陳坤明

Chen, Kun-Ming・工學院・材料科學與工程學系所

碩士平均畢業時長

2.15 年

中位數 2.15 年・1 人

博士平均畢業時長

8.27 年

中位數 8.27 年・2 人

收錄論文

3 篇

101–108 學年度

全校中位數（供對照）

碩士 2.10・博士 6.11 年

畢業時長趨勢

每學年度畢業人數

只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。

研究關鍵字

橫向擴散金氧半場效電晶體LDMOS氮化鎵高電子遷移率電晶體紫外光脈衝電流-電壓低頻雜訊高頻參數缺陷捕捉效應光電子Gallium NitrideHigh Electron Mobility TransistorsUlrtavioletPulsed current-voltageLow-frequency noiseHigh-frequencyCharge trappingoptoelectronic鰭狀電晶體薄膜場效電晶體汲極延伸射頻FinFETTFTDrain-ExtendedRadio-Frequency設計寬汲極layoutwide-drain

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指導論文

學年度	論文	學制	入學	提交日期	畢業時長
108	紫外光輻射下的氮化鎵高電子遷移率電晶體之電子特性分析研究 Electrical Characterization of GaN-based HEMTs Under Ultraviolet Illumination 材料科學與工程學系所・共同指導：張翼氮化鎵、高電子遷移率電晶體、紫外光、脈衝電流-電壓、低頻雜訊、高頻參數、缺陷捕捉效應、光電子、Gallium Nitride、High Electron Mobility Transistors、Ulrtaviolet、Pulsed current-voltage、Low-frequency noise、High-frequency、Charge trapping、optoelectronic	博士	101	2020-07-31	8.00 年
108	矽基射頻暨功率電晶體於不同佈局幾何設計下之電子特性分析 Electrical Characterization of Silicon-based RF and Power Transistors With Different Layout Geometries 材料科學與工程學系所・共同指導：張翼橫向擴散金氧半場效電晶體、鰭狀電晶體、薄膜場效電晶體、汲極延伸、射頻、LDMOS、FinFET、TFT、Drain-Extended、Radio-Frequency	博士	100	2020-02-10	8.53 年
101	射頻應用之寬汲極橫向擴散金氧半場效電晶體特性與模型參數分析 Characterization and Modeling of Wide-Drain LDMOS Transistors for RF Applications 電子工程學系電子研究所・共同指導：林鴻志、黃調元橫向擴散金氧半場效電晶體、設計、寬汲極、LDMOS、layout、wide-drain	碩士	99	2012-09-24	2.15 年