李耀仁

Lee, Yao-Jen・產學創新研究學院・前瞻半導體研究所、電子物理系所

碩士平均畢業時長

2.49 年

中位數 2.15 年・8 人

博士平均畢業時長

7.02 年

中位數 7.21 年・10 人

收錄論文

19 篇

100–114 學年度

全校中位數（供對照）

碩士 2.10・博士 6.11 年

畢業時長趨勢

每學年度畢業人數

只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。

研究關鍵字

微波退火Microwave Annealing介面工程FinFETinterface engineering鍺矽鍺鰭式場效電晶體高介電材料high-κ dielectricpost-metallization annealinggermanium薄膜電晶體快速熱氧化偏壓溫度不穩定性Rapid thermal oxidationinterfacial layer奈米片nanosheet無接面電晶體monolayer doping介面陷阱密度金屬後退火氫電漿前處理silicon-germaniuminterface-trap densityH2 plasma pre-treatment鍺化鎳氧化鎂費米能階釘扎傳輸線模型比接觸電阻率nickel germanidemagnesium oxideFermi-level pinningtransmission line modelspecific contact resistivity互補式場效電晶體鍺通道異質晶向低溫晶圓鍵合電壓轉移特性接觸電阻complementary field-effect transistor (CFET)germanium channelhetero-oriented integrationlow-temperature wafer bondingvoltage transfer characteristicscontact resistance氧化銦鎵鋅

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指導論文

學年度	論文	學制	入學	提交日期	畢業時長
114	高介電常數介電層/矽鍺介面工程及其於 SiGeSOI FinFET 元件之應用 Interfacial Engineering of High-κ/SiGe Gate Stacks and Its Application to SiGeSOI FinFETs 前瞻半導體研究所矽鍺、鰭式場效電晶體、高介電材料、介面陷阱密度、介面工程、金屬後退火、氫電漿前處理、silicon-germanium、FinFET、high-κ dielectric、interface-trap density、interface engineering、post-metallization annealing、H2 plasma pre-treatment	碩士	113	2026-07-23	1.97 年
114	具氧化鎂輔助金屬接之鍺基元件電性與接觸特性研究 Electrical and Contact Characteristics of Ge-Based Devices with MgO-Assisted Metal Contacts 前瞻半導體研究所鍺、鍺化鎳、氧化鎂、費米能階釘扎、傳輸線模型、比接觸電阻率、germanium、nickel germanide、magnesium oxide、Fermi-level pinning、transmission line model、specific contact resistivity	碩士	113	2026-07-23	1.97 年
114	以晶圓鍵合技術製備異質晶向 n-Ge(111)/ p-Ge(100) 互補式場效電晶體之製程整合與電性分析 Process Integration and Electrical Characterization of Hetero-Oriented n-Ge(111)/p-Ge(100) Complementary Field-Effect Transistors Fabricated by Wafer Bonding Technique 前瞻半導體研究所互補式場效電晶體、鍺通道、異質晶向、低溫晶圓鍵合、介面工程、電壓轉移特性、接觸電阻、complementary field-effect transistor (CFET)、germanium channel、hetero-oriented integration、low-temperature wafer bonding、interface engineering、voltage transfer characteristics、contact resistance	碩士	113	2026-07-23	1.97 年
114	不同氟電漿處理對氧化銦鎵鋅薄膜電晶體之直流電性與可靠度研究 Effects of Different Fluorine Plasma Treatments on the DC Electrical Characteristics and Reliability of Indium-Gallium-Zinc Oxide Thin-Film Transistors 前瞻半導體研究所氧化銦鎵鋅、薄膜電晶體、三氟化氮電漿、六氟化硫電漿、快速熱氧化、偏壓溫度不穩定性、Indium-gallium-zinc oxide、Thin-film transistors、Nitrogen trifluoride Plasma、Sulfur hexafluoride plasma、Rapid thermal oxidation、Bias temperature instability	碩士	112	2026-01-16	2.46 年
114	Ge與Si₀.₃Ge₀.₇閘極堆疊在O₃ 與 O₃-N₂H₄ 介面層及 H₂ 電漿預處理下之 BTI 與 PBS 可靠度研究 Study of BTI and PBS Reliability in Ge and Si₀.₃Ge₀.₇ Gate Stacks with O₃ vs. O₃-N₂H₄ Interfacial Layers and H₂-Plasma Pretreatment 前瞻半導體研究所介面層、偏壓溫度不穩定性、正向偏壓應力、氫電漿處理、緩衝層、interfacial layer、BTI、PBS、H2 plasma treatment、buffer layer	碩士	110	2026-01-16	4.46 年
114	採用不同介面層處理後堆疊高介電係數材料於 GeOI FinFET 元件之電性分析與可靠度評估 Electrical Characteristics and Reliability of GeOI FinFETs with Various Interfacial Layer Treatments and High-κ Dielectric Stacking 前瞻半導體研究所介面工程、絕緣層鍺、鰭式場效電晶體、可靠度、高介電材料、二氧化鉿、臭氧/聯胺、負偏壓溫度不穩定性、正偏壓溫度不穩定性、interface engineering、GeOI、FinFET、reliability、high-κ dielectric、HfO₂、ozone/hydrazine、NBTI、PBTI	碩士	112	2025-08-22	2.06 年
113	氟電漿處理之原子層沉積氧化銦薄膜電晶體於不同後退火處理方法之電性分析 Electrical Analysis of Atomic Layer-Deposited Indium Oxide Thin-Film Transistors Under Fluorine Plasma Treatment with Different Post-Annealing Methods 前瞻半導體研究所原子層沉積、氧化銦、薄膜電晶體、非晶系氧化物半導體、氟化氮電漿、快速熱氧化、微波退火、Atomic Layer Deposition (ALD)、Indium Oxide、Thin-Film Transistors (TFTs)、Amorphous Oxide Semiconductors、Nitrogen Plasma、Rapid Thermal Oxidation、Microwave Annealing	碩士	111	2025-05-29	2.83 年
113	增強型氮化鎵高電子遷移率電晶體特性分析之研究 Fabrication and Characterization of Enhancement-Mode AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors 電機學院博士班・共同指導：李義明、寒川誠二氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體、低溫、增強型模式、閘極掘入、中性粒子束蝕刻、後金屬化退火、臨界電壓變化、AlGaN/GaN HEMTs、cryogenic temperature、enhancement mode、gate recess、neutral beam etching、post-metallization annealing、threshold voltage variation	博士	109	2024-10-01	4.17 年
112	應力及溫度對於非晶銦鎵鋅氧化物薄膜電晶體特性不穩定性之研究 Comprehensive Investigations of Electrical Instabilities of Scaled α-IGZO-TFTs Under The Various Stress and Temperature Conditions 電機資訊國際博士學位學程・共同指導：李義明 α-IGZO-薄膜場效電晶體、正偏壓溫度應力（PBTS）、負偏壓溫度應力（NBTS）、熱載子應力（HCS）、應力與恢復、高κ材料、奈米片、熱反射測量、電性不穩定性、α-IGZO-TFTs、positive bias temperature stress (PBTS)、negative bias temperature stress (NBTS)、hot carrier stress (HCS)、stress and recovery、high-κ material、nanosheet、thermoreflectance、electrical instabilities	博士	106	2024-08-29	7.08 年
112	於絕緣層上矽異質磊晶平台上研發鍺與鍺錫奈米線製程技術 Investigation of Ge and GeSn Nanowire Fabrication on the SOI Heterogeneous Epitaxy Platform 電子物理學系・共同指導：趙天生鍺、鍺錫、鰭式電晶體、全包覆式電晶體、選擇性蝕刻、Ge、GeSn、FinFET、GAAFET、selective etching	博士	104	2024-04-01	8.67 年
110	用於低功率應用的具有表面處理的高遷移率通道場效電晶體和鐵電場效電晶體 High Mobility Channel FETs with Surface Treatments and Ferroelectric FETs for Low power applications 電子物理系所・共同指導：趙天生表面處理、砷化銦鎵、聯胺、合成氣體退火、無接面電晶體、Surface Treatment、InGaAs、Hydrazine、Forming Gas Annealing、Junctionless FET	博士	102	2022-09-02	9.09 年
110	矽鍺之介面處理與閘極全包覆式金氧半場效電晶體之研究 Investigation of Interface Treatments for Si0.8Ge0.2 PMOS capacitors and Gate-All-Around Field-Effect Transistors 電子物理系所・共同指導：趙天生矽鍺、全包覆式閘極電晶體、電容、氧化處理、SiGe、GAA MOSFET、capacitance、oxide treatment、interfacial layer、GeOx	碩士	108	2021-10-24	2.23 年
108	矽基電晶體在後摩爾時代之研究 A Study on Si-based Transistors in the Post-Moore Era 電子物理系所・共同指導：趙天生應力、無接面電晶體、鐵電、垂直堆疊、互補式電晶體、奈米片、strain、JL-FET、ferroelectric、vetically stacked、CFET、nanosheet	博士	102	2020-08-13	7.03 年
107	低溫微波退火之摻雜活化與基板耦合效應研究 A Study on Dopant Activation and Susceptor-coupling Effect under Low Temperature Microwave Anneal 電子物理系所・共同指導：趙天生微波退火、固相磊晶在成長、Microwave annealing、Solid phase epitaxial Growth	博士	99	2019-07-01	8.91 年
106	鍺基半導體元件製作之研究 Study on Germanium-based Device Fabrication 電子研究所・共同指導：曾俊元鍺、微波退火、紅外線溫度計、二氧化鍺、單原子層摻雜、雷射退火、germanium、microwave annealing、infrared pyrometer、GeO2、monolayer doping、laser annealing	博士	99	2018-07-24	7.98 年
105	菱形鍺奈米線場效應電晶體與微波退火矽穿隧電晶體之製程技術與特性研究 Process Technologies and Characteristics of Diamond-shaped Ge Nanowire Field-effect Transistor and Microwave-annealed Si Tunnel Transistor 電子研究所・共同指導：侯拓宏菱形鍺奈米線、全包覆式鍺與鍺矽奈米線場效應電晶體、等向性/非等向性乾式蝕刻、原子層沉積系統、微波退火製程、穿隧電晶體、diamond-shaped Ge nanowire、gate-all-around nanowire FETs、isotropic/ anisotropic dry etching、in-situ ALD ozone treatment、Microwave anneal、Tunneling FET	博士	98	2016-11-29	7.33 年
104	單分子層摻雜與微波退火形成超淺摻雜之研究 A Study on Ultra-Shallow Doping by Molecular Monolayer Doping Technology and Microwave Annealing 電子物理系所・共同指導：趙天生微波退火、單層摻雜、超淺摻雜、microwave annealing、monolayer doping、ultra-shallow doping	博士	100	2016-07-24	4.98 年
102	低溫微波退火在互補式金氧半場效電晶體之研究 A study on Low-Temperature Microwave Annealing for CMOSFETs Applications 電子物理系所・共同指導：羅志偉微波退火、microwave annealing	博士	96	—	無法計算
100	低溫微波退火應用之研究 A Study on Low Temperature Microwave Annealing Application 電子物理系所・共同指導：趙天生低溫退火、微波退火、low temperature annealing、microwave annealing	博士	96	2012-07-12	4.95 年