林俊良
Lin, Chun-Liang・理學院・電子物理學系、理學院碩士在職專班-應用科技組、電子物理系所
碩士平均畢業時長
2.20 年
中位數 2.04 年・32 人
在職專班平均畢業時長
2.16 年
中位數 2.17 年・3 人
博士平均畢業時長
5.24 年
中位數 5.94 年・5 人
收錄論文
41 篇
108–115 學年度
全校中位數(供對照)
碩士 2.10・在職專班 2.08・博士 6.11 年
畢業時長趨勢
每學年度畢業人數
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研究關鍵字
STM掃描穿隧顯微鏡二維材料掃描探針顯微鏡STS掃描穿隧能譜Scanning Tunneling Microscopy電荷密度波2D Material二硒化鈮transition metal dichalcogenides2D materials掃描穿隧顯微鏡/能譜Defect EngineeringScanning tunneling microscopeWSe2缺陷DefectMoS2Niobium DiselenideCharge Density Wave鉛薄膜鄰近效應Thermal stability缺陷工程p型接觸p-type Contact半導體Semiconductor低維材料接觸電阻Fermi Level PinningContact resistance過渡金屬二硫屬化物二碲化鉑二硒化鎢半金屬scanning tunneling spectroscopy掃描穿隧顯微術Nb-STO掃描穿隧譜學晶格應變鐵電性Ferroelectricstrain混成介電屏障HybridizationDielectric Screening Effect低溫掃描探針顯微鏡
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指導論文
| 學年度 | 論文 | 學制 | 入學 | 提交日期 | 畢業時長 |
|---|---|---|---|---|---|
| 115 | Ferroelectric property and Electronic structure at interface of MoS2 on Nb-STO 電子物理學系 MoS2、Nb-STO、掃描穿隧顯微鏡、掃描穿隧譜學、晶格應變、鐵電性、STM、STS、Ferroelectric、strain | 碩士 | 113 | 2026-10-22 | 2.22 年 |
| 115 | Probing Charge Density Wave Distribution in Monolayer NbSe2 電子物理學系 掃描探針顯微鏡、掃描穿隧能譜、二維材料、二硒化鈮、電荷密度波、混成、介電屏障、STM、STS、2D Material、Niobium Diselenide、Charge Density Wave、Hybridization、Dielectric Screening Effect | 碩士 | 111 | 2026-10-02 | 4.17 年 |
| 115 | Proximity effect of charge density wave on VSe2 heterostructure surface 電子物理學系 低溫掃描探針顯微鏡、電荷密度波、Pb/VSe2 異質結構、鉛薄膜、鄰近效應、STM、CDW、1T-VSe2、Pb、Proximity effects | 碩士 | 113 | 2026-10-02 | 2.17 年 |
| 115 | Charge Density Wave Proximity Effect of Metallic Thin Films on NbSe2 電子物理學系 掃描探針顯微鏡、電荷密度波、鄰近效應、二硒化鈮、鉛薄膜、凡德瓦異質結構、Scanning Tunneling Microscope (STM)、Charge Density Wave (CDW)、Proximity Effect、Niobium Diselenide (NbSe₂)、Lead Thin Film、van der Waals Heterostructure | 碩士 | 113 | 2026-09-23 | 2.14 年 |
| 114 | Self-Formed Bi-Segregation NiBi Contact For Thermally Stable Semimetal-MoS₂ Interfaces 電子物理學系 二硫化鉬、二維材料、半金屬接觸、鎳鉍合金、鉍偏析、熱穩定性、Molybdenum disulfide、2D materials、Semimetal contacts、Nickel-bismuth alloy、Bismuth segregation、Thermal stability | 碩士 | 113 | 2026-06-08 | 1.85 年 |
| 114 | Controlling Electronic Structure at Bismuth–TMD Interfaces by Phase and Defect Engineering 電子物理學系 掃描穿隧顯微鏡/能譜、有效功函數、晶相工程、缺陷工程、p型接觸、鉍置換硒、相位–缺陷協同工程、STM/STS、Effective Work Function、Phase Engineering、Defect Engineering、p-type Contact、Bi-Se Defect、Phase-defect Co-engineering | 碩士 | 113 | 2026-06-08 | 1.85 年 |
| 114 | STM Observation of the Growth Mechanism of MBE-growth NiTe₂ on Bilayer Graphene/SiC Substrates 電子物理學系・共同指導:林孟凱 掃描探針顯微鏡、分子束磊晶、二維材料、二碲化鎳、生長機制、STM、MBE、2D Material、NiTe2、Growth Mode | 碩士 | 112 | 2026-04-09 | 2.69 年 |
| 114 | Study CVT-grown PtS2 Electronic Structure and defect by Using Scanning Tunneling Microscopy 電子物理學系 二硫化鉑、掃描穿隧顯微鏡、點缺陷、Platinum disulfide、Scanning Tunneling Microscopy、point defect | 碩士 | 112 | 2026-04-09 | 2.69 年 |
| 114 | High-Efficiency Long-Wavelength GaN-Based Micro-LEDs and Their Applications for Visible Light Communication and Quantum Random Number Generation 電子物理學系・共同指導:郭浩中 微型發光二極體、氮化鎵、長波長、可見光通訊、波長分波多工、量子亂數產生、micro-LED、GaN、long-wavelength、visible light communication、wavelength division multiplexing、quantum random number generator | 博士 | 111 | 2025-11-07 | 3.27 年 |
| 114 | Modulation of Surface Electronic Structure in Two-Dimensional material GaSe 理學院碩士在職專班-應用科技組 硒化鎵、掃描穿隧顯微鏡、光輔助效應、半導體、二維材料、紫外光誘發的氧化現象、Gallium Selenide、Scanning tunneling microscope、Light assist effect、Semiconductor、2D materials、UV-induced oxidation | 碩士在職專班 | 112 | 2025-10-31 | 2.25 年 |
| 114 | Electrochemical Etching-Based Fabrication of Probes from Various Metallic Materials 理學院碩士在職專班-應用科技組 掃描穿隧顯微鏡、電化學蝕刻、探針、金屬材料、掃描穿隧能譜、STM、STS、Electrochemical etching、Metal material、Probe | 碩士在職專班 | 112 | 2025-10-02 | 2.17 年 |
| 114 | Monolithic Integration of Metasurface and PCSEL for Polarization-Division Multiplexing in Free Space Optical Communications 電子物理學系・共同指導:郭浩中 光子晶體面射型雷射、單石整合、超穎介面、偏振轉換、偏振多工、自由空間無線光通訊、photonic crystal surface-emitting lasers、monolithic integration、metasurface、polarization control、polarization-division multiplexing、free-space optical communication | 博士 | 110 | 2025-08-18 | 4.05 年 |
| 114 | Electronic and Vibrational Properties of Low Dimensional Systems and Temperature Related Effect 電子物理學系 雙光子光發射、角分辨光電子能譜、掃描穿隧顯微鏡-非彈性電子穿隧能譜、低維材料、影像勢態、Two-Photon Photoemission、Angle Resolved Photoemission (ARPES)、Low Dimensional Materials、Image Potential States | 博士 | 108 | 2025-07-08 | 5.94 年 |
| 113 | Electronic Structure Evolution of Monolayer MoS₂ and WSe₂ under Pd, Au, and Bi Contacts 電子物理學系 掃描穿隧顯微鏡/能譜、摩爾超晶格、WSe2、MoS2、電荷轉移、p型接觸、接觸電阻、Scanning Tunneling Microscopy and Spectroscopy (STM/STS)、MoS₂、WSe₂、Fermi Level Pinning、Charge transfer、p-type contact、Contact resistance | 碩士 | 112 | 2025-07-22 | 1.97 年 |
| 113 | Manipulation of the Superconducting Critical Temperature of Pb(111) by Tuning Electron–Phonon Coupling 電子物理學系 掃描穿隧顯微鏡、超導體、自旋軌道耦合、電子–聲子耦合、超導臨界溫度、Scanning tunneling microscopy、Superconductor、Spin–orbit coupling、Electron-phonon coupling、Superconducting critical temperature | 碩士 | 112 | 2025-07-15 | 1.95 年 |
| 113 | Ultrafast electronic dynamics and quantum coherence phenomena in quantum materials 電子物理學系・共同指導:羅志偉 時間解析雷射光譜、超快電子動力學、低維材料、光與物質交互作用、福斯特共振能量轉移、Moiré 誘發之量子相干、time-resolved laser spectroscopy、ultrafast electronic dynamics、low-dimensional materials、light-matter interaction、Förster resonance energy transfer、Moiré-induced quantum coherence | 博士 | 108 | 2025-07-11 | 5.94 年 |
| 112 | The Interface Electronic Properties of Metals and Semimetals on MoS₂ and WS₂ 前瞻半導體研究所 掃描穿隧顯微鏡/能譜、蕭特基能障、費米能階釘扎、接觸電阻、半金屬接觸過渡金屬二硫屬化物、過渡金屬二硫屬化物、STM/S、Schottky barrier、Fermi level pinning、contact resistance、metal-semiconductor contacts、transition metal dichalcogenides | 碩士 | 111 | 2024-07-29 | 1.99 年 |
| 112 | The structure and properties of the edge of MoSe2 on Au(111) 電子物理學系 掃描探針顯微鏡、掃描穿隧能譜、二維材料、二硒化鉬、邊緣特性、金屬化、STM、STS、2D material、MoSe2、edge properties、metallization | 碩士 | 111 | 2024-07-29 | 1.99 年 |
| 112 | Effects of Methanol Catalysis on PtTe2 Surface under Diverse Pressure-Time Environments 電子物理學系 甲醇催化、二碲化鉑、掃描穿隧顯微鏡、表面缺陷、Methanol catalysis、Platinum ditelluride、Scanning Tunneling Microscopy、Surface defects | 碩士 | 111 | 2024-07-29 | 1.99 年 |
| 112 | Growth of Monolayer Mn3Sn and Its Topological Kondo Phenomenon 電子物理學系 掃描探針顯微鏡、薄膜成長、拓樸近藤絕緣體、STM、Thin film growth、TKI | 碩士 | 110 | 2023-10-18 | 2.21 年 |
| 112 | WSe2 defect engineering by Ne+ ion bombardment and growth of semimetal Sn 電子物理學系 掃描穿隧顯微鏡、氖離子轟擊、二硒化鎢、半金屬、錫、STM、Ne+ ion bombardment、WSe2、Semimetal、Sn | 碩士 | 110 | 2023-09-16 | 2.12 年 |
| 111 | The Effect of Kink Structure of Nickel Silicide Nanowires on Its Ferromagnetism 電子物理系所・共同指導:周苡嘉 矽奈米線、壓力調控、扭結結構、鎳化矽、鐵磁性質、Si nanowires、pressure modulation、kink、nickel silicide、ferromagnetism | 碩士 | 110 | 2023-08-29 | 2.08 年 |
| 111 | In-situ Monolayer NbSe2 Synthesis and Investigation of Charge Density Wave 電子物理系所・共同指導:吳建德 掃描探針顯微鏡、掃描穿隧能譜、二維材料、二硒化鈮、電荷密度波、非彈性電子穿隧能譜、STM、STS、2D material、niobium diselenide、charge density wave、IETS | 碩士 | 110 | 2023-08-16 | 2.04 年 |
| 111 | Methanol-Induced Defect Engineering: A Case Study on Palladium Ditelluride 電子物理系所 掃描探針顯微鏡、二碲化鈀、甲醇、缺陷工程技術、Scanning Tunneling Microscopy (STM)、Palladium Ditelluride、Methanol、Defect Engineering | 碩士 | 110 | 2023-07-30 | 1.99 年 |
| 111 | Synthesis and Defect Engineering of Novel Two-Dimensional Materials 電子物理系所・共同指導:髙木紀明 掃描穿隧顯微鏡、缺陷工程、二維材料、過渡金屬二硫化族物、超導性、Scanning tunneling microscopy、Defect engineering、Two-dimensional materials、Transition metal dichalcogenides、Superconductivity | 博士 | 105 | 2023-07-30 | 6.99 年 |
| 111 | Physical properties modulation and analysis of innovative semiconductor materials 電子物理系所 掃描穿隧顯微鏡、掃描穿隧能譜、過渡金屬二硫屬化物、缺陷修復、非晶氧化物半導體、scanning tunneling microscope、scanning tunneling spectroscopy、transition metal dichalcogenides、defect recovery、amorphous oxide semiconductors | 碩士 | 110 | 2023-07-30 | 1.99 年 |
| 111 | Visualizing Inhomogeneous Superconductivity of NbTiN Nanowires in Single-Photon Detectors by STM 電子物理系所 單光子探測器、超導奈米線、掃描穿隧顯微術、掃描穿隧能譜、NbTiN、Single-Photon Detector、Superconducting Nanowire、Scanning Tunneling Microscopy、Scanning Tunneling Spectroscopy | 碩士 | 109 | 2023-01-29 | 2.49 年 |
| 111 | Charge density wave induced rearrangement of FePc molecules on NbSe2 電子物理系所 掃描探針顯微鏡、鐵酞菁、二硒化鈮、電荷密度波、STM、FePc、NbSe2、Charge density waves | 碩士 | 109 | 2023-01-11 | 2.44 年 |
| 111 | 2D Indium Nitride Nanosheets Synthesized via the Ammonolysis of Liquid Metal Printed Oxide 電子物理系所・共同指導:周苡嘉 液態金屬印轉技術、二維材料、氧化銦、氮化銦、liquid metal printing technique、two dimensional material、indium oxide、indium nitride | 碩士 | 109 | 2022-11-29 | 2.33 年 |
| 110 | Research of metallic adhesion by sputtering after surface modification on polymer material 理學院應用科技學程 表面能、表面粗糙度、離子源、原子力顯微鏡、X射線光電子能譜、表面化學勢、表面張力、Surface Energy、Surface roughness、Ion source、Atomic Force Microscopy、X-ray photoelectron spectroscopy、Chemical Potential、Surface Tension | 碩士在職專班 | 109 | 2022-08-23 | 2.06 年 |
| 110 | Influence of surface defects on the growth behavior of semi-metal Sn on WSe2 電子物理系所 掃描穿隧顯微鏡、二硒化鎢、缺陷、氬離子轟擊、Scanning Tunneling Microscope、WSe2、Defect、Argon Ion Bombardment | 碩士 | 109 | 2022-08-09 | 2.02 年 |
| 110 | Self-propagation characteristic and application of Ni/ amorphous-Si reactive multilayers 電子物理系所・共同指導:周苡嘉 反應性多層膜、鎳、矽、自蔓延反應、鎳矽化合物、Reactive multilayer、Nicke、Silicon、self-propagation reaction、Nickel-silicide | 碩士 | 109 | 2022-08-08 | 2.02 年 |
| 110 | Electronic structure of layered Bi on gate dielectric material SrTiO3 電子物理系所 掃描穿隧顯微鏡、Rashba 效應、鉍、鈦酸鍶、閘級電壓、STM、Rashba effect、Bi、STO、Back-gate voltage | 碩士 | 110 | 2022-07-20 | 0.97 年 |
| 110 | Investigation of edges-guiding silicene formation on vicinal Ag(111) surface using scanning tunneling microscope 電子物理系所 掃描探針顯微鏡、掃描探針顯微術、二維材料、矽烯、石磨稀、台階導向、STM、STS、2D material、silicene、graphene、edges-guiding | 碩士 | 109 | 2022-07-10 | 1.94 年 |
| 110 | Visualizing Defects Induced Modulation of Carrier Mobility 電子物理系所 掃描穿隧式電子顯微鏡、二維材料、場效電晶體、載子遷移率、缺陷、Scanning tunneling microscopy、Field effect transistor、2D materials、Transition metal dichalcogenides、Defect | 碩士 | 109 | 2022-06-30 | 1.91 年 |
| 109 | Visualization of Self-Assembled Conjugated Copolymer PSTe 電子物理系所 掃描穿隧顯微鏡、共軛聚合物、共軛共聚物、自組裝、PSTe、Scanning Tunneling Microscopy、Conjugated Polymer、Conjugated Copolymer、Self-assembly | 碩士 | 108 | 2021-08-17 | 2.05 年 |
| 109 | Analysis of Thermal Characteristics of Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes and Study on Sterilization Efficiency at Different Flow Rates 照明與能源光電研究所・共同指導:許根玉 深紫外光發光二極體、汞燈、淨水器、熱模擬、細菌量、Deep ultraviolet light-emitting diode、mercury lamp、water purifier、thermal simulation、bacterial load | 碩士 | 106 | 2021-08-05 | 4.01 年 |
| 109 | Growth behavior of Ni on hydrogen-etched WS2 surface 電子物理系所 掃描穿隧顯微鏡、二硫化鎢、鎳金屬成長機制、硫空缺、氫氣蝕刻、STM、WS2、Ni growth behavior、sulfur vacancies、hydrogen etching | 碩士 | 108 | — | 無法計算 |
| 108 | Temperature-Dependent Electronic Structures of type-II Weyl semimetal MoTe2 and WTe2 電子物理系所 掃描穿隧顯微鏡、外爾半金屬、外爾點、費米弧、STM、QPI、Weyl point、Fermi arc、Weyl semimetal | 碩士 | 107 | 2020-08-16 | 2.04 年 |
| 108 | Characterizing Ultrathin PtTe2 Film by Scanning Tunneling Spectroscopy 電子物理系所 二碲化鉑、掃描穿隧顯微術、斯塔克效應、半導體、半金屬、PtTe2、STM、Stark effect、Semiconductor、Semimatel | 碩士 | 107 | 2020-08-16 | 2.04 年 |
| 108 | STM Investigation of MoS2 FET and GeOx Ultrathin Film 電子物理系所 掃描穿隧顯微鏡、掃描穿隧能譜、紫外光電子能譜、二硫化鉬場效電晶體、氧化鍺、缺陷、能帶邊緣、熱穩定、STM、STS、UPS、MoS2 FET、GeOx、defect、band edge、thermal stability | 碩士 | 107 | 2020-08-12 | 2.03 年 |