Tseng, TY
電機學院・電機資訊國際學程
碩士平均畢業時長
2.09 年
中位數 2.09 年・1 人
收錄論文
1 篇
105–105 學年度
全校中位數（供對照）
碩士 2.10 年
畢業時長趨勢
每學年度畢業人數
只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。
研究關鍵字
氧化锌氧化铈记忆半导体存储器ZnOCeO2MemorySemiconductor MemoryTransparent MemoryRRAM
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指導論文
| 學年度 | 論文 | 學制 | 入學 | 提交日期 | 畢業時長 |
|---|---|---|---|---|---|
| 105 | Investigation of Transparent CeO2/ZnO Bi-Layer RRAM 電機資訊國際學程・共同指導：曾俊元 氧化锌、氧化铈、记忆、半导体存储器、ZnO、CeO2、Memory、Semiconductor Memory、Transparent Memory、RRAM | 碩士 | 103 | 2016-09-01 | 2.09 年 |