趙天生
Chao, Tien-Sheng・理學院・電子物理學系、理學院碩士在職專班-應用科技組、電子物理系所
碩士平均畢業時長
2.08 年
中位數 2.01 年・51 人
在職專班平均畢業時長
2.58 年
中位數 2.18 年・17 人
博士平均畢業時長
5.93 年
中位數 5.38 年・22 人
收錄論文
95 篇
100–115 學年度
全校中位數(供對照)
碩士 2.10・在職專班 2.08・博士 6.11 年
畢業時長趨勢
每學年度畢業人數
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研究關鍵字
多晶矽無接面電晶體Poly-Si氧化鉿鋯nanowire奈米線gate-all-aroundJunctionless鐵電場效電晶體junctionless transistor鐵電FerroelectricHZO薄膜電晶體鰭式電晶體FinFETstrain超薄體記憶體可靠度reliabilityFeFETNanosheet垂直堆疊無接面微波退火Microwave AnnealingAntiferroelectric超晶格SuperlatticeMemory應力閘極全環繞場效電晶體反鐵電FeRAM鐵電記憶體Plasma Treatment鍺表面處理砷化銦鎵Surface TreatmentInGaAs結晶性Crystallinity奈米片Poly-Silicon非揮發性記憶體Vertically StackedPoly silicon
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指導論文
| 學年度 | 論文 | 學制 | 入學 | 提交日期 | 畢業時長 |
|---|---|---|---|---|---|
| 115 | Investigation of Superlattice HfxZr₁-xO₂ Gate-All-Around Poly-Si Nanosheet Channel Junctionless FeFETs 電子物理學系 HfO2/ZrO2 超晶格 (HfO₂/ZrO₂ 超晶格)、鐵電場效電晶體、閘極全環繞、多晶矽奈米片、無接面式電晶體、鎢閘極、HfO2/ZrO2 superlattice (HfO₂/ZrO₂)、ferroelectric field-effect transistor、gate-all-around、poly-Si nanosheet、junctionless transistor、tungsten gate | 碩士 | 113 | 2026-08-12 | 2.03 年 |
| 115 | Investigation of Compositional Gradient Stacking HfxZr₁-xO₂ Ultra-Thin Body Poly-Si Channel Junctionless FETs 電子物理學系 氧化鉿鋯、鐵電場效電晶體、成分梯度堆疊、元件可靠度、超薄體無接面電晶體、Hafnium Zirconium Oxide (HZO)、Ferroelectric Field-Effect Transistor (FeFET)、Compositional Gradient Stacking、Device Reliability、Ultra-Thin Body (UTB) Junctionless Transistor | 碩士 | 113 | 2026-08-12 | 2.03 年 |
| 115 | BEOL-Compatible HZO Antiferroelectric Capacitors via Oxygen Plasma Interface Engineering and Microwave Annealing 電子物理學系 界面工程、後段製程、氧電漿處理、低溫沉積、微波退火、反鐵電性、Interface Engineering、BEOL (Back-End-of-Line)、Oxygen plasma treatment、Low-Temperature Deposition、Microwave Annealing、Antiferroelectric | 碩士 | 113 | 2026-08-11 | 2.03 年 |
| 114 | Signal Integrity Analysis and Optimization for 100G Network Switches 理學院碩士在職專班-科技與數位學習組 訊號完整性、100G乙太網路、SerDes、田口實驗法、預強調、眼圖、插入損耗、Signal Integrity、100G Ethernet、Taguchi Method、Pre-emphasis、Eye Diagram、Insertion Loss | 碩士在職專班 | 112 | 2025-10-17 | 2.21 年 |
| 114 | Superlattice HZO Ultrathin Poly-Si Channel Junctionless FeFETs 電子物理學系 鐵電、超晶格、氧化鉿鋯、超薄體、多晶矽、場效電晶體、記憶體、Ferroelectric、Superlattice、HZO、Ultra-Thin Body、Poly-Si、FET、Memory | 碩士 | 112 | 2025-08-09 | 2.02 年 |
| 114 | Low-Power and High-Speed Ultrathin Superlattice HZO FeRAMs With Low Thermal Expansion Coefficient Electrode 電子物理學系 鐵電、記憶體、氧化鉿鋯、電極、超晶格、Ferroelectric、Electrode、Superlattice、HZO、Memory | 碩士 | 112 | 2025-08-07 | 2.02 年 |
| 113 | High-Efficiency Tip Fabrication of Atom Probe Tomography via Femtosecond Laser-Assisted Focused Ion Beam 理學院碩士在職專班-應用科技組・共同指導:林昆霖 原子探針斷層掃描(APT)、樣品製備、聚焦離子束(FIB)、飛秒雷射燒蝕、生產率提升技術、Atom Probe Tomography (APT)、specimen preparation、Focused Ion Beam (FIB)、femtosecond laser ablation、productivity enhancement | 碩士在職專班 | 112 | 2025-07-24 | 1.98 年 |
| 113 | Investigation of Ferroelectricity in Low Deposition Temperature Antiferroelectric Capacitor with Low Thermal Expansion Coefficient Metal Electrode 電子物理學系 低溫沉積、反鐵電、電極工程、可靠度、阻擴散層、多階儲存、切換特性、Low-temperature deposition、antiferroelectric、electrode engineering、diffusion barrier、multilevel storage、switching characteristics、reliability | 碩士 | 112 | 2025-07-23 | 1.98 年 |
| 113 | Enhanced Ferroelectric Properties in Superlattice HfxZr1-xO2 for FeRAM and FeFET Through Optimized Atomic Layer Deposition Temperatures 電子物理學系 鐵電、超晶格、氧化鉿鋯、原子層沉積、鐵電隨機存取記憶體、鐵電場效電晶體、多位元儲存單元、Ferroelectric、Superlattice、HZO、ALD、FeRAM、FeFET、MLC | 碩士 | 112 | 2025-07-21 | 1.97 年 |
| 113 | Destructive analysis method of gallium nitride high electron mobility transistors on silicon substrates 理學院碩士在職專班-應用科技組 氮化鎵、破壞性分析實驗、矽基板、高電子遷移率電晶體、反應性離子蝕刻機、GaN、HEMT、Silicon substrate、Destructive Analysis Experiment、Reactive Ion Etching Machine | 碩士在職專班 | 111 | 2024-01-10 | 1.44 年 |
| 112 | Investigation of Ferroelectric HfxZr1-xO2 Ultra-Thin Body Poly-Si Channel FETs with O2 Plasma Treatment 電子物理學系 記憶體元件、鐵電記憶體、UTB、Junctionless、Plasma Treatment、FeFET、Ferroelectric、FeRAM、NVM、Poly-Si | 碩士 | 111 | 2024-07-14 | 1.95 年 |
| 112 | Investigation of Ferroelectric Superlattice HfxZr1-xO2 Gate-All-Around Poly-Si Nanosheet Channel FETs 電子物理學系 記憶體、Memory device | 碩士 | 111 | 2024-06-27 | 1.91 年 |
| 112 | Improvement of Ti/Cu Etching Uniformity in Bumping Processes 理學院碩士在職專班-應用科技組 蝕刻、凸塊、均勻度、底切、殘留、etching、bumps、uniformity、undercutting、residue | 碩士在職專班 | 111 | 2024-06-26 | 1.90 年 |
| 112 | Characterization of novel semiconductor nanostructures 電子物理學系・共同指導:周苡嘉 精細結構、電子能量損失能譜學、奈米結構、矽奈米線、氮化鎵高電子遷移率電晶體、Fine structure、EELS、nanostructure、silicon nanowire、AlGaN/GaN HEMT | 博士 | 106 | 2024-05-28 | 6.82 年 |
| 112 | Investigation of Ge and GeSn Nanowire Fabrication on the SOI Heterogeneous Epitaxy Platform 電子物理學系・共同指導:李耀仁 鍺、鍺錫、鰭式電晶體、全包覆式電晶體、選擇性蝕刻、Ge、GeSn、FinFET、GAAFET、selective etching | 博士 | 104 | 2024-04-01 | 8.67 年 |
| 112 | High Performance FeRAM and FeFET by Bilayer Stacked Antiferroelectric/Ferroelectric HfxZr1-xO2 and Modifying Atomic Layer Deposition Temperatures 電子物理學系 反鐵電、鐵電、漏電流、耐久度、衰退、原子層沉積溫度、鉿鋯氧化物、Antiferroelectric、ferroelectric、leakage current、endurance、fatigue、atomic layer deposition temperature、HfZrO | 博士 | 108 | 2024-01-29 | 4.50 年 |
| 112 | Investigation of Ferroelectric Properties in Zr-Rich HfxZr1-xO2 on AFeRAM and AFeFET through Modulation of Atomic Layer Deposition Temperature 電子物理學系 反鐵電、原子層沉積系統、鐵電隨機存取記憶體、鐵電場效電晶體、低功耗、Antiferroelectric、Atomic layer deposition、Ferroelectric random access memory、Ferroelectric field-effect transistor、Low power consumption | 碩士 | 111 | 2024-01-25 | 1.48 年 |
| 111 | Investigation of Ferroelectric HfxZr1-xO2 FeRAM With CF4 Plasma Treatment 電子物理系所 四氟化碳、氧化鉿鋯、隨機存取記憶、鐵電、CF4 Plasma Treatment、HfxZr1-xO2、FeRAM、Ferroelectricity | 碩士 | 110 | 2023-08-15 | 2.04 年 |
| 111 | Investigation of Ferroelectric Superlattice HfxZr1-xO2 Ultra-Thin Body Poly-Si Channel FETs for Storage Class Memory Applications 電子物理系所 鐵電、超晶格、氧化鉿鋯、超薄體、多晶矽、場效電晶體、記憶體、Ferroelectric、Superlattice、HZO、Ultra-Thin Body、Poly-Si、FET、Memory | 碩士 | 110 | 2023-08-03 | 2.00 年 |
| 111 | Investigation of Ferroelectric Superlattice HfxZr1-xO2 Ultra-Thin Body Poly-Si Channel FETs for Artificial Neural Network Applications 電子物理系所 鐵電材料、超晶格氧化鉿鋯、多晶矽通道、人工神經網路、Ferroelectric material、Superlattice HfxZr1-xO2、Poly-Si channel、Artificial neural network | 碩士 | 110 | 2023-07-27 | 1.98 年 |
| 111 | A Study on Sandblasting Semiconductor Chamber Component Cleaning with Dual-frequency Ultra Sonication 理學院應用科技學程 零件清洗、氧化鋁、超音波、去除效率、Parts Cleaning、Alumina、Ultrasonication、Removal efficiency | 碩士在職專班 | 109 | 2022-11-04 | 2.26 年 |
| 110 | High Mobility Channel FETs with Surface Treatments and Ferroelectric FETs for Low power applications 電子物理系所・共同指導:李耀仁 表面處理、砷化銦鎵、聯胺、合成氣體退火、無接面電晶體、Surface Treatment、InGaAs、Hydrazine、Forming Gas Annealing、Junctionless FET | 博士 | 102 | 2022-09-02 | 9.09 年 |
| 110 | High Performance of Bilayer Stacked Antiferroelectric/Ferroelectric HfxZr1-xO2 on FeRAM and FeFET 電子物理系所 鐵電材料、隨機存取記憶體、鐵電場效電晶體、氧化鉿鋯、電性、可靠度、ferroelectric material、random access memory、ferroelectric field effect transistor、HfZrO2、electrical characteristic、reliability | 碩士 | 109 | 2022-08-17 | 2.04 年 |
| 110 | Multi-state One-Time-Programable Memory By Using Dielectric Breakdown In Gate-all-around MOSFET 電子物理系所 反熔絲、多組態一次性編程記憶體、環繞式閘極電晶體、高介電常數材料、Anti-fuse、Multi states one time programable (OTP) memory、Gate-all-around (GAA) transistor、high dielectric constant (k) materials | 碩士 | 109 | 2022-08-17 | 2.04 年 |
| 110 | Investigation of Interface Treatments for Si0.8Ge0.2 PMOS capacitors and Gate-All-Around Field-Effect Transistors 電子物理系所・共同指導:李耀仁 矽鍺、全包覆式閘極電晶體、電容、氧化處理、SiGe、GAA MOSFET、capacitance、oxide treatment、interfacial layer、GeOx | 碩士 | 108 | 2021-10-24 | 2.23 年 |
| 110 | Effects of Stress on Crystallinity and Reliability of Sidewall Damascene Poly-Si Gate-All-Around FETs 電子物理系所 多晶矽、應力、閘極全環繞電晶體、結晶性、可靠度、Poly-Si、Stress、Gate-All-Around FETs、Crystallinity、Reliability | 碩士 | 107 | 2021-08-17 | 3.04 年 |
| 109 | Investigation of NH3 Plasma Treatment between Interface of HZO/Si on UTB-based FeFET: Memory Characteristics and Reliability 電子物理系所 鐵電記憶體、氧化鉿鋯、氨電漿處理、FeFET、HZO、NH3 Plasma Treatment | 碩士 | 108 | 2021-06-29 | 1.91 年 |
| 109 | Hysteresis Free Gate-all-around Stacked Poly-Si Nanosheet FeFETs With NH3 Plasma Treatments 電子物理系所 鐵電場效電晶體、多晶矽、奈米片、閘極環繞式、氧化鉿鋯、堆疊型通道、FeFETs、Poly-Silicon、Nanosheet、Gate-all-around、HZO、Stacked-channel | 碩士 | 108 | 2021-06-25 | 1.90 年 |
| 109 | A Study on Using Seed-Layer to Improve the Stacked Gate-All-Around erroelectric Field-Effect Transistor and the Ferroelectric Tunneling Junction 電子物理系所 鐵電電容、堆疊型通道、閘極環繞式、鐵電場效電晶體、多晶矽、奈米線、晶種層、氧化鉿鋯、鐵電穿隧接面、Ferroelectric capacitor、stacked channel、gate-all-around、FeFET、Poly-Si、nanowire、MFMIS、IMG、seed layer、HZO、ferroelectric tunneling junction | 博士 | 105 | 2020-12-22 | 4.39 年 |
| 109 | Novel Gate-all-around Polysilicon Nanowires Ferroelectric Field-effect Transistors and Memories 電子物理系所 閘極全包覆式、多晶矽、奈米線、鐵電、氧化鋁鉿、氧化鉿鋯、氫電漿處理、Gate-All-Around、Poly-Silicon、Nanowires、Ferroelectric、Hafnium zirconium oxide、Hafnium alumina oxide、Hydrogen Plasma Treatment | 碩士 | 108 | 2020-06-11 | 0.86 年 |
| 108 | A Study on Si-based Transistors in the Post-Moore Era 電子物理系所・共同指導:李耀仁 應力、無接面電晶體、鐵電、垂直堆疊、互補式電晶體、奈米片、strain、JL-FET、ferroelectric、vetically stacked、CFET、nanosheet | 博士 | 102 | 2020-08-13 | 7.03 年 |
| 108 | Study on L-shaped Complementary Field Effect Transistors(L-CFET) 電子物理系所 垂直場效電晶體、無接面電晶體、異質結構、互補式場效電晶體、Vertical FET、Junctionless transistor、heterostructure、Complementary Field Effect Transistors | 碩士 | 107 | 2020-08-12 | 2.03 年 |
| 108 | Exciton study for high quality single crystal Cu2O and monolayer WSe2 電子物理系所・共同指導:果尚志 激子、束縛能、氧化亞銅、二硒化鎢、螢光、Exciton、Binding Energy、Cu2O、WSe2、Photoluminescence | 碩士 | 105 | 2020-07-29 | 3.99 年 |
| 108 | The Impact of N2O Densification on HZO/Si Interface for Ultra-Thin Body FeFET and Memory Characteristics 電子物理系所 鐵電記憶體、超薄體、氧化鉿鋯、氧化亞氮、FeFET memory、Ultra-thin body (UTB)、HZO、N2O | 碩士 | 107 | 2020-07-29 | 1.99 年 |
| 108 | A Study of Trench-Type Power Device Characteristic and Efficiency with Different Structures 理學院應用科技學程 功率元件、Power MOSFET | 碩士在職專班 | 104 | 2020-07-16 | 4.96 年 |
| 108 | Investigation on Improving the Interface Treatments for In0.7Ga0.3As NMOS Capacitors by Simplifying the Cleaning Process 理學院應用科技學程 砷化銦鎵、表面處理、金氧半電容、鈍化、硫乙醯胺、InGaAs、surface treatment、MOS capacitor、passivation、thioacetamide | 碩士在職專班 | 106 | 2020-07-10 | 2.94 年 |
| 108 | Crystallinity Effect on Various Programming/Erasing Characteristics of Sidewall Damascene Gate-All-Around Poly-Silicon Nanowire SONOS Memory 電子物理系所 非揮發性記憶體、結晶性、奈米線、Nonvolatile memory、Crystallinity、Nanowire | 碩士 | 107 | 2020-07-09 | 1.94 年 |
| 108 | Crystallinity Effect on Characteristics and Reliability of Sidewall Damascened Nanowire Poly-Si Transistors and Memory Applications 電子物理系所 結晶性、奈米線、多晶矽、快速熱退火、垂直堆疊、可靠度、記憶體、Crystallinity、Nanowire、Poly-Si、Rapid Thermal Anneal、Vertically Stacked、Reliability、Memory | 博士 | 103 | 2020-06-30 | 5.91 年 |
| 108 | A Study on Vertically Stacked Cantilever Junctionless Poly-Si NanoSheet Transistors and Vertical Series Resistance 電子物理系所 懸臂、高介電常數氧化層搭配金屬閘極、無接面、奈米片、垂直串聯電阻、垂直堆疊、Centilever、High-k Metral Gate、Junctionless、Nanosheet、Vertical Series Resistance、Vertically Stacked | 博士 | 102 | 2020-05-07 | 6.77 年 |
| 108 | A Study on Vertically Stacked Gate-All-Around Poly-Si Junctionless Nanosheet Transistors Incorporating Self-Limited Low-Temperature Trimming and Fully Silicided S/D 電子物理系所 垂直堆疊電晶體、無接面電晶體、奈米帶電晶體、低溫多晶矽薄膜電晶體、閘極全環、高介電常數材料與金屬閘極、位置依賴性、自飽和低溫削蝕、完全金屬矽化源/汲極、金屬化後退火、Vertically stacked transistor、Junctionless transistor、Nanosheet transistor、Low-temperature polycrystalline silicon thin-film transistor、Gate-all-around、High-k and metal gate、Position dependence、Self-limited low-temperature trimming、Fully silicided source/drain、Post metalization annealing | 碩士 | 106 | 2019-09-30 | 2.16 年 |
| 108 | Investigation on the Interface Treatments for In0.7Ga0.3As NMOS Capacitors and Gate-All-Around Junctionless Field Effect Transistors 電子物理系所 砷化銦鎵、表面處理、金氧半電容、場效電晶體、奈米薄片、InGaAs、surface treatment、MOS capacitor、Field Effect Transistor、Nanosheet | 碩士 | 106 | 2019-08-15 | 2.04 年 |
| 107 | Poly Silicon Nanowire FeFETs with Negative Capacitance 電子物理系所 負電容、鐵電場效電晶體、多晶矽、奈米線、Negative capacitance、FeFET、Poly silicon、Nanowire | 碩士 | 106 | 2019-08-05 | 2.01 年 |
| 107 | Reduction of Metal to Metal Crack by Optimization of Dielectric Deposition Processes 理學院應用科技學程 介電層、金屬層、Dielectric、Metal | 碩士在職專班 | 106 | 2019-07-28 | 1.99 年 |
| 107 | A Study on Dopant Activation and Susceptor-coupling Effect under Low Temperature Microwave Anneal 電子物理系所・共同指導:李耀仁 微波退火、固相磊晶在成長、Microwave annealing、Solid phase epitaxial Growth | 博士 | 99 | 2019-07-01 | 8.91 年 |
| 107 | A Study on Nickel-Seed Induced Laterally Crystallized Low Temperature Poly-Silicon Nanosheet Thin-Film Transistors 電子物理系所 低溫多晶矽、薄膜電晶體、三維積體電路、金屬鎳引致側向結晶、金屬鎳種子引致側向結晶、閘極懸浮之汲極電流、結晶不對稱性、Low temperature poly-silicon (LTPS)、thin-film transistors (TFTs)、three dimensional integrated circuits (3D-ICs)、Ni-metal-induced lateral crystallization、Ni-seed-induced lateral crystallization、gate-floating drain current、crystallization asymmetry | 碩士 | 105 | 2018-12-18 | 2.38 年 |
| 107 | Investigation on Vertically Stacked Gate-All-Around Nanosheet Poly-Si Junctionless CMOS Transistors 電子物理系所 垂直堆疊、全包覆式閘極、奈米薄片、無接面、Vertically Stack、Gate-All-Around、Nanosheet、Junctionless | 碩士 | 105 | 2018-08-14 | 2.03 年 |
| 107 | A Study on Multi-Gate Poly-Si Junctionless and Junctionless Accumulation Mode FinFETs for Monolithic 3-D IC Applications 電子物理系所 多閘極、多晶矽、無接面電晶體、無接面聚集型電晶體、反轉型電晶體、鰭式電晶體、積層型三維積體電路應用、Multi-Gate、Poly-Si、Junctionless Transistor、Junctionless Accumulation Mode Transistor、Inversion Mode Transistor、FinFET、Monolithic 3-D IC Application | 博士 | 102 | 2018-08-12 | 5.03 年 |
| 106 | Performance Optimization of Nano-Scaled FETs with Core-Shell Configuration 電子物理系所・共同指導:高國興 無接面電晶體、殼式摻雜分佈、具核殼結構、Junctionless Transistor、Shell Doping Profile、Core/Shell Structure、Quantum Well、Heterostructure | 博士 | 102 | 2018-08-02 | 5.00 年 |
| 106 | Effects of Channel Concentration and Temperature on Poly-Si Juntionless Accumution Mode FETs 電子物理系所 通道濃度、溫度、無接面電晶體、Channel concentration、Temperature、Juntionless FETs | 碩士 | 105 | 2018-07-31 | 2.00 年 |
| 106 | The development of immersion lithography and Extreme ultraviolet lithography in view of semiconductor technology patent 理學院應用科技學程 浸潤微影、極紫外光源微影、專利分析與布局、功效矩陣、技術路徑、Immersion Lithography、Extreme Ultraviolet Lithography、Patent Analysis and Portfolio、Technical Function Matrix、Technical Roadmap | 碩士在職專班 | 105 | 2018-07-31 | 2.00 年 |
| 106 | Impact of Boron Penetration and Negative Bias Stress on P-Channel Pi-Gate Poly-Si Junctionless Accumulation Mode FinFETs 電子物理系所 多晶矽、鰭式電晶體、硼穿透、負偏壓、無接面聚集型電晶體、Poly-Si、FinFETs、boron penetration、negative bias stress、junctionless accumulation mode transistor | 碩士 | 105 | 2018-07-24 | 1.98 年 |
| 106 | Evaluation of the Various Scaling Routes on Novel Poly-Si Junctionless Transistors 電子物理系所 多晶矽、電晶體、無街面、奈米通道、poly-Si、transistor、junctionless、nano-channel | 碩士 | 105 | 2018-07-24 | 1.98 年 |
| 106 | The Study on Application and Key Technology Patents of Telematics 理學院應用科技學程・共同指導:袁建中 車聯網、專利分析、5G、AI、光達、Telematics、Patent analysis、LIDAR | 碩士在職專班 | 102 | 2018-06-20 | 4.88 年 |
| 106 | Junctionless 3D-FETs for 3D-IC: Key Technology Development in Various Platforms, Characterization, and Reliability Investigation 電子物理系所 閘極全環繞、奈米線電晶體、鰭式電晶體、超薄體電晶體、無接面電晶體、可靠度、多重臨界電壓、動態臨界電壓、三維電晶體、Gate-All-Around、Nanowire FET、FinFET、UTB FET、Junctionless FET、Reliability、Multi-Vt、Dynamic Threshold-Voltage、3D-IC | 博士 | 100 | 2018-04-16 | 6.71 年 |
| 106 | Effect of Grain Size on Polycrystalline-Silicon Junctionless Thin-Film Transistors 電子物理系所 多晶矽、無接面電晶體、超薄體、奈米線、電漿處理、poly silicon、junctionless transistor、ultra thin body、nano wire、plasma treatment | 碩士 | 103 | 2017-09-03 | 3.09 年 |
| 106 | The Patent Study of Battery Technologies Applied to Electric Vehicles 理學院應用科技學程・共同指導:袁建中 鋰離子電池、燃料電池、三元正極材料、電動車、專利地圖、專利分析、Lithium Ion Battery、Fuel Cell、Ternary Cathode Material、Electric Vehicle、Patent Map、Patent Analysis | 碩士在職專班 | 102 | — | 無法計算 |
| 105 | Electrical Characterization and Gate Bias Reliability of Junctionless and Inversion-Mode Gate-All-Around Poly Silicon Nanowire Transistors 理學院應用科技學程 無接面電晶體、全環繞式閘極、3D奈米線複晶矽、閘極偏壓可靠度、Junctionless transistors、Gate-All-Around、Nanowire channel、Gate Bias Reliability、NBTI | 碩士在職專班 | 103 | 2017-07-19 | 2.97 年 |
| 105 | Effect of Channel Concentration and Boron Penetration on Poly-Si Junctionless Accumulation Mode FinFETs 電子物理系所 通道濃度、硼穿透、多晶矽、無街面聚集型、鰭式電晶體、Channel Concentration、Boron Penetration、Poly-Si、Junctionless Accumulation Mode、FinFET | 碩士 | 104 | 2017-06-15 | 1.87 年 |
| 105 | Vertically Stacked n-Type Poly-Si Junctionless Nanowire Transistor and Its Series Resistance 電子物理系所 垂直堆疊、多晶矽、無接面、奈米線、串聯電阻、閘極全環繞、Vertically Stacked、Poly-Si、Junctionless、Nanowire、Series Resistance、Gate-All-Around | 碩士 | 104 | 2017-06-15 | 1.87 年 |
| 105 | The Patent Study of Key Technologies Applied to Automotive Driving 理學院應用科技學程・共同指導:袁建中 專利分析、自動駕駛、車對車通訊、自動煞車、巡航控制、車用影像感測器、Patent Analysis、Automotive Driving、V2V Communication、Automatic Brakes、Cruise Control、Vehicle Image Sensor | 碩士在職專班 | 102 | 2017-01-20 | 3.47 年 |
| 104 | A Study of Junctionless Ultra-Thin Poly-Si Nano-belt Transistor with Different Underlying Materials 電子物理系所 多晶矽、超薄奈米帶、無接面電晶體、不同基底絕緣材料、poly silicon、ultra-thin nano-belt、junctionless、different underlying materials | 碩士 | 103 | 2016-08-25 | 2.07 年 |
| 104 | A Study of Ge FinFETs with Improved Interface Quality by Cyclic Pulse Oxidation and In-Situ Etching Technique 電子物理系所 鍺、鰭式場效電晶體、週期脈衝氧化、臨場蝕刻、高品質界面層、降低表面粗糙度、Germanium、FinFETs、Cyclic Pulse Oxidation、In-Situ Etching、High Quality Interfacial Layer、Reduce Interface Roughness | 碩士 | 103 | 2016-08-24 | 2.06 年 |
| 104 | A Study on Ultra-Shallow Doping by Molecular Monolayer Doping Technology and Microwave Annealing 電子物理系所・共同指導:李耀仁 微波退火、單層摻雜、超淺摻雜、microwave annealing、monolayer doping、ultra-shallow doping | 博士 | 100 | 2016-07-24 | 4.98 年 |
| 104 | Strain Effects on Sidewall Damascened Tri-Gate Poly-Silicon Fin-FETs 理學院應用科技學程 應變效應、多晶矽、鰭式電晶體、無接面電晶體、Strain effect、Poly-Silicon、FinFET、Junctionless transistor | 碩士在職專班 | 102 | 2016-01-13 | 2.45 年 |
| 104 | A Study on Low Power Low Temperature Polycrystalline Silicon Transistors 電子物理系所 低溫多晶矽、穿隧式電晶體、超薄體、金屬誘發側向結晶、LTPS、TFET、UTB、MILC | 博士 | 98 | 2015-11-23 | 6.31 年 |
| 104 | A comprehensive study on novel stress memorization technique for nMOSFETs with Technology CAD 電子物理系所 升溫量測、載子遷移率衰減、應力效應、應力無鄰近記憶技術、聲子散射、strain effect、stress effect、mobility degradation、elevated temperature measurement、stress proximity free technique、phonon scattering | 碩士 | 103 | — | 無法計算 |
| 103 | Effects of Dopant Activation on Poly-Silicon Tunnel Field-Effect Transistors 電子物理系所 穿隧式電晶體、摻雜後活化、tunnel field-effect transistor、dopant activation | 碩士 | 102 | 2015-08-15 | 2.04 年 |
| 103 | Effect of Plasma Surface Treatment on Polycrystalline-Silicon Tunnel Thin-Film Transistor 電子物理系所 穿隧式薄膜場效電晶體、電漿處理、熱載子可靠度、T-TFT、Plasma treatment、Hot carrier reliability | 碩士 | 102 | 2015-08-11 | 2.03 年 |
| 103 | Strain Effects on Silicon Junctionless Nanowire Transistors 電子物理系所 應變、無接面、奈米線、電晶體、氨電漿、變溫、熱載子注入、strain、junctionless、nanowire、transistor、NH3 plasma、temperature dependence、hot carrier injection | 碩士 | 102 | 2015-08-11 | 2.03 年 |
| 103 | A Study of Strain Effects on Nanoscale Silicon Transistors 電子物理系所 應變、奈米線電晶體、鰭式電晶體、Strain、Nanowire、FinFET | 博士 | 98 | 2014-11-25 | 5.32 年 |
| 103 | A Study of Strain Effects on the Novel GAA Raised Source / Drain Sub-10nm Poly-Si NW Channel TFTs with Self-Aligned Corked Gate Structure 理學院應用科技學程 應力、奈米線電晶體、閘極環繞、Strain、NW TFTs、GAA | 碩士在職專班 | 101 | 2014-10-06 | 2.18 年 |
| 102 | A Study on Novel Poly-Si Thin-Film Transistor for Biosensing 電子物理系所 多晶矽薄膜電晶體感測器、poly-Si thin-film transistor sensor | 博士 | 98 | 2014-08-04 | 5.01 年 |
| 102 | A Study on Polycrystalline-Silicon Nanowire Tunnel Thin-Film Transistor with Raised Source/Drain 電子物理系所 薄膜電晶體、多晶矽、奈米線、穿隧式電晶體、thin、poly-Si、nanowire、tunnel FET | 碩士 | 101 | 2014-08-01 | 2.00 年 |
| 102 | A Study on Junctionless Nanowire Field Effect Transistors 電子物理系所 無接面電晶體、奈米線、多晶矽、Junctionless transistor、nanowire、polysilicon | 碩士 | 101 | 2014-07-10 | 1.94 年 |
| 102 | A Study on Asymmetrical MOSFETs and Junctionless Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors 雙重微影、非對稱元件、無接面元件、double patterning、asymmetrical device、junctionless device | 博士 | 97 | 2014-01-14 | 5.45 年 |
| 102 | Bottom-gate Poly-Si Thin Film Transistor Nonvolatile Memories with 理學院應用科技學程 金屬誘發側向結晶、鎳捉聚、固相結晶法、MILC、Ni-Gettering、SPC | 碩士在職專班 | 100 | 2013-09-16 | 2.13 年 |
| 102 | Simulation of Vertical Channel Junctionless Thin-Film Transistors 理學院應用科技學程 垂直通道、薄膜電晶體、無接面、Vertical Channel、Thin-Film Transistors、Junctionless | 碩士在職專班 | 100 | 2013-09-15 | 2.12 年 |
| 102 | A Study on Novel Junctionless Poly-Si Thin Film Transistors by Monolayer Doping technology 電子物理系所 無接面電晶體、單分子層摻雜、junctionless、monolayer doping | 碩士 | 101 | — | 無法計算 |
| 102 | Fabrication and Application of Double-Gate Poly-Si with Horn-Like Nanowire Sensors 電子物理系所 雙閘極、多晶矽、感測器、矽奈米、double-gate、poly-Si、ISFET、Si nanowire | 碩士 | 101 | — | 無法計算 |
| 102 | A Study on Enhancement of the Solar Cell Effective Conversion Efficiency 電子物理系所 太陽能、開路電壓、飽和電流、solar cell、open circuit voltage、saturation current | 博士 | 96 | — | 無法計算 |
| 101 | A Study of Channel Structures on Poly-Si TFTs SONOS Memory 電子物理系所 奈米線通道、三維積體電路整合、鰭式通道、非揮發性記憶體、nanowire、3D IC、FinFET、non-volatile memory | 碩士 | 100 | 2013-08-30 | 2.08 年 |
| 101 | A study of monolayer doping technology and its application 電子物理系所 單分子層摻雜、超淺接面、低溫製程、p & n 型電晶體、monolayer doping、Ultra-shallow junction、low temperature fabrication、PMOS & NMOS | 碩士 | 100 | 2013-08-19 | 2.05 年 |
| 101 | A Study of Front Surface Field Passivation and Al2O3 Passivation on Interdigitated Back Contact Back Junction Silicon Solar Cell 電子物理系所 交指背接觸電極矽晶太陽能電池、前表面場、氧化鋁、IBC solar cell、front surface field、Al2O3 | 碩士 | 100 | 2013-07-29 | 1.99 年 |
| 101 | Effects of NH3 Plasma Treatment on Bottom Gate Poly-Silicon Thin-Film Transistors 電子物理系所 電漿、薄膜電晶體、plasma、Thin-Film Transistors | 碩士 | 100 | 2013-07-24 | 1.98 年 |
| 101 | Impacts of Boron Doping on MILC Growth of Si-NCs SONOS Memory and Device Property 電子物理系所 在SONOS記憶體通道中先摻雜硼會幫助鎳擴散、使結晶的晶粒更大、boron enhanced nickel diffusion effect | 碩士 | 100 | 2013-07-23 | 1.98 年 |
| 101 | Design and modeling of Germanium based Photodetectors for on-chip optical interconnects 電子物理系所 鍺、光連結、光偵測器、Germanium、optical-interconnect、photodetector | 碩士 | 98 | 2012-09-28 | 3.16 年 |
| 101 | A Study of Novel Stress Memorization Technique on nMOSFETs by Multiple Strain-Gate Engineering 電子物理系所 應力、載子遷移率、Mobility、Strain、NMOSFET、Stress | 博士 | 95 | 2012-09-28 | 6.16 年 |
| 100 | The Study of Vertical Channel LTPS TFTs with Metal-Induced Lateral Crystallization Method 電子物理系所 低溫多晶矽、薄膜電晶體、垂直通道、Low temperature polycrystalline silicon、Thin-film transistor、Vertical channel | 碩士 | 99 | 2012-07-30 | 2.00 年 |
| 100 | The Impact of Morphology and Crystallization Condition on Thin Film Transistors and Nonvolatile Memories 電子物理系所 非揮發性記憶體、薄膜電晶體、SONOS、熱氧化、Nonvolatile Memory、Thin Film Transistor、Thermal Oxidation | 碩士 | 99 | 2012-07-25 | 1.98 年 |
| 100 | A Study of Novel Double-Gated Poly-Si Thin Film Transistor Based Structure as a pH-ISFET Device 電子物理系所 酸鹼感測器、雙閘極、多晶矽電晶體、ISFET、Double-gate、pH sensing、poly-Si TFT | 碩士 | 99 | 2012-07-24 | 1.98 年 |
| 100 | Bottom-gate Poly-Si Thin Film Transistor Nonvolatile Memory with Si nanocrystals Trapping Layer 理學院應用科技學程 非揮發性薄膜電晶體、Poly-Si TFTs | 碩士在職專班 | 99 | 2012-07-18 | 1.96 年 |
| 100 | A Study on Novel Vertical Channel Thin-Film Transistors 電子物理系所 垂直通道、薄膜電晶體、Vertical Channel、Thin-Film Transistors | 博士 | 97 | 2012-07-17 | 3.96 年 |
| 100 | A Study on Low Temperature Microwave Annealing Application 電子物理系所・共同指導:李耀仁 低溫退火、微波退火、low temperature annealing、microwave annealing | 博士 | 96 | 2012-07-12 | 4.95 年 |
| 100 | A Study on Nanowire Thin Film Transistors 電子物理系所 奈米線通道、薄膜電晶體、Nanowire、Thin Film Transistors | 博士 | 96 | 2012-06-27 | 4.91 年 |
| 100 | Impacts of Hydrogen and Stress of the Silicon Nitride on the Transistors 電子物理系所 氮化矽、應變、氫、silicon nitride、strain、hydrogen | 博士 | 96 | 2012-03-06 | 4.60 年 |