-02 | 2.00 年 |
| 113 | Transferable ferroelectric-gated oxide transistors 電子研究所 非晶氧化物半導體、鐵電材料、介電層轉印、自支撐獨立式氧化鉿鋯、無介電夾層、記憶體內邏輯運算、Amorphous oxide semiconductors、Ferroelectric、Dielectric transfer、Free-standing HZO、Interface-layer free、Logic-in memory computing | 碩士 | 112 | 2025-08-02 | 2.00 年 |
| 113 | Strategies for Suppressing High-Temperature Degradation in Tellurium FETs via Contact Engineering 電子研究所 熱穩定性、碲、氮化鉭、擴散、P型場效電晶體、Thermal stability、Tellurium、Tantalum nitride、Diffusion、p-FET | 碩士 | 112 | 2025-07-28 | 1.99 年 |
| 113 | Unsupervised Learning-Based Spectral Microscopy Imaging Ellipsometer 電子研究所・共同指導：陳祺 影像式橢圓偏光儀、非監督式學習、影像處理、圖形識別、偏振、薄膜厚度、Imaging Ellipsometer、Unsupervised Learning、Image Processing、Pattern Recognition、Polarization、Thin Film Thickness | 碩士 | 110 | 2024-12-16 | 3.38 年 |
| 113 | Machine Learning-Based Investigation of Metal Semiconductor Interface Properties 電子研究所 機器學習、半導體製程、MSM結構、元件量測、蕭基特勢壘、理想常數、蕭基特接觸、machine learning、semiconductor process、MSM structure、Schottky barrier、ideal factor、Schottky contact、device measurement | 碩士 | 111 | 2024-08-16 | 2.04 年 |
| 112 | Optoelectronic Characteristics Study of Janus MoSSe and Poly-Silicon 電子研究所 光致發光、光電流、多晶矽、準粒子、Photoluminenscence、Photocurrent、Janus MoSSe、Poly-Silicon、Quasi-particle | 碩士 | 111 | 2024-07-30 | 2.00 年 |
| 112 | Probing Local Optoelectronic Behavior in Monolayer TMDCs Using AC Electroluminescence 電子研究所・共同指導：陳祺 過渡金屬二硫族化物、交流瞬態電致發光、局部光電行為、Transition metal dichalcogenides、Transient electroluminescence、Local optoelectronic behavior | 碩士 | 110 | 2024-01-30 | 2.50 年 |
| 112 | A Process Route for High-Performance p-type WSe2 Transistor 電子研究所・共同指導：簡昭欣 過渡金屬二硫化物、二硒化鎢、遲滯、接觸電阻、p 型場效應電晶體、Transition metal dichalcogenides、tungsten diselenide、hysteresis、contact resistance、p-type field-effect transistor | 碩士 | 110 | 2024-01-08 | 2.44 年 |
| 112 | Development of an Atomic-Level Etching Technique for Quasi-2D Oxide Semiconductors and Its Application in Depletion Load Inverters and Ring Oscillators 電子研究所 超薄氧化銦電晶體、原子級蝕刻、臨界電壓調整、空乏型負載反相器、環形 振盪器、ultrathin In2O3 transistor、atonic level etching、threshold voltage tunability、depletion load inverters、ring oscillators | 碩士 | 110 | 2023-08-29 | 2.08 年 |
| 112 | Applying Reinforcement Learning to Optimize Deployment Steps and Transfer Time for the Mass Transfer of MicroLEDs 電子研究所 微型發光二極體、顯示器技術、巨量轉移、強化學習、近端策略優化、Micro LED、Display Technology、Mass Transfer、Reinforcement Learning、Proximal Policy Optimization (PPO) | 碩士 | 110 | — | 無法計算 |
| 111 | Non-invasive Glucose Concentration Sensing Utilizing Microwave Sensor and Significantly Enhanced Sensitivity with Metamaterials 電子研究所 糖尿病、非侵入式血糖監測、微波量測、超穎材料、Diabetes、Non-invasive blood glucose monitoring、Microwave measurement、Metamaterials | 碩士 | 110 | 2023-07-26 | 1.98 年 |
| 111 | Characterization and System Validation of Photo-Hall Effect Measurement System on In2O3 Back-gate Transistor 光電工程研究所・共同指導：郭浩中 霍爾效應、光霍爾效應、氧化銦、底部閘極電晶體、訊噪比、Hall effect、Photo-Hall effect、In2O3、Back-gate transistor、Signal-to-noise ratio | 碩士 | 110 | 2023-07-26 | 1.98 年 |
| 111 | Demonstration of the Annealing-free In2O3 Top-gate Transistor with Thermal Stability 電子研究所・共同指導：簡昭欣 非晶型氧化銦、原子層沉積技術、電漿增益型原子層沉積技術、過氧化氫、頂閘極電晶體、熱穩定性、Amorphous In2O3、Atomic layer deposition、Plasma-enhanced atomic layer deposition、Hydrogen peroxide、Top-gate transistor、Thermal stability | 碩士 | 109 | 2023-03-11 | 2.61 年 |
| 111 | High-Performance WSe2 Transistor via Spacer Doping 電子研究所・共同指導：簡昭欣 過渡金屬二硫化物、四氯金酸、p型摻雜、二硒化鎢、場效應電晶體、Transition metal dichalcogenides、HAuCl4、p-type doping、tungsten diselenide、field-effect transistor | 碩士 | 109 | 2022-12-21 | 2.39 年 |
| 111 | Impact of Interfacial Engineering on the Performance of SiGe MOSFETs 電子研究所・共同指導：簡昭欣 矽鍺、原子層沉積、三甲基鋁處理、等效氧化層厚度、金屬氧化物半導體場效電晶體、SiGe、ALD、TMA treatment、EOT、MOSFET | 碩士 | 109 | 2022-11-06 | 2.26 年 |
| 110 | Developing a 3-terminal AC Measurement to Resolve the Equivalent Circuit of the Schottky Contact 電子研究所 肖特基接觸、空乏電容、奈奎斯特圖、三點量測、鎖相放大器、Schottky contact、junction capacitance、Nyquist plot、3-terminal measurement、lock-in amplifier | 碩士 | 109 | 2022-10-17 | 2.21 年 |
| 110 | Engineering of metal-semiconductor van der Waals junctions in bottom-contact monolayer field-effect transistors 電子研究所 二維材料、凡德瓦接觸、接觸電阻、費米能階釘札、2D materials、van der Waals contact、contact resistance、Fermi-level pinning | 碩士 | 109 | 2022-10-17 | 2.21 年 |