NYCU Labook

雷添福

Lei, Tan-Fu・電機學院・電子工程學系 電子研究所

博士平均畢業時長
5.53 年
中位數 6.32 年・3 人
收錄論文
3 篇
101–103 學年度
全校中位數（供對照）
博士 6.11 年

畢業時長趨勢

每學年度畢業人數

只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。

研究關鍵字

二氧化鉿電阻式記憶體HfO2薄膜電晶體可撓曲駢苯衍生物銦鎵鋅氧奈米銀線thin film transistorflexiblepentacene derivativeIndium Gallium Zinc oxidesilver nano-wire電極效應鎳燈絲切換模型燈絲形態發展模型Resistive-switching Random Access MemoryElectrode EffectNi filamet RS modelFilament Morphology Evolution Model交錯型記憶體陣列二氧化鈦潛行電流軟性電子一二極體-一電阻式記憶體一選擇器-一電阻式記憶體非線性程度讀取窗口RRAMCrossbar memory arrayTiO2Ssneak currentFlexible electronics1D1R1S1RNonlinearityread margin

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指導論文

學年度論文學制入學提交日期畢業時長
103
主動層及透明電極應用於可撓曲電晶體之元件製作及特性分析
Active Layer and Transparent Electrode for Flexible Thin-Film Transistors: Fabrication, Characterization and Device Integration
電子工程學系 電子研究所・共同指導：簡昭欣
薄膜電晶體、可撓曲、駢苯衍生物、銦鎵鋅氧、奈米銀線、thin film transistor、flexible、pentacene derivative、Indium Gallium Zinc oxide、silver nano-wire
博士1022015-08-262.07 年
101
非揮發性二氧化鉿電阻式記憶體之研究
Study on Nonvolatile HfO2 Resistive Switching Memory
電子工程學系 電子研究所・共同指導：侯拓宏
二氧化鉿、電阻式記憶體、電極效應、鎳燈絲切換模型、燈絲形態發展模型、HfO2、Resistive-switching Random Access Memory、Electrode Effect、Ni filamet RS model、Filament Morphology Evolution Model
博士952012-11-266.32 年
101
應用於高密度資料儲存與軟性電子之交錯電阻式記憶體
Cross-point Resistive Switching Memory for High-density Data Storage and Flexible Electronics
電子工程學系 電子研究所・共同指導：侯拓宏
電阻式記憶體、交錯型記憶體陣列、二氧化鈦、二氧化鉿、潛行電流、軟性電子、一二極體-一電阻式記憶體、一選擇器-一電阻式記憶體、非線性程度、讀取窗口、RRAM、Crossbar memory array、TiO2、HfO2、Ssneak current、Flexible electronics、1D1R、1S1R、Nonlinearity、read margin
博士932012-10-188.21 年