周苡嘉

Chou, Yi-Chia・理學院・電子物理學系、電子物理系所

碩士平均畢業時長

2.06 年

中位數 2.06 年・25 人

在職專班平均畢業時長

2.73 年

中位數 2.73 年・2 人

博士平均畢業時長

6.97 年

中位數 6.82 年・3 人

收錄論文

38 篇

102–112 學年度

全校中位數（供對照）

碩士 2.10・在職專班 2.08・博士 6.11 年

畢業時長趨勢

每學年度畢業人數

只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。

研究關鍵字

氮化鎵GaN奈米線氫化物氣相磊晶nanowire矽奈米線nanowiresHVPE鎳矽化合物hydride vapor phase epitaxy氟晶雲母photoluminescence奈米結構nanostructure第一原理first-principlesSi nanowiresnickel silicide液態金屬印轉技術liquid metal printing technique反應性多層膜矽自蔓延反應Nickel-silicide憶阻器gallium nitridememristorhydride vapor phase epitaxy (HVPE)piezoelectricfluorophlogopite mica高解析穿透式電子顯微鏡超高真空化學氣相沉積HRTEMUHV-CVDflexible催化劑catalyst氫化物氣相磊晶法精細結構電子能量損失能譜學氮化鎵高電子遷移率電晶體Fine structureEELSsilicon nanowireAlGaN/GaN HEMT拓撲絕緣體錫烯碲化鉍topological insulatorsStanene

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指導論文

學年度	論文	學制	入學	提交日期	畢業時長
112	新穎半導體奈米結構之性質分析 Characterization of novel semiconductor nanostructures 電子物理學系・共同指導：趙天生精細結構、電子能量損失能譜學、奈米結構、矽奈米線、氮化鎵高電子遷移率電晶體、Fine structure、EELS、nanostructure、silicon nanowire、AlGaN/GaN HEMT	博士	106	2024-05-28	6.82 年
112	利用第一原理研究新穎層狀材料的能帶結構 First-Principles Studies of Band Structures of Novel Layered Materials 電子物理學系・共同指導：蘇蓉容拓撲絕緣體、錫烯、碲化鉍、第一原理、topological insulators、Stanene、Bi2Te3、first-principles	碩士	110	2023-08-23	2.06 年
112	基於卷積自編碼器建構霍爾丹模型的拓撲性質 Constructing Topological Properties of Haldane Model with Convolutional Autoencoders 電子物理學系・共同指導：蘇蓉容霍爾丹模型、貝里曲率、陳數、機器學習、卷積神經網路、自動編碼器、Haldane model、Berry curvature、Chern number、machine learning、convolutional neural networks、autoencoder	碩士	110	2023-01-29	1.49 年
111	鎳矽化物奈米線之扭結結構對其鐵磁性質之影響 The Effect of Kink Structure of Nickel Silicide Nanowires on Its Ferromagnetism 電子物理系所・共同指導：林俊良矽奈米線、壓力調控、扭結結構、鎳化矽、鐵磁性質、Si nanowires、pressure modulation、kink、nickel silicide、ferromagnetism	碩士	110	2023-08-29	2.08 年
111	由液態金屬轉印技術搭配氨氣退火製備二維氮化銦 2D Indium Nitride Nanosheets Synthesized via the Ammonolysis of Liquid Metal Printed Oxide 電子物理系所・共同指導：林俊良液態金屬印轉技術、二維材料、氧化銦、氮化銦、liquid metal printing technique、two dimensional material、indium oxide、indium nitride	碩士	109	2022-11-29	2.33 年
110	鎳矽多層膜自蔓延特性及應用 Self-propagation characteristic and application of Ni/ amorphous-Si reactive multilayers 電子物理系所・共同指導：林俊良反應性多層膜、鎳、矽、自蔓延反應、鎳矽化合物、Reactive multilayer、Nicke、Silicon、self-propagation reaction、Nickel-silicide	碩士	109	2022-08-08	2.02 年
110	利用第一原理計算研究二矽化鈷/矽之異質結構中低頻雜訊的可能來源 A Possible Source of 1/f Noise in CoSi2/Si Heterostructure Studied by First-Principles Simulations 電子物理系所・共同指導：仲崇厚超導異質結構、低頻躁訊、量子二能級系統、第一原理、分子動力學、superconducting heterostructure、1/f noise、quantum two-level systems、first-principles、molecular dynamics	碩士	109	2022-08-02	2.00 年
110	以掃描穿透式電子顯微鏡分析高熵合金與金屬矽化物之原子級微結構 Atomic Scale Microstructure Analysis of High Entropy Alloys and Silicide Using Scanning Transmission Electron Microscope 電子物理系所耐退火高熵合金、晶格畸變、短程有序、掃描穿透式電子顯微鏡、金屬矽化物、電子能量損失儀、能量過濾穿透式電子顯微鏡、refractory high entropy alloys、Lattice distortion、Short range ordering、Scanning transmission electron microscope、Silicide、Electron energy loss spectroscopy、Energy filtered transmission electron microscope	博士	103	2022-02-06	7.52 年
110	透過液態金屬壓印技術製備閃鋅礦結構氮化鎵 Synthesis of zincblende gallium nitride via liquid metal printing technique 理學院應用科技學程氮化鎵、閃鋅礦結構、液態金屬壓印技術、GaN、zincblende、liquid metal printing technique	碩士在職專班	107	2022-01-25	3.49 年
110	氮化鎵奈米結構之合成與應用 Synthesis and Application of GaN Nanostructure 電子物理系所氮化鎵、奈米線、憶阻器、同質磊晶、氫化物氣相磊晶、gallium nitride、nanowire、memristor、homoepitaxy、hydride vapor phase epitaxy	博士	103	2021-02-21	6.56 年
109	透過液態金屬印轉技術製備二維氧化銦之憶阻特性探討 Investigation of Memristive Characteristics for Two-Dimensional Indium Oxide via Liquid Metal Printing Technique 電子物理系所憶阻器、二維氧化銦、液態金屬印轉技術、結晶性、電阻轉換機制、memristor、two-dimensional indium oxide、liquid-metal printing technique、crystallinity、resistance switching mechanism	碩士	108	2021-09-05	2.10 年
109	探討鎳矽化合物鑲嵌於矽奈米線結構之無接面場效電晶體 Study of Nickel-Silicide Embedded Silicon Nanowire as a Junctionless Field Effect Transistor 電子物理系所鎳矽化合物、奈米線電晶體、無接面場效電晶體、反向器、環形振盪器、Nickel-silicide、Nanowire FET、Junctionless FET、Inverter、Ring oscillator	碩士	108	2021-09-05	2.10 年
109	奈米線應用於氣體感測器 Nanowires for gas sensor 電子物理系所奈米線、氣體感測器、氨氣、高靈敏度、電阻式元件、nanowires、gas sensor、ammonia、high sensitivity、resistive device	碩士	108	2021-08-18	2.05 年
109	載流氣體對氫化物氣相磊晶GaN奈米線結構和物理性能的影響 Effect of Carrier Gas on Structures and Physical Properties of GaN Nanowires by Hydride Vapor Phase Epitaxy 電子物理系所氮化鎵、奈米線、氣-液-固機制、氫化物氣相磊晶、壓電、GaN、nanowire、vapor–liquid–solid mechanism、hydride vapor phase epitaxy (HVPE)、piezoelectric	碩士	108	2021-08-09	2.02 年
109	雲母上可撓式氮化鎵薄膜的製備與性能 Fabrication and Property of Flexible Gallium-Nitride Film on Mica 電子物理系所氟晶雲母、氮化鎵薄膜、金屬-半導體-金屬結構、無須進行轉移、應變與電流、fluorophlogopite mica、GaN thin film、M-S-M structure、without transferring process、strain and current	碩士	107	2020-11-25	2.32 年
109	鎳矽多層膜之應用與可靠度 Application and Reliability of Ni/amorphous-Si Reactive Multilayers 電子物理系所鎳矽多層膜、磁控濺鍍機、自蔓延反應、多層膜反應機制、Ni/amorphous Si reactive multilayers、sputter、self-propagating reaction、reaction phenomenon	碩士	107	2020-08-23	2.06 年
108	支狀矽/氮化鎵奈米線之特性研究 Synthesis and Analysis of Branched Si/GaN Nanowires 電子物理系所支狀奈米線、異質結構、六方晶矽、氮化鎵、高解析穿透式電子顯微鏡、超高真空化學氣相沉積、branched nanowires、heterostructures、hexagonal silicon、GaN、HRTEM、UHV-CVD	碩士	107	2020-09-02	2.09 年
108	透過擴散封裝式成長法於氫化物氣相磊晶中成長氧化鎵及其型態轉變探討 The growth and phase transformation of gallium oxide with migration-enhance encapsulation growth method by hydride vapour phase epitaxy. 電子物理系所氧化鎵、封裝擴散式成長法、氫化物氣相沉積、Gallium Oxide、migration-enhance encapsulation growth method、hydride vapour phase epitaxy	碩士	107	2020-08-18	2.05 年
108	於二硫化鉬上磊晶氮化鎵奈米線及其壓電效應 Growth of Gallium Nitride Nanowires on MoS2 and its Piezoelectric Effect 電子物理系所氮化鎵、奈米線、氫化物氣相磊晶、壓電效應、GaN、Nanowires、HVPE、Piezoelectric	碩士	106	2019-09-02	2.09 年
108	可撓式氮化鎵薄膜之成長及其磊晶品質之改善 Epitaxial Growth of GaN on Flexible Substrates and the Adhesion Improvement 電子物理系所氫化物氣相磊晶、氟晶雲母、凡德瓦力、氮化鎵、Hydride Vapor Phase Epitaxy、Fluorphlogopite mica、Van der Waals epitaxy、GaN	碩士	106	—	無法計算
107	鎳矽多層膜之自蔓延特性研究 Self-propagating Reaction Properties of Ni/amorphous-Si Reactive Multilayers 電子物理系所多層膜、自蔓延、奈米結構、multilayer、self-propagating、nanostructure	碩士	105	—	無法計算
107	探討氮化鎵奈米線於酸鹼環境中的性質 The property of GaN nanowires in acid/base environment 電子物理系所氮化鎵、奈米線、酸鹼、光激發、GaN、nanowires、acid、photoluminescence	碩士	105	—	無法計算
106	透過奈米球微影技術改良氮化鎵奈米線均勻性 Gallium Nitride Nanowires Growth using Nanosphere Lithography 電子物理系所氮化鎵、奈米線、氣-液-固生長機制、奈米球微影技術、穿透式電子顯微鏡、GaN、nanowire、VLS、NSL、TEM	碩士	105	2018-08-01	2.00 年
106	成長氮化鎵與氟晶雲母片異質結構及其物理性質分析 Structural, Optical and Reliability Analysis Of GaN Epitaxial Thin Film Grown on Fluorophlogopite Mica Substrate by HVPE 理學院應用科技學程氮化鎵、氟晶雲母、氫化物氣相磊晶、可撓、透明、薄膜、HVPE、Fluorophlogopite Mica、flexible、Thin Film、transmittance、gallium nitride	碩士在職專班	105	2018-07-23	1.97 年
106	以錳為催化劑成長矽奈米線之特性研究 Synthesis and Analysis of Mn-catalyzed Silicon Nanowires 電子物理系所催化劑、錳矽化物、奈米線、矽、氣相-固相-固相成長機制、catalyst、manganese silicide、nanowire、Si、vapor-solid-solid	碩士	105	—	無法計算
106	矽奈米線之結構與方向性分析 Structure and Orientation Study of Silicon Nanowires 電子物理系所矽奈米線、超高真空化學氣相沉積、高解析穿透式電子顯微鏡、鎳矽化合物、Si nanowires、UHV-CVD、HRTEM、Ni-silicide	碩士	105	—	無法計算
105	自組裝成長矽奈米線及其電性量測 Bottom-up Growth and the Electrical Property of Si Nanowires 電子物理系所矽奈米線、自組裝成長、電性量測、氣液固成長機制、Si nanowire、Bottom-up、Electrical property、Vapor-liquid-solid growth mechanism	碩士	104	2017-09-07	2.10 年
105	利用氫化物氣相磊晶法在雲母基板上成長氮化鎵之研究 GaN Epitaxial Film Grown on Muscovite Mica Substrate by HVPE 電子物理系所氮化鎵、雲母、氫化物氣相磊晶法、二階段成長、緩衝層、三五族材料、可撓式、X光繞射、螢光激發光譜、GaN、hydride vapor phase epitaxy (HVPE)、muscovite mica、two-step growth、bufffer layer、III-V material、flexible、X-ray diffraction(XRD)、photoluminescence	碩士	104	2017-08-17	2.05 年
105	鎳矽多層膜的自蔓延反應不穩定性 Reaction Instabilities in Self-propagating Reaction of Ni/amorphous-Si Reactive Multilayers 電子物理系所反應性多層膜、鎳矽化物、自蔓延高溫合成、螺旋蔓延、Reactive multilayers、Nickel Silicide、Self-propagating high temperature synthesis、spin-like propagation	碩士	104	2017-08-07	2.02 年
105	鎳催化劑對於氮化鎵奈米線的成長與特性之研究 Growth and Property of Nickel-Seeded Gallium Nitride Nanowires 電子物理系所氮化鎵奈米線、鎳催化劑、發光特性、氫化物氣相磊晶、GaN on Si、nanowire、photoluminescence、HVPE	碩士	103	2016-09-21	2.14 年
105	氫化物氣相磊晶法成長氮化鎵奈米線與成長機制探討 Growth of GaN Nanowires by Hydride Vapor Phase Epitaxy and Investigation of Growth Mechanism 電子物理系所氫化物氣相磊晶法、氮化鎵、奈米線、成長機制、Hydride Vapor Phase Epitaxy、GaN、Nanowires、VLS mechanism、VSS mechanism	碩士	103	—	無法計算
105	透過氫化物氣相磊晶法探討利用多變化金屬合金催化劑成長氮化鎵奈米線 Using Metal/Alloy Catalysts to Grow GaN Nanowires by Hydride Vapor Phase Epitaxy 電子物理系所催化劑、氫化物氣相磊晶、氮化鎵、奈米線、catalyst、HVPE、GaN、nanowire	碩士	104	—	無法計算
104	鍺與鍺化物奈米線的異質結構控制與穩定性 Stability and control of nanowires of Ge and germanides 電子物理系所鍺、鍺化物、奈米線、Germanium、germanide、nanowire	碩士	103	2016-08-02	2.00 年
103	鎳矽化物奈米針的製備與場發射特性 Fabrication and the field emission property of Ni silicides tips 電子物理系所矽化物、場發射、silicides、field emission	碩士	102	2015-09-30	2.16 年
103	銅薄膜與奈米雙晶銅柱之機械性質與結構分析 Mechanical property and crystallography of copper thin films and copper nano-twinned pillars 電子物理系所奈米壓痕、潛變、活化能、奈米雙晶、Nano-indentation、Creep、Activation energy、Nano-twin、In-situ observation	碩士	102	2015-09-30	2.16 年
103	自我組裝關鍵技術應用於三維積體電路研究 Study of Self-Assembly Technology for 3D Integration Applications 電子物理系所・共同指導：陳冠能三維積體電路、自我組裝、親疏水表面張力、晶圓對疊方式、晶圓接合、3DIC、Self-assembly、Self-assembled monolayers、SAM、Hydrophilic/Hydrophobic、3D stacking、Bonding technology	碩士	102	2015-08-01	2.00 年
103	表面氧化層對鍺化鎳奈米線表面形貌的影響 The influences of surface oxide on the morphology of nickel germanide nanowires 電子物理系所鍺奈米線、固態反應、鍺化鎳、表面氧化層、表面形貌、氫氟酸蒸氣蝕刻、Ge nanowires、solid state reaction、nickel germanide、surface oxide、surface morphology、HF steam etching	碩士	100	—	無法計算
102	二矽化鈷和矽之電學及界面特性 Electrical Property and Interface Characterization of CoSi2 and Si 電子物理系所二矽化鈷、歐姆接觸、蕭基能障、CoSi2、Ohmic contact、Schottky barrier	碩士	101	2014-07-28	1.99 年