高國興
Kao, Kuo-Hsing・理學院・電子物理系所
博士平均畢業時長
5.00 年
中位數 5.00 年・1 人
收錄論文
1 篇
106–106 學年度
全校中位數（供對照）
博士 6.11 年
畢業時長趨勢
每學年度畢業人數
只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。
研究關鍵字
無接面電晶體殼式摻雜分佈具核殼結構Junctionless TransistorShell Doping ProfileCore/Shell StructureQuantum WellHeterostructure
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指導論文
| 學年度 | 論文 | 學制 | 入學 | 提交日期 | 畢業時長 |
|---|---|---|---|---|---|
| 106 | Performance Optimization of Nano-Scaled FETs with Core-Shell Configuration 電子物理系所・共同指導：趙天生 無接面電晶體、殼式摻雜分佈、具核殼結構、Junctionless Transistor、Shell Doping Profile、Core/Shell Structure、Quantum Well、Heterostructure | 博士 | 102 | 2018-08-02 | 5.00 年 |