黃國威

Huang, Guo-Wei & Huang, Tiao-Yuan・電機學院・電子研究所

碩士平均畢業時長

2.16 年

中位數 2.17 年・5 人

收錄論文

5 篇

104–111 學年度

全校中位數（供對照）

碩士 2.10 年

畢業時長趨勢

每學年度畢業人數

只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。

研究關鍵字

砷化銦鎵InGaAs氮化鎵高電子遷移率電晶體氮化鎵金屬-絕緣體-半導體高電子遷移率電晶體散射參數小訊號分析X參數大訊號分析GaN HEMTsGaN MIS-HEMTsscatter parameterssmall-signal analysisX-parameterslarge-signal analysis薄膜電晶體T型閘極自我對準舉離反轉模式無接面Thin-Film TransistorT-Shaped GateSelf-AlignedLift-OffInversion-ModeJucntionless自我對準金屬源/汲極微波熱退火超淺接面鰭式場效電晶體Self-Aligned Metal Source/DrainMicrowave AnnealingShallow JunctionFinFET扇出技術低雜訊放大器fan outLNA高介電係數氧化物鈍化效應氮化鋁介面活性層電漿處理High-k dielectricsPassivation EffectPEALD-AlNPost Remote-Plasma

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指導論文

學年度	論文	學制	入學	提交日期	畢業時長
111	在紫外光照射下氮化鎵高電子遷移率電晶體和金屬-絕緣體-半導體高電子遷移率電晶體的小訊號和大訊號特性分析 Small-Signal and Large-Signal Characterization of GaN HEMT and MIS-HEMT under UV Irradiation 電子研究所・共同指導：林鴻志氮化鎵高電子遷移率電晶體、氮化鎵金屬-絕緣體-半導體高電子遷移率電晶體、散射參數、小訊號分析、X參數、大訊號分析、GaN HEMTs、GaN MIS-HEMTs、scatter parameters、small-signal analysis、X-parameters、large-signal analysis	碩士	109	2022-09-06	2.10 年
110	利用舉離法形成自我對準源/汲/閘極金屬化的新穎T型閘多晶矽薄膜電晶體 A Novel T-shaped Gate Poly-Silicon Thin-Film Transistor Featuring Self-Aligned Source/Drain/Gate Metallization Enabled by Lift-Off Process 電子研究所・共同指導：林鴻志薄膜電晶體、T型閘極、自我對準、舉離、反轉模式、無接面、Thin-Film Transistor、T-Shaped Gate、Self-Aligned、Lift-Off、Inversion-Mode、Jucntionless	碩士	108	2021-10-28	2.24 年
106	改善砷化銦鎵金氧半場效電晶體及鰭式電晶體元件之源極與汲極特性研究 Study on the Source/Drain Engineering of InGaAs MOSFETs and FinFETs 電子研究所・共同指導：李建平砷化銦鎵、自我對準金屬源/汲極、微波熱退火、超淺接面、鰭式場效電晶體、InGaAs、Self-Aligned Metal Source/Drain、Microwave Annealing、Shallow Junction、FinFET	碩士	104	2017-10-16	2.21 年
106	整合型扇出技術實現28GHz低雜訊放大器應用在第五代行動通訊 A 28GHz Low Noise Amplifier(LNA) using Integrated Fan-out(InFO) technology for 5th generation wireless system 電子研究所・共同指導：林國瑞扇出技術、低雜訊放大器、fan out、LNA	碩士	104	2017-10-02	2.17 年
104	使用氮化鋁及閘極介電質成長後電漿處理法改善三五族砷化銦鎵場效電晶體元件特性之研究 On The Performances of In0.53Ga0.47As nMOSFETs Using Post Remote-Plasma Treatment And PEALD-AlN Passivation Layer 電子工程學系電子研究所・共同指導：黃調元砷化銦鎵、高介電係數氧化物、鈍化效應、氮化鋁介面活性層、電漿處理、InGaAs、High-k dielectrics、Passivation Effect、PEALD-AlN、Post Remote-Plasma	碩士	102	2015-08-22	2.06 年