寒川誠二

Samukawa, Seiji・電機學院與資訊學院・電機資訊國際碩士學位學程

碩士平均畢業時長

1.99 年

中位數 1.99 年・1 人

博士平均畢業時長

4.17 年

中位數 4.17 年・1 人

收錄論文

2 篇

113–114 學年度

全校中位數（供對照）

碩士 2.10・博士 6.11 年

畢業時長趨勢

每學年度畢業人數

只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。

研究關鍵字

中性束蝕刻GaNVCSELPCSEL光子晶體蝕刻損傷光激發螢光neutral-beam etchingphotonic crystaletch damagephotoluminescence氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體低溫增強型模式閘極掘入中性粒子束蝕刻後金屬化退火臨界電壓變化AlGaN/GaN HEMTscryogenic temperatureenhancement modegate recessneutral beam etchingpost-metallization annealingthreshold voltage variation

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指導論文

學年度	論文	學制	入學	提交日期	畢業時長
114	應用於氮化鎵面射型雷射結構之低損傷中性束蝕刻研究 Low-Damage Neutral-Beam Etching of GaN for Surface-Emitting Laser Structures 電機資訊國際碩士學位學程中性束蝕刻、GaN、VCSEL、PCSEL、光子晶體、蝕刻損傷、光激發螢光、neutral-beam etching、photonic crystal、etch damage、photoluminescence	碩士	113	2026-07-30	1.99 年
113	增強型氮化鎵高電子遷移率電晶體特性分析之研究 Fabrication and Characterization of Enhancement-Mode AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors 電機學院博士班・共同指導：李義明、李耀仁氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體、低溫、增強型模式、閘極掘入、中性粒子束蝕刻、後金屬化退火、臨界電壓變化、AlGaN/GaN HEMTs、cryogenic temperature、enhancement mode、gate recess、neutral beam etching、post-metallization annealing、threshold voltage variation	博士	109	2024-10-01	4.17 年