黃調元

Huang, Tiao-Yuan・電機學院・電子研究所

碩士平均畢業時長

2.10 年

中位數 2.02 年・30 人

博士平均畢業時長

6.12 年

中位數 6.49 年・12 人

收錄論文

43 篇

100–109 學年度

全校中位數（供對照）

碩士 2.10・博士 6.11 年

畢業時長趨勢

每學年度畢業人數

只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。

研究關鍵字

薄膜電晶體多晶矽氧化鋅ZnOThin-Film Transistor (TFT)無接面奈米線TFTNanowirepolycrystalline silicon (poly-Si)金屬氧化物InverterSnO氧化銦鎵鋅薄膜輪廓工法反向器thin-film transistor保護層junctionless奈米線電晶體短通道穩定性short channelstability自我對準Passivation短通道效應Film Profile EngineeringSONOS獨立雙閘極silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS)全包覆式閘極gate-all-around (GAA)反相器氮氧化鋅氧化錫Back-End-Of-Line (BEOL)ZnON氧化物半導體源汲極電阻電壓轉換曲線IGZOmobilityinvertersthin-film transistorsSelf-Aligned次臨界擺幅Film-profile engineering (FPE)Subthreshold swing (SS)Photoresist trimming

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指導論文

學年度	論文	學制	入學	提交日期	畢業時長
109	奈米管與奈米線多晶矽電晶體之研製與隨機電報雜訊分析 Fabrication of Nanotube and Nanowire Poly-Si Transistors and Random Telegraph Noise Characterization 電子研究所・共同指導：林鴻志管狀通道電晶體、奈米線電晶體、多晶矽、全包覆式閘極、隨機電報雜訊、多階隨機電報雜訊、三階隨機電報雜訊、高介電係數、非對稱源/汲極結構、tube-shaped channel transistors (Tube-FETs)、nanowire transistors、polycrystalline silicon (poly-Si)、gate-all-around (GAA)、random telegraph noise (RTN)、multi-level RTN、three-level RTN、high-κ (HK)、asymmetrical source/drain structure	博士	102	2020-08-06	7.01 年
107	運用薄膜形貌工法研製之金屬氧化物與有機薄膜電晶體特性與應用的研究 Study of the Characteristics of Metal-Oxide and Organic Thin-Film Transistors Fabricated by Film-Profile-Engineering Method and their Applications 電子研究所・共同指導：林鴻志金屬氧化物、薄膜形貌工法、薄膜電晶體、後段製程技術、偏移、高壓、反相器、氧化鋅、氮氧化鋅、氧化錫、有機、五苯環、電腦輔助模擬技術模擬、源極與汲極電阻、Metal-Oxide (MO)、Film-Profile-Engineering (FPE)、Thin-Film Transistor (TFT)、Back-End-Of-Line (BEOL)、Offset、High-Voltage (HV)、Inverter、ZnO、ZnON、SnO、Organic、Pentacene、Technology Computer Aided Design (TCAD) simulation、Source and Drain Resistance (RSD)	博士	100	2018-12-12	7.36 年
107	氮氧化鋅薄膜研製與電晶體應用之研究 Study on the Preparation and Device Applications of Zinc Oxynitride Films 電子研究所・共同指導：林鴻志氧化物半導體、薄膜電晶體、氮氧化鋅、氧化鋅、氧化銦鎵鋅、薄膜輪廓工法、電子遷移率、短通道、源汲極電阻、反向器、電壓轉換曲線、電壓增益、穩定性、oxide-semiconductor、thin-film transistor、ZnON、ZnO、IGZO、film-profile engineering、mobility、short channel、source/drain resistance、inverters、voltage transfer curves、voltage gain、stability	博士	101	2018-12-07	6.35 年
105	氧化錫薄膜與P型氧化亞錫電晶體之研製與分析 Study on the Preparation of Tin-Oxides Films and Fabrication of P-type Tin-Monoxide Thin-Films Transistors 電子研究所・共同指導：林鴻志氧化物半導體、薄膜電晶體、氧分壓、氧化錫、二氧化錫、累積式退火、保護層、元件操作壽命、雙閘極結構、oxide semiconductor、thin-film transistors、oxygen partial pressure、SnO、SnO2、cumulative annealing、passivation layer、long-term durability、double-gated structure	博士	98	2017-07-31	8.00 年
105	氧化鋅上閘極薄膜電晶體及氮化鈦通道電晶體製作與特性分析 A study on the Fabrication and Characterization of Top-Gate ZnO TFTs and TiN-Channel TFTs 電子研究所・共同指導：林鴻志金屬氧化物、氮化鈦、氧化鋅、薄膜電晶體、上閘極、metal-oxide、TiN、ZnO、TFT、top-gate	碩士	103	2016-08-23	2.06 年
105	具有T型閘極的自我對準氧化鋅薄膜電晶體之製作與特性分析 Fabrication and Characterization of Self-Aligned ZnO Thin-Film Transistors with a T-shaped Gate 電子研究所・共同指導：林鴻志氧化鋅、薄膜電晶體、自我對準、Zinc-Oxide、Thin-Film Transistor、Self-Aligned	碩士	103	2016-08-22	2.06 年
105	研究與提升保護層對於氧化鋅薄膜電晶體之影響 A Study of Plasma Treatments on the Performance of ZnO Thin Film Transistors with Passivation Layers 電子研究所・共同指導：林鴻志薄膜電晶體、氧化鋅、保護層、TFT、ZnO、Passivation	碩士	103	2016-08-04	2.01 年
104	薄膜輪廓工法之非晶銦鎵鋅氧薄膜電晶體之研製與分析 Fabrication and Analysis of Amorphous In-Ga-Zn-O Thin-Film Transistors with Film-Profile-Engineering 電子工程學系電子研究所・共同指導：林鴻志金屬氧化物、薄膜電晶體、銦鎵鋅氧、薄膜輪廓工法、場效遷移率、次臨界擺幅、光阻削減、短通道、源汲極電阻、自我對準、電腦輔助設計技術、狀態密度、複頻方法、修改型電導方法、Metal oxide、Thin-film transistors (TFTs)、InGaZnO (IGZO)、Film-profile engineering (FPE)、Field-effect mobility (µFE)、Subthreshold swing (SS)、Photoresist trimming、Short channel、S/D resistance (RSD)、Self-aligned (SA)、Density of states (DOS)、Multi-frequency method (MFM)、Modified conductance method (MCM)	博士	98	2016-07-26	6.98 年
104	以”薄膜輪廓工法”研製金屬氧化物薄膜電晶體及反向器 Fabrication of Metal-Oxide Thin-Film Transistors and Inverters with “Film Profile Engineering” 電子工程學系電子研究所・共同指導：林鴻志金屬氧化物、薄膜電晶體、薄膜輪廓工法、氧化鋅、氧化銦鎵鋅、載子遷移率、開關電流比、次臨界擺幅、積體電路後段主動元件、源極汲極串聯電阻、短通道效應、轉換電導、邏輯閘、三維、反向器、臨界電壓、電壓轉換曲線、雜訊容限、照光穩定性、Metal Oxide (MO)、Thin-Film Transistor (TFT)、Film-Profile Engineering (FPE)、ZnO、InGaZnO4 (IGZO)、Mobility、On/Off Current Ratio (ION/IOFF)、Subthreshold Slope (SS)、Back-End-Of-Line (BEOL)、Source/Drain Series Resistance (RSD)、Short-Channel Effect、Transconductance (GM)、Logic Gate、3-Dimensional (3D)、Inverter、Threshold Voltage (VTH)、Voltage Transfer Curve (VTC)、Noise Margin、Light-Induced Instability	博士	100	2016-05-23	4.81 年
104	以薄膜形貌工程製作非晶態銦鎵鋅氧化物單極性反向器之改善與分析 Improvement and Analysis of a-IGZO Unipolar Inverters with FPE TFTs 電子工程學系電子研究所・共同指導：林鴻志薄膜電晶體、非晶態銦鎵鋅氧化物、反向器、薄膜形貌工程、Thin Film Transistor、a-IGZO、Inverter、Film Profile Engineering	碩士	102	2016-04-06	2.68 年
104	薄膜形貌工法電晶體之氧化鋅單極性反相器之製造與特性分析 Fabrication and Characterization of ZnO Unipolar Inverters with FPE TFTs 電子工程學系電子研究所・共同指導：林鴻志氧化鋅、反相器、薄膜形貌、ZnO、inverters、Film profile engineering	碩士	102	2016-02-26	2.57 年
104	具背向閘極之混合式P/N通道無接面場效電晶體之研究 Study of Hybrid P/N Channel with Back-Gate Junctionless Field-Effect Transistor 電子工程學系電子研究所・共同指導：張俊彥、林鴻志背向閘極、混合式、無接面、場效電晶體、back-gate、hybrid、junctionless、FET	碩士	102	2015-12-06	2.35 年
104	利用氮化鋁鈍化層與遠端電漿表面處理於銦化砷鎵金氧半場效電晶體之電性與可靠度分析 Electrical analysis and PBTI reliability of In0.53Ga0.47As MOSFETs with AlN passivation layer and NH3 post remote plasma treatment 電子工程學系電子研究所・共同指導：張翼銦化砷鎵金氧半場效電晶體、氮化鋁鈍化層、遠端電漿表面處理、正偏壓應力可靠度、InGaAs MOSFETs、AlN interfacial passivation layer、in-situ PEALD、PBTI	碩士	102	2015-09-21	2.14 年
104	使用氮化鋁及閘極介電質成長後電漿處理法改善三五族砷化銦鎵場效電晶體元件特性之研究 On The Performances of In0.53Ga0.47As nMOSFETs Using Post Remote-Plasma Treatment And PEALD-AlN Passivation Layer 電子工程學系電子研究所・共同指導：黃國威砷化銦鎵、高介電係數氧化物、鈍化效應、氮化鋁介面活性層、電漿處理、InGaAs、High-k dielectrics、Passivation Effect、PEALD-AlN、Post Remote-Plasma	碩士	102	2015-08-22	2.06 年
104	無機保護層對一氧化錫薄膜電晶體特性與穩定度之影響探討 Study of the Influences of Inorganic Passivation Layers on the Characteristics and Stability of Tin-Monoxide Thin Film Transistors 電子工程學系電子研究所・共同指導：林鴻志薄膜電晶體、一氧化錫、保護層、穩定度、Thin Film Transistors、SnO、passivation、stability	碩士	102	2015-08-11	2.03 年
104	探討保護層對於非晶態銦鎵鋅氧化物薄膜電晶體穩定性之影響 Impact of Passivation Layers on the Stability of α-IGZO Thin Film Transistors 電子工程學系電子研究所・共同指導：林鴻志氧化銦鎵鋅、薄膜電晶體、穩定性、保護層、α-IGZO、TFT、Stability、Passivation	碩士	102	2015-08-11	2.03 年
104	氮化矽側壁硬式光罩製造之環繞式閘極多晶矽無接面奈米線薄膜電晶體特性研究 Characterization of Gate-All-Around Nanowire Junctionless Poly-Silicon Thin Film Transistors Fabricated by Nitride Hard Mask Methods 電子工程學系電子研究所・共同指導：林鴻志奈米線、無接面、薄膜電晶體、多晶矽、Nanowire、Junctionless、TFT、Poly-Silicon	碩士	102	2015-08-10	2.02 年
103	平面式與三閘極結構之N型無接面多晶矽薄膜電晶體的研製與分析 A Study on Fabrication and Analysis of N-Type Planar and Tri-Gated Junctionless Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors 電子工程學系電子研究所・共同指導：林鴻志無接面、多晶矽、薄膜電晶體、原位、平面式、摻雜析出、三閘極、低壓氣相沉積系統、邊襯、光阻薄化、junctionless、polysilicon、thin-film transistor、in-situ、planar、dopant segregation、trigate、low pressure vapor deposition、sidewall spacer、photoresist trimming	博士	96	2015-07-03	7.92 年
102	藉由有機保護層提升a-IGZO 薄膜電晶體之穩定性及可靠度之探討 Improvement of Stability and Reliability of a-IGZO Thin Film Transistors with Organic Passivation Layers 電子工程學系電子研究所・共同指導：林鴻志氧化銦鎵鋅、薄膜電晶體、穩定性、可靠度、有機保護層、a-IGZO、TFT、stabiltiy、reliability、organic passivation layer	碩士	101	2014-07-18	1.96 年
102	薄膜形貌工程薄膜電晶體之單極性反向器之設計與製造 Design and fabrication of N-type unipolar inverters with FPE TFTs 電子工程學系電子研究所・共同指導：林鴻志薄膜電晶體、反向器、後段電路、thin film transistor、inverter、BEOL IC	碩士	101	2014-07-18	1.96 年
102	氮化矽側壁硬式光罩方法製造多晶矽奈米線非揮發性記憶體元件之特性研究 Characterization of N-type Nanowire Nonvolatile Memory Devices Fabricated by Nitride-Spacer Hardmask Methods 電子工程學系電子研究所・共同指導：林鴻志奈米線、非揮發性記憶體、氮化矽側壁、矽-氧化矽-氮化矽-氧化矽-矽、尖角效應、隨機電訊噪音、Nanowire、Nonvolatile Memory、Nitride spacer、SONOS、corner effect、Random Telegraph Noise	碩士	101	2014-07-17	1.96 年
102	薄膜輪廓工法－氧化鋅薄膜電晶體之製作與特性分析 Fabrication and Characterization of Film-Profile-Engineered ZnO Thin-Film Transistors 電子工程學系電子研究所・共同指導：林鴻志薄膜電晶體、氧化鋅、薄膜輪廓工法、Thin-Film Transistors、ZnO、Film-Profile-Engineered	碩士	101	2014-07-17	1.96 年
102	以薄膜工程製作次微米無接面銦錫氧化物薄膜電晶體及其特性分析 Fabrication and Characterization of Sub-Micron Junctionless ITO TFTs Using Film Profile Engineering 電子工程學系電子研究所・共同指導：林鴻志薄膜電晶體、銦錫氧化物、遲滯現象、薄膜工程、金屬氧化物半導體、次微米、無接面、thin-film transistor、indium tin oxide、ITO、hysteresis、film profile engineering、metal oxide semiconductor、sub-micron、junctionless	碩士	100	2014-07-17	2.96 年
102	非對稱金氧半場效電晶體及無接面多晶矽薄膜電晶體的研究 A Study on Asymmetrical MOSFETs and Junctionless Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors 電子物理系所・共同指導：趙天生、林鴻志雙重微影、非對稱元件、無接面元件、double patterning、asymmetrical device、junctionless device	博士	97	2014-01-14	5.45 年
102	新穎多晶矽奈米線非揮發性記憶體之研製與分析 Fabrication and Analysis of Novel Poly-Si Nanowire Non-Volatile Memory Devices 電子工程學系電子研究所・共同指導：林鴻志奈米線、多晶矽、場效電晶體、自我對準、漏極感應勢壘降低、揮發記憶體、氧化鋁鉿、保持力、忍受力、短通道、Nanowire、Polycrystalline silicon、Field-effect transistor、Self-aligned、Drain induced barrier lowing、Non-volatile memory、Short channel	博士	98	2014-01-10	4.44 年
102	一氧化錫薄膜電晶體的製作與特性分析 Fabrication and Characterization of Tin-Monoxide Thin Film Transistors 電子工程學系電子研究所・共同指導：林鴻志一氧化錫、薄膜電晶體、SnO、TFTs	碩士	101	—	無法計算
101	次100奈米氧化鋅薄膜電晶體製作與特性分析 Fabrication and Characterization of Sub-100 nm ZnO TFTs 電子工程學系電子研究所・共同指導：林鴻志氧化鋅、次一百奈米、金屬氧化物薄膜電晶體、ZnO、sub-100nm、metal oxide TFT	碩士	100	2013-07-18	1.96 年
101	N型無接面多晶矽薄膜電晶體之製作與特性分析 Fabrication and Characterization of N-Type Junctionless Poly-Si Thin-Film Transistors 電子工程學系電子研究所・共同指導：林鴻志無接面、薄膜電晶體、低壓化學氣相沉積系統、磷偏析、次微米通道長度、邊襯、多頻電容-電壓量測、臨場摻雜、閘極所引起的源極漏電流、多晶矽、固定電荷密度、短通道效應、Junctionless (JL)、Thin-film transistor (TFT)、Low Pressure Chemical Vapor Deposition (LPCVD)、Segregation of phosphorous species、Sub-Lithographic Channel Length、Sidewall spacer、Multi-Frequency C-V Measurements、In situ doping、Gate-Induced Drain Leakage (GIDL)、Poly-Si、Fixed charge density、Short-channel effects (SCEs)	碩士	100	2013-07-17	1.96 年
101	a-IGZO 薄膜電晶體的製作與特性分析 Fabrication and Characterization of a-IGZO Thin Film Transistors 電子工程學系電子研究所・共同指導：林鴻志薄膜電晶體、IGZO	碩士	100	2013-07-05	1.93 年
101	以氧化鉿為介電層的電阻式記憶體之電性與分析 Electrical characteristics and analyses of HfOx based resistive random access memories 電子工程學系電子研究所・共同指導：林鴻志電阻式記憶體、氧化鉿、鈦、鎳、RRAM、Hafnium oxide、Titanium、Nickel	碩士	100	2013-07-05	1.93 年
101	未摻雜之氧化鋅薄膜電晶體的製作與特性分析 Fabrication and Characterization of Undoped-ZnO Thin Film Transistors 電子工程學系電子研究所・共同指導：林鴻志氧化鋅、ZnO	碩士	100	2013-07-05	1.93 年
101	射頻應用之寬汲極橫向擴散金氧半場效電晶體特性與模型參數分析 Characterization and Modeling of Wide-Drain LDMOS Transistors for RF Applications 電子工程學系電子研究所・共同指導：陳坤明、林鴻志橫向擴散金氧半場效電晶體、設計、寬汲極、LDMOS、layout、wide-drain	碩士	99	2012-09-24	2.15 年
101	利用雙重微影成像法製作多晶矽鰭式場效電晶體元件之特性研究 A Study on the Device Characteristics of Polycrystalline Silicon FinFETs Fabricated with Double Patterning Technique 電子工程學系電子研究所・共同指導：林鴻志鰭式場效電晶體、雙重微影成像法、多晶矽、FinFETs、Double Patterning Technique、Polycrystalline Silicon	碩士	99	2012-09-11	2.11 年
101	具獨立雙閘極之N型無接面奈米線電晶體的製作與特性分析 Fabrication and Characterization of N-Type Junctionless Independent Double-Gated Nanowire Transistors 電子工程學系電子研究所・共同指導：林鴻志獨立雙閘極、無接面奈米線電晶體、導通機制、TCAD模擬、閘極控制能力、短通道效應、independent double-gated、juntionless nanowire transistors、conduction mechanism、TCAD simulation、gate controllability、short channel effects (SCEs)	碩士	99	2012-09-10	2.11 年
101	平面式獨立雙閘極多晶矽SONOS記憶體元件以及非對稱式蕭特基能障薄膜電晶體之製作與特性分析 Fabrication and Characterizations of Planar Independent Double-Gated Poly-Si SONOS Devices and Asymmetric Schottky Barrier Thin-Film Transistors 電子工程學系電子研究所・共同指導：林鴻志蕭特基能障、獨立雙閘極、矽化鉑、多晶矽、Schottky barrier、Independent Double-Gated、PtSi、poly-Si	碩士	99	2012-09-06	2.10 年
101	N型多晶矽薄膜電晶體元件製作與高頻特性分析 Fabrication and High-Frequency Characterization of N-type Poly-Si Thin-Film Transistors 電子工程學系電子研究所・共同指導：林鴻志 N型多晶矽薄膜電晶體、光阻微調技術、小訊號參數、小訊號模型、截止頻率、n-type poly-Si thin-film transistors、photoresist-trimming techniques、small-signal parameters、small-signal model、cut-off frequency	碩士	99	2012-09-05	2.10 年
100	通道截面形狀對多晶矽奈米線非揮發性記憶體元件操作特性影響之研究 Impacts of Channel's Cross-Sectional Shape on the Operation of Poly-Si Nanowire Nonvolatile Memory Devices 電子工程學系電子研究所・共同指導：林鴻志奈米線電晶體、環繞全閘極、電荷儲存能力、忍耐度、nanowire FET、gate-all-around、retention、endurance、SONOS、TAHOS	碩士	99	2012-07-24	1.98 年
100	具鎳矽化物源汲極之多晶矽奈米線互補式金氧半反相器元件的製程與特性分析 Fabrication and Characterization of Poly-Si NW-Channel CMOS Inverters with Ni Silicided Source and Drain 電子工程學系電子研究所・共同指導：林鴻志互補式金氧半反相器、奈米線、矽化鎳、電漿處理、CMOS inverter、nanowire、Ni-silicidation、plasma treatment	碩士	99	2012-07-16	1.96 年
100	新穎反轉式及無接面多閘極多晶矽奈米線薄膜電晶體特性與應用的探討 An Investigation on the Characteristics and Applications of Novel Multiple-Gated Inversion-Mode and Junctionless Polycrystalline Silicon Nanowire Thin-Film Transistors 電子工程學系電子研究所・共同指導：林鴻志奈米線、獨立雙閘極、全包覆式閘極、多晶矽、薄膜電晶體、矽 -氧化矽-氮化矽-氧化矽-矽、無接面、蕭特基位障、低於六十的次臨界擺幅、nanowire (NW)、independent double-gated (IDG)、gate-all-around (GAA)、polycrystalline silicon (Poly-Si)、thin-film transistor (TFT)、silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS)、junctionless (J-less)、Schottky-barrier (SB)、sub-60 mV/dec SS	博士	94	2012-03-18	6.63 年
100	新穎多閘極多晶矽奈米線薄膜電晶體之研製與其應用 Fabrication and Analysis of Novel Multiple-Gated Poly-Si Nanowire Thin-Film Transistors and Their Applications 電子工程學系電子研究所・共同指導：林鴻志奈米線、多閘極、多晶矽、薄膜電晶體、背閘極效應、變異度、非揮發記憶體、SONOS、感測器、Nanowire (NW)、Multiple-Gate (MG)、Polycrystalline Silicon (Poly-Si)、Thin-Film Transistor (TFT)、Back-Gate Effect、Variability、Non-Volatile Memory (NVM)、Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon (SONOS)、Sensor	博士	97	2011-11-03	3.26 年
100	具獨立雙閘極之多晶矽奈米線薄膜電晶體的研製與分析 Fabrication and Analysis of Independent Double-Gated Poly-Si Nanowire Thin-Film Transistors 電子工程學系電子研究所・共同指導：林鴻志奈米線、獨立雙閘極、多閘、多晶矽、臨場摻雜、薄膜電晶體、次臨界擺幅、穿隧、雜質、低溫測量、遲滯、非揮發記憶體、矽-氧化矽-氮化矽-氧化矽-矽、背閘效應、單一記憶胞二位元儲存、Nanowire、Independent Double-Gated (IDG)、Multiple-Gated、Polycrystalline Silicon (Poly-Si)、In Situ Doping、Thin-Film Transistor (TFT)、Subthreshold Swing (SS)、Tunneling、Dopant、Low Temperature Characterization、Hysteresis、Non-Volatile Memory (NVM)、Back-Gate Effect、Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon (SONOS)、2-bit/cell	博士	95	2011-10-30	5.25 年
100	利用雙重微影成像法製作P型金氧半場效電晶體之元件特性和可靠度研究 A Study on the Fabrication, Characterization, and Reliability Issues of PMOSFETs with Double-Patterning Technique 電子工程學系電子研究所・共同指導：林鴻志雙重微影、金氧半場效電晶體、Double-Patterning、MOSFET	碩士	98	2011-08-09	2.02 年
100	高介電常數材料的特性分析及其在多晶矽奈米線非揮發性記憶體之應用 A Study on the Characterization of High-κ Materials and their Applications to Poly-Si Nanowire Nonvolatile Memory Devices 電子工程學系電子研究所・共同指導：林鴻志奈米線電晶體、環繞全閘極、電荷儲存能力、忍耐力、nanowire FET、gate-all-around、retention、endurance、TAHOS	碩士	98	2011-08-06	2.01 年