趙天生

Chao, Tien-Sheng・理學院・電子物理學系、理學院碩士在職專班-應用科技組、電子物理系所

碩士平均畢業時長
2.08 年
中位數 2.01 年・51 人
在職專班平均畢業時長
2.58 年
中位數 2.18 年・17 人
博士平均畢業時長
5.93 年
中位數 5.38 年・22 人
收錄論文
95 篇
100–115 學年度
全校中位數(供對照)
碩士 2.10・在職專班 2.08・博士 6.11 年

畢業時長趨勢

每學年度畢業人數

只計入有論文收錄的畢業生;中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。

研究關鍵字

多晶矽無接面電晶體Poly-Si氧化鉿鋯nanowire奈米線gate-all-aroundJunctionless鐵電場效電晶體junctionless transistor鐵電FerroelectricHZO薄膜電晶體鰭式電晶體FinFETstrain超薄體記憶體可靠度reliabilityFeFETNanosheet垂直堆疊無接面微波退火Microwave AnnealingAntiferroelectric超晶格SuperlatticeMemory應力閘極全環繞場效電晶體反鐵電FeRAM鐵電記憶體Plasma Treatment鍺表面處理砷化銦鎵Surface TreatmentInGaAs結晶性Crystallinity奈米片Poly-Silicon非揮發性記憶體Vertically StackedPoly silicon

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指導論文

學年度論文學制入學提交日期畢業時長
115
Investigation of Superlattice HfxZr₁-xO₂ Gate-All-Around Poly-Si Nanosheet Channel Junctionless FeFETs
電子物理學系
HfO2/ZrO2 超晶格 (HfO₂/ZrO₂ 超晶格)、鐵電場效電晶體、閘極全環繞、多晶矽奈米片、無接面式電晶體、鎢閘極、HfO2/ZrO2 superlattice (HfO₂/ZrO₂)、ferroelectric field-effect transistor、gate-all-around、poly-Si nanosheet、junctionless transistor、tungsten gate
碩士1132026-08-122.03 年
115
Investigation of Compositional Gradient Stacking HfxZr₁-xO₂ Ultra-Thin Body Poly-Si Channel Junctionless FETs
電子物理學系
氧化鉿鋯、鐵電場效電晶體、成分梯度堆疊、元件可靠度、超薄體無接面電晶體、Hafnium Zirconium Oxide (HZO)、Ferroelectric Field-Effect Transistor (FeFET)、Compositional Gradient Stacking、Device Reliability、Ultra-Thin Body (UTB) Junctionless Transistor
碩士1132026-08-122.03 年
115
BEOL-Compatible HZO Antiferroelectric Capacitors via Oxygen Plasma Interface Engineering and Microwave Annealing
電子物理學系
界面工程、後段製程、氧電漿處理、低溫沉積、微波退火、反鐵電性、Interface Engineering、BEOL (Back-End-of-Line)、Oxygen plasma treatment、Low-Temperature Deposition、Microwave Annealing、Antiferroelectric
碩士1132026-08-112.03 年
114
Signal Integrity Analysis and Optimization for 100G Network Switches
理學院碩士在職專班-科技與數位學習組
訊號完整性、100G乙太網路、SerDes、田口實驗法、預強調、眼圖、插入損耗、Signal Integrity、100G Ethernet、Taguchi Method、Pre-emphasis、Eye Diagram、Insertion Loss
碩士在職專班1122025-10-172.21 年
114
Superlattice HZO Ultrathin Poly-Si Channel Junctionless FeFETs
電子物理學系
鐵電、超晶格、氧化鉿鋯、超薄體、多晶矽、場效電晶體、記憶體、Ferroelectric、Superlattice、HZO、Ultra-Thin Body、Poly-Si、FET、Memory
碩士1122025-08-092.02 年
114
Low-Power and High-Speed Ultrathin Superlattice HZO FeRAMs With Low Thermal Expansion Coefficient Electrode
電子物理學系
鐵電、記憶體、氧化鉿鋯、電極、超晶格、Ferroelectric、Electrode、Superlattice、HZO、Memory
碩士1122025-08-072.02 年
113
High-Efficiency Tip Fabrication of Atom Probe Tomography via Femtosecond Laser-Assisted Focused Ion Beam
理學院碩士在職專班-應用科技組・共同指導:林昆霖
原子探針斷層掃描(APT)、樣品製備、聚焦離子束(FIB)、飛秒雷射燒蝕、生產率提升技術、Atom Probe Tomography (APT)、specimen preparation、Focused Ion Beam (FIB)、femtosecond laser ablation、productivity enhancement
碩士在職專班1122025-07-241.98 年
113
Investigation of Ferroelectricity in Low Deposition Temperature Antiferroelectric Capacitor with Low Thermal Expansion Coefficient Metal Electrode
電子物理學系
低溫沉積、反鐵電、電極工程、可靠度、阻擴散層、多階儲存、切換特性、Low-temperature deposition、antiferroelectric、electrode engineering、diffusion barrier、multilevel storage、switching characteristics、reliability
碩士1122025-07-231.98 年
113
Enhanced Ferroelectric Properties in Superlattice HfxZr1-xO2 for FeRAM and FeFET Through Optimized Atomic Layer Deposition Temperatures
電子物理學系
鐵電、超晶格、氧化鉿鋯、原子層沉積、鐵電隨機存取記憶體、鐵電場效電晶體、多位元儲存單元、Ferroelectric、Superlattice、HZO、ALD、FeRAM、FeFET、MLC
碩士1122025-07-211.97 年
113
Destructive analysis method of gallium nitride high electron mobility transistors on silicon substrates
理學院碩士在職專班-應用科技組
氮化鎵、破壞性分析實驗、矽基板、高電子遷移率電晶體、反應性離子蝕刻機、GaN、HEMT、Silicon substrate、Destructive Analysis Experiment、Reactive Ion Etching Machine
碩士在職專班1112024-01-101.44 年
112
Investigation of Ferroelectric HfxZr1-xO2 Ultra-Thin Body Poly-Si Channel FETs with O2 Plasma Treatment
電子物理學系
記憶體元件、鐵電記憶體、UTB、Junctionless、Plasma Treatment、FeFET、Ferroelectric、FeRAM、NVM、Poly-Si
碩士1112024-07-141.95 年
112
Investigation of Ferroelectric Superlattice HfxZr1-xO2 Gate-All-Around Poly-Si Nanosheet Channel FETs
電子物理學系
記憶體、Memory device
碩士1112024-06-271.91 年
112
Improvement of Ti/Cu Etching Uniformity in Bumping Processes
理學院碩士在職專班-應用科技組
蝕刻、凸塊、均勻度、底切、殘留、etching、bumps、uniformity、undercutting、residue
碩士在職專班1112024-06-261.90 年
112
Characterization of novel semiconductor nanostructures
電子物理學系・共同指導:周苡嘉
精細結構、電子能量損失能譜學、奈米結構、矽奈米線、氮化鎵高電子遷移率電晶體、Fine structure、EELS、nanostructure、silicon nanowire、AlGaN/GaN HEMT
博士1062024-05-286.82 年
112
Investigation of Ge and GeSn Nanowire Fabrication on the SOI Heterogeneous Epitaxy Platform
電子物理學系・共同指導:李耀仁
鍺、鍺錫、鰭式電晶體、全包覆式電晶體、選擇性蝕刻、Ge、GeSn、FinFET、GAAFET、selective etching
博士1042024-04-018.67 年
112
High Performance FeRAM and FeFET by Bilayer Stacked Antiferroelectric/Ferroelectric HfxZr1-xO2 and Modifying Atomic Layer Deposition Temperatures
電子物理學系
反鐵電、鐵電、漏電流、耐久度、衰退、原子層沉積溫度、鉿鋯氧化物、Antiferroelectric、ferroelectric、leakage current、endurance、fatigue、atomic layer deposition temperature、HfZrO
博士1082024-01-294.50 年
112
Investigation of Ferroelectric Properties in Zr-Rich HfxZr1-xO2 on AFeRAM and AFeFET through Modulation of Atomic Layer Deposition Temperature
電子物理學系
反鐵電、原子層沉積系統、鐵電隨機存取記憶體、鐵電場效電晶體、低功耗、Antiferroelectric、Atomic layer deposition、Ferroelectric random access memory、Ferroelectric field-effect transistor、Low power consumption
碩士1112024-01-251.48 年
111
Investigation of Ferroelectric HfxZr1-xO2 FeRAM With CF4 Plasma Treatment
電子物理系所
四氟化碳、氧化鉿鋯、隨機存取記憶、鐵電、CF4 Plasma Treatment、HfxZr1-xO2、FeRAM、Ferroelectricity
碩士1102023-08-152.04 年
111
Investigation of Ferroelectric Superlattice HfxZr1-xO2 Ultra-Thin Body Poly-Si Channel FETs for Storage Class Memory Applications
電子物理系所
鐵電、超晶格、氧化鉿鋯、超薄體、多晶矽、場效電晶體、記憶體、Ferroelectric、Superlattice、HZO、Ultra-Thin Body、Poly-Si、FET、Memory
碩士1102023-08-032.00 年
111
Investigation of Ferroelectric Superlattice HfxZr1-xO2 Ultra-Thin Body Poly-Si Channel FETs for Artificial Neural Network Applications
電子物理系所
鐵電材料、超晶格氧化鉿鋯、多晶矽通道、人工神經網路、Ferroelectric material、Superlattice HfxZr1-xO2、Poly-Si channel、Artificial neural network
碩士1102023-07-271.98 年
111
A Study on Sandblasting Semiconductor Chamber Component Cleaning with Dual-frequency Ultra Sonication
理學院應用科技學程
零件清洗、氧化鋁、超音波、去除效率、Parts Cleaning、Alumina、Ultrasonication、Removal efficiency
碩士在職專班1092022-11-042.26 年
110
High Mobility Channel FETs with Surface Treatments and Ferroelectric FETs for Low power applications
電子物理系所・共同指導:李耀仁
表面處理、砷化銦鎵、聯胺、合成氣體退火、無接面電晶體、Surface Treatment、InGaAs、Hydrazine、Forming Gas Annealing、Junctionless FET
博士1022022-09-029.09 年
110
High Performance of Bilayer Stacked Antiferroelectric/Ferroelectric HfxZr1-xO2 on FeRAM and FeFET
電子物理系所
鐵電材料、隨機存取記憶體、鐵電場效電晶體、氧化鉿鋯、電性、可靠度、ferroelectric material、random access memory、ferroelectric field effect transistor、HfZrO2、electrical characteristic、reliability
碩士1092022-08-172.04 年
110
Multi-state One-Time-Programable Memory By Using Dielectric Breakdown In Gate-all-around MOSFET
電子物理系所
反熔絲、多組態一次性編程記憶體、環繞式閘極電晶體、高介電常數材料、Anti-fuse、Multi states one time programable (OTP) memory、Gate-all-around (GAA) transistor、high dielectric constant (k) materials
碩士1092022-08-172.04 年
110
Investigation of Interface Treatments for Si0.8Ge0.2 PMOS capacitors and Gate-All-Around Field-Effect Transistors
電子物理系所・共同指導:李耀仁
矽鍺、全包覆式閘極電晶體、電容、氧化處理、SiGe、GAA MOSFET、capacitance、oxide treatment、interfacial layer、GeOx
碩士1082021-10-242.23 年
110
Effects of Stress on Crystallinity and Reliability of Sidewall Damascene Poly-Si Gate-All-Around FETs
電子物理系所
多晶矽、應力、閘極全環繞電晶體、結晶性、可靠度、Poly-Si、Stress、Gate-All-Around FETs、Crystallinity、Reliability
碩士1072021-08-173.04 年
109
Investigation of NH3 Plasma Treatment between Interface of HZO/Si on UTB-based FeFET: Memory Characteristics and Reliability
電子物理系所
鐵電記憶體、氧化鉿鋯、氨電漿處理、FeFET、HZO、NH3 Plasma Treatment
碩士1082021-06-291.91 年
109
Hysteresis Free Gate-all-around Stacked Poly-Si Nanosheet FeFETs With NH3 Plasma Treatments
電子物理系所
鐵電場效電晶體、多晶矽、奈米片、閘極環繞式、氧化鉿鋯、堆疊型通道、FeFETs、Poly-Silicon、Nanosheet、Gate-all-around、HZO、Stacked-channel
碩士1082021-06-251.90 年
109
A Study on Using Seed-Layer to Improve the Stacked Gate-All-Around erroelectric Field-Effect Transistor and the Ferroelectric Tunneling Junction
電子物理系所
鐵電電容、堆疊型通道、閘極環繞式、鐵電場效電晶體、多晶矽、奈米線、晶種層、氧化鉿鋯、鐵電穿隧接面、Ferroelectric capacitor、stacked channel、gate-all-around、FeFET、Poly-Si、nanowire、MFMIS、IMG、seed layer、HZO、ferroelectric tunneling junction
博士1052020-12-224.39 年
109
Novel Gate-all-around Polysilicon Nanowires Ferroelectric Field-effect Transistors and Memories
電子物理系所
閘極全包覆式、多晶矽、奈米線、鐵電、氧化鋁鉿、氧化鉿鋯、氫電漿處理、Gate-All-Around、Poly-Silicon、Nanowires、Ferroelectric、Hafnium zirconium oxide、Hafnium alumina oxide、Hydrogen Plasma Treatment
碩士1082020-06-110.86 年
108
A Study on Si-based Transistors in the Post-Moore Era
電子物理系所・共同指導:李耀仁
應力、無接面電晶體、鐵電、垂直堆疊、互補式電晶體、奈米片、strain、JL-FET、ferroelectric、vetically stacked、CFET、nanosheet
博士1022020-08-137.03 年
108
Study on L-shaped Complementary Field Effect Transistors(L-CFET)
電子物理系所
垂直場效電晶體、無接面電晶體、異質結構、互補式場效電晶體、Vertical FET、Junctionless transistor、heterostructure、Complementary Field Effect Transistors
碩士1072020-08-122.03 年
108
Exciton study for high quality single crystal Cu2O and monolayer WSe2
電子物理系所・共同指導:果尚志
激子、束縛能、氧化亞銅、二硒化鎢、螢光、Exciton、Binding Energy、Cu2O、WSe2、Photoluminescence
碩士1052020-07-293.99 年
108
The Impact of N2O Densification on HZO/Si Interface for Ultra-Thin Body FeFET and Memory Characteristics
電子物理系所
鐵電記憶體、超薄體、氧化鉿鋯、氧化亞氮、FeFET memory、Ultra-thin body (UTB)、HZO、N2O
碩士1072020-07-291.99 年
108
A Study of Trench-Type Power Device Characteristic and Efficiency with Different Structures
理學院應用科技學程
功率元件、Power MOSFET
碩士在職專班1042020-07-164.96 年
108
Investigation on Improving the Interface Treatments for In0.7Ga0.3As NMOS Capacitors by Simplifying the Cleaning Process
理學院應用科技學程
砷化銦鎵、表面處理、金氧半電容、鈍化、硫乙醯胺、InGaAs、surface treatment、MOS capacitor、passivation、thioacetamide
碩士在職專班1062020-07-102.94 年
108
Crystallinity Effect on Various Programming/Erasing Characteristics of Sidewall Damascene Gate-All-Around Poly-Silicon Nanowire SONOS Memory
電子物理系所
非揮發性記憶體、結晶性、奈米線、Nonvolatile memory、Crystallinity、Nanowire
碩士1072020-07-091.94 年
108
Crystallinity Effect on Characteristics and Reliability of Sidewall Damascened Nanowire Poly-Si Transistors and Memory Applications
電子物理系所
結晶性、奈米線、多晶矽、快速熱退火、垂直堆疊、可靠度、記憶體、Crystallinity、Nanowire、Poly-Si、Rapid Thermal Anneal、Vertically Stacked、Reliability、Memory
博士1032020-06-305.91 年
108
A Study on Vertically Stacked Cantilever Junctionless Poly-Si NanoSheet Transistors and Vertical Series Resistance
電子物理系所
懸臂、高介電常數氧化層搭配金屬閘極、無接面、奈米片、垂直串聯電阻、垂直堆疊、Centilever、High-k Metral Gate、Junctionless、Nanosheet、Vertical Series Resistance、Vertically Stacked
博士1022020-05-076.77 年
108
A Study on Vertically Stacked Gate-All-Around Poly-Si Junctionless Nanosheet Transistors Incorporating Self-Limited Low-Temperature Trimming and Fully Silicided S/D
電子物理系所
垂直堆疊電晶體、無接面電晶體、奈米帶電晶體、低溫多晶矽薄膜電晶體、閘極全環、高介電常數材料與金屬閘極、位置依賴性、自飽和低溫削蝕、完全金屬矽化源/汲極、金屬化後退火、Vertically stacked transistor、Junctionless transistor、Nanosheet transistor、Low-temperature polycrystalline silicon thin-film transistor、Gate-all-around、High-k and metal gate、Position dependence、Self-limited low-temperature trimming、Fully silicided source/drain、Post metalization annealing
碩士1062019-09-302.16 年
108
Investigation on the Interface Treatments for In0.7Ga0.3As NMOS Capacitors and Gate-All-Around Junctionless Field Effect Transistors
電子物理系所
砷化銦鎵、表面處理、金氧半電容、場效電晶體、奈米薄片、InGaAs、surface treatment、MOS capacitor、Field Effect Transistor、Nanosheet
碩士1062019-08-152.04 年
107
Poly Silicon Nanowire FeFETs with Negative Capacitance
電子物理系所
負電容、鐵電場效電晶體、多晶矽、奈米線、Negative capacitance、FeFET、Poly silicon、Nanowire
碩士1062019-08-052.01 年
107
Reduction of Metal to Metal Crack by Optimization of Dielectric Deposition Processes
理學院應用科技學程
介電層、金屬層、Dielectric、Metal
碩士在職專班1062019-07-281.99 年
107
A Study on Dopant Activation and Susceptor-coupling Effect under Low Temperature Microwave Anneal
電子物理系所・共同指導:李耀仁
微波退火、固相磊晶在成長、Microwave annealing、Solid phase epitaxial Growth
博士992019-07-018.91 年
107
A Study on Nickel-Seed Induced Laterally Crystallized Low Temperature Poly-Silicon Nanosheet Thin-Film Transistors
電子物理系所
低溫多晶矽、薄膜電晶體、三維積體電路、金屬鎳引致側向結晶、金屬鎳種子引致側向結晶、閘極懸浮之汲極電流、結晶不對稱性、Low temperature poly-silicon (LTPS)、thin-film transistors (TFTs)、three dimensional integrated circuits (3D-ICs)、Ni-metal-induced lateral crystallization、Ni-seed-induced lateral crystallization、gate-floating drain current、crystallization asymmetry
碩士1052018-12-182.38 年
107
Investigation on Vertically Stacked Gate-All-Around Nanosheet Poly-Si Junctionless CMOS Transistors
電子物理系所
垂直堆疊、全包覆式閘極、奈米薄片、無接面、Vertically Stack、Gate-All-Around、Nanosheet、Junctionless
碩士1052018-08-142.03 年
107
A Study on Multi-Gate Poly-Si Junctionless and Junctionless Accumulation Mode FinFETs for Monolithic 3-D IC Applications
電子物理系所
多閘極、多晶矽、無接面電晶體、無接面聚集型電晶體、反轉型電晶體、鰭式電晶體、積層型三維積體電路應用、Multi-Gate、Poly-Si、Junctionless Transistor、Junctionless Accumulation Mode Transistor、Inversion Mode Transistor、FinFET、Monolithic 3-D IC Application
博士1022018-08-125.03 年
106
Performance Optimization of Nano-Scaled FETs with Core-Shell Configuration
電子物理系所・共同指導:高國興
無接面電晶體、殼式摻雜分佈、具核殼結構、Junctionless Transistor、Shell Doping Profile、Core/Shell Structure、Quantum Well、Heterostructure
博士1022018-08-025.00 年
106
Effects of Channel Concentration and Temperature on Poly-Si Juntionless Accumution Mode FETs
電子物理系所
通道濃度、溫度、無接面電晶體、Channel concentration、Temperature、Juntionless FETs
碩士1052018-07-312.00 年
106
The development of immersion lithography and Extreme ultraviolet lithography in view of semiconductor technology patent
理學院應用科技學程
浸潤微影、極紫外光源微影、專利分析與布局、功效矩陣、技術路徑、Immersion Lithography、Extreme Ultraviolet Lithography、Patent Analysis and Portfolio、Technical Function Matrix、Technical Roadmap
碩士在職專班1052018-07-312.00 年
106
Impact of Boron Penetration and Negative Bias Stress on P-Channel Pi-Gate Poly-Si Junctionless Accumulation Mode FinFETs
電子物理系所
多晶矽、鰭式電晶體、硼穿透、負偏壓、無接面聚集型電晶體、Poly-Si、FinFETs、boron penetration、negative bias stress、junctionless accumulation mode transistor
碩士1052018-07-241.98 年
106
Evaluation of the Various Scaling Routes on Novel Poly-Si Junctionless Transistors
電子物理系所
多晶矽、電晶體、無街面、奈米通道、poly-Si、transistor、junctionless、nano-channel
碩士1052018-07-241.98 年
106
The Study on Application and Key Technology Patents of Telematics
理學院應用科技學程・共同指導:袁建中
車聯網、專利分析、5G、AI、光達、Telematics、Patent analysis、LIDAR
碩士在職專班1022018-06-204.88 年
106
Junctionless 3D-FETs for 3D-IC: Key Technology Development in Various Platforms, Characterization, and Reliability Investigation
電子物理系所
閘極全環繞、奈米線電晶體、鰭式電晶體、超薄體電晶體、無接面電晶體、可靠度、多重臨界電壓、動態臨界電壓、三維電晶體、Gate-All-Around、Nanowire FET、FinFET、UTB FET、Junctionless FET、Reliability、Multi-Vt、Dynamic Threshold-Voltage、3D-IC
博士1002018-04-166.71 年
106
Effect of Grain Size on Polycrystalline-Silicon Junctionless Thin-Film Transistors
電子物理系所
多晶矽、無接面電晶體、超薄體、奈米線、電漿處理、poly silicon、junctionless transistor、ultra thin body、nano wire、plasma treatment
碩士1032017-09-033.09 年
106
The Patent Study of Battery Technologies Applied to Electric Vehicles
理學院應用科技學程・共同指導:袁建中
鋰離子電池、燃料電池、三元正極材料、電動車、專利地圖、專利分析、Lithium Ion Battery、Fuel Cell、Ternary Cathode Material、Electric Vehicle、Patent Map、Patent Analysis
碩士在職專班102—無法計算
105
Electrical Characterization and Gate Bias Reliability of Junctionless and Inversion-Mode Gate-All-Around Poly Silicon Nanowire Transistors
理學院應用科技學程
無接面電晶體、全環繞式閘極、3D奈米線複晶矽、閘極偏壓可靠度、Junctionless transistors、Gate-All-Around、Nanowire channel、Gate Bias Reliability、NBTI
碩士在職專班1032017-07-192.97 年
105
Effect of Channel Concentration and Boron Penetration on Poly-Si Junctionless Accumulation Mode FinFETs
電子物理系所
通道濃度、硼穿透、多晶矽、無街面聚集型、鰭式電晶體、Channel Concentration、Boron Penetration、Poly-Si、Junctionless Accumulation Mode、FinFET
碩士1042017-06-151.87 年
105
Vertically Stacked n-Type Poly-Si Junctionless Nanowire Transistor and Its Series Resistance
電子物理系所
垂直堆疊、多晶矽、無接面、奈米線、串聯電阻、閘極全環繞、Vertically Stacked、Poly-Si、Junctionless、Nanowire、Series Resistance、Gate-All-Around
碩士1042017-06-151.87 年
105
The Patent Study of Key Technologies Applied to Automotive Driving
理學院應用科技學程・共同指導:袁建中
專利分析、自動駕駛、車對車通訊、自動煞車、巡航控制、車用影像感測器、Patent Analysis、Automotive Driving、V2V Communication、Automatic Brakes、Cruise Control、Vehicle Image Sensor
碩士在職專班1022017-01-203.47 年
104
A Study of Junctionless Ultra-Thin Poly-Si Nano-belt Transistor with Different Underlying Materials
電子物理系所
多晶矽、超薄奈米帶、無接面電晶體、不同基底絕緣材料、poly silicon、ultra-thin nano-belt、junctionless、different underlying materials
碩士1032016-08-252.07 年
104
A Study of Ge FinFETs with Improved Interface Quality by Cyclic Pulse Oxidation and In-Situ Etching Technique
電子物理系所
鍺、鰭式場效電晶體、週期脈衝氧化、臨場蝕刻、高品質界面層、降低表面粗糙度、Germanium、FinFETs、Cyclic Pulse Oxidation、In-Situ Etching、High Quality Interfacial Layer、Reduce Interface Roughness
碩士1032016-08-242.06 年
104
A Study on Ultra-Shallow Doping by Molecular Monolayer Doping Technology and Microwave Annealing
電子物理系所・共同指導:李耀仁
微波退火、單層摻雜、超淺摻雜、microwave annealing、monolayer doping、ultra-shallow doping
博士1002016-07-244.98 年
104
Strain Effects on Sidewall Damascened Tri-Gate Poly-Silicon Fin-FETs
理學院應用科技學程
應變效應、多晶矽、鰭式電晶體、無接面電晶體、Strain effect、Poly-Silicon、FinFET、Junctionless transistor
碩士在職專班1022016-01-132.45 年
104
A Study on Low Power Low Temperature Polycrystalline Silicon Transistors
電子物理系所
低溫多晶矽、穿隧式電晶體、超薄體、金屬誘發側向結晶、LTPS、TFET、UTB、MILC
博士982015-11-236.31 年
104
A comprehensive study on novel stress memorization technique for nMOSFETs with Technology CAD
電子物理系所
升溫量測、載子遷移率衰減、應力效應、應力無鄰近記憶技術、聲子散射、strain effect、stress effect、mobility degradation、elevated temperature measurement、stress proximity free technique、phonon scattering
碩士103—無法計算
103
Effects of Dopant Activation on Poly-Silicon Tunnel Field-Effect Transistors
電子物理系所
穿隧式電晶體、摻雜後活化、tunnel field-effect transistor、dopant activation
碩士1022015-08-152.04 年
103
Effect of Plasma Surface Treatment on Polycrystalline-Silicon Tunnel Thin-Film Transistor
電子物理系所
穿隧式薄膜場效電晶體、電漿處理、熱載子可靠度、T-TFT、Plasma treatment、Hot carrier reliability
碩士1022015-08-112.03 年
103
Strain Effects on Silicon Junctionless Nanowire Transistors
電子物理系所
應變、無接面、奈米線、電晶體、氨電漿、變溫、熱載子注入、strain、junctionless、nanowire、transistor、NH3 plasma、temperature dependence、hot carrier injection
碩士1022015-08-112.03 年
103
A Study of Strain Effects on Nanoscale Silicon Transistors
電子物理系所
應變、奈米線電晶體、鰭式電晶體、Strain、Nanowire、FinFET
博士982014-11-255.32 年
103
A Study of Strain Effects on the Novel GAA Raised Source / Drain Sub-10nm Poly-Si NW Channel TFTs with Self-Aligned Corked Gate Structure
理學院應用科技學程
應力、奈米線電晶體、閘極環繞、Strain、NW TFTs、GAA
碩士在職專班1012014-10-062.18 年
102
A Study on Novel Poly-Si Thin-Film Transistor for Biosensing
電子物理系所
多晶矽薄膜電晶體感測器、poly-Si thin-film transistor sensor
博士982014-08-045.01 年
102
A Study on Polycrystalline-Silicon Nanowire Tunnel Thin-Film Transistor with Raised Source/Drain
電子物理系所
薄膜電晶體、多晶矽、奈米線、穿隧式電晶體、thin、poly-Si、nanowire、tunnel FET
碩士1012014-08-012.00 年
102
A Study on Junctionless Nanowire Field Effect Transistors
電子物理系所
無接面電晶體、奈米線、多晶矽、Junctionless transistor、nanowire、polysilicon
碩士1012014-07-101.94 年
102
A Study on Asymmetrical MOSFETs and Junctionless Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors
電子物理系所・共同指導:林鴻志、黃調元
雙重微影、非對稱元件、無接面元件、double patterning、asymmetrical device、junctionless device
博士972014-01-145.45 年
102
Bottom-gate Poly-Si Thin Film Transistor Nonvolatile Memories with
理學院應用科技學程
金屬誘發側向結晶、鎳捉聚、固相結晶法、MILC、Ni-Gettering、SPC
碩士在職專班1002013-09-162.13 年
102
Simulation of Vertical Channel Junctionless Thin-Film Transistors
理學院應用科技學程
垂直通道、薄膜電晶體、無接面、Vertical Channel、Thin-Film Transistors、Junctionless
碩士在職專班1002013-09-152.12 年
102
A Study on Novel Junctionless Poly-Si Thin Film Transistors by Monolayer Doping technology
電子物理系所
無接面電晶體、單分子層摻雜、junctionless、monolayer doping
碩士101—無法計算
102
Fabrication and Application of Double-Gate Poly-Si with Horn-Like Nanowire Sensors
電子物理系所
雙閘極、多晶矽、感測器、矽奈米、double-gate、poly-Si、ISFET、Si nanowire
碩士101—無法計算
102
A Study on Enhancement of the Solar Cell Effective Conversion Efficiency
電子物理系所
太陽能、開路電壓、飽和電流、solar cell、open circuit voltage、saturation current
博士96—無法計算
101
A Study of Channel Structures on Poly-Si TFTs SONOS Memory
電子物理系所
奈米線通道、三維積體電路整合、鰭式通道、非揮發性記憶體、nanowire、3D IC、FinFET、non-volatile memory
碩士1002013-08-302.08 年
101
A study of monolayer doping technology and its application
電子物理系所
單分子層摻雜、超淺接面、低溫製程、p & n 型電晶體、monolayer doping、Ultra-shallow junction、low temperature fabrication、PMOS & NMOS
碩士1002013-08-192.05 年
101
A Study of Front Surface Field Passivation and Al2O3 Passivation on Interdigitated Back Contact Back Junction Silicon Solar Cell
電子物理系所
交指背接觸電極矽晶太陽能電池、前表面場、氧化鋁、IBC solar cell、front surface field、Al2O3
碩士1002013-07-291.99 年
101
Effects of NH3 Plasma Treatment on Bottom Gate Poly-Silicon Thin-Film Transistors
電子物理系所
電漿、薄膜電晶體、plasma、Thin-Film Transistors
碩士1002013-07-241.98 年
101
Impacts of Boron Doping on MILC Growth of Si-NCs SONOS Memory and Device Property
電子物理系所
在SONOS記憶體通道中先摻雜硼會幫助鎳擴散、使結晶的晶粒更大、boron enhanced nickel diffusion effect
碩士1002013-07-231.98 年
101
Design and modeling of Germanium based Photodetectors for on-chip optical interconnects
電子物理系所
鍺、光連結、光偵測器、Germanium、optical-interconnect、photodetector
碩士982012-09-283.16 年
101
A Study of Novel Stress Memorization Technique on nMOSFETs by Multiple Strain-Gate Engineering
電子物理系所
應力、載子遷移率、Mobility、Strain、NMOSFET、Stress
博士952012-09-286.16 年
100
The Study of Vertical Channel LTPS TFTs with Metal-Induced Lateral Crystallization Method
電子物理系所
低溫多晶矽、薄膜電晶體、垂直通道、Low temperature polycrystalline silicon、Thin-film transistor、Vertical channel
碩士992012-07-302.00 年
100
The Impact of Morphology and Crystallization Condition on Thin Film Transistors and Nonvolatile Memories
電子物理系所
非揮發性記憶體、薄膜電晶體、SONOS、熱氧化、Nonvolatile Memory、Thin Film Transistor、Thermal Oxidation
碩士992012-07-251.98 年
100
A Study of Novel Double-Gated Poly-Si Thin Film Transistor Based Structure as a pH-ISFET Device
電子物理系所
酸鹼感測器、雙閘極、多晶矽電晶體、ISFET、Double-gate、pH sensing、poly-Si TFT
碩士992012-07-241.98 年
100
Bottom-gate Poly-Si Thin Film Transistor Nonvolatile Memory with Si nanocrystals Trapping Layer
理學院應用科技學程
非揮發性薄膜電晶體、Poly-Si TFTs
碩士在職專班992012-07-181.96 年
100
A Study on Novel Vertical Channel Thin-Film Transistors
電子物理系所
垂直通道、薄膜電晶體、Vertical Channel、Thin-Film Transistors
博士972012-07-173.96 年
100
A Study on Low Temperature Microwave Annealing Application
電子物理系所・共同指導:李耀仁
低溫退火、微波退火、low temperature annealing、microwave annealing
博士962012-07-124.95 年
100
A Study on Nanowire Thin Film Transistors
電子物理系所
奈米線通道、薄膜電晶體、Nanowire、Thin Film Transistors
博士962012-06-274.91 年
100
Impacts of Hydrogen and Stress of the Silicon Nitride on the Transistors
電子物理系所
氮化矽、應變、氫、silicon nitride、strain、hydrogen
博士962012-03-064.60 年